Теги → флеш-память
Быстрый переход

Память дешевеет, производители напуганы и сокращают инвестиции

Ведущие производители памяти, Samsung и SK Hynix, которые в сумме занимают две трети рынка чипов DRAM и чуть менее половины рынка NAND, вынуждены пересмотреть свои планы по наращиванию производственных мощностей. Как сообщают аналитики, корейские производители столкнулись с уменьшением спроса на свою продукцию, и им не остаётся ничего иного, кроме как пересмотреть стратегию развития. Согласно расчётам IC Insights, компания Samsung инвестирует в 2019 году в развитие производства $18 млрд, что на 20 % меньше, чем в завершающемся году, а SK Hynix сократит капитальные вложения в 2019 году на 22 % до суммы в $10 млрд.

Аналитик корейского института развития (KDI), Квон Кью-хо (Kwon Kyu-ho) предупреждает, что «у компаний нет иного выхода и им придётся корректировать темпы расширения производства, потому что невозможно рассчитывать на то, что бум на рынке памяти, наблюдавшийся в 2017 и 2018 годах, продолжится и в следующем году». Собственно, падение спроса на полупроводниковую продукцию корейских гигантов прослеживается уже сейчас. В ноябре суммарные поставки чипов Samsung и SK Hynix снизились на 16,3 % относительно показателей октября. А объёмы производства за тот же срок уменьшились на 5,2 %.

До недавних пор производители памяти получали сверхдоходы на фоне бурного развития всей IT-индустрии и роста «экономики данных», в рамках которой глобальные компании вроде Google и Amazon стали основными покупателями чипов памяти для ввода в эксплуатацию разнообразных облачных сервисов и сервисов обработки «больших данных». Однако в настоящее время интенсивный рост этой отрасли заканчивается, а торговые конфликты между США и Китаем вносят дополнительную неопределённость в будущее. Стагнирует и рынок смартфонов, который раньше тоже выступал крупным потребителем микросхем памяти.

В результате, глобальные рынки чипов DRAM и NAND, где Samsung и SK Hynix занимают доминирующее положение, входят в период нисходящих трендов. В частности, стоимость чипов DRAM в период с августа по октябрь снизилась на 11 %, а в период с октября по настоящее время упала ещё на 1 %. Похожая тенденция наблюдается и с чипами флеш-памяти. С августа по октябрь они подешевели на 10 %, а с октября по декабрь – ещё на 2 %.

Как поясняют отраслевые эксперты, такого резкого падения цен не ожидал никто. Но ещё хуже, что нет ни одной причины, по которой ситуация может поменяться. Впереди — затяжной период превышения предложения над спросом со всеми вытекающими последствиями. И здесь ведущих производителей памяти поджидает ещё один удар: в 2019 году массовый выпуск DRAM и NAND-продукции должны начать китайские компании.

Colorful выпустила свой самый ёмкий SSD-накопитель

Компания Colorful анонсировала новый твердотельный (SSD) накопитель, вошедший в семейство устройств SL500: новинка рассчитана на хранение 2 Тбайт информации.

Утверждается, что представленное решение — это самый вместительный SSD-накопитель Colorful. До сих пор в серии SL500 были доступны устройства ёмкостью от 240 Гбайт до 1 Тбайт.

Новинка выполнена в 2,5-дюймовом форм-факторе, благодаря чему подходит для применения в настольных компьютерах и ноутбуках. Для подключения используется стандартный интерфейс Serial ATA 3.0, обеспечивающий пропускную способность до 6 Гбит/с.

Основой служат микрочипы флеш-памяти 3D NAND. Скоростные показатели, к сожалению, не раскрываются. Но сетевые источники полагают, что скорость чтения составляет около 550 Мбайт/с, а скорость записи — примерно 520 Мбайт/с.

Когда и по какой цене накопитель поступит в продажу, не уточняется.

Отметим, что спрос на SSD-устройства устойчиво растёт. Это способствует снижение  удельной стоимости накопителей на единицу ёмкости, а также увеличение вместимости. 

