Сегодня 23 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Microsoft открыла доступ к скандальной ИИ-функции Recall — пользователям разрешили ограничить её «подглядывания» 6 ч.
Новая статья: Death of the Reprobate: что не так на картине? Рецензия 7 ч.
Главный конкурент OpanAI получил $4 млрд на развитие ИИ без следов Хуанга 8 ч.
Valve раскрыла часть игр, которые получат скидку на осенней распродаже Steam — официальный трейлер акции 8 ч.
Threads получила «давно назревавшие улучшения» в поиске и тренды 9 ч.
Ubisoft рассказала о возможностях и инновациях стелс-механик в Assassin's Creed Shadows — новый геймплей 10 ч.
Создатели Black Myth: Wukong удивят игроков до конца года — тизер от главы Game Science 11 ч.
У Nvidia больше не самые прибыльные акции — ажиотаж вокруг биткоина победил ИИ-бум 12 ч.
Заждались: продажи S.T.A.L.K.E.R. 2: Heart of Chornobyl за два дня после релиза превысили миллион копий 13 ч.
YouTube добавил в Shorts функцию Dream Screen — ИИ-генератор фонов для роликов 14 ч.