Теги → toshiba
Быстрый переход

Ветеран Intel становится председателем Toshiba Memory

Как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, с 1 октября у компании Toshiba Memory новый глава. Исполнительным председателем условно японского производителя флеш-памяти стал Стейси Смит (Stacy Smith), отдавший 30 лет жизни работе в компании Intel.

Стейси Смит (Stacy Smith), источник изображения - AnandTech

Стейси Смит (Stacy Smith), источник изображения — AnandTech

Компания Toshiba Memory, напомним, перешла во владение консорциума KK Pangea во главе с инвестиционной компанией Bain Capital Private Equity. Свыше 50 % акций Toshiba Memory, тем не менее, принадлежит японцам в лице компаний Toshiba и Hoya. Остальные акционеры производителя — это Apple, Kingston, Seagate, Dell и SK Hynix. В таких условиях разумно поставить во главе компании не японца.

Впрочем, Стейси Смит не понаслышке знаком с бизнесом по производству флеш-памяти и продуктов на её основе. При его участии в управлении компанией Intel в период бытности финансовым директором с 2006 по 2016 год микропроцессорный гигант начал выпускать флеш-память NAND (3D NAND) и инициировал разработку и производство совершенно нового типа энергонезависимой памяти 3D XPoint (на эффекте изменения фазового состояния вещества). Добавим к этому огромный опыт работы управленцем по продажам в регионах EMEA, управлением инвестиционным крылом Intel Capital и обширные связи в бизнес-среде и получим на выходе руководителя, которому можно доверить судьбу большой компании.

За нарушение патентов на флеш-память Toshiba заплатила Macronix $40 млн

Полтора года назад один из двух законодателей моды на флеш-память — японская компания Toshiba — была уличена в нарушении патентов тайваньской компании Macronix. В апреле 2017 года по поводу обнаруженных нарушений Macronix подала жалобу в Комиссию США по международной торговле (U.S. International Trade Commission). Признание вины Toshiba грозило остановить ввоз продукции компании в США, что могло стать крайне неприятным для производителя NAND-флеш событием. К тому же на тот момент судьба подразделения Toshiba Memory была совершенно не определена.

Для защиты своих интересов Toshiba подала встречные иски против Macronix: один на Тайване в октябре 2017 и второй в Японии в ноябре. В одном случае Toshiba обвинила Macronix в нарушении двух своих патентов, а во втором — в трёх. В ответ в начале 2018 года Macronix дополнительно обвинила в нарушениях партнёра Toshiba — тайваньскую компанию Phison Electronics.

3D NAND с затворами GAA и SGVC

Macronix разрабатывает 3D NAND с затворами SGVC

На прошлой неделе, как сообщают тайваньские источники, Toshiba и Macronix урегулировали спор. В пятницу 5 октября Macronix направила на Тайваньскую биржу ценных бумаг сообщение, в котором рассказала о достигнутых с Toshiba договорённостях. Так, компании разделили между собой права на более чем 30 патентов. Кроме этого Toshiba выплатит тайваньскому разработчику $40 млн, что указывает на правомочность обвинений в краже патентов. Для Macronix это важный момент. Компания разрабатывает оригинальную технологию производства высокоплотной памяти 3D NAND и рассчитывает выйти с ней на рынок в течение года–двух.

Sharp завершила поглощение ПК-бизнеса Toshiba

Первого октября компании Sharp и Toshiba сообщили о завершении транзакции по передаче контроля над подразделением Toshiba Client Solutions (TCS) от Toshiba к Sharp. Подразделение TCS было в полной собственности корпорации Toshiba и дополнительно включало в себя семь дочерних компаний, включая Toshiba America Client Solutions (TACS). Последняя была частым гостем нашей колонки новостей, рассказывая о ПК-новинках Toshiba. С настоящего момента всё происходящее вокруг ПК-бренда Toshiba будет иметь отношение к компании Sharp.

