Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Дефицит флеш-памяти NAND станет нормой в ближайшие десять лет, как считает глава Phison
06.10.2025 [07:09],
Алексей Разин
Рынок твердотельной памяти исторически был подвержен цикличности, из-за чего рост цен сменялся их падением, и сейчас наблюдается восходящий тренд. Руководитель разработчика контроллеров для SSD — компании Phison, вообще убеждён, что в следующем году будет наблюдаться дефицит NAND, и он в той или иной мере сохранится в последующие десять лет. 
Источник изображения: Samsung Electronics Своими соображениями генеральный директор Phison Пуа Кхейн Сенг (Pua Khein-Seng) поделился в интервью одному тайваньскому изданию, на которое ссылается ресурс Tom’s Hardware. Как считает представитель компании, рынок твердотельной памяти неизбежно столкнётся с суперциклом, который вызван бумом систем искусственного интеллекта. Потребности рынка в твердотельной памяти будут уверенными темпами расти на протяжении ближайших десяти лет, и производители даже могут не успевать за ними. Уже в следующем году рынок NAND столкнётся с существенной нехваткой продукции. Проблема также заключается в том, по мнению главы Phison, что в последние годы производители NAND привыкли ограничивать свои капитальные затраты, чтобы не слишком быстро обрушивать цены после наращивания объёмов выпуска продукции. Кроме того, с 2023 года основной объём средств производители памяти направляли на выпуск HBM, а остальные направления финансировались в усечённом формате. Как считает Пуа Кхейн Сенг, сегмент искусственного интеллекта начнёт менять структуру спроса на компоненты. Закупка GPU и памяти HBM для них постепенно начнёт уступать место приобретению NAND, поскольку она нужна для производства твердотельных накопителей. Они обеспечивают высокое быстродействие при работе с данными, а отрасль скоро перейдёт от этапа интенсивного обучения больших языковых моделей к так называемому инференсу. Для хранения и обработки данных потребуются накопители, и SSD при нынешнем соотношении стоимости и быстродействия подойдут для этого лучшим образом. Всё это будет способствовать росту спроса на NAND в течение ближайших десяти лет. Жёсткие диски в серверных системах постепенно будут сдавать позиции SSD, как убеждён глава Phison. Если в 2020 году доля SSD в структуре серверных хранилищ измерялась единицами процентов, а HDD занимали более 90 %, то уже сейчас пропорция изменилась на 20:80. В дальнейшем SSD вполне способны занять 80 %, именно по этой причине спрос на NAND будет устойчиво расти в ближайшие десять лет. Kioxia: спрос на NAND будет расти на 20 % в год благодаря ИИ
30.09.2025 [09:42],
Алексей Разин
Не секрет, что ранее благоволивший главным образом производителям ускорителей вычислений и памяти типа HBM бум систем искусственного интеллекта начал увеличивать спрос и на ёмкие накопители, будь то HDD или SSD. Компания Kioxia убеждена, что в ближайшие несколько лет спрос на память типа NAND будет расти на 20 % ежегодно. 
Источник изображения: Kioxia Подобные темпы будут обеспечиваться сохраняющейся потребностью владельцев центров обработки данных в расширении вычислительных мощностей для инфраструктуры искусственного интеллекта. Исходя из такого прогноза, Kioxia на ежемесячной основе планирует свои расходы на строительство новых производственных линий и предприятий. В этом признался Bloomberg исполнительный вице-президент Kioxia Томохару Ватанабэ (Tomoharu Watanabe). «Спрос высок, особенно со стороны гиперскейлеров, которым нужны чипы для нужд систем генеративного искусственного интеллекта», — заявил представитель компании. Он также добавил, что в модернизации нуждаются центры обработки данных, которые были введены в эксплуатацию пять или шесть лет назад. Некоторым из операторов ЦОД не хватает жёстких дисков, как заявил Ватанабэ. Kioxia на этой неделе запустила вторую очередь своего завода по производству флеш-памяти в префектуре Иватэ, а поставки его продукции в виде передовых чипов памяти она собирается начать в следующем полугодии. В ближайшие пять лет Kioxia намеревается удвоить объёмы выпуска памяти на своих предприятиях в префектурах Иватэ и Миэ. Спрос на NAND со стороны операторов облачной инфраструктуры должен уже в четвёртом квартале текущего года поднять цены на память данного класса на 5–10 % в последовательном сравнении, как считают эксперты TrendForce. Китайская YMTC расширит производство 267-слойной флеш-памяти 3D NAND
26.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность совершенствовать технологии производства твердотельной памяти типа 3D NAND. Ещё в январе независимыми экспертами было установлено, что YMTC начала выпускать память с почти 270 активными слоями. Теперь компания готова расширить производство таких чипов 3D NAND. 
