Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Производству чипов грозит новый дефицит — война на Ближнем Востоке спровоцировала нехватку цистерн для гелия
12.05.2026 [14:41],
Алексей Разин
Кризисные ситуации на мировом рынке полупроводниковых компонентов развиваются порой по непредсказуемому сценарию, и если до недавних пор на слуху была история с дефицитом гелия из-за войны на Ближнем Востоке, то теперь она получила развитие. Производству чипов далеко за пределами региона угрожает нехватка специализированных резервуаров для транспортировки гелия. 
Источник изображения: Unsplash, Joshua J. Cotten Как поясняет Nikkei Asian Review, в мире всего несколько компаний, выпускающих сосуды для безопасной транспортировки гелия при сверхнизких температурах и большом давлении. Поскольку из того же Катара до начала военных действий в Иране и окрестностях гелий экспортировался на регулярной основе, в регионе скопился некоторый запас таких цистерн, ранее находившихся в обращении. Теперь эти сосуды не могут быть вывезены из района боевых действий, и для поставки гелия из других стран просто не хватает свободных ёмкостей. Производители резервуаров для транспортировки гелия не спешат компенсировать это увеличением объёмов выпуска своей продукции, поскольку это не только занимает время, но и создаёт некоторую неопределённость с дальнейшей судьбой «излишних» сосудов в случае скорой нормализации ситуации. На долю Катара приходилось до трети поставок гелия на мировой рынок, но после начала боевых действий на Ближнем Востоке экспорт этого газа, востребованного при производстве полупроводниковых компонентов, прекратился из этой страны. Россия, как отмечает Nikkei, ограничила экспорт гелия ради стабилизации внутреннего рынка, хотя исторически могла претендовать на 9 % мирового рынка. Американские поставщики контролируют до 43 % мирового рынка, но азиатским производителям чипов их сырьё наверняка будет обходиться дороже катарского. По данным TechInsights, из-за проблем на Ближнем Востоке не менее 14 % экспорта гелия из Катара пострадают в перспективе ближайшего года или двух. В Китае цены на гелий после начала боевых действий в Иране выросли до десяти раз. Российские поставки тоже прекратились. Если большие производители чипов ещё могут закупать гелий с запасом, то мелким участникам рынка порой ничего не достаётся вообще. Многие специализированные растворители, используемые при производстве чипов, с марта выросли в цене как минимум на 40 %, включая метанол, ксилол и другие вещества, применяемые в отрасли. Подложки для микросхем и печатные платы производятся с применением различных видов смол, которым нужны растворители. При этом бум ИИ повышает цены на специальные виды стекловолокна, которые применяются при производстве печатных плат. Цены растут на десятки процентов буквально ежеквартально. Дорожают и металлы вроде меди, никеля и золота, без которых производство чипов и печатных плат тоже не обходится. Участникам рынка сложно перекладывать растущие расходы на плечи потребителей, поэтому у многих из них прибыли стремительно падают. Если конфликт на Ближнем Востоке затянется надолго, это негативно скажется на всей мировой экономике и различных отраслях промышленности, пусть и не сразу. Рекордными в текущем году стали цены на паравольфрамат аммония, который необходим при изготовлении вольфрама. Соединения этого металла входят в состав некоторых технических газов, применяемых при производстве микросхем, а ещё с его помощью легируют сплавы, из которых изготавливаются свёрла, используемые при механической обработке печатных плат. Нефтехимическая промышленность в целом снабжает производителей полупроводниковых компонентов многими видами расходных материалов, и конфликт на Ближнем Востоке усугубляет ситуацию с их доступностью. Даже если военные действия прекратятся, инфляционное давление на цепочки поставок уже нельзя будет остановить. На фоне роста капитальных расходов и фонда оплаты труда возникают все условия для подорожания чипов, как отмечают производители. TSMC готова вложить $250 млрд в производство чипов в США, несмотря на проблемы
12.05.2026 [08:40],
Алексей Разин
Первоначально реализуемый под нажимом американских властей проект по организации производства передовых чипов в Аризоне приносил TSMC только убытки, но недавно первое предприятие в этом штате вышло в прибыль. Компания поверила в перспективы данного проекта, теперь готова расширить присутствие в США и вложить до $250 млрд, но специфические трудности всё же сохраняются. 
