Опрос
|
реклама
Быстрый переход
YMTC хочет выпускать передовую NAND почти без западных технологий — 70 % оборудования на новом заводе будет китайским
06.11.2026 [23:51],
Анжелла Марина
Компания YMTC, крупнейший производитель флеш-памяти в Китае, намерена использовать до 70% оборудования отечественного производства на своём четвёртом заводе с целью замещения зарубежных технологий на фоне экспортных ограничений США. Предприятие построят в Ухане, где находится штаб-квартира компании. 
Источник изображения: YMTC Строительство нового предприятия, по сообщению Reuters, планируется начать в 2027 году. Завод будет выпускать наиболее передовые NAND-чипы с более чем 300 вертикально расположенными слоями ячеек памяти. Это позволит повысить плотность хранения информации и размещать больше данных на чипе прежнего физического размера. Основными направлениями применения продукции станут центры обработки данных и системы искусственного интеллекта. По сведениям источников Reuters, знакомых с планами компании, YMTC пока провела только предварительные переговоры с потенциальными поставщиками и не разместила официальных заказов. Для сравнения, на третьем заводе производителя, который должен начать работу до конца 2026 года, на китайское оборудование приходится немногим более половины закупок. Таким образом, новый объект должен стать следующим этапом перехода компании на отечественную производственную базу. Речь прежде всего идёт об установках для очистки, полировки и травления кремниевых пластин. Китайские компании уже поставляют большую часть оборудования для очистки и полировки на производственные линии YMTC, а также добились прогресса в создании установок для формирования глубоких вертикальных структур NAND-памяти. При этом производитель по-прежнему зависит от зарубежных поставщиков в области литографии и других сложных производственных процессов. Планы YMTC связаны с ограничениями США на поставки полупроводниковых технологий. В декабре 2022 года Министерство торговли США внесло компанию в список Entity List («Список организаций» — перечень лиц, подпадающих под экспортный контроль США), после чего американским поставщикам потребовались специальные лицензии для продажи YMTC определённого оборудования и технологий. Ограничения также затрудняют расширение производственных мощностей Samsung Electronics и SK Hynix в Китае. Для поставок американского оборудования им необходимо ежегодно получать разрешения Вашингтона, который не намерен одобрять поставки, позволяющие существенно увеличить мощности или провести крупные технологические модернизации. Ранее YMTC также объявила о планах строительства двух дополнительных предприятий в Ухане, в результате чего общее количество заводов должно достигнуть пяти. Каждый из третьего, четвёртого и пятого заводов после выхода на полную мощность сможет обрабатывать около 100 000 кремниевых пластин ежемесячно, что в совокупности позволит более чем вдвое увеличить производственные мощности компании. По данным исследовательской компании Omdia, доля YMTC на китайском рынке NAND-памяти во втором квартале 2026 года достигла 38,5 % против 28 % в 2025 году. Компания обошла Samsung и стала крупнейшим производителем NAND-памяти в Китае. ИИ-бум озолотил Sandisk: выручка взлетела более чем в 4 раза, а чистая прибыль — более чем в 72 раза
30.10.2026 [11:00],
Алексей Разин
В годовом сравнении выручка Sandisk выросла на 378 %, норма прибыли достигла 85 %, операционная прибыль увеличилась более чем в 50 раз (GAAP), а чистая — более чем в 72 раза (GAAP). В серверном сегменте, который закономерно всё сильнее влияет на бизнес компании, выручка взлетела почти в 18 раз до $4,8 млрд. 
Источник изображений: Sandisk Получившая независимость от Western Digital ещё в конце зимы прошлого года компания Sandisk неплохо чувствует себя в условиях бума ИИ, который поднимает цены и спрос на твердотельную память. Отчёт за первый квартал 2027 фискального года, который в календаре компании уже завершился, показал фееричную динамику базовых финансовых показателей Sandisk. Выручка выросла на 378 % до $11 млрд в годовом сравнении, норма прибыли выросла на 55,2 процентных пункта до 85 % минимум, в зависимости от методики расчёта. При этом операционная прибыль по методике GAAP выросла почти в 50 раз до $8,78 млрд, а чистая прибыль взлетела более чем в 72 раза до $8,1 млрд. Прирост оказался настолько головокружительным, что Sandisk не стала указывать процентные значения в своём пресс-релизе. По методике Non-GAAP операционная прибыль компании в минувшем квартале выросла в годовом сравнении более чем в 36 раз до $8,87 млрд, а чистая прибыль взлетела более чем в 42 раза до $7,62 млрд. Закономерно, что выручка, удельный доход на одну акцию и норма прибыли по итогам квартала превзошли ожидания инвесторов. Выручка на серверном направлении в годовом сравнении выросла в 17,9 раза до $4,8 млрд. Получается, что данный сегмент обеспечивал в прошлом квартале 43,5 % всей выручки Sandisk, ещё 52,9 % обеспечивал сегмент периферийных вычислений, а на потребительский пришлось только 3,6 %. Если периферийные вычисления в годовом сравнении увеличили профильную выручку компании на 320 % до $5,83 млрд, то потребительские решения сократили её на 39 % до $397 млн.  В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $12,2 до $12,6 млрд, удержать норму прибыли в пределах от 84,4 до 85,4 % (GAAP) или от 84,5 до 85,5 % (Non-GAAP), а операционные расходы не превысят $745 млн даже в самом смелом варианте прогноза. С целью повышения доступности акций Sandisk для инвесторов на 19 ноября этого года намечено их расщепление в отношении «8 к 1», торги на новых условиях начнутся 20 ноября. Если в начале десятилетия в сегменте ЦОД потреблялось лишь около 20 % всей NAND в показателях ёмкости, то на сегодня эта доля выросла до примерно половины, как считает Sandisk. Последовательно серверная выручка компании в прошлом квартале выросла на 61 %, опередив прогнозные значения для рынка в целом. Компании пришлось увеличивать поставки на серверном направлении в прошлом квартале. В следующем году направление ЦОД должно будет занять более 55 % ёмкости рынка NAND, по мнению представителей Sandisk. Спрос на NAND в ёмкостном выражении в следующем календарном году вырастет примерно на 40 %, а вот по итогам 2026 года он более чем удвоится. Высокий спрос на NAND сохранится и после 2030 фискального года, как ожидают в Sandisk. К периферийным вычислениям Sandisk относит направление смартфонов, ПК, планшетов, автомобильной электроники и «физического ИИ», к которому можно отнести робототехническую продукцию. Роль автомобильного сегмента в этой части бизнеса Sandisk с точки зрения потенциала роста усиливается с учётом долгосрочной перспективы. Со временем автомобильное направление станет важнейшим источником выручки в сфере периферийных вычислений Sandisk. Рынок NAND в целом в следующем календарном году будет «сильным», как отмечается в презентации компании. Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND — в разработку вложился бывший глава Intel
28.10.2026 [12:32],
Алексей Разин
Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память. 