Источник изображения: YMTC Об этом со ссылкой на DigiTimes сообщает ComputeBase.de. В прошлом месяце YMTC получила на отраслевом мероприятии FMS 2025 премию за свою технологию изготовления памяти 3D NAND, именуемую Xtacking 4.0. Последняя позволила компании создавать не только высокопроизводительную, но и экономичную, и при этом ёмкую твердотельную память. Накопители на основе этой памяти применяются как в серверном, так и в потребительском сегментах. Технологию Xtacking 4.0 уже используют накопители X4-9070 на основе 1-терабитных чипов памяти типа TLC, а также X4-6080 на базе 2-терабитной памяти типа QLC. Они обеспечивают высокое быстродействие и впечатляющую ёмкость хранения данных. Надо сказать, что YMTC в числе первых производителей твердотельной памяти начала сращивать кремниевые пластины друг с другом, ещё в 2018 году, но делала это во многом из-за отсутствия доступа к передовым технологиям, позволяющим увеличить количество слоёв в пределах одной пластины. В дальнейшем такой подход взяли на вооружение Kioxia и SanDisk, поскольку он показал себя с лучшей стороны. Заметим, что ранее в этом году SK hynix объявила о запуске массового производства 321-слойной флеш-памяти. Samsung сейчас выпускает 3D NAND с 286 слоями и разрабатывает чипы с более чем 400 слоями. В свою очередь Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, а Micron сейчас выпускает 276-слойные чипы. Сейчас YMTC контролирует около 8 % мирового рынка NAND, но к концу следующего года рассчитывает увеличить эту долю до 15 %. В принципе, это легко будет сделать исключительно за счёт рынка Китая, поскольку он достаточно велик для пропорционального влияния на мировую статистику. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. Репортаж со стенда Silicon Power на выставке Computex 2025: серия SSD Endura, быстрая оперативная память и другие новинки
27.05.2025 [09:09],
Владимир Мироненко
Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2025 свои новейшие разработки, в том числе новое семейство твердотельных накопителей Endura на флеш-памяти 3D TLC NAND, включающее модели Endura E55, E60, ED90 и ES75. Кроме того, производитель показал скоростные модули оперативной памяти, новейшие карты памяти и даже промышленные решения.  Базовая модель серии — 2,5-дюймовый накопитель Endura E55 с интерфейсом SATA III — предназначена для массового пользователя. Устройство поддерживает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с, записи — до 450 Мбайт/с. Доступны версии Endura E55 ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт. В свою очередь, накопитель Endura E60 с интерфейсом PCIe 3.0 x4, поддержкой скорости последовательного чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с, создан для использования в производительных системах для работы и игр. Накопитель совместим со спецификациями NVMe 1.3 и поддерживает технологию коррекции ошибок LDPC ECC. Накопитель Endura E60 доступен в вариантах ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.  Высокопроизводительный накопитель SP Endura ED90 с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0, позиционируется компанией как решение для компьютерных систем с интенсивной передачей данных, которые могут использоваться создателями контента и пользователями других творческих профессий. SSD поддерживает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с, выпускается в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт. Флагманская модель линейки SP Endura ES75 с интерфейсом PCIe 4.0, а также поддержкой скорости последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с, предназначена для использования профессионалами, создания контента и для мощных игровых компьютеров. SP Endura ES75 поставляется в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт. Добавим, что накопители семейства Endura уже продаются в России, например, в DNS и «Ситилинк».  