Источник изображения: TSMC К таковым можно отнести, по словам тайваньских чиновников, на которые ссылается TrendForce, проблемы с инженерной инфраструктурой (водоснабжением, в частности), сложности с согласованиями, визовые ограничения и нехватку квалифицированной рабочей силы в США. Для ускорения отладки технологических процессоров на предприятии в Аризоне TSMC изначально направила в США около 1000 инженеров с Тайваня, но у них скоро истекает срок действия трёхлетнего контракта, и не факт, что в новых условиях компании удастся согласовать продление виз для всех из них. Кроме того, компенсировать отток тайваньских специалистов за счёт местной рабочей силы всё равно не удастся. Во второй половине следующего года TSMC собирается наладить в Аризоне выпуск 3-нм продукции, для этого в корпусе P2 уже монтируется оборудование. Корпус P3 находится на этапе возведения фундамента, а по площадкам P4 и AP1 ведутся согласования с американскими регуляторами. В целом, приобретённый TSMC участок по соседству с уже существующими в Аризоне предприятиями позволяет серьёзно расширять локальное производство. Официально TSMC взяла на себя обязательства вложить в экономику США до $165 млрд, но эта сумма может вырасти до $250 млрд, если всё пойдёт по плану. В идеале TSMC хотела бы возвести в Аризоне технопарк, сопоставимый с находящимся в тайваньском Синьчжу. Как отмечает в своём материале The Wall Street Journal, конъюнктура мирового рынка услуг по контрактному производству чипов пока благоволит TSMC. Американские техногиганты в этом году намерены направить на расширение своих вычислительных мощностей до $725 млрд, немалая часть этих средств достанется TSMC. Одна только Nvidia располагает обязательствами по выкупу продукции на сумму $95 млрд, это заметно больше тех $16 млрд, которые наблюдались два года назад. Капитальные затраты TSMC в этом году поднимет до $56 млрд, но её выручка при этом увеличивается опережающими темпами — в 2026 году она должна увеличиться на 30 % как минимум, по прогнозам руководства компании. Норма прибыли TSMC увеличилась в первом квартале с 59 до 66 % в годовом сравнении. Выпуск 3-нм чипов, которые на данном этапе жизненного цикла уже могут считаться относительно зрелыми, будет налажен в США и Японии, что позволит не только лучше удовлетворять спрос со стороны местных заказчиков, но и наращивать выручку на волне бума ИИ. При этом конкурентная угроза со стороны Samsung, Intel и Rapidus в сфере выпуска 2-нм чипов пока не так осязаема, чтобы руководство TSMC всерьёз озаботилось перспективами снижения спроса на свои услуги. Китайские производители чипов могут заработать на буме ИИ даже без передовых техпроцессов, уверен глава SMIC
11.05.2026 [13:13],
Алексей Разин
Не секрет, что крупнейший контрактный производитель чипов в Китае — компания SMIC, давно находится под прицелом американских санкций, а потому лишена доступа к передовому оборудованию, позволяющему выпускать чипы по технологии тоньше 7 нм. Основатель SMIC уверен, что такое положение дел не мешает китайским производителям успешно развиваться в условиях бума ИИ. 
Источник изображения: SMIC Комментарии Ричарда Чана (Richard Chang) приводит издание STAR Market Daily. По его мнению, китайская полупроводниковая отрасль в целом сильна своими специализированными техпроцессами и масштабами производства. Прежде всего, бум ИИ так или иначе подогревать спрос на широкий ассортимент полупроводниковых компонентов, а не только передовые техпроцессы. Для строительства ЦОД нужны компоненты для материнских плат и блоков питания, все они выпускаются и китайскими производителями тоже. В натуральном выражении, по словам основателя SMIC, на передовые техпроцессы сейчас приходится менее 20 % объёмов мировой полупроводниковой продукции. Более 80 % формируют чипы, выпускаемые по зрелым и специализированным техпроцессам. Здесь-то как раз и закрепились китайские производители полупроводниковых компонентов. Тем более, что тайваньские конкуренты поднимают цены и мигрируют на более совершенные техпроцессы, освобождая нишу для китайских производителей чипов. Со второй половины прошлого года в Китае активизировалась обработка 300-мм кремниевых пластин с использованием 90-нм и более грубых техпроцессов. Кроме того, проявление ИИ-бума заключается и в росте спроса на периферийные вычисления: умные устройства, промышленное оборудование, автомобильные системы автопилота и роботы требуют огромного количества чипов, и основную их часть можно выпускать по зрелым техпроцессам. Китайским производителям это позволит неплохо заработать даже в условиях ограниченности доступа к передовому зарубежному оборудованию. Глава Silicon Motion предрёк сохранение дефицита памяти до 2028 года
11.05.2026 [13:10],
Алексей Разин
