Gigabyte EP45-UD3R на чипсете Intel P45

BIOS

BIOS платы Gigabyte EP45-UD3R основан на версии Award BIOS.

Базовый набор таймингов памяти расположен в разделе разгона:

Дополнительные тайминги памяти расположены в многочисленных подразделах:

Как мы уже говорили, плата поддерживает большое количество множителей частоты памяти, причем каждый из них может работать с несколькими, предварительно определенными, параметрами (они маркированы при помощи букв):

Заканчивая говорить о настройках памяти отметим поддержку технологии Intel X.M.P.

Теперь рассмотрим раздел, посвященный системному мониторингу.

Плата отображает текущие значения температуры процессора и системы, отслеживает текущие уровни напряжений, а также скорости вращения всех четырех вентиляторов. Отметим, что процессорный кулер может изменять скорость вращения в зависимости от температуры CPU.

Плата позволяет сохранять и загружать наборы настроек BIOS в виде профилей (доступно восемь профилей).

Также отметим, что плата Gigabyte имеет встроенную утилиту Q-Flash, которая предназначена для обновления прошивки BIOS.

К тому же, Gigabyte поддерживает Windows-утилиту @BIOS, которая очень удобна в использовании.

Разгон и стабильность

Прежде чем переходить к разгону, рассмотрим преобразователь питания. Он имеет 6-фазную схему, в которой установлены три конденсатора емкостью 270 мкФ и девять конденсаторов емкостью 820 мкФ.

Тут же отметим, что технология Dynamic Energy Saver Advanced работает наиболее эффективно только с последними процессорами Intel. Иными словами, для того чтобы плата переключила режим питания процессора в 1-фазный режим, сам процессор должен быть изготовлен по 45-нм технологии и поддерживать сигнал PSI.

Перечислим функции разгона.

Плата	Gigabyte EP45-UD3R
Изменение множителя	+
Изменение FSB	от 100 до 1200 МГц (1)
Изменение Vcore	от 0,5 В до 2,3 В (0,00625 В - 0,02 В)
Изменение Vmem	от 1,45 В до 3,04 В (0,02 В - 0,05 В)
Изменение Vdd	от 0,85 В до 2,0 В (0,02 В - 0,1 В)
Изменение Vsb	от 1,1 В до 1,4 В (0,1 В)
Изменение Vtt	от 1,1 В до 1,7 В (0,02В)
Изменение Vpll	от 1,05 В до 2,81 В (0,02 В - 0,1 В)
Изменение Vsb-io	от 1,05 В до 2,31 В (0,02 В - 0,1 В)
Изменение PCI-E	от 90 МГц до 150 МГц (1)

⇡#HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

⇡#Первый взгляд на смартфон HUAWEI Pura 80 Ultra

⇡#Пять причин полюбить HONOR 400

⇡#Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

⇡#HUAWEI nova Y73: самый недорогой смартфон с кремний-углеродной батареей

⇡#Обзор HUAWEI MatePad Pro 12.2’’ (2025): обновление планшета с лучшим экраном

⇡#Обзор смартфона HUAWEI nova Y63: еще раз в ту же реку

⇡#Обзор ноутбука HONOR MagicBook Pro 14 (FMB-P) на платформе Core Ultra второго поколения

⇡#Пять причин полюбить ноутбук HONOR MagicBook Pro 14

Итак, перед нами полный набор функций разгона, который теоретически способен обеспечить максимальный разгон. Причем и при практическом разгоне плата Gigabyte EP45-UD3R не подвела, и абсолютно стабильно работала на частоте FSB, равной 558 МГц (что очень близко к FSB Wall тестового процессора).

Также отметим наличие функции динамического разгона C.I.A. 2.

И последнее - мы обратили внимание, что интерфейс BIOS работает относительно медленно, что несколько затрудняет установку многочисленных параметров разгона. Надеемся, это будет исправлено в следующих прошивках.