Базовая линейка DDR5 CKD компании включает модули CUDIMM и CSODIMM с частотой DDR5-6400, ёмкостью 16 Гбайт, задержкой CL52 и поддержкой напряжения 1,1 В.  Также на экспозиции демонстрировался высокопроизводительный NVMe-накопитель Silicon Power XPower XS90 M.2 Gen 5 для энтузиастов, обеспечивающий скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, ёмкостью до 4 Тбайт и основанный на 6-нм контроллере (вероятно, Maxiotek DRAMless).  На стенде Silicon Power также была представлена модель US75 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, которая выпускается ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт, обеспечивает скорость последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 6000 Мбайт/с.  В свою очередь твердотельный накопитель US85 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой спецификации NVMe 2.0, предназначенный для использования геймерами, создателями контента и профессионалами, обеспечивает скорость последовательного чтения до 10 300 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 8600 Мбайт/с. US85 доступен в вариантах ёмкостью 1 и 2 Тбайт.  Посетители стенда также могли увидеть серию премиальной памяти XPower Storm DDR5 RGB с поддержкой XMP и EXPO для игровых ПК, которая поставляется в виде модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт). Заявленный диапазон скорости передачи данных — от 6000 до 8000 МТ/с, задержка — от CL28 до CL38 при напряжении до 1,45 В.  Кроме того, на стенде демонстрировалась серия флеш-памяти среднего уровня XPower Zenith DDR5 с поддержкой скорости от 5200 до 6000 МТ/с при напряжении 1,25–1,35 В. Память выпускается в виде модулей емкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт).  XPower Cyclone — память DDR5 OC для энтузиастов. Вариант без CKD (UDIMM) имеет частоту до DDR5-8000, а варианты CKD (CUDIMM) — вплоть до DDR5-9200 с задержкой CL44-56-56-134 и напряжением 1,35 В. Обе версии поддерживают динамическую RGB-подсветку. Усовершенствованный алюминиевый радиатор толщиной 2 мм позволяет снизить нагрев до 10 °С. XPower Cyclone найдёт применение при запуске требовательных игр, работе в режиме многозадачности и при создании различного видеоконтента.  Также экспозиция компании включала память XPOWER Pulse DDR5 для игровых ПК со скоростью до 6400 MT/с с таймингами CL40, CL38, CL36, CL32 или CL30, выпускаемая в версиях 16 и 32 Гбайт.  В числе новинок Silicon Power в категории памяти на стенде демонстрировались карты Inspire microSDXC на базе флеш-памяти 3D TLC NAND, соответствующие классу скорости UHS-I U3 и V30 для записи видео с высоким разрешением 4K. Карты Inspire с поддержкой скорости последовательного чтения до 170 Мбайт/с и скорости записи до 160 Мбайт/с позиционируются производителем как решение, которое идеально подходит для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных — от захвата видео сверхвысокой чёткости с разрешением 4K на дронах и экшн-камерах до поддержки мобильных игр и создания профессионального контента на портативных игровых консолях. Карты памяти Silicon Power Inspire microSDXC доступны в вариантах объёмом 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт Наконец, Silicon Power продемонстрировал на Computex 2025 свои продвинутые решения SP Industrial, предназначенные для хранения и обработки данных для периферийных вычислений и автоматизации промышленности, обеспечивающие эффективность, надежность и быстродействие в реальном времени для индустрии 4.0. Samsung со следующего месяца прекратит поставки флеш-памяти типа MLC
27.05.2025 [07:36],
Алексей Разин
По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов. 