Источник изображения: Nagare Labs По сути, как пояснил бывший глава Intel изданию The Register, на рынке технологий памяти существенных инноваций не наблюдалось на протяжении трёх последних десятилетий. Основные разработки сосредоточены вокруг SRAM, DRAM и флеш-памяти. Разрабатываемая Nagare Labs память Z2RAM должна быть почти такой же быстрой, как SRAM, близкой по плотности к DRAM, но при этом в производстве оставаться проще HBM или LPDDR. С другой стороны, как признаёт Гелсингер, в случае с HBM сочетание плотности и быстродействия является лучшим на рынке, хотя данный тип памяти и имеет множество ограничений типа плотности, энергопотребления и пропускной способности на периферийных участках чипа. Z2RAM как собирается обеспечить более высокую плотность, быстродействие и меньшее энергопотребление. Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня. В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более. По словам Гелсингера, бум ИИ выявил серьёзную потребность как в пропускной способности, так и в ёмкости типов памяти, используемых в существующей инфраструктуре, поэтому к разработкам, способным обеспечить прорыв в данной сфере, имеется огромный интерес и находятся капитальные ресурсы на их стимулирование. Как поясняют представители Nagare Labs, по уровню быстродействия Z2RAM больше способна соперничать с SRAM, но функционально она больше похожа на DRAM с точки зрения механизма хранения данных. Ячейка DRAM состоит из одного транзистора, одного конденсатора и одного физического конденсатора. Ячейка Z2RAM содержит два транзистора, но использует ёмкость затвора второго транзистора для хранения заряда. На операциях чтения это позволяет снизить задержки по сравнению с DRAM. Кроме того, Z2RAM подразумевает вертикальную компоновку в несколько ярусов, как это происходит с HBM, но с точки зрения технологии производства такая память ближе к формированию слоёв в микросхемах NAND, поэтому она и будет значительно дешевле HBM и проще в изготовлении. Прототипы Z2RAM за пределы лабораторий Z2RAM пока не выбрались, поэтому Nagare Labs ищет партнёра с опытной производственной линией, который мог бы выпустить первые образцы микросхем памяти этого типа. Стартап планирует получить работоспособные чипы в течение четырёх лет и наладить массовые поставки серийных экземпляров за ближайшие десять лет. Компания также готова сотрудничать с разработчиками сторонних чипов, которые желают интегрировать Z2RAM на свои компоненты. Правда, на этом пути появляется препятствие в виде отсутствия стандартного интерфейса. Стартап мог бы разработать его своими силами, но это довольно сложная задача. Низкая стабильность свойств изделий из оксидных полупроводников также представляет проблему с точки зрения масштабирования производства Z2RAM. Строгие отраслевые стандарты, по словам представителей Nagare Labs, уже похоронили немало разработок в сфере создания новых типов памяти, но рынок одновременно открывает и новые возможности. Ситуация стремительно меняется, а ещё появляются новые протоколы. Дефицит флеш-памяти привёл к скачку стоимости SSD на 303 % за год
24.10.2026 [22:27],
Владимир Мироненко
SSD продолжают дорожать вслед за используемой в них флеш-памятью NAND. По прогнозу TrendForce, в IV квартале 2026 года её контрактные цены вырастут ещё на 15–20 % относительно предыдущего квартала. Производители компьютеров уже сокращают ёмкость накопителей в массовых моделях, чтобы сдержать затраты на комплектующие, сообщил ресурс Tech-insider.org.  Масштаб подорожания иллюстрируют данные, которые приводит Tech Insider со ссылкой на отраслевой ресурс: в III квартале контрактная цена SSD объёмом 256 Гбайт на памяти TLC достигла примерно $134,20 против $33,30 годом ранее. Это рост примерно вчетверо, или на 303 %. За квартал цена увеличилась приблизительно на 20 %. Для накопителей объёмом 512 Гбайт издание приводит аналогичную динамику: с $62,40 до $252 за год. Речь идёт о контрактных ценах, а не о стоимости SSD в магазинах. Поэтому эти цифры нельзя считать показателем подорожания всех потребительских накопителей. Тем не менее они показывают, насколько сильным может быть давление на себестоимость устройств. В течение года TrendForce неоднократно повышала прогнозы стоимости NAND. На I квартал аналитики прогнозировали рост контрактных цен на 55–60 %, на II — ещё на 70–75 %. Ожидаемое увеличение на 15–20 % в конце года означает замедление подорожания, но не возвращение цен к прежним значениям. Основной источник давления — развитие ИИ-инфраструктуры. По прогнозу TrendForce, спрос на корпоративные SSD в пересчёте на суммарную ёмкость в 2026 году вырастет более чем на 80 %. Поставщики отдают приоритет более прибыльной продукции, ограничивая предложение памяти для других сегментов. Однако потребительский рынок уже сопротивляется повышению цен. Производители ПК используют накопленные запасы и сокращают новые закупки, одновременно уменьшая объём SSD в массовых компьютерах. Слабый спрос заставляет поставщиков идти на более гибкие условия, что сдерживает дальнейшее подорожание клиентских накопителей. Для покупателей последствия проявляются не только в ценниках: экономия производителей может означать меньший объём хранения в новом ПК. Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее
23.10.2026 [16:15],
Владимир Мироненко
Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить передачу информации на 50 %, одновременно снизив энергозатраты. Новая память рассчитана в том числе на будущие ИИ-системы, а её массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года. 
