Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SanDisk нагнетает: дефицит флеш-памяти продлится как минимум до 2026 года, и SSD будут дорожать
17.09.2025 [13:50],
Анжелла Марина
Генеральный директор SanDisk Дэвид Геккелер (David Goeckeler) заявил, что мировой рынок чипов NAND-памяти столкнётся с дефицитом вплоть до 2026 года. Такой прогноз был озвучен на недавно прошедшей конференции Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference. 
Источник изображений: SanDisk Причиной нехватки поставок, как пишет TrendForce, стал взрывной рост спроса со стороны центров обработки данных, которые переходят от обучения искусственного интеллекта (ИИ) к инференсу — процессу применения уже обученной модели к новым, ранее не встречавшимся данным для получения выводов и результатов, что требует огромных объёмов памяти. Эта тенденция уже спровоцировала волну повышения цен всеми крупными игроками рынка, включая SanDisk, Micron и Western Digital. Геккелер подчеркнул, что компания видит в дата-центрах основной драйвер роста и придерживается стратегии сбалансированного подхода к расширению мощностей, чтобы контролировать соответствие спроса и предложения. Он отметил, что не ожидает стабилизации рынка до 2026 года, и условия дефицита, вероятно, сохранятся на протяжении всего этого периода. Согласно информации от TechPowerUp, SanDisk уже повысил цены на 10 % для всех каналов сбыта и потребительских продуктов (изменения касаются заказов, сделанных после 5 сентября). Компания объяснила это ростом спроса со стороны ИИ-приложений, дата-центров и мобильных устройств. Главный финансовый директор SanDisk Луис Висосо (Luis Visoso) сообщил, что компания видит дальнейшие возможности для повышения цен в сегменте клиентских устройств, дата-центров и облачных решений, поскольку условия по ценам и объёмам согласовываются ежеквартально с каждым клиентом индивидуально. Параллельно SanDisk активно ускоряет переход на новые производственные технологии. Ожидается, что в этом году доля памяти BICS 8 в портфеле компании увеличится с текущих значений до 40–50% к концу финансового года. При этом компания ускорила дорожную карту: после перехода с BICS 5 на BICS 6 для QLC-памяти теперь планируется полное развёртывание BICS 8 в течение ближайших нескольких лет. Ранее в этом году SanDisk раскрыла информацию о разработке технологии High Bandwidth Flash (HBF) и подписании меморандума о взаимопонимании с южнокорейской SK hynix для совместного определения спецификаций. Как поясняет Sisa Journal, если HBM увеличивает пропускную способность за счёт стекирования чипов DRAM, то HBF достигает резкого роста параллельных операций ввода-вывода путём стекирования массивов 3D NAND. На той же конференции в Goldman Sachs компания сообщила, что HBF будет готова к внедрению к концу 2026 года, а полноценные системы, включая контроллеры и ASIC, поступят в продажу в начале 2027 года. Первое поколение HBF будет использовать 16-слойную структуру памяти, обеспечивая до 512 Гбайт на один стек при пропускной способности, сопоставимой с HBM, и ёмкости, превышающей её в 8–16 раз. SK hynix начала массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.1 для смартфонов с ИИ
11.09.2025 [21:27],
Анжелла Марина
Компания SK hynix объявила о начале поставок мобильной NAND-памяти ZUFS 4.1, которая значительно повышает производительность по сравнению со стандартными накопителями UFS, сокращая время запуска приложений на 45 %. Технология оптимизирована для устройств с искусственным интеллектом (ИИ) и обработки больших объёмов данных. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.1, или Zoned UFS, представляет собой расширенную спецификацию стандарта UFS, в которой применяется технология зонированного хранения, когда данные распределяются по разным зонам в зависимости от их типа и частоты использования. По сообщению компании, в июне завершён процесс сертификации продукта в тесном сотрудничестве с клиентами, а уже в июле запущено массовое производство и поставки клиентам. При интеграции в смартфон технология ZUFS 4.1 перекладывает часть работы по управлению данными на ОС, которая стремится перезаписывать данные в пределах выделенных для них зон последовательно, минимизируя необходимость в «сборке мусора» и снижая «коэффициент усиления записи». Благодаря этому смартфон сохраняет высокую скорость даже после длительного использования. По словам SK hynix, это позволяет сократить время запуска обычных приложений на 45 %, а приложений на основе ИИ — на 47 %. Эти характеристики делают ZUFS 4.1 оптимальным решением для современной мобильной среды, где критически важна обработка данных на устройстве и работа встроенных ИИ-моделей. Кроме того, по сравнению с версией 4.0, представленной в мае 2024 года, в ZUFS 4.1 значительно улучшены механизмы обработки ошибок: система теперь точнее выявляет их и чётко сообщает центральному процессору, какие действия требуются для исправления. По словам Джастин Кима (Justin Kim), президента и руководителя направления ИИ-инфраструктуры SK hynix, ZUFS 4.1 является первым продуктом, разработанным и запущенным в массовое производство для оптимизации операционной системы Android и устройств хранения данных. В перспективе область его применения будет расширяться. При этом компания намерена и впредь своевременно поставлять NAND-продукты, отвечающие запросам клиентов, одновременно укрепляя партнёрство с глобальными компаниями для усиления своих позиций в секторе памяти для искусственного интеллекта. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. «Продажи HBM от Samsung достигли дна»: SK hynix стала крупнейшим производителем памяти в мире
31.07.2025 [14:29],
Анжелла Марина
SK hynix впервые обошла Samsung Electronics по объёму выручки от производства памяти, став крупнейшим в мире поставщиком, сообщает Bloomberg. Это произошло на фоне роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, где позиции SK hynix оказались более сильными. 