Разработчик контроллеров памяти Silicon Motion имеет адекватное представление о текущем положении дел в отрасли, что позволяет его генеральному директору Гоу Цзя Чану (Gou Chia-chang) прогнозировать сохранение дефицита памяти NAND и DRAM вплоть до 2028 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics На данном этапе развития акцент отрасли ИИ смещается в сторону инференса, поэтому при строительстве вычислительной инфраструктуре будет оставаться высоким спрос как на оперативную память, так и на скоростные устройства хранения данных, по словам главы Silicon Motion. Во второй половине текущего года цены на память продолжат расти, а дефицит NAND сохранится вплоть до 2028 года. Американские техногиганты продолжают активно вкладываться в расширение вычислительной инфраструктуры. Они активно закупают память впрок и формируют долгосрочные контракты. Такой ажиотаж не может сохраняться вечно, и рано или поздно темпы строительства новых ЦОД замедлятся, но рынок памяти всё равно уже не вернётся к прежней цикличности, когда рост цен регулярно чередовался с их падением. Производители памяти не успевают расширять мощности пропорционально спросу. Два или три года уходит на строительство предприятия и монтаж оборудования, а также его наладку. Поставки оборудования хоть и могут вестись параллельно, сейчас тоже растягиваются на год или полтора. В таких условиях быстро подтянуть предложение к уровню спроса не представляется возможным. В следующем полугодии цены на память продолжат расти, пусть и не так активно, как в первом. Высокие цены уже ударили по производителям смартфонов, ПК и игровых консолей. Крупные участники рынка имеют больше возможностей по формированию запасов памяти, поэтому они смогут проще пережить кризис, чем мелкие. Китайские поставщики позволяют производителям чипов бороться с дефицитом оборудования, но некоторые западные образцы китайцам пока нечем заменить. ИИ-воронка затягивает всё больше производителей чипов, заставляя расти их акции по экспоненте
10.05.2026 [20:44],
Дмитрий Федоров
Год назад инвесторы списали Intel со счётов, но теперь её акции стремительно выросли. Впервые за 26 лет акции компании обновили исторический максимум и ушли далеко выше прежней отметки. С начала года бумаги Intel прибавили 239 %, акции SanDisk выросли на 558 %, Micron Technology — на 770 %, а полупроводниковые компании из американского индекса S&P 500 за шесть недель увеличили капитализацию на $3,8 трлн. Главная причина — спрос со стороны ИИ-компаний на вычислительные мощности, который теперь распространился с графических процессоров (GPU) на центральные процессоры (CPU) и микросхемы памяти. 
Источник изображения: Logan Voss / unsplash.com Долгое время инвесторов интересовали прежде всего GPU, без которых невозможно обучать и запускать генеративные ИИ-модели, а CPU оставались в тени. Картина изменилась на рубеже 2025–2026 годов, когда новая ИИ-модель компании Anthropic поразила клиентов своими агентскими возможностями — умением самостоятельно выполнять задачи. Такие ИИ-агенты могут работать круглые сутки и генерируют огромные объёмы данных, разгоняя спрос на память, а дефицит самых разных микросхем, в свою очередь, толкает цены вверх. «Сейчас перед нами — захват территории, в ходе которого богатейшие технокомпании мира скупают всё доступное: полупроводники и вычислительные мощности. И это даёт производителям рекордную прибыль», — говорит Джонатан Кофски (Jonathan Cofsky), управляющий технологическим и инновационным фондом Janus Henderson с активами на $8 млрд. 
Динамика акций с июня 2025 года: SanDisk выросла почти на 4 000 %, Micron Technology — примерно на 1 500 %, Intel и полупроводниковый ETF iShares Semiconductor прибавили около 500 %. Источник изображения: factset.com, wsj.com Именно прибыль отличает нынешний цикл от пузыря доткомов рубежа 2000-х, когда у многих крупных ИТ-компаний её почти не было. По прогнозу, Micron Technology должна довести выручку текущего финансового года до $107 млрд против $15,5 млрд в 2023 году, когда компания показала операционный убыток на фоне низких цен на память. Теперь аналитики ждут операционной прибыли за год в размере $77 млрд. Скачок акций на 770 % сделал Micron одной из самых дорогих компаний США, но по соотношению цены акции к прогнозной прибыли на ближайшие 12 месяцев бумага выглядит дёшево: 8,9 у Micron против 23 в среднем у компаний, входящих в S&P 500. Частные инвесторы тоже не остались в стороне. Отраслевой биржевой инвестфонд SOXL построен на производных инструментах: если полупроводниковый индекс Нью-Йоркской биржи за день растёт на 1 %, фонд прибавляет 3 %, но при падении теряет тоже втрое больше. За последний год SOXL вырос примерно на 1200 %, а самые азартные участники рынка публикуют скриншоты прибыли в Reddit и соцсети X. Однако часть аналитиков предупреждает, что параллели с эпохой доткомов становятся слишком очевидными, чтобы их игнорировать. Американский технологический индекс PHLX Semiconductor за шесть недель показал лучшую динамику с 10 марта 2000 года, когда пузырь интернет-компаний достиг пика. В пятницу Intel прибавила 14 % после публикации The Wall Street Journal о предварительном соглашении компании с Apple о производстве чипов, а Micron подорожала на 15,5 %. 
