Сегодня 08 октября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → v-nand

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В Steam открылось тестирование Valor Mortis от разработчиков Ghostrunner — ролевого боевика от первого лица в духе Dark Souls и BioShock 2 ч.
Самое большое дополнение в истории Crusader Kings 3 не заставит себя долго ждать — дата выхода и новый трейлер All Under Heaven 4 ч.
Изгнанные Маском без выходного пособия топ-менеджеры Twitter добились «справедливости» через суд 4 ч.
Ninja Gaiden 4, Baldur’s Gate, новая игра от создателей Psychonauts и многое другое: Microsoft раскрыла первые новинки Game Pass после подорожания 4 ч.
«Билайн Big Data & AI» и IVA Technologies займутся совместной разработкой ИИ-продуктов 5 ч.
«Интернет — не свалка для негатива»: в китайских соцсетях массово банят пессимистов 5 ч.
Еврокомиссия выделит €1 млрд на внедрение ИИ в десяти отраслях 6 ч.
Демоны, титаны и невообразимые ужасы: новый геймплейный трейлер Painkiller показал, почему в чистилище веселее с друзьями 6 ч.
Российский рынок IaaS и PaaS отметился 30-проценным ростом с начала года 7 ч.
Beeline Cloud представил комплексное решение для работы с «1С» в защищённом облаке 9 ч.
Спутниковая группировка Starlink теряет по спутнику в день — они сгорают в атмосфере или падают на Землю 7 мин.
AST SpaceMobile перехватила клиента у Starlink — компания обеспечит видеозвонки через спутник для Verizon 22 мин.
В России стартовали продажи роботов-пылесосов Dreame MatriX10 Ultra и Dreame Aqua10 Ultra Roller Complete 37 мин.
Нобелевскую премию по химии за 2025 года присудили за открытие «домика для молекул» 3 ч.
Synology отменила запрет на жёсткие диски WD и Seagate в своих новых NAS 4 ч.
Sennheiser представила наушники HDB 630 — «первый беспроводной продукт для аудиофилов» 4 ч.
AOC представила 27- и 32-дюймовые игровые мониторы на Fast IPS с разрешением до 4K и частотой до 320 Гц 5 ч.
Дженсен Хуанг «удивился» условиям сделки между AMD и OpenAI, но назвал её «хитрым ходом» 5 ч.
Сатья Наделла, Дженсен Хуанг и Майкл Делл спасли нового главу Intel от быстрой отставки 5 ч.
Google намерена построить до шести ЦОД рядом с остановленной АЭС DAEC в Айове, которую хотят перезапустить 6 ч.