Компания Sharp, напомним, стала собственником сборочного завода TCS в Китае, бывшего персонала Toshiba из примерно 2400 человек и бренда «Toshiba». Прежнее имя для ассоциированной продукции предоставлено Sharp на правах лицензирования. В собственность Sharp перешло 80,1 % акций TCS за сумму 4 млрд иен ($35,21 млн). Помимо производства и обслуживания настольных и мобильных ПК под именем Toshiba предприятие TCS отвечает за производство и обслуживание видеорегистраторов.

На китайском сборочном заводе Toshiba (Nikkei)

На китайском сборочном заводе Toshiba (Nikkei)

По представлению Sharp, за спиной которой ненавязчиво выступает компания Foxconn, кроме традиционного направления по продвижению вычислительных систем покупка бизнеса TCS открывает перед компанией возможность «изменить мир» с помощью технологий 8K и AIoT. С адаптацией панелей и устройств с поддержкой разрешения 8K всё понятно, а вот термин AIoT — это задумка Sharp, которая символизирует сплав ИИ (AI) и мира вещей с подключением к Интернету (IoT). Интересно, чем Sharp под брендом «Toshiba» нас сможет удивить? Ждём интересных новинок.

В мировых поставках NAND-флеш доля 3D NAND превысила 60 %

Сегодня кажется, что память 3D NAND была вечно, но первая память 3D NAND и накопитель SSD на её основе были анонсированы всего пять лет назад — в августе 2013 года. Первой память 3D NAND начала выпускать компания Samsung, и около года она выпускала 128-Гбит 24-слойные чипы практически себе в убыток. Прибыль пошла после освоения производства 32-слойной памяти. Конкуренты подтянулись после 2015 года и тоже начали массовый выпуск 3D NAND с 32-слойных микросхем.

В настоящий момент в массе выпускается 64/72-слойная 3D NAND (72-слойную память выпускает только компания SK Hynix). Согласно наблюдениям аналитиков, на которых ссылается популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, в пересчёте на вновь выпущенные биты 64/72-слойная 3D NAND в мировых поставках NAND-флеш удерживает долю свыше 60 %.

Интересно, компания Samsung Electronics уже не лидирует по показателю проникновения 3D NAND в производство NAND-флеш. В потоке NAND флеш-продукции Samsung доля 3D NAND составляет около 85 %. Компании Toshiba и Western Digital также высоко держат уровень проникновения многослойной памяти — до 75 %. Но дальше всех провела диверсификацию производства компания Micron Technology, которая сократила выпуск планарной NAND до 10 %, а производство 3D NAND расширила до 90 % объёма. Компания SK Hynix находится внизу списка с долей 3D NAND на уровне 60 %.

В 2019 году аналитики ожидают ввода в строй новых линий для выпуска 3D NAND от всех лидеров рынка, а также ждут появления на рынке памяти 3D NAND китайского производителя компании Yangtze Memory Technologies (YMTC). Наращивание объёмов производства и объёмов в пересчёте на биты обещает толкнуть цены на флеш-память вниз, что поспособствует снижению цен на устройства и накопители.

Toshiba Memory и Western Digital ввели в строй новый завод для производства 3D NAND

Компании Toshiba Memory и Western Digital отпраздновали ввод в строй нового завода для выпуска многослойной памяти 3D NAND. Это завод Fab 6 около города Йоккаити в префектуре Миэ (Япония). Строительство завода сопровождалось распрями между Toshiba и Western Digital по поводу судьбы подразделения Toshiba Memory по производству 3D NAND, что не мешало обеим компаниям продолжать совместное финансирование строительства и вести закупку оборудования.

Завод Fab 8 в Японии (Western Digital)

Завод Fab 6 в Японии (Western Digital)

Здания завода Fab 6, включая «чистую комнату», партнёры начали строить в феврале 2017 года. К августу 2017 года строительные работы были завершены, и на предприятие начался завоз промышленного оборудования. Первая очередь линий начала выпускать многослойную память 3D NAND весной этого года в виде 64-слойный микросхем. Сегодня в строй вошла последняя вторая очередь линий, «чистая комната» для которых начала строиться в августе 2017 года. В феврале 2018 года для неё начали закупать оборудование, а на днях она формально приступила к работе. Это дало повод Toshiba Memory и Western Digital торжественно отметить завершение строительства завода Fab 6 и запуск его в строй едва ли не в полном объёме.

