G.Skill разогнала модуль памяти DDR5 до эффективной частоты 10 000 МГц без экстремального охлаждения

Компания G.Skill сообщила, что смогла разогнать одиночный модуль памяти DDR5 до эффективной частоты 10 000 МГц с использованием только лишь воздушного охлаждения. Помимо этого компания заявила об успешной верификации комплектов оперативной памяти DDR5-8000 и DDR5-7800 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) каждый — они способны стабильно работать в указанных режимах при использовании профилей Intel XMP 3.0.

Источник изображений: G.Skill

Производитель провёл предварительные тесты одиночного модуля памяти DDR5-8000, который был разогнан до эффективной частоты 10 000 МГц. Память работала при очень высоких задержках CL50-120-120-120-240. Тест модуля ОЗУ также проводился с использованием флагманского процессора Intel Core i9-13900K и материнской платы ASUS ROG Z790 Maximus. При этом, G.Skill подчёркивает, что при разгоне не использовалось специальное охлаждения. Применялась только обычная воздушная система охлаждения для процессора, а сам модуль память был «одет» в радиатор.

Верификация комплектов ОЗУ DDR5-8000 и DDR5-7800 проводилась с использованием тестовой платформы на базе процессора Intel Core i9-13900K и материнской платы ASUS ROG Z790 Maximus. Комплект ОЗУ DDR5-8000 прошёл успешную проверку с таймингами CL40-49-49-128. В рамках теста AIDA64 память обеспечила скорость чтения свыше 124 Гбайт/с и скорость записи свыше 120 Гбайт/с.

Комплект памяти DDR5-7800 успешно протестирован с таймингами CL38-47-47-125. В рамках теста скорость чтения памяти составила больше 122 Гбайт/с, а скорость записи — свыше 117 Гбайт/с.