Сегодня 27 июля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Спасение контрактного бизнеса Intel зависит от Apple и Nvidia, считают аналитики 8 ч.
AAEON представила 2.5GbE-шлюзы FWS-2291 и FWS-2292 на базе Intel Alder Lake 8 ч.
MSI представила изогнутый UWQHD-монитор с диагональю 34 дюйма, частотой 240 Гц и ценой $600 12 ч.
Японские инвестиции могут быть использованы TSMC для строительства американских предприятий 18 ч.
Около 4000 специалистов решили уйти из NASA — штат агентства сократится почти на четверть 24 ч.
Mercedes-Benz начнёт выпуск твердотельных батарей для электромобилей с запасом хода 1000 км до 2030 года 26-07 21:25
Huawei показала конкурирующую с Nvidia GB200 систему CloudMatrix 384 26-07 18:40
Новинки Google Pixel предстали на фото в разных цветах до анонса 26-07 18:34
GPD выпустит портативную консоль на процессорах AMD Ryzen AI MAX, но ей потребуется внешний аккумулятор 26-07 17:21
Всё лишнее — за борт: Intel выделит NEX в отдельную компанию и подыщет ей инвестора 26-07 16:34