Компания Samsung сообщила о старте массового производства чипов флеш-памяти 3D V-NAND TLC нового, 8-го поколения, пишет портал Tom’s Hardware. Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и, предположительно, состоят из 236 слоёв, хотя сама Samsung не уточняет данный аспект. Производитель лишь называет новинки флеш-памятью с самой высокой плотностью битов в отрасли.

Источник изображения: Samsung

Микросхемы флеш-памяти Samsung 3D V-NAND TLC 8-го поколения способны обеспечить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с и в сочетании с передовыми контроллерами могут использоваться в составе потребительских твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0. По словам Samsung, такие SSD предложат скорость передачи данных свыше 12,4 Гбайт/с.

Samsung утверждает, что использование новой технологии производства позволило получать больше памяти с одной кремниевой пластины — прирост составил 20 % по сравнению с выпускаемыми ранее микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. В конечном итоге это позволит снизить производственные затраты, и потенциально может означать более дешёвые твердотельные накопители для потребителей.

Подробности архитектуры новых чипов 3D V-NAND TLC 8-го поколения компания не раскрывает. Как пишет портал Tom’s Hardware, как и другие производители, Samsung получает память с более чем 200 слоями путём укладки друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. Так ранее в этом году Micron представила чипы 3D NAND с 232 слоями, а SK hynix — с 238 слоями.

О первых продуктах на базе новых чипов флеш-памяти Samsung пока тоже ничего не говорит.

В ходе мероприятия, посвящённого отчёту Samsung о финансовых результатах по итогам второго квартала, представители компании рассказали об успехах в работе над 200-слойными чипами флеш-памяти типа V-NAND. Это будут первые чипы такого рода во всей индустрии.

Источник: kedglobal.com

Мероприятие состоялось в минувший четверг: корейский гигант объявил о 54-процентном росте операционной прибыли, а также о 20-процентном росте продаж, которого удалось достичь благодаря основному бизнесу по производству электронных компонентов. В ближайшее время эти показатели продолжат расти, хотя могут сохраниться сбои в поставках, что связано с пандемией COVID-19.

Старший вице-президент и куратор подразделения по производству модулей памяти Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) заявил, что компания уже разработала 200-слойные (и это число ещё может вырасти) чипы памяти восьмого поколения V-NAND, в настоящий момент готовится запуск производственной линии для их вывода на рынок. «176-слойные чипы останутся основным NAND-продуктом до 2022 года. И, согласно утверждённому 10-летнему плану, мы работаем над чипом V-NAND следующего поколения», — отметил господин Хан.

Samsung совершенствует свои технологии флеш-памяти V-NAND, чтобы обеспечить своё лидерство и обострить соперничество с ближайшим конкурентом — американской компанией Micron, которая в ноябре прошлого года выпустила первые в мире 176-слойные чипы NAND. Во второй половине года Samsung планирует анонсировать SSD-накопители на базе 176-слойных чипов V-NAND, которые, согласно заявлению разработчика, получат самые маленькие в индустрии ячейки памяти.

Один из руководителей высшего звена корейского техногиганта Samsung заявил, что во второй половине года компания планирует представить новый потребительский SSD на базе чипов памяти V-NAND седьмого поколения. Они смогут похвастаться самым маленьким размером ячеек в отрасли.

Korea Times

Сообщается, что новое решение будет оптимизировано для многозадачности и огромных рабочих нагрузок, таких как 3D-моделирование и редактирование видео. Правда, в современных реалиях вполне вероятно, что новинку облюбуют и майнеры Chia. Помимо потребительского рынка Samsung планирует вывести SSD на базе V-NAND седьмого поколения и в серверный сегмент, в том числе предложить модели для ЦОД.

Напомним, что V-NAND — это дизайн флеш-памяти Samsung, который подразумевает вертикальное размещение ячеек памяти, которые образуют трёхмерную структуру. Другие производители называют аналогичные решения 3D NAND. Компания первой коммерциализировала такое решение, представив оригинальную 3D V-NAND в 2013 году.

