Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Первый взгляд на смартфон HUAWEI Pura 80 Ultra

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

HUAWEI nova Y73: самый недорогой смартфон с кремний-углеродной батареей

Обзор HUAWEI MatePad Pro 12.2’’ (2025): обновление планшета с лучшим экраном

Обзор смартфона HUAWEI nova Y63: еще раз в ту же реку

Обзор ноутбука HONOR MagicBook Pro 14 (FMB-P) на платформе Core Ultra второго поколения

Пять причин полюбить ноутбук HONOR MagicBook Pro 14

Источник изображения: Micron

Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM.

Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:

• Совместимость платформы с RDIMM для гибкой настройки пропускной способности конечного пользователя.
• Использование стандартных компонентов DIMM DDR5, включая DRAM, форм-фактор и распиновку DIMM, SPD, PMIC и TS для простоты внедрения.
• Эффективное масштабирование ввода-вывода с использованием возможностей логического процесса RCD/DB.
• Использование существующей экосистемы LRDIMM для проектирования и тестирования инфраструктуры.
• Поддержка масштабирования нескольких поколений модулей.

Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS.

В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах.

Источник изображения: JEDEC

Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти.

Компания Micron представила модули оперативной память DDR5 типа MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), которые предназначены специально для серверных систем на базе процессоров Intel Xeon 6-го поколения (Granite Rapids). Новинки предлагают очень высокую скорость работы.

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Первый взгляд на смартфон HUAWEI Pura 80 Ultra

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

HUAWEI nova Y73: самый недорогой смартфон с кремний-углеродной батареей

Обзор HUAWEI MatePad Pro 12.2’’ (2025): обновление планшета с лучшим экраном

Обзор смартфона HUAWEI nova Y63: еще раз в ту же реку

Обзор ноутбука HONOR MagicBook Pro 14 (FMB-P) на платформе Core Ultra второго поколения

Пять причин полюбить ноутбук HONOR MagicBook Pro 14

Источник изображений: Micron

В отличие от обычных серверных модулей памяти RDIMM, новые планки MRDIMM от Micron обладают на 39 % более высокой пропускной способностью, на 15 % более высокой энергоэффективностью и обеспечивают до 40 % более низкую задержку.

Micron выпустит модули MRDIMM объёмом на 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт. Все они будут доступны в виде модулей стандартной высотой, а планки на 128 и 256 Гбайт также будут выпускаться в увеличенном формате TFF высотой 56,9 мм. Все новинки будут работать со скоростью 8800 МТ/с.

Micron отмечает, что её модули ОЗУ DDR5 MRDIMM будут производиться с использованием 16-, 24- и 32-Гбит микросхем памяти DDR5 DRAM, выполненных с применением фирменного и зарекомендовавшего себя техпроцесса 1β. Высокие планки памяти обладают большей площадью поверхности. Как следствие, производитель обещает для них рабочую температуру на 24 % ниже, чем у обычных модулей ОЗУ.

По словам производителя, благодаря повышенной пропускной способности памяти MRDIMM серверные процессоры Intel Xeon следующего поколения получат значительный прирост производительности, что сделает серверы для систем искусственного интеллекта гораздо эффективнее.

В настоящий момент Micron рассылает образцы памяти DDR5 MRDIMM для тестирования заинтересованным клиентам. Начало массовых поставок новой оперативной памяти ожидается во второй половине этого года.