Источник изображения: Micron «Мы занимаем очень прочные позиции благодаря нашей технологии NAND девятого поколения (Gen 9), и это лидерство сохранится в одиннадцатом поколении (Gen 11). Это значительный качественный скачок. Мы оптимизировали эту память — целенаправленно подготовили ее для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта; именно поэтому мы переходим с 9-го сразу на 11-е поколение», — сообщил в ходе вебинара президент и директор по технологиям и продуктам Micron Скотт ДеБур (Scott DeBoer). Исходя из ранее озвученного показателя плотности записи для G9 (тип TLC) — 21 Гбит/мм2 — эксперты ComputerBase оценивают плотность записи данных для G11 примерно в 42 Гбит/мм2. Они отмечают, что это лишь оценочное значение. Кроме того, следует учитывать, что чипы типов TLC и QLC нельзя сравнивать напрямую, а Micron не уточнила, о каком типе памяти идёт речь. В поколении G11 также будет использоваться технология соединения пластин wafer-on-wafer bonding, при которой массив ячеек памяти и схема ввода-вывода (I/O) производятся на отдельных пластинах, а затем соединяются друг с другом. Первой этот подход внедрила компания YMTC, за ней последовали Kioxia, SanDisk и Samsung. Компания также сообщила, что скорость интерфейса возрастёт на 50 % по сравнению с поколением G9. Учитывая, что для G9 этот показатель составляет 3,6 Гбит/с, для G11 он достигнет примерно 5,4 Гбит/с. Для сравнения: по данным ComputerBase, скорость передачи данных у BiCS10 составляет 4,8 Гбит/с, а для своего поколения V10 Samsung указала показатель 5,6 Гбит/с. Micron также сообщает, что энергозатраты на передачу одного бита данных у поколения G11 будут более чем на четверть ниже, чем у G9. По заявлению Micron, массовое производство памяти G11 NAND начнётся во второй половине 2027 года. Следовательно, потребительские SSD на её основе появятся ещё позже. В дорожной карте компании нет упоминания о поколении G12, хотя сообщается об «архитектуре ячеек сверхвысокой плотности» (Ultra Dense cell architecture) и «прорывном материале с высокой подвижностью носителей заряда». Как полагает ComputerBase, это указывает на уменьшение размера ячеек (или шага их размещения) и, вероятно, на замену каналов из поликремния материалом, обеспечивающим более высокую подвижность электронов. Samsung и SK hynix собрались выпускать более современную NAND в Китае — без нарушения санкций США
21.10.2026 [13:05],
Алексей Разин
Samsung и SK hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы выпускать более современную NAND-память, несмотря на экспортные ограничения США. Samsung рассчитывает наладить в Сиане производство 286-слойных чипов, а SK hynix намерена перейти в Даляне на выпуск памяти как минимум со 240 слоями. При этом Samsung обязуется перед США не расширять имеющиеся мощности, а SK hynix этого принципа придерживается по условиям договорённостей с властями США от 2022 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Значительную часть своей твердотельной памяти южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix продолжают производить на территории КНР. Существуют ограничения на поставки определённых видов импортируемого оборудования для выпуска памяти на территорию Китая, поэтому модернизировать имеющиеся производства этим компаниям будет непросто, но они всё же намерены это сделать. Помимо высокого спроса на память NAND на мировом рынке, актуальность такой модернизации повышается и активностью китайских производителей, которые уже наступают на пятки южнокорейским и американскому конкурентам. Правила экспортного контроля США ограничивают ассортимент поставляемого в Китай оборудования для выпуска памяти с 2022 года. Поставки оборудования американского происхождения в Китай сейчас требуют от Samsung и SK hynix ежегодного получения экспортных лицензий в США. В прошлом году власти США дали понять, что не собираются выдавать лицензии, которые позволили бы зарубежным производителям чипов модернизировать технологии их выпуска и расширять мощности на территории Китая. Как отмечает Reuters, представители Samsung подтвердили, что модернизация китайского предприятия компании в Сиане осуществляется, причём делается это при тесных консультациях с Вашингтоном. SK hynix также подтвердила, что устанавливает оборудование на своём предприятии в китайском Даляне при условии консультаций с правительством США. Свои производственные планы относительно данных площадок обе компании раскрывать не стали. Собственные источники Reuters сообщили, что оба южнокорейских производителя намереваются наладить выпуск в Китае памяти типа NAND с количеством слоёв более 200 штук. Предприятие Samsung в Сиане сейчас способно выпускать чипы NAND с количеством слоёв около 200 штук. На эту площадку приходится около 40 % мировых объёмов производства NAND