Сообщается, что в седьмом поколении V-NAND инженерам Samsung удалось уменьшить размер ячеек примерно на 35 процентов за счёт уменьшения как площади поверхности, так и высоты с помощью инновационной технологии трёхмерного масштабирования. Отмечается, что Samsung — единственная компания в отрасли, обладающая технологией травления, способной создавать на одном кристалле более 100 слоёв и объединять их между собой более чем миллиардом соединений. Кроме того компания уже получила рабочий чип V-NAND восьмого поколения, который и вовсе содержит более 200 слоёв. Продукты на его основе планируется представить после анализа рыночной ситуации и потребительского спроса.

По данным исследовательской компании TrendForce, Samsung является крупнейшим в мире производителем флеш-памяти NAND с долей в 33,5 % в выручке в первом квартале текущего года. Этот бизнес принёс компании $4,97 миллиарда за первые три месяца 2021 года, что на 7 процентов превосходит показатели за предыдущий квартал.

На первом этапе пандемии нового коронавируса производители памяти оптимистично заявляли о росте спроса на компоненты для ноутбуков и серверов при падении спроса на память для смартфонов. Компания Samsung Electronics в это сложное время решилась на расширение производственных линий по выпуску твердотельной памяти типа V-NAND.

Источник изображения: Samsung Electronics

На территории технологического парка в южнокорейском городе Пхёнтхэк уже расположены самые крупные в мире линии по производству твердотельной памяти. В мае компания начала строительство новых корпусов, которые будут введены в строй во второй половине 2021 года, чтобы начать снабжать клиентов передовой памятью типа V-NAND. Корейский гигант уже полтора года сохраняет статус мирового лидера по производству твердотельной памяти типа NAND.

Новая производственная линия поможет удовлетворить спрос на твердотельную память для персональных компьютеров и серверных систем, а также смартфонов с поддержкой сетей 5G и сопутствующих устройств. Samsung не указывает объём необходимых инвестиций, но сторонние эксперты утверждают, что он превысит $5,7 млрд. Ранее компания объявила о расширении производства памяти в китайском Сиане, новая линия будет введена в строй в первой половине следующего года. По данным южнокорейских властей, в мае выручка от экспорта полупроводниковых изделий из страны выросла на 7,1 % в годовом сравнении. Повышение спроса на микросхемы памяти сопровождалось ростом цен.

Данные берутся из публикации Третья версия Samsung 850 EVO: теперь на 64-слойной TLC 3D V-NAND

В прошлом году компания Samsung Electronics показала на конференции Samsung SSD Forum Japan компактный (22 × 16 × 1,5 мм) одночиповый BGA SSD PM971, который сочетал в себе внушительный объём (до 512 Гбайт), контроллер Samsung Photon, флеш-память MLC V-NAND, буферную память LPDDR4 и демонстрировал достаточно высокую производительность: максимум 190 000 IOPS и 1,5 Гбайт/с при чтении, а также 150 000 IOPS и 600 Мбайт/с при записи. Понимая, что BGA-исполнение ограничивает «ареал обитания» PM971 отнюдь не дешёвыми устройствами класса «2-в-1» и планшетами, в Samsung приняли решение выпустить M.2-модификацию данного SSD, которая изображена на нижеприведённом снимке.

Экземпляр ранней («Rev. 0») ревизии объёмом 256 Гбайт выпущен в декабре прошлого года

Накопитель Samsung PM971/MZ-2LZ2560 (256 Гбайт) состоит из многочипового модуля, содержащего все необходимые компоненты, и печатной платы со сторонами примерно 2 и 3 см. На стикере отмечен факт использования интерфейса NVMe, также указаны значения напряжения (3,3 В) и силы тока (1,3 А), на основе которых нетрудно вывести максимальное энергопотребление микросхемы — 4,29 Вт. Уровень быстродействия рассматриваемого SSD будет таким же или, по крайней мере, сопоставимым с производительностью одноимённого BGA-накопителя.