Акции Intel с 1985 года: после пика около $65 в 2000 году бумага не могла обновить максимум 26 лет, опускалась ниже $20 в 2024 году, а затем резко взлетела выше $110 в 2026 году. Источник изображения: factset.com, wsj.com Питер Файнберг (Peter Feinberg), 64-летний адвокат на пенсии из Сан-Франциско, вложился в акции Broadcom и TSMC больше десяти лет назад, и за последние несколько лет его вложения росли быстрее американского рынка в целом. В 2026 году доходность стала, по его словам, «немного сюрреалистической», и он думает, не пора ли продать часть акций. «Самые опасные слова для инвестора — „на этот раз всё по-другому“», — говорит Файнберг. Впрочем, «безумные» движения цен могут длиться дольше, чем многие думают, недавно написали в рассылке клиентам аналитики Barclays. TSMC отправит устаревшее оборудование для выпуска 28-нм чипов с Тайваня в Германию
09.05.2026 [07:57],
Алексей Разин
Тайваньская компания TSMC развивает свои производственные площадки не только в США и Японии, но и Германии. Совместное предприятие ESMC на строящемся заводе Fab 24 к концу следующего года должно начать выпуск компонентов по зрелым техпроцессам. Высвобождаемое в ходе модернизации тайваньских фабрик оборудование как раз будет направлено TSMC в Германию. 
Источник изображения: TSMC Об этом сообщает ресурс ComputerBase.de со ссылкой на тайваньское издание Economic Daily. Сейчас TSMC модернизирует на Тайване две части своего предприятия Fab 15, которые имеют разную специализацию. Fab 15A использует так называемую DUV-литографию, выпуская 28-нм и 22-нм чипы, но в обозримом будущем собирается перейти на выпуск 4-нм продукции. Высвобождающееся оборудование для выпуска 22-нм и 28-нм чипов будет направлено в Германию. По соседству Fab 15B выпускает чипы по более современной технологии N7+, но скоро оно перейдёт на выпуск чипов по технологиям N5 и N3. Здесь уже давно применяется EUV-оборудование, поэтому совершить такую миграцию будет реально. В общей сложности, TSMC собирается потратить на модернизацию комплекса Fab 15 около $3,2 млрд. Тайваньская компания сталкивается с растущим спросом на передовую литографию, она обеспечивает около 75 % ей выручки, поэтому от зрелых техпроцессов она будет избавляться. При этом по меркам немецкой промышленности 28-нм и 22-нм технологии вполне востребованы, поскольку с их помощью будут выпускаться чипы для автомобильных электронных систем. Это открывает для TSMC возможность отправить ставшее ненужным на Тайване оборудование для их производства в Германию. Выручка TSMC в апреле поднялась на 17,5 % на волне ИИ-бума
08.05.2026 [12:03],
Алексей Разин
Первый месяц второго календарного квартала уже завершился, что позволяет подвести некоторые итоги деятельности TSMC за период. Выручка этого крупнейшего контрактного производителя чипов в апреле увеличилась на 17,5 % в годовом сравнении до $13,1 млрд. Аналитики рассчитывают, что по итогам второго квартала в целом она вырастет на 35 %. 
Источник изображения: TSMC Облачные гиганты и их поставщики, как напоминает Bloomberg, в этом году собираются направить на развитие вычислительной инфраструктуры ИИ около $725 млрд, а поскольку TSMC производит для них многие компоненты, то и она сможет заработать на этом буме. В апреле руководство TSMC подняло прогноз по годовой выручке, предсказав более чем 30-процентный рост, и выразило уверенность, что капитальные затраты приблизятся к верхней границе прежнего диапазона в $56 млрд, увеличившись год к году сразу на 37 %. Эти средства будут направлены на расширение производства полупроводниковых компонентов. В первом квартале этого года выручка TSMC увеличилась на 35 % до $35,6 млрд, а чистая прибыль — на 58 % до рекордных $18 млрд, сохранив тенденцию к обновлению рекордов на протяжении уже четвёртого квартала подряд. В натуральном выражении объёмы производства продукции увеличились на 28,1 % год к году. Во втором квартале TSMC рассчитывает выручить от $39 до $40,2 млрд. Фактически, полученные в апреле $13 млрд выручки позволяют надеяться, что при сохранении динамики к концу квартала TSMC сможет выйти на заявленные показатели выручки. TSMC вкладывается в морские ветряки, чтобы не упереться в дефицит энергии для выпуска чипов
07.05.2026 [14:00],
Алексей Разин
Концентрация значительной части мирового производства передовых полупроводниковых чипов на территории Тайваня давно беспокоит отраслевых экспертов и политиков, и дефицит энергии на острове является одним из факторов риска. Осознавая его, TSMC сейчас активно сотрудничает с энергетическими компаниями, поставляющими электроэнергию к берегам Тайваня с ветровых электростанций морского базирования. 