данной компании. По имеющимся данным, после модернизации предприятие в Сиане сможет выпускать 286-слойные микросхемы V9 NAND. Производство такой памяти будет постепенно наращиваться, а более старой сокращаться: к декабрю этого года ежемесячный тираж 286-слойной NAND будет составлять 5000 кремниевых пластин, а к декабрю следующего года он увеличится до 40 000 штук в месяц. Samsung сообщила, что её планы по модернизации соответствуют правилам экспортного контроля США. Эти мероприятия направлены на более полное удовлетворение растущего спроса на мировом рынке, включая и США. Компания не расширяет своё производство в Китае и не строит новые предприятия в этой стране. Данное условие было одним из важных, оговорённых с властями США ещё в 2022 году. SK hynix в Даляне собирается перейти на выпуск чипов NAND с количеством слоёв не менее 240 штук. Сейчас на своей китайской площадке компания выпускает 192-слойную память. Местное предприятие досталось южнокорейскому производителю в 2021 году по итогам сделки с компанией Intel, которой ранее принадлежало. По неофициальным данным, сейчас формально власти США позволяют SK hynix выпускать в Даляне память с количеством слоёв до 240 штук включительно. В случае необходимости в Вашингтоне будет запрошено разрешение на разработку памяти с количеством слоёв более 300 штук. Возможно, в дальнейшем это поможет организовать производство памяти в США. Предприятие по выпуску NAND силами SK hynix или дочерней Solidigm стало предметом переговоров с администрацией президента Дональда Трампа. По данным Omdia, во втором квартале 38,5 % китайского рынка NAND контролировала местная компания YMTC, которая по итогам всего 2025 года ограничивалась долей в 28 %. При этом позиции Samsung на китайском рынке NAND ослабли с 36 до 33,5 %, а SK hynix скатилась с 20 до 17 %. Компания YMTC в основном выпускает память со 160 и 232 слоями, но в небольших количествах производит и 294-слойную NAND. Она готовится наладить выпуск памяти с более чем 300 слоями. При этом за пределами Китая Samsung предлагает 286-слойную память, а также располагает прототипами памяти NAND с более чем 400 слоями. SK hynix за пределами Китая предлагает память типа NAND с количеством слоёв до 321 штуки включительно. Samsung разделит zNAND-память на три типа — для локального ИИ, дата-центров и инференса
12.10.2026 [23:28],
Анжелла Марина
Samsung Electronics расширяет разработку флеш-памяти NAND, ориентированной на использование в системах для искусственного интеллекта. Компания трудится над тремя вариантами z-NAND, каждый из которых ориентирован на определённый тип нагрузки: от локальной обработки данных на устройствах до работы в высокопроизводительных дата-центрах. 
Источник изображения: Samsung Electronics По данным южнокорейского издания ZDNet, первый тип памяти — zNAND-O, который был анонсирован Samsung в августе, предназначен для работы с локальным ИИ. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. В отличие от традиционных методов, при которых данные передаются к внешним контактам чипа с помощью проволочных соединений, в zNAND-O используется технология сквозных кремниевых переходов (Through-Silicon Via, TSV), позволяющая вертикально размещать от четырёх до восьми кристаллов NAND-памяти. Это сокращает путь передачи данных, повышая скорость работы и энергоэффективность. Второй тип, ещё официально не анонсированный zNAND-T, сфокусирован на пропускной способности. Память zNAND-T рассчитана на использование в мощных дата-центрах, где требуется мгновенная передача огромных массивов информации. По своей архитектуре этот продукт близок к концепции высокоскоростной флеш-памяти (HBF), обеспечивая широкий канал для данных. Третий тип, также ещё не представленный zNAND-I, оптимизирован под высокую скорость случайного доступа к памяти (IOPS или количество операций ввода-вывода в секунду). Этот параметр критичен для задач ИИ-инференса, где системе необходимо постоянно обращаться к небольшим объёмам временных данных. Примером могут служить системы кеширования, требующие высокой частоты мелких запросов. Решение Samsung Electronics о создании трёх отдельных линеек NAND-памяти продиктовано запросами крупных технологических компаний на кастомизацию оборудования. Конкуренты, такие как SK hynix, также развивают собственные семейства ИИ-памяти с разделением по типу нагрузки. Подорожание памяти DRAM и NAND в этом квартале замедлится — но совсем чуть-чуть
01.10.2026 [14:59],
Алексей Разин
Оперативная и флеш-память в наступившем четвёртом квартале будут дрожать не так быстро, как в предыдущем, прогнозируют аналитики TrendForce. В сегменте DRAM цены последовательно увеличатся на 10–15 %, а на направлении NAND они вырастут на 15–20 %. Лишь цены на SSD корпоративного класса продолжат свой стремительный рост. 
