Компания Micron Technology объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, самого вместительного из доступных на рынке накопителей. Новинка предназначена для поддержки рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта, облачных вычислений, корпоративных и гипермасштабных приложений, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ, а также облачные файловые и объектные хранилища.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображений: Micron

По словам производителя, для накопителей Micron 6600 ION E3.L ёмкостью 245 Тбайт требуется на 82 % меньше стоек по сравнению с развёртыванием на основе жёстких дисков. В основе накопителей используется фирменная флеш-память Micron G9 QLC NAND, «которая как минимум на одно поколение опережает любую конкурирующую память QLC, используемую в накопителях для центров обработки данных», заявляет компания.

Твердотельный накопитель Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт доступен в форм-факторах U.2 и E3.L. Один накопитель под нагрузкой потребляет до 30 Вт мощности, что вдвое меньше потребления HDD соответствующей ёмкости. Благодаря этому накопители Micron 6600 ION позволяют снизить стоимость эксплуатации, помогая сократить энергопотребление, потребности в охлаждении и выбросы углекислого газа — ключевые приоритеты для глобальных операторов в условиях растущего экологического и финансового давления.

Ключевые особенности Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт на основе лабораторных тестов:

• SSD обеспечил до 84 раз лучшую энергоэффективность, в 8,6 раза более быструю предварительную обработку ИИ и в 3,4 раза большую пропускную способность при приёме данных, а также до 29 раз меньшую задержку;
• продемонстрировал до 435 раз большую пропускную способность на ватт, в 96 раз более быстрое время до первого байта и в 58 раз большую суммарную пропускную способность.

Micron также отмечает, что при масштабировании для установки жёстких дисков требуется в 1,9 раза больше энергии, чем для установки твердотельных накопителей Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт в расчёте на один эксабайт. Повышение энергоэффективности при масштабировании может привести к измеримым последствиям для устойчивого развития, таким как:

• CO₂-эквивалент равный количеству CO₂, поглощаемому более чем 9000 взрослыми деревьями в год;
• сокращение выбросов CO₂ на 438 метрических тонн в год;
• экономия энергии на 921 мегаватт-час в год;
• экономия на охлаждении систем кондиционирования воздуха составляет более 3,14 Btu в год.

Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Kioxia

BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале.

«Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia).

Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно.

Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: SK hynix

За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix.

Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году.

Производство HBM3E для SK hynix буквально стало «золотой жилой», которая позволила значительно улучшить финансовое положение компании. По этой причине она связывает с HBM4 особые надежды и использовала CES 2026 для демонстрации образцов 16-слойных микросхем объёмом 48 Гбайт.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: SK hynix

Как отмечается в пресс-релизе на сайте SK hynix, образцы 16-слойной HBM4 впервые демонстрируются ею именно на CES 2026 в Лас-Вегасе. Ранее компания уже показывала 12-слойные микросхемы HBM4 объёмом 36 Гбайт, которые обеспечивали скорость передачи информации до 11,7 Гбит/с. При этом SK hynix признаёт, что с точки зрения продаж именно 36-гигабайтные чипы HBM3E с 12-ярусной компоновкой будут двигать бизнес компании в этом году. Такую память SK hynix продемонстрирует в сочетании с GPU тех разработчиков, которые продолжат с ней сотрудничать в сегменте HBM3E.

В серверном сегменте также найдут применение модули оперативной памяти типа SOCAMM2, отличающиеся низким энергопотреблением. В мобильном сегменте LPDDR6 будет оптимизирована под периферийные вычисления в сфере ИИ, обеспечивая нужный баланс быстродействия и энергопотребления.

На стенде SK hynix в Лас-Вегасе также можно будет найти образцы 321-слойной флеш-памяти типа QLC 3D NAND, которые позволят создавать накопители eSSD высокой ёмкости. Эта память также сочетает высокое быстродействие с низким энергопотреблением, что особенно ценится в сфере центров обработки данных.

Компания также будет уделять внимание и другим инновациям, включая создание заказной HBM4, в составе которой некоторые функции будут реализованы на уровне базового кристалла стека с учётом пожеланий конкретного заказчика. Память типа PIM, подразумевающая выполнение некоторых вычислений собственными силами, также является одним из перспективных направлений разработок SK hynix. Технология AiMX подразумевает ускорение вычислений в системах ИИ на уровне памяти типа GDDR6. Ещё одной разновидностью периферийных вычислений на уровне памяти является технология Compute-using-DRAM (CuD). Вычисления будут выполняться даже на стороне SSD, а интерфейс CXL позволит ускорить обмен данными между различными компонентами вычислительных систем.

По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %.

Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC.

За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается.

В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего.

В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них.

В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации.

Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором.

При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года.

SanDisk представила первый в мире твердотельный накопитель ёмкостью 256 Тбайт и его младшую версию на 128 Тбайт. Новый SSD построен на корпоративной платформе UltraQLC, ориентированной на сценарии, в которых особенно важны высокая ёмкость, производительность и надёжность.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SanDisk

Накопитель выполнен в форм-факторе U.2, располагает многоядерным контроллером и построен на чипах памяти BiCS8 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит. Одной из ключевых особенностей накопителей UltraQLC является технология Direct Write QLC, благодаря которой данные записываются непосредственно в память QLC, минуя буфер псевдо-SLC (pSLC). Это обеспечивает надёжную запись на случай отключения питания и снижает задержку.