Источник изображения: Unsplash, insung yoon В конце апреля, например, TSMC заключила 30-летний контракт с канадской энергетической компанией Northland Power, которая построит к западу от Тайваня три крупные ветровые электростанции, в совокупности выдающие более 1 ГВт. Первая фаза проекта Hai Long начала снабжать Тайвань электроэнергией ещё в прошлом году, а последняя очередь ветровых электрогенерирующих мощностей будет введена в строй в следующем году. Актуальность усиления электроснабжения для Тайваня в целом увеличилась после начала военных действий в Иране, поскольку островные ТЭС на 50 % зависят от привозного природного газа, а его поставки с Ближнего Востока оказались заблокированы. Пришлось покупать газ впрок в Австралии и США, и если обычно Тайвань довольствовался двухнедельными запасами, то на фоне кризиса их пришлось увеличить до объёма, позволяющего местной промышленности без проблем функционировать до августа или даже сентября этого года. Традиционно Тайвань до трети природного газа закупал в Катаре, а после удара иранских дронов по местным перерабатывающим предприятиям они прекратились. В целом, тайваньская экономика, включая транспортную отрасль и коммунальное хозяйство, на 97 % зависит от углеводородного сырья, завозимого на остров извне. Власти Тайваня рассчитывают к 2035 году предоставить местным компаниям до 15 ГВт новых генерирующих мощностей, преимущественно за счёт развития ветровой энергетики в прибрежной зоне. Непосредственно TSMC, которая исторически потребляла до 10 % всей доступной на Тайване электроэнергии, поставила перед собой задачу до 60 % необходимой электроэнергии к 2030 году получать из возобновляемых ресурсов, причём в масштабах мирового производства — у компании есть предприятия в Китае, США и Японии, а ещё одно строится в Германии. К 2040 году TSMC желает на 100 % обеспечивать свои энергетические потребности за счёт возобновляемых источников. С учётом намеченных темпов экспансии производства, TSMC к 2030 году будет потреблять до четверти всего доступного на Тайване электричества. По этой причине профильную инфраструктуру нужно развивать адекватными темпами. Компания также сотрудничает с датским поставщиком Ørsted и немецким WPD, каждый из которых готов предоставить примерно по 1 ГВт генерирующих мощностей, располагая ветряные установки как у берегов Тайваня, так и на территории острова. Samsung загружена заказами на выпуск 4-нм чипов до конца следующего года
04.05.2026 [17:28],
Алексей Разин
Информация об успехах Samsung Electronics в освоении 4-нм техпроцесса продолжает поступать в прессу по самым разным каналам. Одни источники уже отмечали, что уровень выхода годной продукции на этом направлении превысил солидные 80 %, другие теперь добавляют, что профильные мощности Samsung загружены заказами на выпуск 4-нм продукции до конца следующего года. 
Источник изображения: Micron Technology Нюанс заключается в том, что по 4-нм технологии Samsung сама для себя будет выпускать базовые кристаллы, используемые при производстве памяти типа HBM4, чем и можно объяснить всплеск спроса на многострадальный техпроцесс. Поскольку Samsung решительно настроена устранить своё отставание в сегменте HBM4 от SK hynix, то и объёмы поставок данной памяти она будет наращивать всеми силами. Соответственно, вырастет и загрузка линий по выпуску 4-нм базовых кристаллов для HBM4. При этом сторонние разработчики тоже проявляют интерес к возможностям Samsung по выпуску 4-нм чипов под заказ — хотя бы по той простой причине, что TSMC с наплывом клиентов перестаёт справляться. Nvidia и Google должны стать крупными клиентами Samsung в сфере производства 4-нм чипов. Переговоры с техногигантами из США компания Samsung уже активно ведёт. Внутри самой Samsung растёт уверенность, что заказы на выпуск 4-нм чипов выведут контрактное подразделение компании на безубыточность во второй половине текущего года. В крайнем случае, это случится в первой половине следующего года. Затраты на строительство новейшего предприятия Samsung в Техасе будут существенно влиять на финансовые показатели южнокорейского гиганта в обозримом будущем. Формально, отчётность по этой площадке может быть консолидирована с данными американского подразделения Samsung, если показатели будут не очень приглядными. Если же головная компания не испугается сопутствующих рисков, новое предприятие припишут к общей отчётности контрактного подразделения. Поставки кремниевых пластин в первом квартале 2026 года выросли на 13 % благодаря буму ИИ
29.04.2026 [19:57],
Сергей Сурабекянц
«Группа производителей кремниевых пластин» SEMI (Silicon Manufacturers Group, SMG) сообщила, что в первом квартале 2026 года мировые поставки кремниевых пластин выросли на 13,1 % в годовом исчислении и составили 3,275 млрд квадратных дюймов по сравнению с 2,896 млрд квадратных дюймов в том же квартале 2025 года. В сравнении с четвёртым кварталом 2025 года поставки пластин снизились на 4,7 %, что отражает типичную сезонность этого производства. 