Источник изображения: Samsung Electronics В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована. Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности. Silicon Power выпустила линейку твердотельных накопителей Endura
24.04.2025 [09:00],
Андрей Созинов
Компания Silicon Power представила семейство твердотельных накопителей под названием Endura. Линейка включает четыре устройства с различными характеристиками, предназначенные для разных сценариев использования — от бытового до профессионального.  Все накопители новой серии базируются на флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечивающей высокую скорость работы и надежность благодаря многослойному расположению ячеек памяти. Производитель позиционирует новинки в качестве универсальных накопителей с оптимальным сочетанием производительности и надёжности при повседневном использовании. Все новинки покрывает пятилетняя гарантия производителя, что указывает на их высокую надёжность. В состав линейки вошли следующие модели: SP Endura E55 —2,5-дюймовый накопитель с интерфейсом SATA III. Это доступное устройство для массового пользователя обеспечивает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с и записи до 450 Мбайт/с, что в 15 раз быстрее стандартных жестких дисков. Доступны варианты емкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.  SP Endura E60 — накопитель с интерфейсом PCIe 3.0 x4, обеспечивающий скорость чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с. Устройство совместимо с NVMe 1.3 и поддерживает технологии LDPC и ECC для защиты данных. Производитель позиционирует этот SSD в качестве решения для производительных систем для работы и игр. Этот SSD также доступен в версиях объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт. SP Endura ED90 — высокопроизводительный SSD с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0. Он подойдёт для компьютеров для людей творческих профессий, создателей контента, а также систем, которые подразумевают интенсивную передачу данных. SSD обеспечивает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с. Доступны варианты емкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.  SP Endura ES75 — самая производительная модель новой линейки с интерфейсом PCIe 4.0, демонстрирующая скорость чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с. Устройство позиционируется как решение для профессионального использования, создания контента и мощных игровых компьютеров. Эти SSD доступны в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт. Накопители серии ED90 уже поступили в продажу в магазины торговой сети DNS. Информация о поступлении других моделей будет публиковаться в официальном Telegram-канале «Сила кремния». Китайцы разработали флеш-память со «сверхсветовой скоростью» — она в 100 000 раз быстрее обычного кеша
18.04.2025 [10:39],
Геннадий Детинич
В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» (Poxiao). Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки. 
Источник изображения: Nature Разработкой нового типа памяти учёные из Китая занимаются с 2015 года. В 2021 году они предложили базовую теоретическую модель, а в 2024 году разработали сверхбыстрое устройство флеш-памяти с длиной канала 8 нм, что превысило физический предел размера флеш-памяти на основе кремния, составлявший около 15 нм. Но размеры — не главное. Главное — это невообразимая скорость работы новой энергонезависимой ячейки, которая оказалась в 100 000 раз выше скорости ячейки SRAM. Учёные отметили, что классическая память на основе управления транзисторным каналом электромагнитным полем имеет фундаментальные ограничения для наращивания скорости записи и чтения. Электроны нужно «разогнать», чтобы заставить их перейти в ячейку памяти или покинуть её. Традиционные полупроводниковые материалы и воздействие на электроны полем делают всё это медленным по современным меркам. По большому счёту, мало что изменилось после изобретения полевого транзистора около 60 лет назад. Для ускорения буквально нужна другая физика. Китайские учёные предложили использовать в качестве канала графен или условно двумерный полупроводник — диселенид вольфрама (WSe₂). Оба материала ведут себя схожим образом, хотя и имеют отличия. Распределение управляющего электромагнитного поля вдоль каналов таково, что электроны поступают в ячейку «сильно перегретыми» — с крайне высокой для них энергией. В общем случае графен считается так называемым дираковским материалом, в котором электроны подчиняются квантовым уравнениям Дирака. Использование графена позволяет ускорить перемещение «горячих» электронов и дырок в ячейку памяти, минимизируя потери энергии. Фактически, в созданных условиях электрон как бы становится безмассовой частицей, что позволяет резко увеличить скорости записи и чтения. Работу о субнаносекундной флеш-памяти с 2D-улучшенной инжекцией горячих носителей (Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection) можно найти по этой ссылке. Она свободно доступна для прочтения. В составе новой памяти тонкий 2D-канал оптимизирует распределение горизонтального электрического поля, повышая эффективность инжекции. Ток инжекции достигает 60,4 пА/мкм при напряжении 3,7 В. Новая память выдерживает более 5,5 млн циклов записи и стирания. Скорости записи и чтения одинаковы — по 0,4 нс для каждого режима. Объём прототипа составляет около 1 килобайта. В течение пяти лет команда обещает увеличить ёмкость до десятков мегабайт, получить лицензию и начать выпуск коммерческих экземпляров. SanDisk предупредила о скором подорожании SSD — с 1 апреля цены на память NAND вырастут более чем на 10 %
10.03.2025 [13:55],
Николай Хижняк
Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов. 
Источник изображений: SanDisk По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.  Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года. Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