Заявлена также функция динамического регулирования частоты (Dynamic Frequency Scaling — DFS), которая повышает производительность на 10 % при любом заданном уровне мощности. Однако более подробную информацию о ней SanDisk пока не раскрыла — возможно, подразумевается оптимизация частоты контроллера и скорости интерфейса в зависимости от нагрузки. Наконец, присутствует профиль Data Retention, который помогает сократить число циклов обновления данных на 33 %. Это способствует росту надёжности, отказоустойчивости и энергоэффективности накопителя. SSD адресован облачным провайдерам — гиперскейлерам.

Отсутствие pSLC-кеширования является как сильной, так и слабой стороной SSD-накопителя — всё зависит от сценариев его использования. Буфер pSLC, представляющий собой область QLC-памяти, работающей в режиме SLC, обеспечивает SSD скорость отклика в районе от 200 до 300 мкс. Однако при заполнении буфера этот показатель резко возрастает до диапазона от 800 до 1200 мкс. Другими словами, с наличием буфера такой накопитель способен предложить высокую производительность при коротких всплесках, но это преимущество исчезает при записи больших объёмов данных. В отсутствие буфера и прямой записи в память QLC накопитель ведёт себя стабильнее. В SanDisk могут повысить скорость записи другими методами, такими как наличие большого DRAM-буфера, умная адресация, многослойная и многокристальная параллельная запись и избыточное резервирование.

Новые твердотельные накопители SanDisk объёмами 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в первой половине 2026 года. Напомним, что в прошлом месяце компания Kioxia представила первый в мире SSD ёмкостью 245 Тбайт.

Спустя всего 4 месяца после запуска TLC V-NAND 9-го поколения, Samsung объявил о начале массового производства аналогичной памяти типа QLC, предлагая рынку более широкую линейку передовых решений для хранения данных. Новая память обеспечивает оптимальную производительность для самых различных сфер применения, в том числе для задач искусственного интеллекта (ИИ).

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Samsung Electronics

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 9-го поколения вертикальной NAND-памяти (V-NAND) с четырьмя битами на ячейку (Quad Level Cell, QLC) ёмкостью 1 Тбит. «Успешный запуск массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после TLC-версии позволяет нам предложить полную линейку передовых SSD-решений, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта», — сказал Сон Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флеш-памяти и технологий Samsung.

Samsung планирует расширить применение QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильной универсальной флеш-памятью (UFS), SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных сервисов. Новое поколение памяти отличается рядом технологических возможностей, лучше сказать — прорывов. Так, Channel Hole Etching (технология травления каналов) от Samsung позволила добиться максимального количества слоёв в отрасли с двухуровневой структурой. При этом, используя опыт, накопленный при разработке трёхуровневой структуры ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения, специалисты Samsung оптимизировали площадь ячеек и периферийных схем, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, которая примерно на 86 % выше, чем у QLC V-NAND предыдущего поколения.

Помимо высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения отличается повышенной производительностью и надёжностью благодаря также технологиям Designed Mold, Predictive Program и Low-Power Design. Технология Designed Mold регулирует расстояние между Word Lines (WL) для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек во всех слоях. Технология Predictive Program прогнозирует и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы минимизировать ненужные действия. В результате Samsung удалось удвоить скорость записи и повысить скорость ввода/вывода данных на 60 %, а энергопотребление снизить при чтении и записи данных примерно на 30 % и 50 % соответственно благодаря использованию Low-Power Design.

Цены на твердотельные накопители корпоративного назначения в последнее время выросли на 80 %, поскольку они оказались востребованы в системах искусственного интеллекта. Компания SK hynix и её подразделение Solidigm, сформированное на основе бывшего китайского предприятия Intel, собираются увеличить объёмы выпуска памяти 3D NAND для твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: SK hynix

Компании готовы отдать приоритет производству памяти типа QLC 3D NAND, на основе которой будут изготавливаться твердотельные накопители большой ёмкости для корпоративных систем. По данным отраслевых источников, на которые ссылается The Chosun Daily, компания SK hynix начала постепенно наращивать объёмы обработки кремниевых пластин на своём предприятии M15 в Чхонджу, чтобы к концу года повысить производительность линий на 10 %. Высокий спрос на корпоративные SSD позволил компании Solidigm завершить второй квартал без убытков, и теперь она рассчитывает увеличить объёмы производства твердотельной памяти на 5 % к началу следующего года.

Потребность систем искусственного интеллекта в скоростных накопителях большой ёмкости обусловлена тем, что они в своей работе создают «точки отката», которые позволяют вернуться к определённому состоянию в случае каких-то сбоев в работе. Кроме того, системам искусственного интеллекта свойственно обрабатывать большие объёмы данных, поэтому спрос на SSD с их стороны растёт. По прогнозам TrendForce, в ближайшие несколько лет спрос на SSD будет ежегодно расти в среднем на 60 % именно благодаря развитию систем ИИ.

Память типа QLC 3D NAND оптимальна для использования в твердотельных накопителях большой ёмкости в составе систем ИИ, поскольку в каждой ячейке может храниться по четыре бита данных, и это позволяет добиться высокой плотности хранения информации при низких энергозатратах. Накопители большой ёмкости на основе QLC 3D NAND сейчас выпускают только Samsung Electronics и Solidigm, причём последняя считается лидером в сегменте накопителей объёмом 60 Тбайт. Её контролеры также не имеют особых проблем с точки зрения совместимости с серверной инфраструктурой. SK hynix в следующем году планирует выпустить QLC-накопители объёмом 64 Тбайт и 128 Тбайт соответственно. Компания рассчитывает войти в число лидеров сегмента и в следующем году будет получать до половины выручки от реализации NAND именно от продукции, продающейся в корпоративном сегменте.