Название PM971 само по себе выдаёт в устройстве OEM-продукт для систем в сборе. Аналогичное решение для розницы получит имя Samsung 970 и, возможно, будет выполнено на более крупной PCB в расчёте на использование в составе как ноутбуков, так и настольных ПК. Напомним, что вариантов объёма у BGA SSD Samsung PM971 три — 128, 256 и 512 Гбайт. Соответственно, его производные в форм-факторе M.2 будут иметь тот же объём. С увеличением объёмов выпуска 64-слойной флеш-памяти типов TLC V-NAND и QLC V-NAND максимальная ёмкость подобных накопителей Samsung может вырасти в полтора-два раза (в зависимости от потребностей рынка).

Наряду с PM971/970, подобные BGA и M.2 SSD появятся и в ассортименте конкурентов Samsung. Часть из них будут обходиться без блока буферной оперативной памяти, что может существенно сказаться на производительности. С ценами на новые накопители маркетологи южнокорейской компании пока не определились.

Исследования ресурса ячеек флеш-памяти твердотельных накопителей ведутся не первый год, и многие энтузиасты, включая специалистов 3DNews, уже убедились, что производители SSD, как правило, слишком скромно оценивают их реальную способность перезаписывать данные раз за разом на протяжении многих лет. Одним из «марафонцев» в таких тестах стал накопитель Samsung 850 PRO на основе выпускаемых по 40-нм техпроцессу микросхем 3D MLC V-NAND. Несмотря на почтенный возраст (без малого 3 года) и относительно высокую стоимость (150–200 % цены бюджетных SSD), 850 PRO остаётся одним из самых востребованных накопителей в потребительском сегменте рынка.

Ресурс Guru3D со ссылкой на одно из немецких печатных изданий уведомил читателей о завершении продолжительного ресурсного теста одного из экземпляров 256-гигабайтной версии Samsung 850 PRO. Устройство «пережило» всех своих конкурентов — Crucial BX200, OCZ Trion 150, Samsung 750 EVO, SanDisk Extreme Pro и SanDisk Ultra II, причём часть накопителей утратили работоспособность преждевременно из-за перебоя с питанием.

Финалистами оказались модели SanDisk Extreme Pro и Samsung 850 PRO разного объёма. Каждая из них выдержала перезапись как минимум 2,2 Пбайт (2200 Тбайт) данных, и в роли «последнего героя» выступил 256-гигабайтный Samsung 850 PRO. Его ресурс исчерпался после практически трёх лет тестирования и перезаписи 9,1 Пбайт при паспортном значении в 150 Тбайт (то есть в 60,7 раза меньше). Источник не уточнил, какой метод симуляции нагрузки использовали немецкие экспериментаторы, но в любом случае итог оказался весьма впечатляющим.

Таким образом, когда счёт идёт не на десятки или сотни терабайт, а на петабайты, можно быть уверенным в том, что при обычном домашнем использовании SSD не выйдет из строя из-за исчерпания ресурса. В рассмотренном случае ячейки памяти Samsung 3D MLC V-NAND позволили перезаписать данные около 35,5 тыс. раз. Всё это, однако, не отменяет необходимости периодического резервного офлайн- или онлайн-копирования важной информации.

В заключение добавим, что наш лабораторный экземпляр SSD Samsung 850 PRO в ресурсном тесте пересёк отметку в 3 Пбайт (см. ниже) и продолжает работать безотказно. Компанию ему на данный момент составляют более десятка различных накопителей ADATA, Crucial, GOODRAM, Kingston, SanDisk, Samsung (960 EVO), Smartbuy, Toshiba и Transcend.

За твердотельными накопителями будущее, это ясно уже давно. Механические накопители имеют ряд принципиально неустранимых недостатков, поэтому огромные ресурсы разработчиков брошены на создание всё более мощных, объёмных и надёжных дисков на базе энергонезависимой памяти. Так, на мероприятии Cloud Expo Europe, прошедшем в Лондоне, корпорация Samsung продемонстрировала новые накопители под брендом Z-SSD, оснащённые разъёмами PCI Express 3.0 x8. Впервые прототипы этих устройств были показаны ещё на Flash Memory Summit в августе 2016 года, но всё, что было о них тогда известно, это то, что базируются они на новой памяти Z-NAND, ведущей свою родословную от четвёртого поколения V-NAND. На выставке Cloud Expo стало известно больше.