Источник изображения: Samsung Кремниевые пластины — базовый «строительный материал» для жизненно важных компонентов всех электронных устройств. Эти высокотехнологичные тонкие диски производятся диаметром до 300 мм и служат подложкой, на которой изготавливается большинство полупроводников. В настоящее время главным локомотивом спроса на кремниевые пластины стал бум ИИ. По словам председателя SEMI SMG Гинджи Яда (Ginji Yada), спрос на кремниевые пластины, связанные с ЦОД для ИИ, остаётся стабильно высоким, включая передовые логические компоненты, память и устройства управления питанием. «Многие компании-производители устройств отметили улучшение в сегменте промышленных полупроводников, и это способствует более широкому восстановлению по мере поглощения запасов пластин, — заявил он. — Снижение поставок смартфонов и ПК в первом квартале этого года может отражать влияние дефицита памяти из-за решений по перераспределению [мощностей в сторону] высокоскоростной памяти (HBM) для ИИ». 
Источник изображения: SEMI SMG является подкомитетом «Группы электронных материалов» SEMI (Electronic Materials Group, EMG) и объединяет компании-члены SEMI, которые занимаются производством поликристаллического кремния, монокристаллического кремния или кремниевых пластин в нарезанном, полированном и эпитаксиальном виде. Задача SMG — способствовать коллективным усилиям по вопросам, связанным с кремниевой промышленностью, включая анализ и статистику. Исследование: полупроводники из оксида галлия работают при температуре ниже, чем в открытом космосе
27.04.2026 [20:53],
Николай Хижняк
Исследователи из KAUST обнаружили, что электронные устройства на основе оксида галлия могут работать при температурах даже ниже, чем в открытом космосе. Эта особенность может быть использована в задачах и средах с экстремальными температурами, таких как квантовые вычисления и исследование космоса. 
Источник изображения: KAUST Компьютерные чипы, сенсоры и другие электронные системы основаны на полупроводниках. Эти материалы имеют энергетическую щель, известную как запрещенная зона, через которую электроны должны перепрыгивать, чтобы проводить электричество. Однако при низких температурах электроны оказываются в ловушке и не могут двигаться. Это явление называется замораживанием. «На практике большинство обычных электронных устройств начинают выходить из строя при температуре ниже 100 К (–173 °C)», — говорит Вишал Ханделвал (Vishal Khandelwal), один из участников нового экспериментального исследования, возглавляемого Сяоханом Ли (Xiaohang Li). Поскольку электроника подвергается воздействию гораздо более низких температур — в космосе или в квантовых компьютерах, работающих при температуре всего 4 К (–269,15 °C), — ей требуются системы терморегулирования, которые увеличивают стоимость, объём и сложность. Команда KAUST давно занимается исследованиями сверхширокозонного полупроводникового бета-оксида галлия (β-Ga2O3), ранее продемонстрировавшего свою устойчивость к радиации и высоким температурам. Благодаря широкой запрещённой зоне устройства на основе оксида галлия испытывают меньшую утечку тока и продолжают работать даже при температуре 500 °C, что значительно превосходит возможности обычных кремниевых схем. Более ранние исследования также показали, что этот материал не подвержен эффекту замораживания, характерному для других полупроводников. Чтобы использовать этот эффект, исследователи создали два устройства на основе бета-оксида галлия с примесью атомов кремния. Эта добавка снабжает устройства электронами, которые обеспечивают протекание тока. Первым устройством оказался полевой транзистор (FinFET) с ребристыми каналами, которые делают его более мощным и стабильным по сравнению с обычными полевыми транзисторами. Второй логический компонент, называемый инвертором (также известный как вентиль NOT), является основным компонентом компьютерных схем. Оба устройства продемонстрировали надежную работу при температуре всего 2 К (–271,15 °C). При такой температуре практически не требуется тепловой энергии, чтобы помочь электронам перейти в зону проводимости оксида галлия. «Вместо этого электроны перескакивают через “примесную зону”, создаваемую атомами кремния, что позволяет устройству проводить ток», — объясняет Ли. Хотя это не первые электронные устройства, работающие при температуре 2 К, это первая демонстрация полупроводника со сверхширокой запрещённой зоной, который используется для создания транзисторов и логических инверторов при таких низких температурах. «С практической точки зрения это позволяет создавать компактные криогенные схемы из одного материала», — говорит Ли. Это потенциально упростит электронику в квантовых компьютерах. «Самые большие перспективы открываются в космосе. Космические зонды сталкиваются с резкими перепадами температур, поэтому устройства на основе материалов, способных работать в диапазоне от нескольких кельвинов до сотен кельвинов, такие как бета-оксид галлия, могут снизить потребность в громоздкой термозащите», — добавляет учёный. Исследователи планируют использовать бета-оксид галлия для создания целого набора других устройств, в том числе радиочастотных транзисторов, фотодетекторов и ячеек памяти. «Мы продемонстрировали основные строительные блоки. Теперь предстоит масштабировать их для создания сложных криогенных чипов и расширить границы производительности в этом сверххолодном режиме», — говорит Ли. Tokyo Electron уволила руководителя из-за слишком тесных связей с китайскими конкурентами
27.04.2026 [12:52],
Алексей Разин
Не самая известная в широких кругах японская компания Tokyo Electron в начале этой неделе поразительно часто замелькала в новостях не только из-за приговора по делу о промышленном шпионаже, который нанёс ущерб TSMC. Её также пришлось избавиться от бывшего руководителя бизнеса в Китае, который оказался связан с местными конкурентами. 
