Компания SanDisk, недавно отделившаяся от Western Digital, опубликовала первые финансовые результаты в качестве самостоятельного бизнеса — и они оказались неутешительными. Выручка за квартал, завершившийся 28 марта, составила $1,7 млрд, что на 0,6 % меньше, чем годом ранее, и на 10 % ниже предыдущего квартала.

Источник изображения: sandisk.com

Главной причиной, как отмечает издание Blocks and Files, стало списание деловой репутации (goodwill) на $1,83 млрд, после чего был зафиксирован убыток по GAAP в размере $103 млн. Для сравнения, год назад компания получила прибыль в размере $27 млн. Финансовый директор Луис Висосо (Luis Visoso) пояснил: «Мы провели оценку нематериальных активов в соответствии с учётными стандартами и пришли к выводу, что их балансовая стоимость превышает реальную. В результате был зафиксирован неденежный убыток». После списания стоимость goodwill SanDisk сократилась до $5 млрд.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Ещё одним вызовом остаются торговые пошлины США. Однако Висосо отмечает, что сейчас пошлины действуют только для поставок из Китая в США (27,5 %), а более 95 % продукции SanDisk в Штаты поступает из других стран. Одновременно генеральный директор Дэвид Гёкелер (David Goeckeler) отметил, что, несмотря на сложности, компания смогла превысить прогнозы по выручке. «Я доволен тем, как команда справилась с задачами в первом квартале. Мы начали активный запуск технологии BiCS 8, которая обеспечивает высокую производительность, энергоэффективность и плотность хранения», — сказал он.

В отчёте также отмечается, что NAND-память продолжает испытывать избыток предложения, что затронуло и SanDisk. Сильнее всего просели продажи в облачном сегменте, здесь выручка упала на 21 % в квартальном выражении, до $197 млн. Выручка от клиентских решений (ПК и ноутбуки) снизилась на 10 %, до $927 млн, а потребительский рынок потерял 5 %, опустившись до $571 млн. При этом SanDisk увеличила долю на рынке центров обработки данных (hyper-scalers), на которые пришлось 12 % поставок против 8 % годом ранее. Чтобы сбалансировать спрос и предложение, компания планирует сократить объёмы производства и повысить цены.

Источник изображения: blocksandfiles.com

При этом, несмотря на ожидаемый рост спроса из-за окончания поддержки Windows 10 и обновления парка ПК, продажи SSD для клиентских устройств не оправдали надежд. Тем не менее, SanDisk уверена в новых технологиях, включая BiCS 8 с 218 слоями и контроллер Stargate. Как отмечает Гёкелер, компания уже сейчас производит QLC-чипы ёмкостью 2 Тбит, которые тестируются ведущими облачными провайдерами для твердотельных накопителей на 128 ТБ и 256 ТБ.

Завершая отчёт, Гёкелер выразил уверенность в долгосрочных перспективах NAND-памяти: «По нашим оценкам, индустрия NAND готова к устойчивому долгосрочному росту, и ожидается, что к концу десятилетия спрос достигнет $100 млрд». По его мнению, рост будет обусловлен экспоненциальным расширением данных, отчасти подпитываемым внедрением искусственного интеллекта, а также циклами обновления ПК и мобильных устройств.

Относительно текущих трудностей компании, SanDisk ожидает восстановления спроса во второй половине года, прогнозируя выручку на следующий квартал в $1,8 млрд (±$5 млн), что на 2,2 % больше, чем год назад.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр

По прогнозам TrendForce, падение цен на флеш-память NAND может остановиться к концу года. Правда для этого производителям придётся пойти на крайние меры. В качестве примера аналитики приводят компанию Samsung, которая с сентября решила резко сократить производство некоторых видов флеш-памяти на 50 %, сообщает TrendForce.

