MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Китайский компания CXMT, занимающаяся производством памяти DRAM, объявила о начале массового производства чипов памяти пятого поколения. В компании это назвали прорывом, который поможет Поднебесной создать сильного конкурента Samsung, SK hynix и Micron на глобальном рынке чипов памяти.
Источник изображения: CXMT
Новая платформа предназначена для создания более производительных чипов памяти по более низкой цене и с меньшим энергопотреблением. CXMT, которая в этом году вышла на шанхайскую биржу STAR Market, заявила о готовности дать производителям электроники дополнительный источник поставок чипов для смартфонов и других устройств.
CXMT, являющаяся крупнейшим китайским производителем памяти DRAM, заявила, что новая технология позволяет повысить плотность ячеек памяти и изготавливать больше чипов из одной кремниевой пластины. Производитель отмечает, что смог сократить расстояние между ячейками до 11,95 нм. Этого удалось добиться с помощью четырёхкратного экспонирования, то есть повторения процедуры нанесения рисунка на литографическом сканере четыре раза для формирования более тонких структур схем.
«В настоящее время наши технологические возможности не уступают самым передовым техпроцессам, используемым в отрасли для массового производства», — заявил недавно вице-президент CXMT Луо Сяодун (Luo Xiaodong).
Вместе с этим CXMT представила две 24-гигабитные микросхемы памяти LPDDR5X, произведённые на новой платформе. Память этого типа в основном используется в смартфонах и другой портативной электронике. Каждый из новых продуктов хранит на 50 % больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями вендора. Обе микросхемы уже выпускаются серийно. Чипы выпускаются в двух вариантах, ориентированных на использование в устройствах разного типа.
В CXMT отметили, что новая платформа позволяет выпускать как минимум на 50 % больше заготовок для чипов с одной кремниевой пластины по сравнению с показателем платформы четвёртого поколения. Этот показатель отражает потенциальное количество чипов, которое можно получить с пластины до исключения брака, а не долю изделий, прошедших финальное тестирование.
Источник:
