Сегодня 05 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Подарок к юбилею: спустя пять лет после запуска Call of Duty: Mobile достигла миллиарда загрузок 36 мин.
Симулятор жизни в беззаботном постапокалипсисе I Am Future готов вырваться из раннего доступа — новый трейлер и дата выхода 2 ч.
В «Google Сообщениях» можно будет выбирать качество отправляемых изображений 2 ч.
Арестован хакер, подозреваемый во взломе Ticketmaster и десятков других клиентов Snowflake 2 ч.
Вышла вторая бета iOS 18.2 — Siri с ChatGPT Plus, улучшенный «Локатор» и другие изменения 2 ч.
«Яндекс», подвинься: VK начнёт предустанавливать свои сервисы на автомобили в России 2 ч.
Система управления уязвимостями Security Vision Vulnerability Management получила крупное обновление 3 ч.
Meta оштрафовали в Южной Корее на $15 млн за незаконный сбор пользовательских данных 3 ч.
Ubisoft поделилась деталями самого крупного обновления для Star Wars Outlaws и сменила творческого руководителя игры 3 ч.
Хакер заявил о краже исходного кода Nokia — компания расследует инцидент 6 ч.