Источник изображения: SK hynix Выручка Samsung от продаж компьютерной памяти, включая DRAM и NAND, за период с апреля по июнь составила 21,2 триллиона вон (около $15,2 млрд), что ниже, чем 21,8 триллиона вон, зафиксированных у SK hynix неделей ранее. Основной вклад в успех компании, базирующейся в Ичхоне (Южная Корея) внесла высокопроизводительная память HBM (High-Bandwidth Memory), используемая в ИИ-чипах. По данным аналитической компании Counterpoint Research, доля SK hynix на рынке HBM достигла 62 %, в то время как Samsung контролирует лишь 17 % этого сегмента и до сих пор не получила одобрения от Nvidia на поставку своей самой передовой версии HBM. 
Источник изображения: Bloomberg МС Хван (MS Hwang), директор по исследованиям в Counterpoint, отметил, что траектории роста двух южнокорейских производителей начали расходиться в первой половине 2024 года на фоне повышенного спроса на продукцию Nvidia и связанную с ней память HBM. Он также указал, что падение продаж HBM у Samsung, вероятно, замедлилось. «Новость заключается в том, что продажи HBM-памяти Samsung, похоже, достигли своего дна», — сказал Хван. Для справки: HBM — это технология вертикального объединения нескольких слоёв DRAM, обеспечивающая высокую пропускную способность. Сегодня HBM рассматривается как критически важная составляющая для производительности современных компьютеров и серверов. Первый квартал SanDisk без WD показал падение выручки и убыток в $103 млн
12.05.2025 [05:22],
Анжелла Марина
Компания SanDisk, недавно отделившаяся от Western Digital, опубликовала первые финансовые результаты в качестве самостоятельного бизнеса — и они оказались неутешительными. Выручка за квартал, завершившийся 28 марта, составила $1,7 млрд, что на 0,6 % меньше, чем годом ранее, и на 10 % ниже предыдущего квартала. 
Источник изображения: sandisk.com Главной причиной, как отмечает издание Blocks and Files, стало списание деловой репутации (goodwill) на $1,83 млрд, после чего был зафиксирован убыток по GAAP в размере $103 млн. Для сравнения, год назад компания получила прибыль в размере $27 млн. Финансовый директор Луис Висосо (Luis Visoso) пояснил: «Мы провели оценку нематериальных активов в соответствии с учётными стандартами и пришли к выводу, что их балансовая стоимость превышает реальную. В результате был зафиксирован неденежный убыток». После списания стоимость goodwill SanDisk сократилась до $5 млрд. 
Источник изображения: blocksandfiles.com Ещё одним вызовом остаются торговые пошлины США. Однако Висосо отмечает, что сейчас пошлины действуют только для поставок из Китая в США (27,5 %), а более 95 % продукции SanDisk в Штаты поступает из других стран. Одновременно генеральный директор Дэвид Гёкелер (David Goeckeler) отметил, что, несмотря на сложности, компания смогла превысить прогнозы по выручке. «Я доволен тем, как команда справилась с задачами в первом квартале. Мы начали активный запуск технологии BiCS 8, которая обеспечивает высокую производительность, энергоэффективность и плотность хранения», — сказал он. В отчёте также отмечается, что NAND-память продолжает испытывать избыток предложения, что затронуло и SanDisk. Сильнее всего просели продажи в облачном сегменте, здесь выручка упала на 21 % в квартальном выражении, до $197 млн. Выручка от клиентских решений (ПК и ноутбуки) снизилась на 10 %, до $927 млн, а потребительский рынок потерял 5 %, опустившись до $571 млн. При этом SanDisk увеличила долю на рынке центров обработки данных (hyper-scalers), на которые пришлось 12 % поставок против 8 % годом ранее. Чтобы сбалансировать спрос и предложение, компания планирует сократить объёмы производства и повысить цены. 
Источник изображения: blocksandfiles.com При этом, несмотря на ожидаемый рост спроса из-за окончания поддержки Windows 10 и обновления парка ПК, продажи SSD для клиентских устройств не оправдали надежд. Тем не менее, SanDisk уверена в новых технологиях, включая BiCS 8 с 218 слоями и контроллер Stargate. Как отмечает Гёкелер, компания уже сейчас производит QLC-чипы ёмкостью 2 Тбит, которые тестируются ведущими облачными провайдерами для твердотельных накопителей на 128 ТБ и 256 ТБ. Завершая отчёт, Гёкелер выразил уверенность в долгосрочных перспективах NAND-памяти: «По нашим оценкам, индустрия NAND готова к устойчивому долгосрочному росту, и ожидается, что к концу десятилетия спрос достигнет $100 млрд». По его мнению, рост будет обусловлен экспоненциальным расширением данных, отчасти подпитываемым внедрением искусственного интеллекта, а также циклами обновления ПК и мобильных устройств. Относительно текущих трудностей компании, SanDisk ожидает восстановления спроса во второй половине года, прогнозируя выручку на следующий квартал в $1,8 млрд (±$5 млн), что на 2,2 % больше, чем год назад. Micron предупредила о дальнейшем росте цен на DRAM и NAND, и обвинила в этом ИИ
31.03.2025 [22:17],
Анжелла Марина
Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом. 
Источник изображения: Micron, tomshardware.com Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания. В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками. Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен. Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте. Влияние на рынок потребительской электроники Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов. Новая статья: Плесните терабит в квадратный миллиметр
13.09.2024 [00:06],
3DNews Team
Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
