Японская компания Kioxia на этой неделе сообщила о начале поставок инженерных образцов памяти типа TLC плотностью 1 Тбит, которые выпускаются в 332-слойном исполнении с использованием 10 поколения технологии BiCS Flash. Как отмечается, данная память обеспечивает увеличение плотности хранения данных и быстродействия, а применяться будет главным образом в накопителях серверного класса.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Kioxia

Как и в чипах восьмого поколения, новая память использует технологии CBA и OPS, одновременно предлагая пропускную способность на уровне 4,8 Гбит/с, на треть превышающую возможности памяти восьмого поколения. Плотность хранения информации в удельном выражении увеличена на 59 % благодаря 332-слойной компоновке. Расход энергии на операциях чтения сокращён на 30 %, на операциях записи — на 18 %. В условиях, когда операторы центров обработки данных начинают уделять энергопотреблению всё больше внимания, это важное достижение.

Выпуск передовой 332-слойной памяти Kioxia наладит на своём новом предприятии в префектуре Иватэ, которое было введено в строй в сентябре прошлого года. Новости о выпуске образцов памяти нового поколения способствовали росту курса акций компании на 8,9 % на утренних торгах в Токио. В отличие от тех же Samsung и SK hynix, которые структуру своих поставок могут диверсифицировать за счёт DRAM и HBM, компания Kioxia выпускает только память типа NAND, поэтому ей важно не отставать от более крупных конкурентов в технологическом плане и строго следить за конъюнктурой рынка. В прошлом году Kioxia занимала в сегменте NAND для серверных систем около 10 % мирового рынка, тогда как на долю южнокорейских соперников приходилось по 40 и 30 % в случае с Samsung и SK hynix соответственно. Новейшая продукция Kioxia превосходит память южнокорейских поставщиков по скорости передачи информации, в современных условиях это важное преимущество. В этом году Kioxia удавалось стать крупнейшей японской компанией по величине капитализации на короткое время.

В свежей публикации в журнале Nature исследователи из Samsung с коллегами из Австралии сообщили о разработке NAND-флеш памяти будущего, которая будет потреблять намного меньше энергии и при этом останется высокоплотной. В новой разработке они объединили лучшие полупроводниковые проекты последних 20 лет — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, буквально представив флеш-память будущего.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung

Несмотря на высокую плотность, современная NAND-флеш память обладает серьёзным недостатком — высоким энергопотреблением из-за необходимости больших напряжений записи и стирания (15–20 В). Исследователи из Южной Кореи предложили радикальное решение: заменить традиционные плавающие затворы на сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из оксидного полупроводника (например, IGZO). Это позволило снизить рабочие напряжения при обращении к цепочке ячеек в строке до сверхнизких значений (4–6 В) и, тем самым, значительно понизило потребление памяти.

Сегнетоэлектрики и память FeRAM в частности (в иностранной литературе они называются ферроэлектриками) давно разрабатываются и даже производятся как альтернатива NAND-флеш. Главная проблема FeRAM — сложности с уменьшением площади ячейки. Компания Samsung, к сожалению, не приводит точных данных о характеристиках новой памяти. Можно рассчитывать, что к началу производства новой памяти все основные проблемы будут решены. Что касается канала из оксидного полупроводника под затвором ячейки памяти, то та же технология IGZO компании Sharp отлично себя проявила при производстве малопотребляющих дисплеев с высочайшим разрешением. Одним словом, обе технологии способны создать прорыв на фронте энергоэффективной NAND.

Источник изображения: Samsung, Nature

Вкратце Samsung поясняет, что новая архитектура продемонстрировала выдающиеся характеристики: поддержку многоуровневого хранения данных до 5 бит на ячейку (32 уровня напряжения/заряда), сохранение данных более 10 лет, выносливость свыше 10⁵ циклов и энергопотребление на операцию записи/стирания в строке на 96 % ниже, чем у классической 3D NAND. При этом технология полностью совместима с существующими CMOS-процессами и допускает вертикальную 3D-компоновку слоёв с длиной канала всего 25 нм без ухудшения параметров.

Новая память откроет путь к созданию сверхэкономичной энергонезависимой памяти нового поколения. Такая память идеально подойдёт для мобильных устройств, носимой электроники, интернета вещей, а также для энергоэффективных дата-центров и систем искусственного интеллекта, существенно снижая как стоимость владения, так и углеродный след вычислительной инфраструктуры.

