Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung разработала первый в мире прототип флеш-чипа 3D NAND с 900 слоями
26.05.2026 [09:52],
Павел Котов
Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung разработал первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти, сообщает ETNews — проект призван закрепить лидерство корейского технологического гиганта в данном сегменте. 
Источник изображения: Samsung В прототипе использована технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. Многослойная структура флеш-памяти повышает плотность хранения данных и способствует снижению потребления энергии. Такие конфигурации считаются преимуществом в рабочих нагрузках искусственного интеллекта. По направлению многослойных чипов NAND мировым лидером считается SK hynix, у которой есть 321-слойные микросхемы. Но Samsung, очевидно, переходит в более сильную позицию: она готовится к массовому выпуску 400-слойных чипов NAND, а на этапе исследований достигла рубежа в 900 слоёв. Samsung первая в мире ещё в 2013 году выпустила на рынок чипы 3D V-NAND. Поначалу она использовала производственный процесс, предусматривающий сверление и укладку компонентов за один этап. Но по мере увеличения высоты укладки столкнулась с такими проблемами как деформация пластин и смещение слоёв. Их она решила за счёт усовершенствованной конструкции верхнего зажима и технологии коррекции наложения. Отставание от Samsung и SK hynix быстро сокращает китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) — она уже наладила массовое производство 294-слойных чипов NAND. Этому способствовали значительные госинвестиции и расширенная локализация производственного оборудования. Рост конкуренции побудил Samsung ускорить разработку технологии 900-слойной памяти, чтобы сохранить своё преимущество в долгосрочной перспективе. ИИ-бум разогнал рынок флеш-памяти — выручка топ-5 производителей NAND взлетела на 83,7 %
25.05.2026 [16:53],
Алексей Разин
Спрос на компоненты инфраструктуры для сегмента ИИ толкает цены на твердотельную память вверх, поэтому по итогам первого квартала совокупная выручка пяти крупнейших поставщиков NAND последовательно выросла на впечатляющие 83,7 % — до $38,9 млрд. При этом почти треть выручки пришлась на Samsung Electronics, которая продолжает оставаться крупнейшим игроком рынка. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом в своём новом исследовании сообщает TrendForce. В целом пятёрка крупнейших производителей NAND по итогам первого квартала контролировала 90,9 % рынка, увеличив свою долю по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года на один процентный пункт. В порядке убывания выручки пятёрка лидеров рынка NAND выглядит так: Samsung (31,6 %), SK hynix Group — с учётом Solidigm (17,6 %), Kioxia (13,9 %), Micron (13,9 %) и Sandisk (13,9 %). Samsung Electronics также оказалась лидером по росту выручки, увеличив её последовательно на 104,7 % — до $13,5 млрд. Micron и Sandisk нарастили выручку на 96,7 %, хотя это и не позволило им подняться выше четвёртого места, которое они делят между собой по итогам первого квартала. Kioxia, занявшая третье место, показала рост выручки на 80 % — до $5,96 млрд, лишь незначительно опередив Micron и Sandisk, которые выручили по $5,95 млрд каждая. SK hynix со своим вторым местом продемонстрировала самое скромное увеличение выручки по итогам первого квартала — всего на 44,6 %, до $7,53 млрд. 
Источник изображения: TrendForce Во втором квартале, как ожидают представители TrendForce, дефицит твердотельной памяти продолжит сохраняться, и если продажи смартфонов и ПК он будет сдерживать, то серверное направление продолжит расти. Как отмечается, в случае с Samsung именно серверный сегмент обеспечил рост средней цены реализации NAND, а в связке SK hynix и Solidigm последняя сильнее выиграла от роста спроса на ёмкие SSD корпоративного класса, использующие память типа QLC. Компания Sandisk отметилась ростом выручки более чем на 200 % в серверном сегменте. В текущем году ни один из ведущих поставщиков NAND, по данным TrendForce, не введёт в строй новые производственные мощности, поэтому дефицит продукции будет сохраняться до конца года. К тому времени микросхемы NAND с количеством слоёв более 200 станут доминировать на рынке, а все усилия производителей по выпуску продукции будут сосредоточены на серверном направлении. Наиболее востребованными окажутся ёмкие накопители на базе QLC. Samsung начнёт выпускать в Китае 286-слойную память 3D NAND
25.05.2026 [15:31],
Алексей Разин
С осени 2022 года власти США запретили поставки в Китай оборудования, позволяющего выпускать местным компаниям память 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук. Samsung и SK hynix, которые значительную часть своей памяти выпускают именно в Китае, получили освобождение от этих правил. Первой из них это позволит освоить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND уже в следующем году. 
