Сегодня 27 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Процессоры и память

Intel Penryn: первые 45 нм процессоры

⇣ Содержание

High-k диэлектрики, металлические затворы и другие нововведения 45 нм техпроцесса


 Intel Penryn. 45 нм чип SRAM

 Intel Penryn. 45 нм транзистор
45 нм транзистор
Представляя новые технологические процессы, компания Intel выдерживает промежуток примерно около года между первой демонстрацией чипов с новыми нормами производства (как правило, чипы SRAM), до показа первых образцов процессоров. Так было в прошлый раз (65 нм), так случилось и сейчас: сейчас.

 Intel Penryn
Через год после показа первых 45 нм пластин с памятью SRAM, были показаны первые процессоры Penryn и появились дополнительные подробности об используемых материалах и технологиях. Прежде всего стоит отметить, что переход на новые, более прецизионные нормы техпроцесса влечёт за собой необходимость решения вопросов уменьшения токов утечек транзисторов, что напрямую влияет на энергопотребление и тепловыделение чипа в целом, и всё это на фоне увеличения производительности и усложнения архитектуры и топологии процессора.

 Intel Penryn
При переходе к нормам 45 нм техпроцесса для создания затворов транзисторов с малыми токами утечек инженерам Intel пришлось использовать новый материал для диэлектрика - так называемый high-k диэлектрик, в сочетании с новым материалом электрода затвора транзистора из сочетания металлов. Дело в том, что диоксид кремния (SiO2, традиционно использовавшийся в качестве диэлектрика для создания затвора транзистора на протяжении сорока лет, просто-напросто исчерпал свои физические возможности. При разработке предыдущего 65 техпроцесса инженерам Intel удалось создать слой диэлектрика из диоксида кремния с легирующими углеродистыми присадками толщиной 1,2 нм – всего пять атомных слоёв!

 Intel Penryn

 Intel Penryn
Однако дальнейшее снижение толщины этого слоя приводит к появлению эффекта прямого тунеллирования и резкому увеличению тока утечки через материал диэлектрика затвора – по сути, диоксида кремния перестаёт быть препятствием для свободного дрейфа электронов, которые в таких условиях проявляют свойства уже не только частиц, но и волны, и никакой возможности гарантированно управлять состоянием такого транзистора уже нет. Решить эту критическую проблему инженерам Intel помог подбор другого типа диэлектрика. Для этого диоксид кремния был заменён на тонкий слой материала на базе солей редкоземельного металла гафния с высоким показателем диэлектрической проницаемости k (high-k), в результате чего ток утечки удалось сократить более чем в десять раз по сравнению с традиционным диоксидом кремния.

 Intel Penryn
Однако не всё оказалось так гладко. Физика физикой, но химия нового чудесного затвора из high-k диэлектрика оказалось не совместимой с традиционно применяемым для изготовления электрода затвора кремнием, и этот вопрос оказался для инженеров Intel вторым крепким орешком при переходе на 45 нм производство. Требовалось разработать новый металлический затвор, совместимый с новым диэлектриком. Годы ушли на то, чтобы не только найти подходящий материал для электродов затвора, но также на разработку технологий его использования для затворов разной проводимости - NMOS и PMOS.

 Intel Penryn

 Intel Penryn
Кстати упомянуть, количество материалов и химических элементов, задействованных в производстве современных чипов, растёт просто гигантскими шагами, ещё недавно их можно было насчитать десяток-другой, а теперь - более половины Периодической таблицы Д. И. Менделеева!

 Intel Penryn

 Intel Penryn
Технологический 45 нм процесс Intel носит название P1266, при этом литография при производстве чипов Penryn используется та же, что и при работе с 65 нм техпроцессом. Несмотря на новый дизайн фоторезистов и новое поколение фотомасок, использование всё тех же 193 нм литографических инструментов позволило значительно сократить затраты при переходе на 45 нм нормы производства.

 Intel Penryn

 Intel Penryn
Новый 45 нм техпроцесс Intel подразумевает меньшие размеры транзисторов при значительно более плотном размещении этих транзисторов на пластине – примерно в два раза более плотное, чем в случае предыдущего 65 нм поколения. Уменьшившиеся размеры транзисторов привели к уменьшению примерно на 30% тока, требующегося для их переключения, при этом более чем на 20% выросла скорость переключения транзисторов, более чем в пять раз уменьшились токи утечки в канале "сток – исток", и более чем в десять раз снизились токи утечки диэлектрика затвора. Некоторые специалисты называют внедрение high-k диэлектриков и металлических материалов при создании электрода затвора более сложной и эффективной задачей, чем переход на новый прецизионный техпроцесс. Интересно также отметить, что следующий техпроцесс Intel - P1268, с 32 нм нормами, вполне возможно, также будет ориентироваться на использование 193 нм литографических инструментов.