В «чистой комнате» (Western Digital)

В «чистой комнате» (Western Digital)

Линии второй очереди начали работать с выпуска передовой 96-слойной 3D NAND, хотя на первых порах это будет 256-Гбит TLC 3D NAND. Позже завод Fab 6 освоит выпуск 96-слойной 512-Гбит TLC 3D NAND и 1,33-Тбит QLC 3D NAND. В любом случае, нас ждёт поток новой флеш-памяти, которой в ином случае просто не было бы. Добавим, новый завод построен с учётом работы в сейсмически опасной зоне. На предприятии внедрены различные технологии энергосбережения, включая светодиодное освещение, а за производственным процессом следит платформа с элементами искусственного интеллекта.

Toshiba Memory собралась на биржу

Второй по величине в мире производитель флеш-памяти Toshiba Memory, который с недавних пор перестал быть подразделением корпорации Toshiba, планирует выйти на биржу. Об этом заявил генеральный директор компании Ясуо Наруке (Yasuo Naruke).

По его словам, Toshiba Memory придерживается своего плана, предполагающего IPO «как можно скорее». Компания уже начала подготовительную работу для размещения своих акций на бирже.

reuters.com

reuters.com

«Нет никаких изменений в нашем плане — мы всё так же готовимся к IPO через два–три года», — сообщил Наруке на пресс-конференции, созванной по случаю запуска очередной производственной линии на совместном предприятии Toshiba Memory и Western Digital.

В разговоре с журналистами Ясуо Наруке также отметил, что компания не беспокоится по поводу падения цен на память, поскольку уверена в долгосрочном высоком спросе благодаря росту производительности смартфонов и дата-центров.

По оценкам аналитиков TrendForce, во втором квартале 2018 года флеш-память подешевела в среднем на 15–20 % из-за переизбытка поставок продукции.

reuters.com

reuters.com

Несмотря на то, что предложение на рынке превосходит спрос, Toshiba Memory и Western Digital не только запустили новую линию по производству микросхем 3D NAND flash, но и строят ещё одну такую фабрику — в Китаками (северная часть Японии).

Toshiba Memory и Western Digital совместно контролируют 33,8 % выручки на рынке флеш-памяти, немного уступая Samsung Electronics (36,4 %), свидетельствуют данные TrendForce за вторую четверть 2018 года.

Toshiba Portege X30T: гибридный планшет с подсоединяемой клавиатурой

Корпорация Toshiba анонсировала гибридный портативный компьютер Portege X30T, который поступит в продажу в октябре нынешнего года.

Portege X30T — это планшет с откидной подставкой и подсоединяемой клавиатурой. Устройство оборудовано 13,3-дюймовым сенсорным дисплеем (разрешение не уточняется). Поддерживается работа с пером Wacom, которое обеспечивает распознавание до 4096 уровней силы нажатия.

Применён неназванный процессор Intel Core U-Series восьмого поколения с четырьмя вычислительными ядрами. В качестве программной платформы используется операционная система Windows 10 Pro.

Для планшета будут доступны две подсоединяемые клавиатуры — стандартная и облегчённая (для поездок). Стандартная имеет защиту от случайно пролитой жидкости; эта клавиатура оснащена дополнительным аккумулятором, портами USB 3.0 (×2), D-Sub, HDMI и Ethernet.

Заявленное время автономной работы на одной подзарядке в режиме планшета достигает 8 часов. При подключении стандартной клавиатуры этот показатель вырастает до 14 часов.

Компьютер поддерживает идентификацию пользователей по лицу и отпечаткам пальцев. Приобрести новинку можно будет по ориентировочной цене от 1550 долларов США. 

Магнитные пластины жёстких дисков могут перейти на многослойную запись

На конференции 2018 IEEE TMRC Conference, об интересном докладе с которой мы уже рассказывали, своими свежими идеями поделилась также японская компания Toshiba. Надеемся, Toshiba не расстанется с производством жёстких дисков, слухи о чём ходят с момента банкротства Westinghouse. Японцы умеют хорошо развивать высокотехнологические отрасли.