Источник изображения: Samsung Electronics Разумеется, южнокорейские производители взялись гарантировать властям США, что получаемое ими для своих китайских предприятий оборудование никуда на сторону не попадёт. В конце марта, как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung начала на своём китайском предприятии в Сиане массовый выпуск 236-слойной памяти 3D NAND. Сейчас на этой площадке сворачивается производство устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить массовый выпуск 286-слойной памяти. Какое-то время она будет здесь производиться бок о бок с 236-слойной памятью. В Сиане Samsung производит около 40 % объёмов 3D NAND, поставляемых ею на мировой рынок. На родине в Южной Корее Samsung уже готовится начать выпуск памяти более нового поколения, которое поднимет количество слоёв за пределы 400 штук. Соответствующее производство должно стартовать во второй половине текущего года. Конкурирующая SK hynix в ближайшие два года рассчитывает запустить серийное производство 300-слойной памяти с технологией гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по классическому методу. Китайская YMTC в условиях адресных американских санкций уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ повышения ёмкости твердотельных накопителей без увеличения количества слоёв памяти 3D NAND. Huawei придумала, как выпускать SSD на 122 Тбайт без передовой флеш-памяти
22.05.2026 [20:45],
Алексей Разин
Находящаяся под американскими санкциями с 2019 года китайская компания Huawei Technologies рано или поздно должна была истощить запасы чипов памяти, купленных до вступления в силу профильных ограничений. Из-за этого ей пришлось искать возможность создавать современные ёмкие SSD с использованием памяти китайских поставщиков, уступающей западным образцам по плотности хранения данных. 
Источник изображения: Blocks & Files По данным Blocks&Files, на которые ссылается TrendForce, для создания твердотельного накопителя объёмом 122 Тбайт компания Huawei Technologies использовала метод упаковки DoB («кристалл на печатной плате»), который позволяет напрямую монтировать кристаллы NAND на печатную плату. Зарубежные производители 3D NAND обычно применяют многоярусную компоновку внутри самих чипов памяти, которые уже потом монтируются на печатную плату. Используемый Huawei метод упаковки позволяет поднять плотность хранения данных на 33 %, хотя не уточняется, сколько ярусов при этом удаётся разместить внутри стека. Предполагается, что эта технология, тем не менее, позволит Huawei создавать SSD объёмом до 245 Тбайт, не уступая зарубежным конкурентам при отсутствии доступа к более современным чипам памяти. Правда, метод упаковки DoB не лишён недостатков: помимо роста тепловыделения, страдает и качество сигналов. Huawei уже предлагает использующие эту технологию накопители своим клиентам в составе серверных систем: SSD объёмом 61,44 Тбайт и 122,88 Тбайт уже выпускаются, в будущем компания планирует наладить производство моделей ёмкостью 245 Тбайт. Бороться с энергопотреблением таких SSD компания собирается за счёт использования контроллеров с элементами искусственного интеллекта. Часть вычислений будет производиться на уровне контроллера, что снизит затраты на передачу данных за пределы SSD и обратно. Бум ИИ загнал производителей SSD и модулей памяти в многомиллионные долги
20.05.2026 [10:50],
Алексей Разин
Выпускаемые лидерами рынка микросхемы памяти ещё нужно разместить на модулях памяти и SSD, и для производителей таких устройств нынешняя динамика роста цен в сочетании с дефицитом создаёт довольно сложные условия работы. Они вынуждены залезать в многомиллионные долги ради обеспечения товарных запасов, позволяющих ритмично отгружать продукцию. 