Источник изображения: Samsung

Отмечается, что Samsung сосредоточится на выпуске флеш-памяти NAND с количеством слоёв до 128, минимизировав производство более многослойных микросхем. Другие производители флеш-памяти NAND, вероятно, последуют примеру южнокорейского гиганта в четвёртом квартале этого года. В результате это или остановит падение, или даже приведёт к росту средних цен флэш-памяти NAND на величину до 5 %. Что касается третьего квартала, то эксперты TrendForce прогнозируют падение стоимости NAND на 5–10 %.

Источник изображения: TrendForce

В условиях сокращающейся маржинальности на рынке флеш-памяти NAND, цены на которую почти сравнялись с себестоимостью её производства, поставщикам ничего не остаётся, как значительно сократить её выпуск, в надежде стабилизировать рынок. Производители памяти надеются, что с учётом сокращения производства накопленные у клиентов запасы памяти NAND начнут наконец истощаться, что в конечном итоге приведёт к повышению спроса и росту цен на микросхемы. Однако для продолжения этой динамики в 2024 году решающее значение будет иметь устойчивое сокращение производства с одновременным устойчивым ростом заказов на корпоративные твердотельные накопители.

Хотя сегмент флеш-памяти NAND отличается более гибкой ценовой политикой по сравнению с рынком памяти DRAM, спрос на память NAND в течение всего 2023 года постоянно снижался. Отчасти это связно с тем, что в этом году наблюдается значительный рост спроса на серверы, оптимизированные для ИИ, которые вытесняют системы общего назначения, отмечают в TrendForce.

Micron представила свои первые устройства хранения данных UFS 4.0. Самые быстрые представители серии обеспечат скорости последовательного чтения до 4300 Мбайт/с и записи до 4000 Мбайт/с, что, по данным Micron, делает их самыми производительными модулями памяти UFS на сегодняшний день. Micron ожидает, что её накопители UFS 4.0 со сверхнизким энергопотреблением появятся во флагманских смартфонах, планшетах и ноутбуках уже в этом году.

Источник изображений: Micron

В линейке новых накопителей UFS 4.0 от Micron представлены продукты трёх ёмкостей — 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Все они оборудованы контроллерами собственного производства Micron. В более дорогих продуктах ёмкостью 512 Гбайт и 1 Тбайт используются 1-Тбит 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND с архитектурой с шестью массивами, которые обеспечивают скорость последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно. Устройство на 256 Гбайт немного медленнее, так как основано на памяти NAND с архитектурой с четырьмя массивами. Количество массивов отражает число отдельно работающих полей данных — чем их больше, чем быстрее память.

Новые модули хранения данных от Micron полностью соответствуют спецификации UFS 4.0 и используют две линии низкоуровневого протокола M-PHY Gear 5 для передачи данных. Кроме того, они поддерживают такие проприетарные возможности контроллера, как Data Stream Separation (разделяет часто используемые данные от редко используемых для оптимизации фоновой сборки мусора), Auto Read Burst (повышает производительность чтения за счёт использования дефрагментации устройства после длительного использования) и Eye Monitoring (контроль целостности сигнала).

Micron сообщает, что в дополнение к более высокой производительности, модули Micron UFS 4.0, обладают на 25 % более высокой энергоэффективностью. Использование 232-слойных чипов 3D TLC NAND большой ёмкости также позволяет Micron делать свои модули UFS 4.0 довольно тонкими. В компании заявляют, что их толщина не превышает 0,8–0,9 мм, что позволит производителям мобильных устройств либо сделать свои продукты тоньше, либо установить аккумулятор большей ёмкости.

«Последнее мобильное решение Micron тесно переплетает воедино нашу лучшую в своём классе технологию UFS 4.0, запатентованный контроллер с низким энергопотреблением, 232-слойную память NAND и гибко настраиваемую архитектуру встроенного ПО для обеспечения непревзойдённой производительности», — заявил Марк Монтиерт (Mark Montierth), генеральный менеджер мобильного бизнес-подразделения Micron.

В настоящее время Micron тестирует свои накопители UFS 4.0 совместно с ведущими производителями смартфонов и планирует начать их массовое производство во второй половине года.