Сегодня 16 октября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → v-nand

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Google выпустила ИИ-генератор видео Veo 3.1 с повышенным реализмом и улучшенным звуком 3 ч.
Google упростила восстановление аккаунта — теперь в этом могут помочь друзья и родственники 4 ч.
Warhammer 40,000: Dark Heresy готовится к «альфе», а Rogue Trader скоро выйдет на Nintendo Switch 2 5 ч.
Дом с призраками, зубодробительные головоломки и могущественный маятник в геймплейном трейлере хоррора The Occultist 6 ч.
Межпространственный шутер на выживание Voidtrain готов вырваться из измерения раннего доступа — дата выхода и новый трейлер 7 ч.
Warface вернулась в российский Steam спустя два года, но есть нюанс 8 ч.
Microsoft показала иконки, которые могли бы получить Word, Excel и PowerPoint — но не получили 9 ч.
Google предложила изменить поисковую выдачу, чтобы отвертеться от огромного штрафа в Европе 9 ч.
Witchbrook нужно «ещё немного времени повариться в котле» — амбициозный симулятор школы магии не выйдет в 2025 году 9 ч.
«Огромное влияние в огромных масштабах»: Илон Маск рассказал о Macrohard — будущем конкуренте Microsoft 11 ч.
От мВт до МВт: Arm и Meta объявили о стратегическом партнёрство в области ИИ 2 ч.
Новая статья: Авторегрессионные ИИ-модели: лизоблюдство вместо силы 3 ч.
Microsoft арендует у Nscale ещё 116 тыс. ускорителей NVIDIA GB300 4 ч.
Samsung выпустила зарядные устройства с Qi2 — совместимых смартфонов у компании пока нет 4 ч.
Honor представила самый мощный Android-планшет — 13,3-дюймовый MagicPad 3 Pro на Snapdragon 8 Elite Gen 5 6 ч.
Honor показала концепт Robot Phone — смартфон с «живой» камерой на механической руке 6 ч.
Дроны вдохнули водород и удвоили время полёта — в США испытали беспилотник на топливных ячейках 7 ч.
Apple перестала комплектовать MacBook Pro зарядными устройствами — пока обделили только Европу 7 ч.
BenQ представила 27-дюймовые 4K-мониторы для пользователей Mac и творческих профессионалов 7 ч.
iPhone получил недоделанный Wi-Fi 7 — под новым шильдиком Apple спрятала старый Wi-Fi 6E 7 ч.