Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.

Молодые компании на рынке полупроводниковых компонентов не теряют здоровых амбиций, особенно если они подкрепляются реальными успехами. Южнокорейский разработчик контроллеров для твердотельных накопителей FADU пока занимает не более одного процента мирового рынка, но уже к 2026 году рассчитывает увеличить свою долю в 30 раз до 30 %.

О соответствующих планах так называемого корейского «единорога» рассказывает ресурс Business Korea. Основанная в 2015 году FADU сейчас находится в активной фазе подготовки к выходу на фондовый рынок, поэтому её генеральный директор Ли Чжи Хё (Lee Ji-hyo) во время выступления перед инвесторами пояснил, что через два или три года все центры обработки данных в мире будут в том или ином количестве использовать разрабатываемые FADU контроллеры для твердотельных накопителей серверного класса.

Сейчас на рынке присутствует от 30 до 40 разработчиков, как оценивает ситуацию сам глава FADU, но доля самой компании не превышает одного процента. Уже к 2026 году FADU рассчитывает занять 30 % рынка. По итогам публичного размещения акций, которое намечено на 7 августа, FADU готовится привлечь объём средств, эквивалентный уровню капитализации в $1,18 млрд. В прошлом году компания в рамках сотрудничества с SK hynix поставляла свои контроллеры для SSD компании Meta✴ Platforms.

По мнению руководства FADU, сейчас центры обработки данных по всему миру используют около 50 млн контроллеров для SSD, но в следующие два или три года спрос может удвоиться. Данные прогнозы, что вполне объяснимо, призваны доказать перспективность вложения средств в акции компании, которые вот-вот появятся на южнокорейской фондовой площадке. Ограничиваться разработкой контроллеров для SSD компания не собирается, она интересуется сферой силовой электроники и телекоммуникационных компонентов, а также системами хранения данных на базе новых типов памяти, не говоря уже об ускорителях вычислений.

Kioxia анонсировала чипы флеш-памяти UFS 4.0 нового поколения. Микросхемы будут выпускаться в объёмах на 256 и 512 Гбайт, а также на 1 Тбайт. Поставки образцов микросхем объёмом 256 и 512 Гбайт компания начала уже в этом месяце. Поставки образцов микросхем объёмом 1 Тбайт запланированы на октябрь.

Источник изображения: Kioxia

Компания отмечает, что память UFS 4.0 нового поколения использует компактный формфактор упаковки и предназначена для применения в различных мобильных устройствах, включая флагманские смартфоны. Новые чипы флеш-памяти призваны повысить эффективность использования технологий 5G, увеличить скорость загрузки и сократить время задержки в передаче данных.

В составе корпуса микросхем UFS 4.0, разработанного согласно стандартам JEDEC, компания Kioxia объединила инновационные микросхемы памяти BiCS FLASH 3D, а также контроллер. Новые микросхемы флеш-памяти поддерживают интерфейсы MIPI M-PHY 5.0 и UniPro 2.0, обеспечивающие теоретическую пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию или до 46,4 Гбит/с на одну микросхему. Компания также указывает на обратную совместимость памяти UFS 4.0 с UFS 3.1.

Ключевыми особенностями чипов флеш-памяти UFS 4.0 нового поколения от Kioxia являются увеличенная на 18 % скорость последовательной до 30 % случайной записи, а также до 13 % увеличенная скорость чтения по сравнению с микросхемами флеш-памяти UFS предыдущего поколения. Они поддерживают новую функцию Supports High Speed Link Startup Sequence, которая до 1248 Мбит/с увеличивает скорость соединения между микросхемой флеш-памяти и устройством, в которое она установлена. Чипы UFS 4.0 от Kioxia также обладают поддержкой многокруговой очереди (Multi-Circular Queue) и усовершенствованным интерфейсом RMPB для повышения пропускной способность и защиты данных.

Впервые слухи о намерениях Kioxia и Western Digital объединить активы, связанные с выпуском твердотельной памяти, возникли ещё в 2021 году, но тогда переговоры упёрлись в разногласия по поводу оценки бизнеса каждой из сторон. Возобновившись в этом году, как поясняет Reuters, данные переговоры приближают возможную сделку по созданию серьёзного конкурента для Samsung Electronics.

Источник изображения: Kioxia

Если упоминаемая южнокорейская компания является лидером на мировом рынке флеш-памяти, то Kioxia занимает второе место, а Western Digital довольствуется четвёртым. Объединив активы, две последние компании смогли бы претендовать на треть мирового рынка, что уже сопоставимо с масштабами бизнеса Samsung. Сейчас рынок твердотельной памяти находится в упадке, и консолидация могла бы стать спасением для той же Kioxia, которая с 2018 года строит свой бизнес на фундаменте, заложенном корпорацией Toshiba.

По информации источников, сейчас стороны прорабатывают вариант сделки, который создал бы объединённую компанию с 43 % капитала, принадлежащих Kioxia, и 37 % акций, доставшихся Western Digital Corporation. Оставшиеся акции были бы распределены между прочими акционерами обеих компаний. Сделка неизбежно бы привлекла внимание антимонопольных органов многих стран, включая США и Китай, а потому на пути её реализации могут возникнуть бюрократические препятствия.

Не совсем ясно, как в структуре этой сделки могли бы учитываться интересы Toshiba, поскольку она до сих пор владеет 40,6 % акций Kioxia, и при этом сама собирается пройти приватизацию, продав свои активы за $15 млрд консорциуму японских инвесторов. Что в этом случае стало бы с долей Toshiba в капитале Kioxia, не уточняется. Представители перечисленных компаний комментировать слухи о подготовке сделки между Kioxia и Western Digital не стали.