 Intel Penryn
В настоящее время новый 45 нм техпроцесс Intel с использованием 300 нм пластин внедряется в Хиллсборо, Орегон, на фабрике D1D. В ближайших планах компании – запуск 45 нм техпроцесса на новой 300 мм фабрике Fab 32 в Окотилло (Ocotillo), Аризона (начало массового производства в 2007 году) и фабрики Fab 28 в Израиле (начало массового производства в первом полугодии 2008).

 Intel Penryn. Fab 32 в Окотилло (Ocotillo), Аризона
Строящаяся Fab 32 в Окотилло (Ocotillo), Аризона

 Научно-исследовательский производственный центр Intel в Хиллсборо, Орегон, фабрика D1D
Научно-исследовательский производственный центр Intel в Хиллсборо, Орегон, фабрика D1D

Практическая реализация: Penryn на наших материнских платах

Несмотря на подробности анонса, многие детали архитектуры и практической реализации процессоров Penryn пока лишены подробностей. Например, нам ещё только предстоит рассказать вам о новом наборе инструкций SSE4, информация о котором впервые была озвучена в рамках Fall IDF 2006. Пока до конца не понятно, какие именно FSB будут у новых процессоров, какие тактовые частоты, какие системные платы будут их поддерживать. Есть информация, что семейство чипов Penryn для настольных ПК первоначально будет представлено в привычном нам виде Socket 775, и, вполне возможно, для использования уже имеющихся плат будет достаточно перепрошивки BIOS, однако эту информацию также нужно уточнять. Наконец, ближе к середине 2007 года Intel вроде бы планирует представить новые платформы с поддержкой нового поколения памяти DDR3, и, разумеется, процессорам Penryn в этих платформах отводится роль "первой скрипки". Я более чем уверен, что в самое ближайшее время подробности о новом дизайне процессоров Penryn одна за другой будут появляться после проведения очередных брифингов Intel, и не исключено, что основной их "пласт" будет оглашён во время ближайших Форумов Intel для разработчиков – IDF в Тайбэе и Пекине. На сегодня это вся информация о новых процессорах, нам остаётся лишь привести фото чипов Penryn, сделанное в стенах строящейся фабрики Fab28 в Кирьят Гат, Израиль (по этой ссылке, где размещён вариант статьи на иврите, прочесть, не зная языка, можно немного, но зато в конце страницы есть прикольный ролик о процессе строительства фабрики). Мы же на сегодня закрываем тему чипов Penryn и обещаем вернуться к ней при появлении новых подробностей.

 Intel Penryn

 Intel Penryn

 
← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Российская платформа для разработки GitFlic дополнилась интеграцией с системами управления проектами 51 мин.
«Фотографии» в Windows 11 научатся автоматически сортировать изображения и распознавать надписи не только на английском 2 ч.
В смартфонах OnePlus обнаружена дыра в безопасности — любое приложение может читать все SMS без разрешения 3 ч.
«Бро постит ИИ-бурду у себя в приложении»: Meta запустила платформу Vibes для коротких ИИ-видео 3 ч.
YouTube Music превратили в подобие радио с ИИ-ведущими, которые «расширят музыкальные горизонты» 5 ч.
Сайт и бренд закрывшегося известного магазина «Плеер.ру» сдадут в аренду — не дешевле 500 тыс. рублей в месяц 6 ч.
Сделка с TikTok оставляет дыру в нацбезопасности США — роль Oracle раскритиковали 8 ч.
Apple разработала аналог ChatGPT — приложение Veritas для iPhone, но никому его не показывает 11 ч.
Electronic Arts готовится к выкупу за $50 миллиардов, чтобы стать частной компанией — это будет самая крупная подобная сделка в истории 15 ч.
TikTok в США продолжит приносить китайской ByteDance миллиарды даже после отделения 20 ч.
Чип с «сосудами»: Microsoft и Corintis вытравили микроканалы для СЖО прямо в кремнии 7 мин.
Учёные запустили самую большую и детальную симуляцию Вселенной — она поможет в поиске тёмных материи и энергии 37 мин.
Майнинговая компания Iren увеличила мощность ИИ-облака, закупив тысячи ускорителей NVIDIA и AMD за $674 млн 53 мин.
Samsung уронила цены на выпуск 2-нм чипов — на треть дешевле TSMC 3 ч.
Учёные создали невозможный в природе материал для сверхэкономичной памяти 5 ч.
Власти США предложили рассчитывать импортные тарифы на электронику, исходя из количества чипов в составе устройства 9 ч.
Пентагон может называть производителя дронов DJI китайской военной компанией, постановил суд 10 ч.
Google создала и показала в деле ИИ, который заставляет роботов сначала думать, а потом делать 16 ч.
Asus отдаст видеокарту GeForce RTX 5090 ROG Astral с подписью Хуанга за лучший дизайн видеокарты 16 ч.
Новая статья: Обзор игрового 3D-монитора Samsung Odyssey 3D G90XF: полное погружение 17 ч.