Источник микроволнового излучения компактен и интегрируется в записывающую головку (WD)

Источник микроволнового излучения компактен и интегрируется в записывающую головку (WD)

В лабораториях Toshiba была проверена потенциальная возможность организовать многослойную запись на магнитных пластинах жёстких дисков. Проникнуть в глубь пластины и записать дополнительно один, два или даже больше слоёв может помочь так называемая запись с вспомогательным микроволновым излучением — MAMR (microwave-assisted magnetic recording). Жёсткие диски с технологией MAMR уже поставляются в виде ознакомительных образцов компаний Western Digital. Коммерческие поставки MAMR HDD в виде 20-Тбайт накопителей или около того ожидаются в 2019 году. Технологию MAMR разработал японский институт NEDO вместе с компанией HGST (Hitachi), после чего она досталась Western Digital. Возможно, где-то там рядом была также компания Toshiba.

Фото Tom Coughlin, 2018 IEEE TMRC

Фото Tom Coughlin, 2018 IEEE TMRC

Многослойная запись на магнитные пластины может вестись с помощью «тонкой» подстройки вспомогательного микроволнового излучения. Для поверхности рабочей будет одна частота, для записи внутри пластины в зависимости от глубины залегания слоя — другая частота или частоты, если слоёв будет несколько. Похожим образом только с изменяемой фокусировкой лазера работает запись на многослойные оптические диски. Будет просто замечательно, если эта технология воплотится в жизнь.

Чистая прибыль Toshiba оказалась больше выручки

Чистая прибыль Toshiba оказалась выше выручки благодаря продаже полупроводникового бизнеса. Об этом свидетельствуют данные компании за первый финансовый квартал, закрытый в конце июня 2018 года.

За этот период Toshiba получила рекордную чистую прибыль — 1,02 трлн иен (9,16 млрд), а годом ранее она измерялась 50,3 млрд иен. Столь сильный подъём произошёл вследствие продажи подразделения Toshiba Memory (производство микросхем флеш-памяти) международной группе инвесторов. Стоимость сделки составила $18 млрд, а 965,5 млрд иен ($8,7 млрд) разового дохода были учтены в показателях прошлого квартала.

reuters.com

reuters.com

Операционная прибыль Toshiba, не учитывающая эту сделку, в апреле–июне 2018 года составила 730 млн иен ($6,55 млн), что на 95 % меньше значения годичной давности. Выручка за это время уменьшилась на 7,3 % до 842,28 млрд иен ($7,6 млрд) и, как можно видеть, оказалась меньше чистой прибыли.

Структура, основной которой было подразделение Toshiba Memory, в лучшие годы приносило более 100 млрд иен операционной прибыли. В апреле–июне 2018 года показатель составил лишь 4,2 млрд иен, поскольку учитывались продажи лишь коммуникационных чипов, а спрос на них снижается, отмечает издание Nikkei.

reuters.com

reuters.com

Энергетический бизнес Toshiba идёт на спад из-за широкого внедрения возобновляемых источников энергии.

Память Toshiba 3D XL-Flash бросает вызов памяти Intel 3D XPoint

Микросхемы энергонезависимой памяти Intel 3D XPoint обладают сравнительно низкой плотностью и высокой ценой, хотя с задержками у них полный порядок — менее 10 мкс при чтении, тогда как у обычной 3D NAND задержки при обращении колеблются от 16 до 30 мкс. Ближе всех к современным характеристикам памяти 3D XPoint подобралась компания Samsung. Для конкуренции с накопителями Intel Optane южнокорейский производитель разработал многослойную память Z-NAND на основе ячейки с записью одного бита (SLC). Как выяснилось на днях, по похожему пути пошла компания Toshiba. Но японцы зашли ещё дальше — они банальным образом «размножили» массивы памяти внутри чипов, чем многократно распараллелили доступ к ячейкам.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