Так Z-SSD выглядит внешне. Судя по всему, накопитель нуждается в серьёзном охлаждении

Во-первых, пока Z-SSD имеют объём всего 800 Гбайт и будут предлагаться избранным клиентам компании именно в таком варианте. Ранее предполагались также модели объёмом 1, 2 и 4 Тбайт, но Samsung соответствующих устройств не показала и вообще нет признаков того, что она планирует в ближайшем будущем выпустить Z-SSD с такой ёмкостью. Произойдёт ли это в сколько-нибудь обозримом будущем, можно лишь предполагать. Новые накопители требуют слота PCIe 3.0 как минимум с четырьмя линиями, но сам слот у них имеет механический конструктив x8 — это хорошо видно на снимках. Компания-разработчик заявляет, что латентность Z-SSD (видимо, на операциях чтения) на 70 % ниже, нежели у обычных решений с интерфейсом NVMe. По всей видимости, новый накопитель предназначен для тех сфер применения, где минимизация задержек является одним из важнейших параметров; в частности, для баз данных класса mission critical.

Главный соперник: Samsung PM963

На линейных операциях Z-SSD упирается в возможности интерфейса PCIe 3.0 x4: и при записи, и при чтении он может развивать скорость до 3,2 Гбайт/с. А вот с производительностью на случайных операциях ситуация асимметричная: 750 тысяч IOPS при чтении случайными блоками объёмом 4 Кбайт и лишь до 160 тысяч IOPS при таких же операциях записи. Компания заявила, что Z-SSD имеет уникальный дизайн, включая дизайн контроллера, позволивший ему в четыре раза сократить задержки и в 1,6 раза поднять скорость последовательного чтения в сравнении с Samsung PM963 NVMe. Более о новинке пока не известно ничего: мы не знаем даже, сколько уровней содержит каждая ячейка Z-NAND. Повторимся, известно лишь то, что сама структура Z-NAND позаимствована у четвёртого поколения V-NAND. На сегодня вертикальная «стопка» ячеек V-NAND имеет максимум 64 слоя при ёмкости 512 Гбит, а ёмкость всего кристалла равна 64 Гбайт. Показатели 3D XPoint, совместной разработки Intel и Micron, скромнее — 2 перекрещенных слоя общей ёмкостью 128 Гбит и 16 Гбайт на кристалл соответственно, что и объясняет высокую стоимость и малую ёмкость решений на базе 3D XPoint.

Облачные сервисы открывают нам доступ к практически безграничному по размерам хранилищу персональных данных. Однако трудности и технические ограничения, с которыми сталкиваются пользователи при попытке выхода в Сеть, могут затруднить доступ к необходимой информации. Выходом из такой ситуации являются универсальные накопители LINK, созданные инженерами компании Fasetto.

Предельно компактное на видео устройство представляет собой гибрид переносного накопителя и беспроводной точки доступа, за счёт чего передача файлов здесь доступна не только через кабель, но и по Wi-Fi или Bluetooth. Fasetto LINK готов взять на себя роль карманного «облака» благодаря реализованной интеграции с существующими облачными ресурсами, а также выступить в роли устройства для резервного копирования — многофункционального накопителя с беспроводными интерфейсами.

В основе моделей серии LINK лежит память V-NAND — SSD-накопитель с интерфейсом NVMe производства Samsung. Ёмкость носителя в зависимости от выбранной модификации может составлять 256 Гбайт/512 Гбайт/2 Тбайт, а скорость чтения и скорость записи достигать значения 2500 Мбайт/с и 1500 Мбайт/с. Необходимый уровень быстродействия Fasetto LINK обеспечит восьмиядерный процессор Exynos 7420 в тандеме с 4 Гбайт оперативной памяти, гарантирующие стриминг видео в 4К-формате без видимых глазу заминок.