Участники фондового рынка уже начали привыкать на фоне бума искусственного интеллекта, что финансовые показатели производителей чипов растут рекордными темпами, но в этой сфере не всё так однозначно, как показал недавний квартальный отчёт японского производителя памяти Kioxia. Акции компании упали в цене на 23 % — максимально с момента выхода на биржу в декабре прошлого года.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Kioxia

Как поясняет Bloomberg, толчком к снижению котировок акций Kioxia послужило расхождение в прогнозе аналитиков на весь фискальный год по величине операционной прибыли компании с её собственными ожиданиями. В Японии фискальный год начинается в апреле и завершается в марте следующего года. Kioxia считает, что по итогам первых девяти месяцев текущего фискального года получит операционную прибыль в размере от $1,5 до $1,7 млрд.

Аналитиков смущает тот факт, что подобная динамика операционной прибыли не позволит Kioxia выйти по итогам всего фискального года на сумму в районе $2,7 млрд, на которую они рассчитывают. От падения акции компании не уберёг даже рост операционной прибыли по итогам прошлого фискального квартала на 11 %, который наблюдался впервые за три последовательных квартала. Фактически, акции Kioxia достигли дневного предела в снижении своей курсовой стоимости и обвалились максимально с момента выхода этого эмитента на Токийскую фондовую биржу в прошлом декабре. В любом случае, с начала этого года они успели вырасти в цене более чем на 500 %. Акции Samsung и SK hynix тоже упали в цене на этом фоне.

Впрочем, некоторые аналитики объясняют наблюдаемое замедление темпов роста прибыли Kioxia необходимостью модернизации технологических процессов выпуска памяти типа NAND. В следующем календарном году Kioxia рассчитывает столкнуться со значительным превышением спроса на NAND по сравнению со своими производственными возможностями, и такой дисбаланс может сохраниться до конца календарного периода. Такая память нужна в больших количествах производителям твердотельных накопителей для серверного сегмента в условиях сохраняющегося бума искусственного интеллекта.

Лидирующий в КНР производитель твердотельной памяти предсказуемо страдает от американских ограничений в сфере доступа к импортному оборудованию, а потому старается как можно скорее перейти на использование исключительно китайского оборудования. По крайней мере, с этой целью на строительство нового предприятия привлечены $2,91 млрд.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: YMTC

Проект носит условное обозначение «Фаза 3», достижение суверенитета в области используемого для производства памяти оборудования является одной из его целей. Как ожидается, китайские поставщики вроде Naura Technology, AMEC и Piotech станут главными выгодоприобретателями в результате реализации данной инициативы YMTC.

По данным DigiTimes, предыдущая «Фаза 2» производственного кластера YMTC сильно пострадала из-за перекрытия поставок импортного оборудования ASML и Applied Materials, используемого при производстве микросхем памяти. Если проектная мощность профильного предприятия достигала 100 000 кремниевых пластин в месяц, то из-за санкций оно от силы выдаёт по 40 или 50 тысяч пластин в месяц.

Желая преодолеть подобные ограничения, YMTC построила пилотную линию, на которой используется исключительно оборудование китайских поставщиков. Компания при её оснащении закупала оборудование для экспозиции кремниевых пластин, нанесения химических составов и травления, а также последующей очистки. С учётом намерений YMTC полностью ввести в строй «Фазу 3» в 2026 году и проектной мощности в 100 000 кремниевых пластин, совокупные объёмы выпуска продукции компании смогут достичь 300 000 пластин в месяц.

Эксперты пока сомневаются в способности китайского оборудования для обработки кремниевых пластин сравняться с зарубежным в экономической эффективности, точности и долгосрочной надёжности. Прежде, чем новая линия начнёт стабильно выдавать продукцию, потребуется длительная и дорогостоящая настройка технологических процессов. Даже если в конце текущего года пилотная линия с китайским оборудованием начнёт работать, до перехода к стабильному массовому производству памяти уйдёт не менее трёх или пяти лет, как считают эксперты.

Обретя даже частичную независимость по оборудованию, YMTC сможет более активно продвигать свою продукцию на мировом рынке. Для этого ей придётся завоёвывать доверие клиентов, а не только обеспечивать конкурентоспособные цены на продукцию. Реализация «Фазы 3» в этом смысле станет для компании важным шагом на пути к достижению независимости от зарубежных поставщиков производственного оборудования.