Сегодня 09 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Продажи Ready or Not достигли 13 миллионов — на ПК игру продолжили покупать даже в разгар скандала с цензурой 11 ч.
Календарь релизов — 8–14 сентября: Borderlands 4, Shape of Dreams и Katanaut 12 ч.
Security Vision представила решение для защиты критической инфраструктуры малого и среднего бизнеса 13 ч.
Журналисты откопали концепт-арт версии ремейка Star Wars: Knights of the Old Republic, которая никогда не выйдет 13 ч.
Google добавила в Gemini поддержку аудиофайлов для всех платформ, включая iOS 14 ч.
Польские СМИ раскрыли стартовые продажи хоррора Cronos: The New Dawn от разработчиков ремейка Silent Hill 2 14 ч.
Звезда Cyberpunk 2077 Киану Ривз «с удовольствием бы» сыграл Джонни Сильверхенда в Cyberpunk 2 16 ч.
Microsoft предоставила скидки госагентствам США на более чем $6 млрд 17 ч.
Hollow Knight: Silksong оказалась слишком сложной даже для фанатов первой части, и моддеры спешат на помощь 17 ч.
«Т-Банк» тоже вернул бесконтактную оплату на iPhone россиян, но пока в тестовом режиме 19 ч.