Источник изображения: Micron Technology В сегменте NAND, по мнению специалистов TrendForce, в текущем квартале будет наблюдаться некоторое расслоение тенденций. Инфраструктура ИИ продолжит испытывать дефицит флеш-памяти, а вот потребительский сегмент столкнётся со снижением спроса из-за высоких цен. В любом случае, цены в целом по рынку твердотельной памяти продолжат расти, и по итогам текущего квартала последовательно увеличатся в среднем на 15–20 %. В прошлом квартале они должны были увеличиться на 18–23 %. Цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 13–18 %, но с учётом HBM прирост составил 8–13 %. В текущем квартале, по мнению представителей TrendForce, цены на классическую DRAM вырастут на 10–15 %, а с учётом HBM прирост составит от 15 до 20 %. В сегменте ПК цены на DRAM будут расти, что скажется на стоимости готовых компьютеров и негативно повлияет на спрос. Производители памяти при этом продолжат агрессивно наращивать свои запасы микросхем оперативной памяти, ожидая сохранения дефицита в 2027 году и дальнейшего роста цен. Формально, свои обязательства перед клиентами поставщики памяти в сегменте ПК выполняют на протяжении всего текущего года, но дефицит может усилиться в следующем году из-за высокого спроса на память в серверном сегменте. На серверном направлении спрос на DRAM продолжает расти по мере того, как ситуация с доступностью серверных процессоров начала улучшаться. Поставщики памяти увеличили долю модулей RDIMM небольшого объёма в структуре своей продукции. Тем не менее, на этапе изготовления микросхем памяти всё равно сохраняются «узкие места», а потому удовлетворить спрос не получается. Динамику цен позволяют сгладить долгосрочные контракты на поставку памяти, которые получили распространение в серверном сегменте. В мобильном сегменте на рынок продолжают давить нехватка микросхем памяти малой ёмкости и высокие цены. В то же время, память мобильных форматов пользуется растущей популярностью у производителей серверного оборудования, привлекая их своей энергетической эффективностью. В таких условиях цены на мобильную DRAM могут только расти в ближайшее время, пусть и не так активно, как в трёх предыдущих кварталах 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте графической памяти к GDDR6 присматриваются производители ПК в надежде сократить себестоимость готовой продукции. Микросхемы GDDR7 пока востребованы главным образом при производстве ИИ-ускорителей, но они пользуются более высоким спросом по сравнению с GDDR6. Проблема заключается в том, что производство GDDR6 постепенно сворачивается, а выпуск GDDR7 наращивается недостаточно быстро для насыщения рынка, а потому цены остаются высокими и продолжают подниматься дальше. В сегменте потребительской DRAM спрос подпрыгивает из-за влияния смежных частей рынка. Например, такие микросхемы востребованы производителями SSD, которые поставляются в серверном сегменте. Крупным производителям выпускать потребительскую DRAM уже не выгодно, поэтому рынок всё больше зависит от тайваньских поставщиков. К счастью, темпы роста цен немного снижаются. В сфере клиентских SSD производители ПК могут довольствоваться запасами продукции, изготовленной в первой половине текущего года. Производители ПК при этом стараются снижать ёмкость предлагаемых в составе своих систем накопителей, чтобы экономить на их закупке. В этом сегменте NAND-памяти по итогу требуется меньше, чем ранее. Ценовая политика поставщиков становится более гибкой и не провоцирует удорожания накопителей прежними темпами. Зато в серверном сегменте SSD спрос на накопители в ёмкостном выражении по итогам текущего года должен вырасти более чем на 80 %, поскольку они очень востребованы облачными провайдерами, расширяющими вычислительную инфраструктуру для ИИ. Развитие агентских приложений поднимает спрос на твердотельные накопители, которые ускоряют работу с данными по сравнению с классическими жёсткими дисками. Рост цен на SSD корпоративного класса в четвёртом квартале должен ускориться по сравнению с третьим. В сегменте eMMC и UFS (карт памяти) производители смартфонов предпочитают обходиться созданными ранее запасами, а производители бытовой электроники не торопятся приобретать такую память по текущим высоким ценам. Динамика спроса в результате не особо выражена в этой сфере. Закупки осуществляются минимальными партиями, предусмотренными соглашениями с поставщиками. Цены на кремниевые пластины для изготовления памяти NAND достигли исторических высот, а потому их потребители в лице производителей микросхем не торопятся закупать в необходимых количествах. В то же время, сами поставщики кремниевых пластин пытаются ограничивать предложение, чтобы не снижать цены и обеспечивать существующую прибыльность своего бизнеса. Опять же, сопротивление покупателей ограничит дальнейший рост цен на пластины. Micron: память продолжит дорожать в 2027 году, а дефицит может сохраниться даже после 2028 года
01.10.2026 [12:22],
Алексей Разин
Выручка Micron Technology в минувшем фискальном квартале выросла почти в четыре раза — до $54 млрд, а чистая прибыль взлетела почти в 12 раз — до $37,7 млрд на фоне высоких цен на память. Вместе с отчётом о финансах производитель заявил, что дефицит памяти сохранится как минимум до 2028 года, а может продлиться и за пределы этого периода, и цены продолжат расти в 2027 году. 