Источник изображения: Micron Technology Как сообщает TechSpot со ссылкой на тайваньское издание Commercial Times, местные производители модулей памяти и твердотельных накопителей типа Adata, TeamGroup, Apacer, Innodisk, Transcend и Silicon Power сообща заняли около $880 млн только для того, чтобы закупить нужное количество микросхем памяти для поддержания бизнеса. Выпуск облигаций, кредиты и даже размещение акций используются участниками рынка для финансирования соответствующих нужд. Всё это происходит на фоне роста финансовых показателей производителей модулей памяти и твердотельных накопителей. Выручка Adata по итогам марта впервые превысила $316 млн, что в национальной валюте Тайваня соответствует круглой сумме в 10 млрд местных долларов. Квартальная выручка Adata более чем удвоилась в годовом сравнении до $826 млн. По сути, производителям модулей памяти и твердотельных накопителей грех жаловаться на финансы, но для экстренного пополнения оборотных средств им всё равно приходится прибегать к заимствованиям. Тем более, что цены на микросхемы памяти растут на десятки процентов за квартал, иной раз увеличиваясь кратно, а потому на закупку сырья уходит очень много денег. Ситуация будет только усугубляться, поскольку собственно производство микросхем памяти не будет заметно расширяться вплоть до следующего года или более позднего периода. Глава Silicon Motion предрёк сохранение дефицита памяти до 2028 года
11.05.2026 [13:10],
Алексей Разин
Разработчик контроллеров памяти Silicon Motion имеет адекватное представление о текущем положении дел в отрасли, что позволяет его генеральному директору Гоу Цзя Чану (Gou Chia-chang) прогнозировать сохранение дефицита памяти NAND и DRAM вплоть до 2028 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics На данном этапе развития акцент отрасли ИИ смещается в сторону инференса, поэтому при строительстве вычислительной инфраструктуре будет оставаться высоким спрос как на оперативную память, так и на скоростные устройства хранения данных, по словам главы Silicon Motion. Во второй половине текущего года цены на память продолжат расти, а дефицит NAND сохранится вплоть до 2028 года. Американские техногиганты продолжают активно вкладываться в расширение вычислительной инфраструктуры. Они активно закупают память впрок и формируют долгосрочные контракты. Такой ажиотаж не может сохраняться вечно, и рано или поздно темпы строительства новых ЦОД замедлятся, но рынок памяти всё равно уже не вернётся к прежней цикличности, когда рост цен регулярно чередовался с их падением. Производители памяти не успевают расширять мощности пропорционально спросу. Два или три года уходит на строительство предприятия и монтаж оборудования, а также его наладку. Поставки оборудования хоть и могут вестись параллельно, сейчас тоже растягиваются на год или полтора. В таких условиях быстро подтянуть предложение к уровню спроса не представляется возможным. В следующем полугодии цены на память продолжат расти, пусть и не так активно, как в первом. Высокие цены уже ударили по производителям смартфонов, ПК и игровых консолей. Крупные участники рынка имеют больше возможностей по формированию запасов памяти, поэтому они смогут проще пережить кризис, чем мелкие. Китайские поставщики позволяют производителям чипов бороться с дефицитом оборудования, но некоторые западные образцы китайцам пока нечем заменить. Micron выпустила первый SSD ёмкостью 245 Тбайт — Micron 6600 ION для центров обработки данных
05.05.2026 [22:06],
Николай Хижняк
Компания Micron Technology объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, самого вместительного из доступных на рынке накопителей. Новинка предназначена для поддержки рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта, облачных вычислений, корпоративных и гипермасштабных приложений, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ, а также облачные файловые и объектные хранилища. 