Источник изображения: Tokyo Electron Как поясняет Financial Times, речь идёт о Джей Чэне (Jay Chen), который до прошлого года руководили бизнесом Tokyo Electron в Китае. В феврале прошлого года его сместили с поста вице-президента Tokyo Electron и главы двух китайских представительств этой японской компании, поскольку осенью 2024 года руководству японской компании стало известно о связях Чэня с молодыми китайскими производителями оборудования для производства чипов, которые формально могут считаться прямыми конкурентами Tokyo Electron. До сентября прошлого года Чэнь сохранял за собой должность особого советника китайского подразделения Tokyo Electron, пока срок его контракта не истёк. Материнской компании удалось выяснить, что близкие Чэня имели отношение к инвестиционным структурам, поддерживающим китайских конкурентов Tokyo Electron. В частности, его супруга Такако Охтори (Takako Ohtori) владела пакетом акций компании WST Semiconductor Technology из Сучжоу, которая сперва сотрудничала с японским поставщиком оборудования в сфере его технического обслуживания, но потом начала разрабатывать аналогичное оборудование самостоятельно. Прототипы такого оборудования начали создаваться в 2022 году, оно изначально было ориентировано на способность быстро и без проблем интегрироваться в существующие производственные процессы. WST также специализировалась на реновации подержанного оборудования, которое после модернизации перепродавала в Китае. По данным Tokyo Electron, компания более не сотрудничает с WST. Одновременно сам Джей Чэнь являлся акционером и одним из основателей Britech Semiconductor Equipment, которая также занимается разработкой оборудования, схожего по назначению с продукцией Tokyo Electron. Жена Чэня также владеет пакетом акций указанной китайской компании. Джей Чэнь начинал свою работу в Intel, прежде чем в 1997 году его наняла Tokyo Electron для представления своих интересов в Китае. Участники рынка признают заслуги Чэня в увеличении присутствия оборудования Tokyo Electron в Китае. По словам представителей этой компании, никаких утечек технической информации из-за связей Чэня с китайскими конкурентами не обнаружено. Формально, Tokyo Electron даже не считает WST своим рыночным соперником. Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10 нм
27.04.2026 [07:21],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм. 
Источник изображения: Samsung Electronics Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec. Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F2 и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает. Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F2 подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры. В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F2 и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F2 и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a. Война США и Ирана ударила по рынку чипов — возник дефицит сырья для литографии
23.04.2026 [13:48],
Алексей Разин
Влияние военных действий на Ближнем Востоке на азиатскую полупроводниковую промышленность, как выясняется, не ограничивается перебоями с поставками природного газа и гелия. Японские производители и компании в Южной Корее рискуют столкнуться с нехваткой многих химикатов, необходимых для производства чипов. 
Источник изображения: Shin-Etsu Chemical Публикацию на эту тему разместил южнокорейский ресурс The Elec. В Японии крупнейшие в мире поставщики фоторезиста и других расходных материалов, применяемых в производстве чипов, столкнулись с нехваткой растворителей, необходимых для изготовления соответствующих составов. Японские поставщики, в свою очередь, начали информировать клиентов, в число которых входят южнокорейские Samsung Electronics и SK hynix, о возможных перебоях с поставками своей продукции. В дефиците оказались используемые в качестве растворителя метиловый эфир пропиленгликоля, а также пропиленгликоль ацетат монометилового эфира. Они входят в состав фоторезистивных покрытий, антибликовых подложек, наносимых в центрифуге масок и вспомогательных клеящих веществ, которые применяются при производстве той же памяти HBM, например. По словам некоторых представителей отрасли, ситуация напоминает ту, когда человек располагает сухими ингредиентами для приготовления кофе, но не имеет возможности залить их водой. Основными поставщиками упоминаемых растворителей являются японские компании Shin-Etsu Chemical, Tokyo Ohka Kogyo, JSR, Fujifilm и Nissan Chemical Corporation. Дефицит растворителей, в свою очередь, спровоцирован перебоями в поставках лигроина — продукта переработки нефти, который до начала конфликта в Иране на 40 % обеспечивал потребности японской химической промышленности именно через Ближний Восток. Из 12 заводов по переработке лигроина на территории Японии шесть уже были вынуждены сократить объёмы выпуска продукции. Окись пропилена, на основе которой изготавливаются растворители для полупроводниковой промышленности, оказалась в дефиците. Цены на сырьё в Японии практически удвоились по сравнению с началом марта. Получать растворители для своих расходных материалов японские производители теперь попытаются через Южную Корею или Китай. Проблема заключается в том, что изменения в источниках сырья вызовут необходимость повторной сертификации конечной продукции, которая может занять до года времени. Впрочем, южнокорейские поставщики растворителей наверняка воспользуются возникшей ситуацией для извлечения выгоды. В отличие от японских, корейские производители специализированных химикатов меньше зависят от ближневосточного сырья, и могут получать его как в США, так и в Китае. TSMC откладывает High-NA EUV-литографию: представлен техпроцесс A13 и раскрыты планы до конца десятилетия
23.04.2026 [08:38],
Алексей Разин
Откровения контрактных производителей чипов о своих планах на будущее звучат не только на квартальных отчётных конференциях, но и на специализированных отраслевых мероприятиях. TSMC на этой неделе использовала проводимый в США технологический симпозиум для рассказа о своих намерениях освоить к 2029 году новые передовые техпроцессы A13 и A12, приближающие компанию к 1-нм технологии. 