В 2019 году оперативная и флеш-память ощутимо подешевеют

Цены на оперативную память DRAM и флеш-память NAND в наступающем 2019 году будут стремительно снижаться, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые прогнозы.

Сообщается, что цены на микросхемы как оперативной, так и флеш-памяти будут изменяться таким образом, что уже в первом квартале можно будет зафиксировать их снижение более чем на 10 %. Причём твердотельная память подешевеет сильнее, чем оперативная.

По оценкам экспертов, цены на твердотельную память NAND постепенно снизятся более чем на 15 % уже в течение одного только первого квартала 2019 года. В дальнейшем, то есть во втором квартале, цены продолжат последовательно уменьшаться, правда, пока неизвестно, насколько стремительно.

Что касается микросхем оперативной памяти DRAM, то за весь 2019 год цены на неё, вероятно, упадут на 30–35 %. Обусловлено это будет в первую очередь увеличением предложения. По данным источников, производственные мощности, на которых выпускаются микросхемы оперативной памяти, будут прирастать примерно на 10–15 % в год в течение следующих двух лет.

Кроме того в первом квартале 2019 года поставки продукции с памятью DRAM для серверного сегмента рынка могут оказаться самыми слабыми за почти три года.

SK Hynix предложит недорогую встраиваемую флеш-память

Как мы не раз сообщали, в июле 2017 года компания SK Hynix создала подразделение SK Hynix System IC для работ по выпуску полупроводников по сторонним контрактам. В распоряжение SK Hynix System IC была отдана 200-мм фабрика M8 в городе Чхонджу (Cheongju). Ассортимент контрактного подразделения SK Hynix относительно скуден и представлен драйверами для мониторов, датчиками изображений КМОП, а также силовыми дискретными элементами. Всё это доступно в техпроцессах от 500 нм до 57 нм. Но даже несмотря на ограниченное предложение, подразделение SHSI смогло в 2017 году принести SK Hynix $260 млн выручки. В будущем, как представляют себе в компании, контрактная деятельность снизит зависимость SK Hynix от переменчивого рынка памяти.

В то же время в компании понимают, что для достижения желанной цели производителю необходимо расширять ассортимент. Чем? А давайте посмотрим в сторону вещей подключения к Интернету, — решили в SK Hynix. Модная тема, и наверняка потребует решений с памятью, на чём специализируется компания. Но для контроллеров IoT необходима память с потреблением ниже обычного и желательно как можно дешевле. К тому же она должна быть встраиваемой, а не в виде отдельных микросхем. Такая технология, например, много лет используется тайваньской компанией Silicon Storage Technology (SST) в виде памяти SuperFlash.

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Microchip Technology через дочернюю компанию Silicon Storage Technology заключила многолетний договор с SK Hynix System IC на адаптацию технологии производства встраиваемой памяти SuperFlash к техпроцессам южнокорейского производителя. Разработка адаптированного техпроцесса стартовала в этом году и будет завершена в начале 2019 года. Технология SuperFlash будет реализована на 110-нм КМОП техпроцессе SK Hynix System IC и будет доступна для сторонних разработчиков в виде IP-блоков.

Память SuperFlash, уверены в SK Hynix, станет идеальным решением для устройств Интернета вещей, смарт-карт и широкого спектра микроконтроллеров. Технология SuperFlash отличается высокой энергоэффективностью и, например, хорошо зарекомендовала себя в картах и устройствах для бесконтактной оплаты.

Цены на SSD упали за год вдвое, но больше пока не хотят

В последнее время цены на флеш-память NAND перестали снижаться, и даже показали некоторый рост в преддверие нового года, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники.

Однако поводов для беспокойства нет, и уже в начале следующего года цены вернутся к снижению. Способствовать этому по-прежнему будет избыточное предложение, наметившееся на рынке ещё раньше в этом году. Заметим, что благодаря этой ситуации, цены на твердотельные накопители за 2018 год уменьшились примерно в два раза.