Источник изображения: Micron Technology С точки зрения динамики основных финансовых показателей в четвёртом квартале 2026 фискального года, который завершился в её календаре третьего сентября, Micron превзошла ожидания инвесторов. Выручка достигла $54,23 млрд против заложенных в прогноз $51,07 млрд, а удельный доход на одну акцию составил $33,42 против $31,61. В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить $61,5 млрд, тогда как аналитики в среднем рассчитывают на сумму около $57 млрд. С начала года курс акций Micron вырос более чем на 500 %, поскольку инвесторы увидели в производителях памяти одних из главных бенефициаров бума искусственного интеллекта. Микросхемы памяти требуются для элементов вычислительной инфраструктуры в больших количествах, а существенно нарастить объёмы их выпуска в сжатые сроки не получается. По итогам всего фискального 2026 года Micron увеличила свою выручку более чем в три раза — с $37,4 до $133,2 млрд. Чистая прибыль увеличилась на 895 % — до $85 млрд. Поставки DRAM в прошлом квартале принесли Micron $39,8 млрд, что почти в три с половиной раза больше результата аналогичного периода прошлого года. Фактически именно микросхемы оперативной памяти формировали 73 % всей выручки компании за период. Серьёзный вклад на этом направлении сделала дорогая и востребованная память класса HBM. По словам руководства Micron, компания располагает основательным перспективным планом по выпуску новых типов HBM и уже сотрудничает с Nvidia по кастомизации HBM4E (NV-HBM) с учётом пожеланий этого заказчика, рассчитывая стать первопроходцем в этой области. Micron, по словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), уже распродала весь объём производства памяти на следующий год. Клиенты, как он добавил, будут платить за память гораздо больше, чем в этом году. «В календарном 2027, как и 2028 годах мы ожидаем увидеть превышение спроса над предложением. Фактически, мы видим более сильную нехватку в отрасли в 2027 и 2028 годах по сравнению с 2026 годом. В целом, ситуация со спросом и предложением становится всё более напряжённой», — подчеркнул Мехротра. Он добавил, что в Micron пока не видят на горизонте сроков достижения баланса между спросом и предложением на рынке памяти. Конкурирующая Samsung Electronics в прошлом месяце призналась, что распродала около 70 % всей памяти, которую собирается выпустить до 2031 года. К 2028 году Micron введёт в строй новые мощности по производству памяти, но они не смогут моментально устранить дефицит, как предупредило руководство компании. Только в первой половине текущего фискального года капитальные затраты компании составят $25 млрд. Спрос на HBM, например, растёт быстрее, чем на классическую DRAM серверного класса. Интересно, что это не помогает Micron больше зарабатывать на HBM в удельном выражении, поскольку продавать классическую DRAM сейчас выгоднее. Компания хочет найти способы повысить доходность своего бизнеса по производству и реализации HBM. Впрочем, выпуск обоих типов памяти, по меркам отрасли, весьма прибылен даже сейчас. В облачном сегменте бизнеса Micron может похвастать нормой прибыли в 83 %, хотя за год до этого показатель не превышал 59 %. На серверном направлении, где основным видом продукции является классическая DDR, компания продемонстрировала увеличение нормы прибыли с 41 до 90 %. В текущем квартале компания рассчитывает увеличить норму прибыли до 86,25 %. Выручка от реализации твердотельных накопителей (SSD) в серверном сегменте по итогам прошлого квартала приблизилась к $10 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем на 1000 %. Тенденции в развитии актуальных ИИ-моделей позволяют Micron рассчитывать на сохранение высокого спроса и на память типа NAND в серверном сегменте, используемую для хранения и скоростной обработки данных. SK hynix может запустить производство NAND в США — дочерняя Solidigm ищет место для завода
18.09.2026 [13:54],
Алексей Разин
В конце 2021 года американское подразделение южнокорейской SK hynix учредило компанию Solidigm, которой достались активы Intel, связанные с производством флеш-памяти и твердотельных накопителей. Теперь эта компания рассматривает возможность строительства в США предприятия по выпуску чипов NAND, как сообщает Reuters. 
Источник изображения: Solidigm Следует напомнить, что производственные мощности Solidigm до этого были сосредоточены в китайском Даляне, поскольку именно там находился профильный завод Intel, который был продан новому владельцу более шести лет назад. При этом штаб-квартира Solidigm расположена в Калифорнии, что формально позволяет ей оставаться американской компанией. Акционером Solidigm является SK hynix, которая, если верить другим источникам, сама присматривается к строящимся предприятиям Intel в штате Огайо для организации производства памяти на территории США. При этом инициатива по строительству завода Solidigm никак со схожей идеей в отношении площадки Intel в Огайо не связана, как подчёркивает Reuters. Тем более, что в данном случае штат Нью-Йорк выступает в роли наиболее вероятного кандидата на размещение такого предприятия Solidigm. Материнская SK hynix связана довольно серьёзными обязательствами по расширению производства памяти в Южной Корее, но одновременно находится и под давлением американских властей, которые с её помощью готовы возрождать полупроводниковую промышленность США, не рассчитывая исключительно на силы местной Micron Technology. Для Solidigm появление собственного предприятия в США могло бы снизить геополитические риски, связанные с Китаем. С другой стороны, выпускать память в США придётся с более высокими затратами по сравнению и с Южной Кореей, и с КНР. Представители SK hynix заявили Reuters, что Solidigm рассматривает различные возможности укрепления своей конкурентоспособности, но пока никаких конкретных решений не приняла. CXMT захотела быть как Samsung и Micron — китайская компания взялась за разработку флеш-памяти NAND
18.09.2026 [11:53],
Алексей Разин
До сих пор китайские компании CXMT и YMTC вполне себе сосуществовали на китайском рынке микросхем памяти. Первая предлагала оперативную память DRAM, вторая специализировалась на NAND. Их интересы пересекались разве что в сегменте HBM, который они обе мечтали освоить, но теперь источники сообщают о намерениях CXMT вторгнуться в вотчину YMTC — на рынок твердотельной памяти, — и быть как Samsung и Micron, которые выпускают оба вида компьютерной памяти. 