«Фишка» Fasetto LINK — возможность установки дополнительных модулей, в числе которых значится модем для работы с LTE-сетями, а также дополнительный блок со встроенным аккумулятором вдобавок к родной батарее на 1350 мА·ч. Использование второй батареи с ёмкостью 1120 мА·ч обеспечит прирост автономности с первоначальных пяти часов до восьми часов. В режиме ожидания аналогичный показатель обещает возрасти с двух до четырёх недель. Для быстрой зарядки разработчики оснастили устройство интерфейсом USB-C.

Вдобавок к выше перечисленным преимуществам Fasetto LINK выделяется своей компактностью: ударопрочный в соответствии с военными стандартами корпус с размерами 5 × 5 × 2,5 см может похвастаться ещё и пыле- влагозащитой, отвечающей требованиям сертификации IP68.

Поставки моделей LINK компания Fasetto планирует начать в апреле этого года. Прайс-лист на накопители с модульной конструкцией следующий:

• модификация на 256 Гбайт обойдётся в 349$;
• модификация на 512 Гбайт — в 499$;
• модификация на 2 Тбайт — в 1149$;
• дополнительный аккумуляторный модуль — в 29$;
• LTE-модуль — в 149$.

Эра твердотельных накопителей с интерфейсом SATA потихоньку подходит к концу. Скоростные возможности современных контроллеров и чипов флеш-памяти уже намного опережают пределы, устанавливаемые интерфейсом, а это 6 Гбит/с. Перехода на дисковые интерфейсы с пропускной способностью 12 Гбит/с в потребительском секторе не предвидится, а в серверном такие скорости уже давно используются, но вкупе со стандартом SAS, а не SATA. Будущее за NVMe, но это не значит, что «старички» собираются сойти со сцены окончательно.

Во многих случаях линейной пропускной способности на уровне 6 Гбит/с более чем достаточно, а на первые места выходят такие показатели, как объём и производительность при выполнении случайных операций записи и чтения. Да что там говорить, любой владелец SSD подтвердит, что после установки практически любого современного накопителя с интерфейсом SATA всё стало загружаться намного быстрее, включая игры. А современные игры весьма охочи до дискового пространства и в этом их аппетиты будут только расти. Одной из лучших моделей, если не самой лучшей, в классе SATA SSD, несомненно, является Samsung 850 Pro. Так считают многие энтузиасты.

Контроллер Samsung MHX. Скорее всего, он будет установлен и в версии объемом 4 Тбайт

Как показали проведённые нами тесты, эта модель обладает отменной производительностью, а благодаря использованию трёхмерной MLC — ещё и серьёзным запасом производительности, настолько серьёзным, что Samsung даёт на эти накопители 10-летнюю гарантию. Но ёмкости 2 Тбайт может оказаться недостаточно хардкорным игрокам, поэтому на выставке CES 2017 Samsung планирует представить новую модель 850 Pro объёмом 4 Тбайт. Это будет первый накопитель потребительского класса с таким объёмом на базе двухъячеечной памяти NAND. Модель 850 EVO с аналогичной ёмкостью на базе 3D TLC была представлена ранее. Выставка CES 2017 пройдёт с 6 по 8 января следующего года в Лас-Вегасе, штат Невада, США.

За последние несколько лет твердотельные накопители основательно подешевели, тем не менее, цены на них всё ещё достаточно высоки по сравнению с обычными жёсткими дисками. Для сравнения: стоимость гигабайта в НЖМД объёмом 1 Тбайт составляет порядка $0,04, тогда как у SSD этот показатель равен $0,2–0,5. Конечно, это намного меньше, чем $1,17 за гигабайт в 2012 году, но всё же недостаточно, чтобы устройства хранения данных на базе флеш-памяти смогли вытеснить классические винчестеры в сегменте массовых ПК и ноутбуков. Устранить это неравенство пообещала корпорация Samsung, заявившая, что к 2020 году 512-Гбайт SSD будет стоить столько же, сколько сейчас стоят терабайтные HDD.