Источник изображений: TSMC О планах TSMC в их актуальном виде поведал ресурс Tom’s Hardware. Одним из главных откровений стало отсутствие у TSMC планов применять оборудование для сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) до 2029 года включительно. На фоне конкурентов в лице Samsung и Intel это выглядит довольно самоуверенным заявлением, особенно с учётом наличия у TSMC предполагаемого прогресса в освоении всё более тонкой геометрии при производстве чипов. В 2028 году TSMC рассчитывает освоить техпроцесс A14, об этом было известно с прошлого года, но теперь компания рассказала о намерениях в 2029 году внедрить два производных варианта этой технологии, который получат обозначения A13 и A12 соответственно. A13 получен из A14 главным образом за счёт оптического сжатия, он обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 6 % без необходимости менять инструментарий для проектирования по сравнению с исходным A14. Напомним, в классической терминологии A14 можно считать 1,4-нм техпроцессом, тогда A13 будет уже 1,3-нм технологией. Каждый производитель чипов предлагает свою классификацию технологических норм, их разные числовые обозначения не всегда можно сопоставлять напрямую. Из откровений представителей TSMC стало понятно, что компания взяла курс на более тщательную адаптацию своих техпроцессов под нужды конкретных сегментов рынка. Исторически передовые техпроцессы TSMC первыми брали на вооружение разработчики мобильных процессоров, но теперь эту роль чаще берут на себя разработчики более крупных и сложных чипов для ИИ-ускорителей вроде Nvidia и AMD. Техпроцессы N2, N2P, N2U, A14 и A13, перечисляемые в хронологическом порядке освоения, ориентированы на выпуск чипов для смартфонов и клиентских устройств, поскольку в этом случае важна себестоимость продукции, помимо технических характеристик. Их компания готова улучшать каждый год. Техпроцессы типа A16 и A12 ориентируются на высокопроизводительные вычисления и сегмент ИИ, здесь важнее именно производительность выпускаемых чипов, поэтому в рамках данных технологий TSMC будет использовать более дорогостоящие решения вроде повода питания с обратной стороны кремниевой пластины. Такую категорию техпроцессов TSMC готова обновлять раз в два года.  Структуру транзисторов с окружающим затвором второго поколения (GAA) компания собирается внедрить в рамках технологии A14, а затем использовать и для A13, и для A12. Подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины будет предусмотрен только для A12 и A16. Особняком будет стоять раскрытый на этой неделе техпроцесс N2U. По сути, он будет предложен на третий год жизненного цикла семейства технологий N2, позволяя поднять быстродействие на 3–4 %, либо снизить энергопотребление на 8–10 %, при этом увеличив плотность размещения транзисторов на 2–3 %. Совместимость с прежним инструментарием для разработки чипов позволит разработчикам без серьёзного увеличения затрат перейти с N2 на N2U. Новый техпроцесс подойдёт как для рынка смартфонов, так и для высокопроизводительных вычислений. Выпуск чипов с его использованием намечен на 2028 год. Техпроцесс A16 компания TSMC теперь намеревается освоить в 2027 году, хотя ранее рассчитывала сделать это в текущем. A16 будет сочетать первое поколение GAA-транзисторов с подводом питания с обратной стороны кремниевой пластины, а вот A12 уже перейдёт на GAA-транзисторы второго поколения с тем же вариантом подвода питания. Технически, TSMC будет готова к выпуску чипов по технологии A16 к концу этого года, просто серийные продукты для её клиентов перейдут на её использование лишь в следующем году. Появление A16 не отменит освоения N2X — оптимизированного варианта N2P, повышающего производительность транзисторов на 10 % при снижении энергопотребления. A12 станет эволюционным преемником A16, тогда как A13 на этом пути воздержится от использования подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но будет базироваться на GAA-транзисторах второго поколения. Все эти техпроцессы не потребуют использования более дорогого оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA), которые Intel собирается внедрить в ближайшие пару лет для выпуска чипов по своей технологии 14A. Главным доводом против применения такого оборудования в TSMC считают высокую себестоимость. Эта тайваньская компания является крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, поэтому для неё важно снижать затраты на выпуск продукции. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