На саммите Flash Memory Summit 2018 Toshiba представила новый, по её словам, тип памяти 3D XL-Flash. Для производства памяти 3D XL-Flash применяются те же техпроцессы и материалы, с помощью которых компания выпускает актуальную память BiCS (3D NAND). Это означает, что производство 3D XL-Flash будет ненамного дороже обычной многослойной NAND-флеш. Основных нюансов два. Во-первых, ячейка 3D XL-Flash — это ячейка SLC с записью одного бита вместо двух (MLC), трёх (TLC) или четырёх бит (QLC). Во-вторых, вместо классической разбивки массива ячеек на два или четыре независимых блока на кристалле память 3D XL-Flash разбита на множество блоков (планов). Поскольку общий объём массива остался без изменения, каждый из блоков обслуживается укороченными словарными и битовыми линиями. Помимо углубления параллелизма это даёт значительное снижение задержек при обращении к ячейкам.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

По словам Toshiba, память 3D XL-Flash обладает в 10 раз меньшими задержками, чем обычная память 3D NAND. О нагрузке на контроллер памяти компания тактично умалчивает, а ведь это ключевой момент разработки. Внутренняя логика памяти 3D XL-Flash сталкивается с решением задач на порядок более сложных, чем обычная память 3D NAND. Тем не менее, это даёт возможность снизить задержки при обращении к памяти до уровня микросхем Intel 3D XPoint при определённо меньшей себестоимости решений. Впрочем, на первых порах Toshiba собирается использовать память 3D XL-Flash в виде кеширующего буфера для накопителей на памяти 3D NAND с четырёхбитовой QLC ячейкой. Очевидно, это будут SSD корпоративного класса. Появление памяти Toshiba 3D XL-Flash в потребительских накопителях будет зависеть от активности Intel и Samsung, если те попытаются развивать память 3D XPoint и Z-NAND в сторону бытовых серий SSD.

Toshiba Memory приступила к строительству нового завода по выпуску 3D NAND

В полном соответствии с намеченными ранее планами компания Toshiba Memory Corporation приступила к строительству нового завода для производства памяти 3D NAND (торговая марка BiCS FLASH). Завод будет построен на новой для Toshiba площадке на севере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Возведение цехов и подготовка инфраструктуры будут завершены осенью 2019 года. Завод в Китаками дополнит мощности предприятия компании в Йоккаичи. В Toshiba Memory ожидают неизменно растущий спрос на флеш-память и SSD и желают подготовиться к требованиям растущего рынка.

Цифровое изображение будущего завода Toshiba Memory в Китаками (Toshiba Memory)

Цифровое изображение будущего завода Toshiba Memory в Китаками (Toshiba Memory)

Объёмы производства и необходимые инвестиции для закупки оборудования для производства микросхем будут определены позже на основании складывающейся рыночной ситуации. Пока же компания обещает создать сейсмоустойчивое сооружение с использованием всех современных энергосберегающих технологий. Управлять производственными процессами будет искусственный интеллект, что обещает поднять производительность до максимально возможного уровня.

Для привлечения инвестиций со стороны в Toshiba Memory приступили к обсуждению условий расширения сотрудничества с компанией Western Digital. Американский производитель жёстких дисков и SSD уже является партнёром Toshiba Memory и, скорее всего, создаст с ней ещё одно совместное предприятие уже на базе нового завода.

SSD Toshiba XG6 на 96-слойной 3D NAND TLC

SSD Toshiba XG6 на 96-слойной 3D NAND TLC

Вместе с компанией Samsung японская Toshiba Memory много лет делят первые места на рынке флеш-памяти. В недавнем прошлом Samsung вышла вперёд с разработкой многослойной NAND (3D NAND). На данном этапе Toshiba Memory стремится догнать конкурента и демонстрирует прогресс в разработке и производстве передовых микросхем. Например, на днях Toshiba сообщила о начале поставок SSD на 96-слойной 3D NAND TLC (256-Гбит или 512-Гбит, не уточняется). Компания Samsung пока ничем таким похвастаться не может, хотя тоже приступила к производству 90-слойной 3D NAND ёмкостью 256 Гбит. Новый завод Toshiba Memory начнёт производство с 96-слойной или более сложной памяти. Фундамент для этого уже заложен.

Toshiba XG6: быстрые твердотельные накопители формата M.2 2280

Корпорация Toshiba анонсировала семейство производительных твердотельных накопителей XG6, которые рассчитаны на использование в клиентских системах.