Источник изображения: CXMT Агентство Reuters сегодня сообщило о намерениях CXMT основать в Пекине исследовательский центр, который позволил бы ей освоить выпуск флеш-памяти. Помимо усиления конкуренции на внутреннем рынке памяти КНР, данная инициатива призвана повысить шансы CXMT зарабатывать на общемировом рынке NAND, который также страдает от дефицита. Глава южнокорейской SK hynix Гвак Но Чжун (Kwak Noh-jung) в июле заявил, что следующий год станет самым трудным для отрасли с точки зрения дефицита памяти, а эксперты TrendForce предполагают, что в сегменте NAND ситуация с доступностью памяти начнёт улучшаться только во второй половине 2027 года. Ситуация усугубилась на фоне стремления производителей памяти больше внимания уделять выпуску DRAM в целом и HBM в частности. В результате под производство NAND в отрасли выделяется всё меньше ресурсов, что создаёт дефицит и поднимает цены. По слухам, CXMT должна установить опытную линию по производству NAND на своём новом предприятии в Пекине, в китайской столице также расположится и исследовательский центр, который займётся разработкой сопутствующих технологий. Впрочем, одновременно здесь будут решаться и другие научные проблемы, характерные для деятельности CXMT. Утверждается, что компания даже обсудила свои планы по выпуску NAND с одним из стартапов, который мог бы в ней нуждаться, а также с некоторыми другими клиентами. Пока нет информации, собирается ли CXMT переходить от экспериментов с созданием NAND к полномасштабному производству, и когда экспериментальная линия будет готова. При этом нельзя утверждать, что YMTC не покушается на рыночные ниши, занимаемые CXMT. В апреле агентство Reuters сообщало о заинтересованности YMTC в производстве версий DRAM с пониженным энергопотреблением (LPDDR) — компания даже якобы отправила образцы профильных микросхем своим клиентам. Оба производителя также пытаются наладить выпуск HBM — памяти, востребованной в ускорителях вычислений для инфраструктуры ИИ. Глава Kioxia отверг идею усиления связей с SK hynix и заявил о необходимости сдерживать рост цен на память
09.09.2026 [08:26],
Алексей Разин
Представители южнокорейской SK hynix недавно намекнули, что были бы не против сблизиться с японскими производителями памяти и организовать её выпуск в этой стране. Kioxia, инвестором в капитал которой является SK hynix, могла бы стать наиболее вероятным партнёром, но глава первой из компаний исключил подобное сближение. Он также заявил, что считает важным ограничивать рост цен на память типа NAND в серверном сегменте. 
Источник изображения: Kioxia В интервью Bloomberg генеральный директор Kioxia Хироо Ота (Hiroo Ota) заявил, что углубление связей с SK hynix потребовало бы дополнительных согласований с антимонопольными органами и помещало бы работе совместного предприятия с Sandisk. «Мы не можем просто сказать: "Пусть это будут три компании". Мы не понимаем, что заставило его сказать об этом», — прокомментировал слова председателя совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вона (Chey Tae-won) глава Kioxia. Между японскими и южнокорейскими производителями памяти никаких переговоров на счёт организации совместного производства не ведётся, как подчеркнул он. При этом нельзя утверждать, что SK hynix и Kioxia ничего не связывает. Во-первых, первая владеет конвертируемыми облигациями второй, которые при ряде условий могут быть превращены примерно в 14,19 % её акций. Sandisk, у которой имеется совместное предприятие с Kioxia в Японии, сотрудничает с SK hynix в сфере создания памяти типа HBF. При этом сама Kioxia сотрудничает с SK hynix в сфере разработки магнитной памяти типа STT-MRAM, а ещё она получает от последней микросхемы DRAM, устанавливаемые в твердотельные накопители SSD. С тайваньской Nanya Technology компания Kioxia сотрудничает в сфере использования оксидов металлов вместо традиционного кремния, пытаясь создать альтернативу классической DRAM. Пока всё ограничивается разработкой новых технологий, но если они приведут к созданию жизнеспособного коммерческого продукта, компании задумаются о новых формах сотрудничества. Хироо Ота возглавил Kioxia в апреле этого года, и уже обратил внимание подчинённых на слишком быстрый рост цен на NAND. Он поручил им по возможности сдерживать темпы роста цен на память, применяемую в серверном сегменте, поскольку дороговизна данного вида компонентов рано или поздно отпугнёт покупателей, по его мнению. Дальнейшего повышения цен на NAND в Kioxia не исключают, но подчёркивают, что сейчас важно сосредоточиться на их поддержании на текущем уровне. Во втором квартале цены на NAND выросли последовательно на 70 %, и Ота считает, что подобное вряд ли повторится в ближайшем будущем. «Даже у гиперскейлеров бюджеты ограничены», — оценил возможности клиентов в серверном сегменте переносить дальнейшее подорожание памяти глава Kioxia. До половины всей поставляемой Kioxia памяти уже законтрактовано по долгосрочным договорённостям с клиентами. Некоторые из них даже готовы уже сейчас заключать контракты на период после 2030 года. По прогнозам Bloomberg, в долгосрочной перспективе Kioxia увеличит долю сегмента ЦОД и корпоративных решений до более чем 60 % своей выручки, попав в более сильную зависимость от инфраструктуры ИИ. По словам главы компании, она не готова просто наращивать свою долю на рынке любой ценой, а старается предлагать клиентам технологии, которые будут прежде всего востребованы ими. В позапрошлом месяце она приступила к поставкам 332-слойной 3D NAND на чипах десятого поколения. DDR4 теперь стоит в 8,6 раза дороже, чем десять лет назад
02.09.2026 [09:39],
Павел Котов
Высокоскоростная память HBM, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта, продолжает поглощать ограниченные ресурсы производителей памяти, что приводит к росту цен на стандартную память для ПК — рынок не спасает даже слабый спрос на ноутбуки и другие потребительские устройства. 