Источник изображений: Micron По словам производителя, для накопителей Micron 6600 ION E3.L ёмкостью 245 Тбайт требуется на 82 % меньше стоек по сравнению с развёртыванием на основе жёстких дисков. В основе накопителей используется фирменная флеш-память Micron G9 QLC NAND, «которая как минимум на одно поколение опережает любую конкурирующую память QLC, используемую в накопителях для центров обработки данных», заявляет компания.  Твердотельный накопитель Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт доступен в форм-факторах U.2 и E3.L. Один накопитель под нагрузкой потребляет до 30 Вт мощности, что вдвое меньше потребления HDD соответствующей ёмкости. Благодаря этому накопители Micron 6600 ION позволяют снизить стоимость эксплуатации, помогая сократить энергопотребление, потребности в охлаждении и выбросы углекислого газа — ключевые приоритеты для глобальных операторов в условиях растущего экологического и финансового давления. Ключевые особенности Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт на основе лабораторных тестов:
Micron также отмечает, что при масштабировании для установки жёстких дисков требуется в 1,9 раза больше энергии, чем для установки твердотельных накопителей Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт в расчёте на один эксабайт. Повышение энергоэффективности при масштабировании может привести к измеримым последствиям для устойчивого развития, таким как:
Японский производитель унитазов неожиданно заработал на буме ИИ и дефиците памяти
04.05.2026 [11:29],
Алексей Разин
Принято считать, что любой кризис порождает возможности, для японской компании Toto они в условиях дефицита микросхем памяти открылись на не самом очевидном направлении деятельности. Известная своей продвинутой сантехникой, Toto стала больше зарабатывать на поставках электростатических захватов, которые применяются при производстве памяти NAND. 
Источник изображения: Toto Об этом сообщило издание Financial Times, которое отметило, что в конце прошлой недели акции Toto выросли в цене на 18 % до пятилетнего максимума после того, как компания рассказала о достижении рекордной годовой прибыли и планах по расширению производства продуктов для полупроводниковой отрасли. Всего с начала текущего года акции японского производителя «умных унитазов» выросли в цене более чем на 46 %. В прошлом фискальном году, который завершился в марте, Toto нарастила выручку на полупроводниковом направлении на 34 %, именно этот вид бизнеса сформировал более половины годовой операционной прибыли компании, которая выросла на 11 % до $343 млн. В текущем году Toto рассчитывает увеличить выручку на полупроводниковом направлении на 27 %, но при этом будет вынужден инвестировать в расширение производства и сопутствующие исследования $191 млн. Бум ИИ с его возросшим спросом на память позволил японской компании Kioxia обойти по капитализации Sony. Производители различных химикатов, включая представителей косметической отрасли, также начали вкладывать средства в расширение бизнеса в условиях, когда бум ИИ способствует росту спроса на электронные компоненты. В случае с Toto толчок к развитию полупроводникового бизнеса дала компания Palliser, которая в феврале купила пакет акций японского производителя сантехники. К слову, на основном направлении бизнеса Toto столкнулась с проблемами получения сырья из-за конфликта на Ближнем Востоке. В середине апреля она была вынуждена прекратить приём заказов на ванны. Toto ожидает, что ситуация начнёт улучшаться с июля текущего года. Sandisk тоже оседлала ИИ-волну: выручка взлетела в 3,5 раза, а прибыль — почти в три
01.05.2026 [10:04],
Алексей Разин
Одним из способов борьбы с дефицитом чипов памяти производители считают заключение многолетних контрактов с клиентами, в которых оговариваются объёмы продукции, обязательные к выкупу. Компания Sandisk в ходе очередного квартального отчёта призналась, что уже заключила такие долгосрочные контракты на общую сумму $42 млрд. 
