Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. Samsung со следующего месяца прекратит поставки флеш-памяти типа MLC
27.05.2025 [07:36],
Алексей Разин
По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов. 
Источник изображения: Samsung Electronics В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована. Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности. Китайцы разработали флеш-память со «сверхсветовой скоростью» — она в 100 000 раз быстрее обычного кеша
18.04.2025 [10:39],
Геннадий Детинич
В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» (Poxiao). Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки. 
Источник изображения: Nature Разработкой нового типа памяти учёные из Китая занимаются с 2015 года. В 2021 году они предложили базовую теоретическую модель, а в 2024 году разработали сверхбыстрое устройство флеш-памяти с длиной канала 8 нм, что превысило физический предел размера флеш-памяти на основе кремния, составлявший около 15 нм. Но размеры — не главное. Главное — это невообразимая скорость работы новой энергонезависимой ячейки, которая оказалась в 100 000 раз выше скорости ячейки SRAM. Учёные отметили, что классическая память на основе управления транзисторным каналом электромагнитным полем имеет фундаментальные ограничения для наращивания скорости записи и чтения. Электроны нужно «разогнать», чтобы заставить их перейти в ячейку памяти или покинуть её. Традиционные полупроводниковые материалы и воздействие на электроны полем делают всё это медленным по современным меркам. По большому счёту, мало что изменилось после изобретения полевого транзистора около 60 лет назад. Для ускорения буквально нужна другая физика. Китайские учёные предложили использовать в качестве канала графен или условно двумерный полупроводник — диселенид вольфрама (WSe₂). Оба материала ведут себя схожим образом, хотя и имеют отличия. Распределение управляющего электромагнитного поля вдоль каналов таково, что электроны поступают в ячейку «сильно перегретыми» — с крайне высокой для них энергией. В общем случае графен считается так называемым дираковским материалом, в котором электроны подчиняются квантовым уравнениям Дирака. Использование графена позволяет ускорить перемещение «горячих» электронов и дырок в ячейку памяти, минимизируя потери энергии. Фактически, в созданных условиях электрон как бы становится безмассовой частицей, что позволяет резко увеличить скорости записи и чтения. Работу о субнаносекундной флеш-памяти с 2D-улучшенной инжекцией горячих носителей (Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection) можно найти по этой ссылке. Она свободно доступна для прочтения. В составе новой памяти тонкий 2D-канал оптимизирует распределение горизонтального электрического поля, повышая эффективность инжекции. Ток инжекции достигает 60,4 пА/мкм при напряжении 3,7 В. Новая память выдерживает более 5,5 млн циклов записи и стирания. Скорости записи и чтения одинаковы — по 0,4 нс для каждого режима. Объём прототипа составляет около 1 килобайта. В течение пяти лет команда обещает увеличить ёмкость до десятков мегабайт, получить лицензию и начать выпуск коммерческих экземпляров. SanDisk предупредила о скором подорожании SSD — с 1 апреля цены на память NAND вырастут более чем на 10 %
10.03.2025 [13:55],
Николай Хижняк
Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов. 
Источник изображений: SanDisk По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.  Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года. Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены. Спад на рынке флеш-памяти ударил по Samsung, но компания — всё ещё крупнейший производитель NAND
03.03.2025 [12:40],
Алексей Разин
В четвёртом квартале прошлого года, по данным TrendForce, рынок памяти типа NAND находился под давлением из-за продолжающихся попыток производителей ПК и смартфонов оптимизировать свои складские остатки. Средние цены на флеш-память в прошлом квартале последовательно снизились на 4 %, а объёмы поставок упали на 2 %. Это привело к снижению выручки участников рынка на 6,2 % до $16,52 млрд. 