Источник указывает на то, что поставщики микросхем твердотельной памяти в последнее время несколько повысили цены. Сами же производители как чипов NAND, так и готовых устройств на их основе, по-прежнему не спешат наращивать поставки продукции. Отмечается, что за последнее время лишь немного выросли цены на флеш-карты, тогда как твердотельные накопители продолжают дешеветь. Цены на память eMMC и eMCP, которая используется в готовых устройствах, например, смартфонах, остаются стабильными.

Ожидается, что в следующем году получится уменьшить переизбыток на рынке флеш-памяти в том числе за счёт смартфонов с большим объёмом встроенной памяти. Ожидается, что в наступающем году производители будут активно оснащаться свои флагманские смартфоны 512 Гбайт встроенной флеш-памяти.

Что касается стоимости твердотельных накопителей, то как и упоминалось выше, она значительно уменьшилась за этот год. На данный момент, цена твердотельного накопителя на 240 Гбайт примерно равно цене жёсткого диска объёмом 1 Тбайт. А уже к концу следующего года по цене терабайтного винчестера можно будет купить SSD объёмом 480/512 Гбайт.

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

SSD-накопителям предсказали обвал цен на 50 % в следующем году

По информации интернет-издания DigiTimes, ссылающегося на отраслевые источники, цены на применяющуюся в твердотельных накопителях флеш-память NAND в 2019 году могут снизиться на 50 % по отношению к её нынешней стоимости. Ранее сообщалось, что в следующем году цены на SSD могут упасть до $0,08 за 1 Гбайт.

Как отмечает DigiTimes, продолжающееся падение цен с большой долей вероятности связано с расширением поставщиками SSD своих производственных мощностей в целях повышения рентабельности. Ещё одной немаловажной причиной резкого удешевления стоимости хранения гигабайта информации на твердотельных накопителях называется применение 96-слойной памяти 3D NAND.

Ожидается, что массовый выпуск 96-слойной NAND-флеш будет развёрнут в первой половине 2019 года. Большинство производителей обладают ресурсами, достаточными для изготовления 50000–100000 чипов данного типа в месяц, а китайская Yangtze Memory Technology и вовсе заявила о готовности отгружать 150 000 микросхем 96-слойной 3D NAND.

Всего в мире насчитывается 6–7 крупных производителей NAND, готовых использовать новые производственные процессы, говорится в отчёте DigiTimes. Некоторые из них (Samsung, Toshiba Memory / Western Digital, Micron / Intel и SK Hynix) уже представили технологии для массового выпуска 96-слойной флеш-памяти.

А вот чипы памяти DRAM в следующем году, скорее всего, останутся на текущем уровне, говорится в репортаже DigiTimes. Их крупнейшие поставщики — Samsung, SK Hynix и Micron — не планируют значительного увеличения объёмов производства несмотря на ожидающийся рост спроса со стороны изготовителей дата-центров, игровых устройств, устройств IoT и автомобильных систем.

Samsung обещает флеш-накопители UFS 3.0 в 2019 году

Компания Samsung в ходе мероприятия Qualcomm 4G/5G Summit в Гонконге рассказала о планах по выводу на рынок флеш-памяти UFS (Universal Flash Storage) стандарта 3.0.

Напомним, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных электронных устройств, включая смартфоны. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности и сокращение энергопотребления.

Итак, сообщается, что Samsung выведет решения UFS 3.0 на рынок в 2019 году. Такие изделия будут предлагаться в модификациях вместимостью 128 Гбайт, 256 Гбайт и 512 Гбайт.

Накопители UFS 3.0 по сравнению с UFS 2.1 обеспечат приблизительно двукратное увеличение скорости передачи данных. Это особенно важно в свете грядущей эпохи 5G.

Отмечается также, что первые модули флеш-памяти для смартфонов вместимостью 1 Тбайт появятся в 2021 году.

Кроме того, в ходе мероприятия Qualcomm 4G/5G Summit было объявлено, что на 2020 год намечено начало использования в мобильных устройствах оперативной памяти LPDDR5. 