Источник изображения: Sandisk Динамика роста цен на NAND и высокий спрос на данный тип памяти привели к тому, что выручка Sandisk в прошлом квартале увеличилась в три с половиной раза — до $5,95 млрд, а последовательно она выросла на 97 %, превысив консенсус-прогноз LSEG ($4,7 млрд). Норма прибыли последовательно подскочила с 50,9 до 78,4 %, явно указывая на опережающий рост цен на продукцию компании. Год назад она вообще не превышала 22,5 %. Операционные расходы выросли, но всего на 16 % последовательно, тогда как операционная прибыль при этом увеличилась на 286 % — до $3,6 млрд. Год назад компания завершила третий фискальный квартал с операционными убытками в размере $1,88 млрд и чистыми убытками на сумму $1,93 млрд, поэтому нынешний прогресс для неё стал желанной компенсацией. Характерно, что сегмент ЦОД при этом не является главным источником выручки Sandisk: на него пришлось только $1,47 млрд из общей выручки $5,95 млрд. Зато выручка на серверном направлении выросла в 3,33 раза последовательно и в семь с половиной раз год к году. Основную часть выручки Sandisk в минувшем фискальном квартале обеспечил сегмент периферийных вычислений: выручка увеличилась в четыре раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года — до $3,66 млрд. Потребительский сегмент хоть и прибавил 44 % в годовом сравнении — до $820 млн, последовательно продемонстрировал снижение на 10 %. В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $7,75 до $8,25 млрд. На выкуп акций решено направить $6 млрд. Как пояснило руководство компании, только три долгосрочных контракта на период от одного до пяти лет, заключённые в прошлом квартале, обеспечат компании совокупную выручку в размере $42 млрд, а в текущем квартале она заключила ещё два таких крупных контракта. Компания ставит перед собой цель минимизировать цикличность цен на рынке NAND и обеспечить более предсказуемую и стабильную экономическую модель. Наученная горьким опытом прошлых лет, Sandisk прописала в долгосрочных контрактах условия, которые определяют нижний и верхний пределы цен, а также накладывают на покупателей обязательства, не позволяющие им отказаться от условий контракта без выплаты поставщику причитающейся суммы. DDR4 подешевела на спотовом рынке, но покупают её всё равно неохотно
29.04.2026 [13:09],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта приучил всех к мысли, что цены на память постоянно растут, и на рынке наблюдается нехватка предложения. Между тем, статистика предыдущих семи дней, приводимая TrendForce, говорит о снижении спроса на микросхемы DDR4 даже при условии снижения цен на память этого типа на рынке моментальных сделок. 
Источник изображения: Micron Technology По данным источника, по сравнению с прошлой неделей цены на DDR4 успели снизиться на величину от 1 до 5,8 %, но это не помогло оживить покупательскую активность. Запросы по ценам поступают от покупателей регулярно, но к реальным покупкам они чаще всего не приводят. В сегменте DDR5 интерес покупателей выше, но и его нельзя назвать стабильным. За прошедшие семь дней спот-цены на DDR5 колебались возле существующих отметок и не сопровождались существенным всплеском покупательской активности, по данным TrendForce. В целом сегмент DRAM склонен демонстрировать тенденцию к снижению цен на спот-рынке: в среднем с $32,8 до $32,5 за DDR4-3200 в конфигурации 1G×8, но динамику нельзя назвать сильно выраженной. 
Источник изображения: TrendForce Зато спот-цены на NAND продолжают снижаться на протяжении последнего месяца, в совокупности опустившись за это время на 30–40 %. На прежних уровнях находилось не так много желающих покупать твердотельную память на рынке моментальных сделок. Некоторые продавцы, стремясь пополнить оборотные средства, стали снижать цены на память, но закрепившаяся тенденция сформировала у потенциальных покупателей ожидания дальнейшего снижения цен, поэтому покупать NAND никто в итоге не торопился. С прошлой недели цены в сегменте NAND на рынке моментальных сделок опустились на 1,82 % до $20,59 за 512-Гбит чип TLC. Дешевела память eMMC и карты памяти microSD, а вот чипы SLC и MLC подорожали на 3,68 % и 8,45 % соответственно. 3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Kioxia представила быстрый твердотельный накопитель EG7 на основе 218-слойной 3D QLC NAND
21.04.2026 [19:42],
Сергей Сурабекянц
Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC. 
Источник изображения: Kioxia BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале. «Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia). Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно. Китай разгоняет производство памяти: YMTC построит ещё два завода по выпуску NAND
14.04.2026 [12:38],
Алексей Разин
Внутренний китайский рынок предоставлять большие возможности для сбыта продукции, чем и пользуются его участники. Тем не менее, с точки зрения бурного развития инфраструктуры искусственного интеллекта китайский рынок подчиняется тем же тенденциям, что и мировой. YMTC готова построить в Китае ещё два завода по выпуску памяти, предвкушая сохранение высокого спроса на этот вид компонентов. 
