SK hynix представила смартфонную память UFS 4.1 на основе 321-слойной 4D NAND

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.