Источник изображения: Micron Technology Первый квартал традиционно является низким сезоном для рынка твердотельной памяти, и текущий год не является исключением даже с учётом усиленных попыток производителей сократить объёмы поставок своей продукции. Пополнение складских запасов замедлилось на большинстве ключевых рынков, включая серверный сегмент. По итогам первого квартала выручка поставщиков флеш-памяти может последовательно упасть на 20 %. О восстановлении рынка памяти типа NAND можно будет говорить только по итогам второй половины текущего года, если всё пойдёт по плану. Лидером рынка NAND остаётся компания Samsung Electronics, которая последовательно сократила выручку по итогам прошлого квартала на 9,7 % до $5,6 млрд, в основном из-за сегмента бытовой электроники. В дальнейшем компания планирует сосредоточиться на продвижении твердотельных накопителей в корпоративном секторе. В любом случае, Samsung до сих пор контролирует 33,9 % мирового рынка NAND. На втором месте расположилась SK Group, которая объединяет классический бизнес SK hynix и доставшиеся от Intel активы, которые теперь присутствуют на рынке под маркой Solidigm. Надежды на рост поставок в прошлом квартале у этого производителя не оправдались, в результате чего выручка последовательно упала на 6,6 % до $3,39 млрд. Для этого южнокорейского поставщика приоритетом является обслуживание потребностей сегмента ИИ-инфраструктуры.  Бизнес занимающей третье место компании Kioxia продемонстрировал относительную стабильность по итогам четвёртого квартала, поскольку неудачи в сегменте ПК и смартфонов были компенсированы высоким спросом на корпоративные SSD. Выручка компании по итогам периода сократилась последовательно всего на 0,2 % до $2,66 млрд. Доля рынка Kioxia при этом вообще выросла с 15,1 до 16,1 %. В случае с Micron Technology высокий спрос на корпоративные SSD не позволил уравновесить спад на потребительском направлении, выручка этой компании последовательно сократилась на 9,3 % до $2,28 млрд. При этом по доле рынка Micron отстаёт от Kioxia не столь значительно: 13,8 против 16,1 %. В текущем году Micron намеревается сократить капитальные затраты в сегменте NAND и сосредоточиться на выпуске твердотельных накопителей объёмом более 60 Тбайт для корпоративных клиентов. Western Digital со своей маркой SanDisk удалось сохранить выручку примерно на уровне третьего квартала прошлого года, поскольку твердотельная память для потребительских SSD продавалась лучше ожиданий в четвёртом квартале. Даже в условиях падения цен выручку удалось сократить всего на 0,4 % до $1,9 млрд. В этом году SanDisk может укрепить свои позиции на рынке SSD для ПК, пока сообща с Western Digital данный поставщик занимает 11,4 % рынка NAND. На долю прочих производителей твердотельной памяти за пределами первой пятёрки приходится не более 4,4 % мирового рынка в показателях выручки. Kioxia представила первую в мире 332-слойную память 3D NAND, но никому её не показала
20.02.2025 [18:31],
Сергей Сурабекянц
Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями. 
Источник изображения: Kioxia Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с. Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной. 
Источник изображения: Tom's Hardware Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ. Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память. SSD подорожают во второй половине года из-за сокращения производства NAND и ажиотажа вокруг ИИ
17.02.2025 [17:38],
Сергей Сурабекянц
В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ. 
Источник изображения: unsplash.com Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен. На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND. 
Источник изображения: TrendForce Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения. Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память. Производители флеш-памяти приложат усилия, чтобы она перестала дешеветь
23.01.2025 [08:14],
Алексей Разин
Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия. 
Источник изображения: Samsung Electronics Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции. Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке. Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы. Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции. Samsung урежет производство флеш-памяти NAND в Китае примерно на 15 %
13.01.2025 [12:41],
Алексей Разин
Рынок памяти подвержен цикличным колебаниям цен, которые определяют политику производителей. Крупнейшим из них остаётся южнокорейская Samsung Electronics, а её крупнейшей базой по производству микросхем памяти NAND является предприятие в китайском Сиане. Из-за неблагоприятной конъюнктуры рынка оно в этом году вынуждено будет сократить объёмы выпуска флеш-памяти примерно на 15 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщают южнокорейские СМИ, знакомые с планами компании. На рынке NAND, как уточняют они, в этом году назревает очередной кризис перепроизводства, поэтому цены на соответствующие микросхемы будут падать. Чтобы не увеличивать убытки, Samsung предпочитает сократить объёмы выпуска NAND. Если в прошлом году компания выпускала в месяц на предприятии в Сиане около 200 000 кремниевых пластин с чипами NAND, то в этом объёмы выпуска могут быть снижены до 170 000 штук в месяц. Более того, предприятия Samsung в корейском Хвасоне также сократят объёмы выпуска NAND. До этого в подобных условиях Samsung приходилось снижать объёмы выпуска памяти в 2023 году, причём почти двукратно. После нормализации ситуации с ценами на микросхемы NAND, компания увеличила объёмы её выпуска до 450 000 кремниевых пластин в месяц, если учитывать все имеющиеся у неё площадки. В четвёртом квартале прошлого года наметилась было тенденция роста цен на твердотельные накопители серверного класса на волне бума ИИ на величину до 5 %, но в текущем квартале они должны пропорционально снизиться, как считают аналитики TrendForce. Интересно, что SK hynix в таких условиях готовится нарастить объёмы выпуска NAND. Если учесть, что Samsung предпочтёт сокращать объёмы поставок памяти, то у более мелкого конкурента появится возможность укрепить свои рыночные позиции, пусть и в ущерб прибыльности. Высокие доходы в сфере поставок HBM позволяют SK hynix пойти на риск в сегменте NAND. Samsung расскажет о 400-слойной флеш-памяти 3D NAND в феврале
07.12.2024 [16:42],
Геннадий Детинич
Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире. 
Источник изображения: blocksandfiles.com Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти. Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более. Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм2. В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0. Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти. SK hynix запустила массовое производство первой в мире 321-слойной флеш-памяти NAND
21.11.2024 [10:06],
Алексей Разин
По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года. Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками. Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