Источник изображения: YMTC Как отмечает Reuters, крупнейший в Китае производитель памяти типа NAND уже почти достроил новое предприятие, поэтому вместе с двумя будущими их общее количество вырастет до трёх штук. Если все они будут введены в строй, это позволит YMTC более чем удвоить объёмы производства памяти. В случае с китайскими производителями полупроводниковых компонентов всё усугубляется тем, что власти страны заинтересованы в импортозамещении, поэтому темпы развития местной полупроводниковой отрасли определяются не только общемировыми тенденциями. Три новых предприятия, с учётом уже строящегося, смогут при выходе на проектную мощность ежемесячно обрабатывать по 100 000 кремниевых пластин. Сейчас YMTC располагает двумя фабриками, способными ежемесячно обрабатывать по 200 000 кремниевых пластин. По всей видимости, оснащение новых предприятий необходимым оборудованием для YMTC в условиях американских санкций будет не столь простой задачей, но для выпуска памяти не требуется передовая литография, на которую направлена основная часть американских экспортных ограничений. Строящееся в Ухане предприятие YMTC к концу 2027 года должно выйти на обработку 50 000 кремниевых пластин в месяц, а в эксплуатацию будет введено до конца этого года. Здание уже возведено, сейчас происходит монтаж оборудования, причём более половины из требуемого ассортимента поставляется китайскими производителями. Фактически, YMTC может выпускать даже память типа HBM, используя оборудование китайского происхождения. Под санкциями США сама YMTC находится с декабря 2022 года. Где и когда появятся два новых предприятия компании, Reuters узнать не удалось. На мировом рынке YMTC формально занимает 11,8 % сегмента NAND, но по факту её продукция слабо представлена за пределами Китая. К началу следующего года доля YMTC на мировом рынке NAND может превысить 14 %, по прогнозам UBS. Часть новых мощностей компания выделит под выпуск DRAM — по крайней мере, она уже снабжает клиентов образцами какой-то LPDDR, и надеется получить от них обратную связь до конца текущего года. SK hynix начала поставки первых SSD на основе 321-слойной памяти 3D QLC NAND
08.04.2026 [12:26],
Алексей Разин
Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно. 
Источник изображения: SK hynix За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix. Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году. Xiaomi рассказала, насколько на самом деле смартфоны стали дороже из-за кризиса памяти
03.04.2026 [17:11],
Николай Хижняк
Компания Xiaomi впервые прокомментировала конкретное влияние кризиса на рынке памяти DRAM, раскрыв масштабы воздействия роста стоимости оперативной и флеш-памяти на себестоимость производства смартфонов. 
Источник изображения: Xiaomi Лу Вэйбин (Lu Weibing), президент подразделения смартфонов Xiaomi, сделал неожиданно конкретное заявление в китайской социальной сети Weibo о последствиях кризиса DRAM. Согласно этому заявлению, производство смартфонов с 12 Гбайт оперативной и 512 Гбайт флеш-памяти обходится компании на 1500 юаней ($220) дороже, чем в первом квартале 2025 года, а это значит, что такие смартфоны, как Xiaomi Redmi Note 15 Pro+, компании приходится продавать по значительно более высокой цене. Ещё более резким оказалось повышение цен на модели с 16 Гбайт оперативной и 1 Тбайт постоянной памяти, хотя Лу Вэйбин не привёл точных цифр для этой конфигурации. По его словам, цены на флеш-память выросли даже больше, чем ожидал технологический гигант, поэтому компания повысит рекомендованную розничную цену смартфонов Redmi K90 Pro Max, Redmi Turbo 5 и Redmi Turbo 5 Max в Китае с 11 апреля на 200 юаней (около $30). Заявлений об аналогичном повышении цен на мировом рынке от компании пока не было, но большинство моделей смартфонов Xiaomi и так продаются значительно дороже на международном рынке, поэтому у компании будет больше возможностей для смягчения последствий кризиса DRAM. Лу Вэйбин подчеркнул, что цены на смартфоны снова снизятся, как только цены на память начнут падать. В настоящее время невозможно предсказать, когда закончится кризис памяти DRAM. Некоторые аналитики ожидают снижения цен с 2028 года, некоторые поставщики опасаются, что дефицит памяти продлится до 2030 года. Дальнейшая динамика цен на DRAM и NAND в ближайшие месяцы будет зависеть, с одной стороны, от расширения производственных мощностей, а с другой — от спроса со стороны таких гигантов в области искусственного интеллекта, как OpenAI, которые в значительной степени ответственны за кризис памяти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