overclock3d.net

Чтобы добиться поставленной задачи, южнокорейскому гиганту потребуется почти на две трети снизить себестоимость чипов флеш-памяти, служащих основой твердотельных накопителей. Для этого он вынужден будет продолжать наращивать выпуск микросхем 3D V-NAND и одновременно увеличивать число слоёв в них.

overclock3d.net

Первые шаги в данном направлении уже делаются: на 2017 год намечен запуск серийного производства SSD на базе чипов V-NAND четвёртого поколения, которые компания анонсировала в августе на конференции Flash Memory Summit 2016. Они имеют в своей объёмной структуре 64 слоя ячеек памяти и характеризуются увеличенной до 512 Гбит плотностью кристалла, а также возросшей до 800 Мбит/с скоростью передачи данных. К 2020 году, скорее всего, уже будут представлены 96-слойные решения, хотя для их выпуска наверняка потребуются нормы производства, отличные от нынешнего 40-нм техпроцесса.

Напомним, что в настоящее время на массовом рынке компания Samsung предлагает накопители 3D V-NAND третьего поколения, которые предусматривают 48 слоёв в каждой микросхеме. В частности, этот тип флеш-памяти применяется в недавно анонсированном семействе SSD потребительского класса 960 Pro и 960 EVO.

Samsung не одна борется за увеличение плотности памяти V-NAND — с ней конкурирует альянс Toshiba и WD

Однако Samsung не одна борется за сегмент накопителей с памятью 3D V-NAND, в том числе и с перспективной 64-слойной. Альянс Toshiba и Western Digital также преуспел в данном направлении, разработав технологию BiCS 3D NAND, которая в сравнении с 48-слойной памятью может предложить в 1,4 раза большую плотность упаковки данных. Массовый выпуск устройств хранения данных на её основе также запланирован на 2017 год.

Анонс твердотельного накопителя Samsung 950 Pro в своё время произвёл фурор: в сравнении с первыми моделями SSD в формате M.2 он продемонстрировал непревзойдённый уровень производительности, не будучи при этом ОЕМ-решением, как Samsung SM951, или перелицованным серверным накопителем, как Intel 750. С подробностями можно ознакомиться в соответствующем обзоре. Сейчас компания готовится выпустить наследника 950 Pro с ещё более высокой производительностью.

Как сообщают зарубежные источники, в планах компании также выпуск более доступной модели под названием 960 Evo. Как и в случае с серией 850, в которую вошли SSD 850 Pro и 850 Evo, новинка будет использовать не MLC, а TLC 3D V-NAND, причём в новейшем 48-слойном варианте. Сердцем накопителя станет новый контроллер Samsung Polaris с поддержкой протокола NVMe. Ожидается полный модельный ряд с ёмкостями от 128 Гбайт до 1 Тбайт, форм-фактор — M.2 PCI Express x4 NVMe.

OEM-версия. Розничная, скорее всего, получит чёрную печатную плату

По сути, Samsung 960 Evo станет розничной версией ОЕМ-модели PM961. От неё следует ожидать схожей производительности, а она у PM961 весьма неплохая: до 3000 Мбайт/с при линейном чтении и до 1150 Мбайт/с при линейной записи, при этом на случайных операциях максимальные показатели составляют 360 и 280 тысяч IOPS соответственно, а это выше возможностей 950 Pro, которые находятся на уровне 300 и 110 тысяч IOPS. Благодаря применению многослойной TLC стоимость 960 Evo ожидается достаточно дружественной.

Компания Samsung не зря занимает место среди крупнейших лидеров микроэлектронного производства, а её твердотельные накопители вполне справедливо считаются знатоками одними из лучших в индустрии. Серии 850 и 850 EVO, а также сравнительно недавно появившаяся серия 950 Pro стали настоящими хитами среди требовательных к производительности и надёжности пользователей. В корпоративном секторе у Samsung тоже есть, чем удивить: компания способна производить не только быстрые и надёжные, но и очень ёмкие твердотельные накопители благодаря использованию новейших чипов 3D V-NAND объёмом 256 Гбит.

