Сегодня 23 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

В передовых силовых микросхемах и радиочастотных усилителях используются полупроводники с широким значением запрещённой зоны, например, нитрид галлия (GaN). Львиную долю мировых поставок галлия контролирует Китай, и недавно введённые Пекином ограничения на его экспорт означают дополнительные риски для нацбезопасности ряда стран, включая США. Поэтому входящее в Минобороны США агентство DARPA поручило Raytheon разработать синтетические полупроводники из алмазов и нитрида алюминия в качестве альтернативы GaN.

 Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Цель Raytheon — обеспечить внедрение данных материалов в оборудование, предназначенное для современных и перспективных радиолокационных и коммуникационных систем: радиочастотные переключатели, ограничители и усилители мощности — это поможет расширить их возможности и дальность действия. Такие компоненты будут применяться в аппаратуре для зондирования, радиоэлектронной борьбы, направленной передачи энергии и в системах высокоскоростного оружия, включая гиперзвуковое. В будущем, вполне возможно, подобные полупроводники найдут применение и в гражданской сфере, например, в электромобилях, системах связи и других приложениях.

Ведущим материалом в силовых и высокочастотных полупроводниках является нитрид галлия, ширина запрещённой зоны которого составляет 3,4 эВ. Его возможности способен превзойти синтетический алмаз с 5,5 эВ — он окажется полезным в оборудовании, где критически важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, экстремальный контроль температур, высокие мощность и долговечность. Но синтетический алмаз пока является новым материалом в полупроводниковой сфере, и до сих пор существуют проблемы, связанные с его массовым производством. Ещё более широкая запрещённая зона в 6,2 эВ у нитрида алюминия, а значит, он даже лучше подходит для такого оборудования. Но Raytheon только предстоит разработать соответствующие полупроводниковые компоненты.

На первом этапе компания займётся разработкой полупроводниковых плёнок на основе алмаза и нитрида алюминия. На втором — эти технологии будут оптимизироваться для работы на пластинах большего диаметра, в частности, для сенсорных систем. Обе фазы Raytheon надлежит завершить за три года. У компании уже есть опыт в интеграции GaN- и GaAs-компонентов в радиолокационное оборудование, поэтому и с новой задачей она, вероятно, справится.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Стартовала сборка второй ракеты NASA SLS — через год она отправит людей в полёт вокруг Луны 4 ч.
TSMC начнёт выпускать 1,6-нм чипы через два года 7 ч.
Представлен 80-долларовый смартфон Tecno Pop 9 — с Helio G50 и батареей на 5000 мА·ч 7 ч.
Россия и США активно обсуждают, как будут топить МКС 8 ч.
Magssory Fold 3 в 1 — компактная и функциональная беспроводная зарядная станция для Apple, Samsung и не только 10 ч.
Nokia подписала пятилетнее соглашение по переводу ЦОД Microsoft Azure со 100GbE на 400GbE 10 ч.
Давно упавший на Землю кусочек Марса пролил свет на историю воды на Красной планете 10 ч.
TeamGroup представила SSD T-Force GA Pro на чипе InnoGrit — PCIe 5.0, до 2 Тбайт и до 10 000 Мбайт/с 11 ч.
Провалился крупнейший проект по производству электромобильных батарей в Европе — Northvolt объявила о банкротстве 11 ч.
В Зеленограде начнут выпускать чипы для SIM-карт и паспортов — на этом планируется заработать триллионы рублей 11 ч.