Изделия используют 96-слойную флеш-память 3D TLC NAND (BiCS Flash). Задействованы протокол NVMe 1.3a и интерфейс PCI Express 3.0 x4, что обеспечивает высокие скоростные показатели. Контроллер — Toshiba TC58NCP090GSD.

Накопители соответствуют формату M.2 2280: габариты составляют 22 × 80 мм. В семейство вошли три модификации — вместимостью 256 Гбайт и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3180 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2960 Мбайт/с.

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 355 тыс. при чтении и до 365 тыс. при записи.

Toshiba уже организовала пробные поставки решений семейства XG6: они доступны OEM-производителям. О цене и возможных сроках поступления в открытую продажу ничего не сообщается. 

Toshiba разработала 96-слойную память BiCS Flash

Компания Toshiba Memory Corporation объявила о создании образцов передовой 96-слойной флеш-памяти BiCS Flash 3D.

В изделиях применяется технология QLC, или Quad-Level Cell. Она предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке.

Reuters

Reuters

Отмечается, что ёмкость одного чипа составляет 1,33 Тбит. При этом упаковка из 16 таких чипов обеспечит вместимость в 2,66 Тбайт.

Прототипы новых изделий будут демонстрироваться на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдёт в Санта-Кларе (Калифорния, США) с 6 по 9 августа.

Toshiba Memory начнёт поставлять образцы памяти производителям твердотельных накопителей и разработчикам SSD-контроллеров в первых числах сентября. Массовое производство планируется развернуть в следующем году.

Отметим, что в 2020 году корпорация Toshiba Memory намерена ввести в строй новый завод, который поможет нарастить объём выпуска 3D NAND. Предприятие расположится на сервере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Завод будет построен с использованием передовых технологий. 

Toshiba делает ставку на выпуск силовых полупроводников

Если верить аналитикам, тенденциям и здравому смыслу, то скоро моду на силовые полупроводники будут диктовать электромобили, хотя силовая домашняя электроника и солнечные электростанции также внесут свою лепту в процесс совершенствования электроники, связанной с эффективным электрическим питанием. Но электромобили как автономные системы будут играть главенствующую роль в вопросах совершенствования силовых полупроводников. Потери при питании и утечки (при преобразовании напряжения) недопустимы, и их необходимо минимизировать.

Беспроводная зарядная система BMW (BMW)

Беспроводная зарядная система BMW (BMW)

Сегодня эффективность силовых элементов неразрывно связана с поиском и использованием новых материалов и техпроцессов. Напомним, комитет JEDEC даже начал разрабатывать стандарт для силовой электроники будущего. Тем самым порог вхождения на рынок силовых чипов достаточно высокий, чтобы компании из Китая и даже Южной Кореи смогли вторгнуться на него и быстро подмять под себя. Львиную долю решений для него выпускают немецкие и американские игроки. Так, компании Infineon принадлежит 26,4 % рынка, а американской ON Semiconductor — 10 %. На третьем и четвёртом месте соответственно находятся японцы Mitsubishi Electric и Toshiba. Последняя приняла решение увеличить выпуск силовых полупроводников, чтобы компенсировать потерю выручки после продажи подразделения Toshiba Memory.

Силовые полупроводники занимают малую долю на мировом рынке полупроводников

Силовые полупроводники занимают малую долю на мировом рынке полупроводников

Выручка от продаж флеш-памяти ежегодно приносила Toshiba до 400 млрд иен ($3,6 млрд). Если вложения в производство силовых чипов себя оправдают, то к концу 2020 года Toshiba рассчитывает получать от данного направления ежегодно до 200 млрд иен. Эти ожидания соответствуют росту выручки на направлении на 25 % по состоянию на прошлый год. Но для наращивания продаж (и производства) необходимо вложить в следующие три года порядка 30 млрд иен или около $270 млн.

Новые материалы позволят существенно уменьшить размеры блоков питания (Toyota)

Новые материалы позволят существенно уменьшить размеры блоков питания (Toyota)

Запланированные инвестиции добавят к производственным линиям Toshiba на двух заводах в Японии и одном предприятии в Таиланде около 50 % мощностей. В основном это будут дискретные силовые полупроводники. Чистая прибыль от выпуска дискретных силовых чипов для производства Toshiba составляет около 10 %. Интегральные схемы на этом направлении приносят меньше. Поэтому компания пока не планирует развивать производство интегрированной силовой электроники.