Ранее мы уже сообщали о начале поставок нового накопителя PM1633a объёмом 15,36 Тбайт на базе памяти 3D V-NAND с интерфейсом SAS 12 Гбит/с. Производительность его, напомним, достигает пределов интерфейса на линейных операциях (до 1200 Мбайт/с), а на случайных составляет до 200 тысяч IOPS при чтении и 32 тысячи IOPS при записи. Теперь этот накопитель поступил в широкую продажу и стали известны цены: $10 тысяч за старшую модель. В пересчёте на гигабайт это существенно дороже любых известных жёстких дисков, но это расплата за высокую производительность.

Семейство PM1633a включает в себя модели объёмом 480 и 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Как и было обещано ранее, их поставки начались во второй половине 2016 года. Стоимость старшей версии мы уже огласили, модель объёмом 7,68 Тбайт обойдется потенциальному покупателю в $7000. К сожалению, на менее ёмкие модели цены пока не опубликованы, но и тут на низкую стоимость рассчитывать не приходится. Отметим, что PM1633a является настоящим серверным накопителем: по крайней мере, старшая модель имеет 1 Тбайт резервных ячеек флеш-памяти и способна выдержать полную перезапись всего объёма данных каждый день как минимум в течение гарантийного срока.

Корпорация Samsung Electronics добавила твердотельный накопитель ёмкостью 4 Тбайт в семейство 850 EVO в мае этого года, не делая никаких анонсов. Ранее в этом месяце компания начала коммерческие поставки, а также сняла эмбарго на обзоры устройства. На сегодняшний день большинство розничных торговцев уже продают данное изделие. В России Samsung 850 EVO ёмкостью 4 Тбайт может появиться в августе.

Samsung SSD 850 EVO 4 Тбайт (MZ-75E4T0) формально принадлежит к семейству 850 EVO второго поколения и базируется на трёхмерной NAND флеш-памяти с трёхбитовой ячейкой третьего поколения (3D V-NAND TLC, 48 слоёв). Устройство использует контроллер MHX (три ядра, 400 МГц), а значит полностью поддерживает 256-битное полное шифрование данных, а также совместимо со спецификациями TCG/Opal 2.0 и IEEE1667, что делает его интересным выбором для корпоративных рабочих станций. Твердотельный накопитель оснащен 4-Гбайт буфером памяти LPDDR3, а также использует псевдо-SLC кеширование (технология TurboWrite) для максимизации скорости записи. Как и все остальные модели 850 EVO, новинка поставляется в форм-факторе 2,5 дюйма/7 мм с интерфейсом Serial ATA.

Производительность Samsung 850 EVO 4 Тбайт напоминает другие устройства в данном модельном ряду. Samsung заявляет максимальную устойчивую скорость последовательного чтения 540 Мбайт/с, а также максимальную устойчивую последовательную скорость записи 520 Мбайт/с. Что же касается максимальных скоростей произвольного чтения/записи, то Samsung декларирует их на уровне 98000/90000 операций ввода/вывода в секунду (input/output operations per second) для блоков по 4 Кбайт. Энергопотребление новинки составляет 3,1/3,6 Вт во время активных операций чтения/записи, что меньше, чем у моделей семейства 850 EVO первого поколения.

Трёхмерная NAND флеш-память с трёхбитовой ячейкой третьего поколения (3D V-NAND TLC, 48 слоёв)

В настоящее время все крупнейшие розничные продавцы в мире (Amazon, Alternate, B&H Photo Video, CDW, CaseKing, Komplett, Fry’s, Newegg, NCIX, Misco, Overclockers UK, Scan и другие) либо уже продают Samsung 850 EVO 4 Тбайт, либо принимают на него заказы. Более того, некоторые крупные компании, такие как Amazon в США, уже успели распродать первую партию этих накопителей, что довольно удивительно, поскольку рекомендованная цена новинки для Северной Америки составляет $1499,99. Нельзя сказать, что подобная цена низка, поскольку она более чем два раза превышает таковую у Samsung 850 EVO 2 Тбайт ($633 у Newegg), а следовательно, пользователь платит премию за каждый гигабайт. Тем не менее, она может быть оправданной, учитывая специфику изделия.