Rambus и Phison подписали соглашение по лицензированию патентов

Компания Rambus объявила, что Phison, мировой лидер в области контроллеров NAND Flash и решений для хранения данных, подписала патентное лицензионное соглашение. В соответствии с условиями соглашения, Rambus предоставит Phison лицензии на использование широкого спектра новаций в портфеле патентов Rambus, включая технологии для контроллеров DRAM и NAND Flash, а также соединений через последовательные каналы. Конкретные условия соглашения не разглашаются.

«Rambus является давним новатором в области памяти и высокоскоростного ввода-вывода. Лицензирование портфеля патентов Rambus сделано в рамках постоянных усилий Phison по предоставлению своим клиентам лучших в своём классе контроллеров и решений для хранения данных», — прокомментировали соглашение в отделе новаций, исследований и технологических разработок Phison.

«Мы рады сотрудничать с Phison, предоставляя нашим партнёрам доступ к новациям, которые расширяют ассортимент продуктов», — подчеркнул старший вице-президент по технологическим партнёрствам и корпоративному развитию в Rambus Кит Роджерс (Kit Rodgers).

Western Digital создала первый 96-слойный модуль 3D NAND UFS 2.1 для смартфонов

Компания Western Digital анонсировала первый на рынке флеш-модуль UFS 2.1, выполненный на основе 96-слойной памяти 3D NAND.

Представленное изделие получило обозначение iNAND MC EU321 EFD. Оно рассчитано на использование в смартфонах топового уровня, высокопроизводительных планшетах, а также в портативных компьютерах.

Утверждается, что новинка обеспечивает скорость последовательной записи до 550 Мбайт/с. Благодаря этому флеш-накопитель подходит для работы с мультимедийными материалами высокого качества. Кроме того, новинка может применяться в устройствах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), которые обеспечат очень высокие скорости передачи данных и, следовательно, создадут повышенную нагрузку на подсистему хранения информации.

Western Digital уже начала пробные поставки изделий iNAND MC EU321 EFD. Вместимость таких модулей достигает 256 Гбайт.

По всей видимости, первые коммерческие устройства, оснащённые новым модулем UFS 2.1, появятся на рынке в следующем году. 

GIGABYTE представила твердотельные накопители NVMe M.2 SSD

Компания GIGABYTE Technology анонсировала новые твердотельные накопители (SSD), выполненные в форм-факторе М.2.

Представленные изделия относятся к решениям NVMe. Задействован интерфейс PCIe Gen3 x2, благодаря чему обеспечиваются более высокие скорости чтения и записи по сравнению с устройствами SATA.

Новинки соответствуют типоразмеру М.2 2280: габариты составляют 22 × 80 мм. Накопители можно использовать в настольных компьютерах, ноутбуках и ультрабуках.

В семейство вошли три модели — вместимостью 128 Гбайт, 256 Гбайт и 512 Гбайт. К сожалению, скоростные показатели и значения IOPS (операций ввода/вывода в секунду) пока не приводятся.

Отмечается, что поставки твердотельных накопителей GIGABYTE NVMe M.2 SSD начнутся в ближайшее время. Производитель обеспечит изделия трёхлетней гарантией.

Добавим, что ранее GIGABYTE выпустила SSD-устройства серии UD Pro. Они выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсом SATA. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 530 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 500 Мбайт/с. 

Адаптер SilverStone ECM23 позволит установить SSD-модуль M.2 в слот PCIe

Компания SilverStone подготовила к выпуску аксессуар с обозначением ECM23 — адаптер, позволяющий использовать твердотельные (SSD) накопители формата М.2 в компьютерах без соответствующего коннектора.

ECM23 представляет собой своеобразный картридж, внутрь которого можно установить модуль M.2 PCIe. Поддерживается работа с изделиями стандартов 2230, 2242, 2260 и 2280 — длиной соответственно 30, 42, 60 и 80 мм.

Адаптер рассчитан на установку в слот PCIe x16. При этом фактически задействован интерфейс PCIe х4. Предусмотрен светодиодный индикатор, оповещающий об операциях чтения/записи данных.