Обновлённый ноутбук Toshiba Portege X30 появился в продаже

Компания Toshiba начала европейские поставки анонсированной ещё в январе новой версии 13,3-дюймового ноутбука Portege X30, примечательного своей малой толщиной и массой немногим более 1 кг. Устройство Portege X30-E использует четырёхъядерные процессоры семейства Intel Kaby Lake Refresh-U (Kaby Lake-R), тогда как его предыдущие вариации базировались на двухъядерных моделях Kaby Lake-U. Кроме того, увеличены максимальные объёмы оперативной памяти и пространства для хранения данных.

Экспериментировать с дизайном Portege X30-E в Toshiba сочли лишней тратой бюджета R&D-отдела. В принципе, это оправдано, ведь рассматриваемый ноутбук относится не к имиджевым мобильным устройствам, а скорее к «рабочим лошадкам» с впечатляющим подбором компонентов. Так, модели X30-E-11D и X30-E-11U имеют в своём арсенале SoC Core i7-8550U с частотной формулой 1,8/4,0 ГГц, 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) оперативной памяти DDR4-2400, M.2 SSD-накопитель объёмом 1 Тбайт и матрицу с разрешением 1920 × 1080 пикселей и опцией сенсорного ввода. Слабым местом лэптопа Portege X30-E является его графическая подсистема, представленная интегрированным решением Intel UHD 620.

Новинка весит от 1,05 кг при габаритах 316(Д) × 227(Ш) × 15,9–16,4(В) мм

Новинка весит от 1,05 кг при габаритах 316(Д) × 227(Ш) × 15,9–16,4(В) мм

Принципиальных различий между вышеупомянутыми конфигурациями X30-E-11D и X30-E-11U два. Так, версия ноутбука с суффиксом U, наряду с адаптером Wi-Fi/Bluetooth, оснащена LTE-модулем Sierra Wireless AirPrime EM7455, с другой стороны, альтернативная ей модель располагает продвинутой веб-камерой с ИК-датчиком для работы с Windows Hello. К слову, те же особенности характерны и для пары X30-E-11T/X30-E-10U: первый из этого дуэта ноутбуков оснащён LTE-адаптером, а второй — улучшенной веб-камерой. Процессором в обоих случаях служит чип Core i5-8250U, объём оперативной памяти DDR4-2400 составляет 8 Гбайт, ёмкость M.2-накопителя — 256 Гбайт. Дисплей у Portege X30-E-11T/X30-E-10U тот же, что и у пары X30-E-11D/X30-E-11U — 13,3-дюймовый Full HD с сенсорным вводом.

Квартет новых конфигураций Toshiba Portege X30 привлекает внимание в том числе наличием подсвечиваемой клавиатуры с тензометрическим джойстиком посередине, стереодинамиков Harman Kardon, двух портов Thunderbolt 3/USB 3.1 Type-C и видеовыхода HDMI. Трёхъячеечная аккумуляторная батарея обеспечивает максимум 10 ч 10 мин и 14 ч 25 мин работы без подзарядки для версий на базе SoC Core i7 и Core i5 соответственно.

Для стран Западной Европы актуальны следующие расценки на Portege X30-E:

  • X30-E-11T — Core i5-8250U, 8 Гбайт DRAM, 256-Гбайт M.2 SSD, Wi-Fi/Bluetooth — €1669;
  • X30-E-10U — Core i5-8250U, 8 Гбайт DRAM, 256-Гбайт M.2 SSD, Wi-Fi/Bluetooth, LTE — €1789;
  • X30-E-11D — Core i7-8550U, 32 Гбайт DRAM, 1-Тбайт M.2 SSD, Wi-Fi/Bluetooth — €2499;
  • X30-E-11U — Core i7-8550U, 32 Гбайт DRAM, 1-Тбайт M.2 SSD, Wi-Fi/Bluetooth, LTE — €2599.