Что касается доступности Samsung 850 EVO 4 Тбайт в России, то новинка может появиться здесь уже в августе по рекомендованной цене 110 990 рублей (€1489, $1653 на момент написания заметки), что несколько выше цен в ряде европейских стран. Тем не менее, продукт обязательно найдёт своего покупателя, поскольку прямой альтернативы у него нет (и это касается не только рынка РФ).

SSD производства Samsung

Как правило, твердотельные накопители такой ёмкости предназначены для серверов и центров обработки данных, они поддерживают ряд важных технологий для увеличения надёжности и производительности, которые делают их более дорогими. Например, SanDisk Optimus Max 4 Тбайт (SAS) доступен на Amazon за $2685 и на Ebay за $2718. Накопитель PM863 (SATA) производства Samsung ёмкостью 3,84 Тбайт имеет рекомендованную цену $2200, а его более совершенный собрат — PM1633 (SAS) 3,84 Тбайт — продаётся уже за $3092. Если же обратиться к сайтам таких компаний, как Fixstars и Foremay, которые производят SSD для специфических приложений и могут построить практически любой накопитель, то на них невозможно найти цен, поскольку они будут зависеть от конкретных конфигураций и программы поддержки.

Вообще, когда речь идет о производительности, ёмкости, выносливости и цене твердотельных накопителей, то небеса — не предел. В настоящее время целый ряд компаний (включая Samsung и Fixstars) уже предлагают 2,5-дюймовые SSD объёмом свыше 10 Тбайт по цене свыше $10 000. Кроме того, существуют специализированные решения (вроде тех, что предлагают своим клиентам производители серверов), которые стоят $20 000 и более.

В общем и целом, 111 000 рублей или $1500 — это не так страшно для единственного в мире 4-Тбайт потребительского твердотельного накопителя в форм-факторе 2,5 дюйма.

При упоминании бренда Crucial Ballistix на ум приходят, в основном, оверклокерские модули памяти различных объёмов, типов и форм-факторов, от полноразмерных DIMM до компактных SODIMM. Но компания не собирается ограничивать этот бренд исключительно оперативной памятью — она готовит к выпуску высокоскоростной твердотельный накопитель Ballistix TX3 потребительского класса. Полных данных о модельном ряде нет, но точно известно, что в него войдёт модель ёмкостью 500 Гбайт. Скорее всего, также будут выпущены версии объёмами 250 Гбайт и 1 Тбайт.

Так выглядит продажная версия Ballistix TX3

Новинка, как это сейчас модно, будет использовать интерфейс PCI Express x4 3.0 и выпускаться в форм-факторе M.2. Благодаря поддержке протокола NVMe она обеспечит лучшие показатели производительности при случайных операциях, нежели лучшие представители SSD, использующие протокол AHCI. Но самое главное, что Ballistix TX3 будет использовать память типа 3D MLC NAND, а значит, сможет похвастаться не только производительностью, но и высоким ресурсом вкупе с надёжностью.

Испытания прототипа ёмкостью 500 Гбайт

Как сообщают источники, линейная скорость чтения у Ballistix TX3 будет достигать внушительных 2,4 Гбайт/с, линейная скорость записи окажется несколько скромнее — в районе 1 Гбайт/с. В новом накопителе будет реализована характерная для решений Crucial фирменная технология повышения отказоустойчивости RAIN, о которой мы рассказывали в обзоре популярного SSD Crucial MX200. В том случае, если системная плата обладает двумя полноценными слотами M.2, два Ballistix TX3 могут быть объединены в массив RAID0 для достижения ещё более высокой производительности.