Источник изображения: samsung.com По итогам августа контрактная цена на стандартный чип DRAM — 8-гигабитный DDR4 — по итогам августа выросла на 4,17 % до $25, подсчитали в TrendForce. Это значит, что с июня 2016 года, когда компания начала отслеживать этот рынок, память подорожала в 8,6 раза. Цены росли 11 месяцев подряд с апреля минувшего по февраль этого года и продолжили рост с апреля этого года до настоящего момента. Наблюдается эффект инверсии цен: старые модули DDR4 теперь торгуются выше новых DDR5. Поставки ноутбуков, гласят прогнозы аналитиков, в этом году сократятся на 10,5 %; при этом аналитики TrendForce были вынуждены повысить прогноз роста контрактных цен на DRAM для ПК в III квартале с диапазона 15–20 % до 18–23 %. В ходе августовских переговоров некоторые поставщики подписали контракты по ценам на 23–28 %, то есть они по-прежнему сохраняют рычаги влияния. Дисбаланс спроса и предложения обернулся спровоцированным ИИ эффектом вытеснения. HBM потребляет значительно больше кремниевых пластин, чем обычная DRAM. Производители памяти выделяют в первую очередь производственные линии для выпуска HBM и серверной DRAM, в результате чего мощностей для устаревшей DDR4 стало значительно меньше. Производители ПК опасаются, что им не хватит компонентов памяти, и начинают закупать её впрок, стремясь обеспечить запасы на срок более десяти недель. На рынке флеш-памяти NAND ценовые тенденции резко различаются в зависимости от продуктов. Контрактная цена на 128-гигабитные чипы MLC в августе выросла всего на 1,42 % до $30,48. Для сравнения, в июле диапазон роста был 4,26–8,17 %, и к настоящему моменту покупатели упёрлись в потолок расходов и покупать память дороже они уже не намерены. А вот цены на более старые SLC-чипы в августе показали рост в диапазоне 16,51–28,22 %. Сильнее всего подорожали 4-гигабитные чипы; цены на 2- и 8-гигабитные увеличились более чем на 20 %. Дефицит возник из-за того, что производители заняты в основном высокорентабельной 3D NAND и прекращают инвестиции в старые решения, хотя спрос на них сохраняется — например, в сегментах телекоммуникационного оборудования и интеллектуальных счётчиков такие компоненты заменить непросто. В сентябре цены на DRAM намного вырастут, SLC покажет «ограниченный рост», а MLC, вероятно, стабилизируется на текущем уровне цен, говорят аналитики TrendForce. Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. ИИ-бум добрался до NAND — Kioxia и Sandisk потратят $31 млрд на расширение производства
27.08.2026 [13:13],
Алексей Разин
Производители твердотельной памяти выгоду ИИ-бума почувствовали позднее своих коллег из сегмента DRAM, но упускать её также не собираются. Kioxia и Sandisk намерены потратить $31,4 млрд на строительство новых линий по производству NAND на территории Японии, из этой суммы примерно треть придётся на комплекс в Китаками. 
Источник изображения: Kioxia Ещё в июне этого года президент Kioxia Хироо Ота (Hiroo Ota) на встрече с инвесторами признался, что компания размышляет о строительстве нового предприятия, которое должно быть введено в строй к 2029 году. Производитель памяти даже успел обратиться с соответствующими заказами к поставщикам оборудования, которое может понадобиться на новых производственных линиях. Новый завод должен будет стать третьим корпусом на территории комплекса Kioxia в Китаками, префектура Иватэ. На новом предприятии компания собирается наладить выпуск востребованной в серверной инфраструктуре памяти типа NAND. В Японии Kioxia выпускает твердотельную память при участии Sandisk, с которой имеет совместное предприятие. Обе компании в ближайшие шесть лет направят на расширение производства памяти в Японии в общей сложности $31,4 млрд. Партнёры рассчитывают на поддержку в реализации новых проектов со стороны японского правительства, для чего на этой неделе встретились с японским премьер-министром Санаэ Такаити (Sanae Takaichi). Министерство экономики, торговли и промышленности Японии готово выделить соответствующие субсидии, покрывая до трети расходов Kioxia на реализацию проекта в Китаками. В текущем фискальном году, который завершится в марте следующего календарного, Kioxia собирается увеличить свои капитальные затраты на 60 % до $2,8 млрд, и в последующие три года удерживать их на чуть более высоком уровне. В прошлом квартале Kioxia занимала четвёртое место в мире среди поставщиков NAND по величине выручки, уступив американской Micron Technology. Финансовые показатели японского производителя в условиях ИИ-бума растут ударными темпами. Выручка во втором квартале последовательно увеличилась на 80 % до $10,72 млрд, но её доля на мировом рынке сократилась до 13,6 %. Производственный комплекс Kioxia в префектуре Миэ сосредоточится на выпуске твердотельной памяти для потребительских устройств, включая смартфоны, но площадка в префектуре Иватэ будет использоваться для удовлетворения потребностей серверного сегмента. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