Новинка имеет размеры 105 × 11 × 44 мм и весит 52 грамма. Адаптер оснащён алюминиевым радиатором и термопрокладкой для отвода тепла от установленного твердотельного накопителя.

Новинка была протестирована на совместимость с такими изделиями, как Samsung NVMe SSD SM951/961 M.2, Samsung NVMe SSD 960 EVO M.2 и Samsung NVMe SSD 960 PRO M.2. О цене адаптера ничего не сообщается. 

Samsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памяти

Компании Samsung и SK Hynix, согласно последним данным, решили скорректировать свои планы по расширению производственных мощностей, предназначенных для выпуска микросхем оперативной (DRAM) и твердотельной памяти (NAND). Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь.

В последнее время цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности это касалось оперативной памяти (DRAM), но также затрагивало и твердотельную флеш-память (NAND). Однако эта ситуация меняется в лучшую для потребителя сторону. Не так давно мы писали о том, что цены на оперативную память начнут снижаться из-за снижения спроса, а на флеш-память — из-за избыточного производства.

И действительно, аналитики отмечают перенасыщение на рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 года, из-за чего за текущий квартал она может потерять в цене 10–15 %, если верить прогнозам. Более того, ещё около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И даже в начале будущего года сохранится подобная тенденция. В свою очередь оперативная память пока что дешевеет медленнее, но в следующем квартале темпы могут возрасти.

Поэтому компания Samsung вполне закономерно решила отложить ввод в строй новых производственных мощностей по выпуску флеш-памяти 3D V-NAND до первой половины будущего года. Компания SK Hynix также решила замедлить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND.

Сообщается также, что Samsung решила повременить и с планами по расширению производственных мощностей по выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса на фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, что в Южной Корее. Изначально в планы Samsung входило уже в этом квартале наладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно.

SSD-накопители GOODRAM PX400 имеют ёмкость до 1 Тбайт

Компания Wilk Elektronik SA представила под маркой GOODRAM твердотельные накопители PX400, ориентированные на потребительский рынок.

Анонсированные изделия относятся к устройствам NVMe. Задействован интерфейс PCIe 3.0 x2. Накопители соответствуют популярному сегодня формату М.2 2280 — размеры составляют 22 × 80 мм.

В новинках используются микрочипы флеш-памяти 3D NAND и контроллер Phison E8. Предусмотрены три варианта вместимости — 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт.

«Одна из проблем при разработке M.2 SSD — это избежание троттлинга, замедляющего производительность SSD. Для этого сама память и контроллер покрыты специальной плёнкой из меди и графита, что не только снижает рабочую температуру, но и делает диск подходящим для использования в ультрабуках и других устройствах с ограниченным объёмом», — отмечает разработчик.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 1700 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1050 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи — до 200 000 и 190 000 соответственно.

На твердотельные накопители PX400 распространяется трёхлетняя гарантия производителя и бесплатная техническая поддержка. Цена новинок не уточняется. 

Kingmax PJ3280: накопители M.2 PCIe SSD начального уровня

Компания Kingmax анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии PJ3280, подходящие для использования в настольных и портативных компьютерах.

Представленные решения относятся к изделиям PCIe NVMe начального уровня. Они выполнены в формате M.2 2280 — размеры составляют 22 × 80 мм. Задействован интерфейс PCIe Gen 3 x2.

В семейство вошли модели вместимостью 128, 256 и 512 Гбайт. Скорости последовательного чтения и записи данных, а также показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) приведены в таблице ниже:

 

128 Гбайт

256 Гбайт

512 Гбайт

Чтение, Мбайт/с

1450

1600

1600

Запись, Мбайт/с

450

850

950

IOPS при чтении

61 000

86 000

90 000

IOPS при записи

83 000

83 000

83 000

В накопителях используются чипы флеш-памяти 3D NAND. Средняя заявленная наработка на отказ достигает 2 млн часов. На изделия предоставляется трёхлетняя гарантия.

Продажи твердотельных накопителей Kingmax PJ3280 начнутся в ближайшее время. Сведений об ориентировочной цене, к сожалению, нет. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