Теги → флеш-память
Быстрый переход

Phison продаст Kingston свою долю в совместном предприятии и сосредоточится на разработках

Kingston Technology Company и Phison объявили сегодня, 14 июля, о заключении соглашения в рамках своего совместного предприятия под названием Kingston Solutions Inc. (KSI).

Подразделение KSI было сформировано ещё в 2010 году с целью ускорения вывода на рынок и внедрения встраиваемых флеш-накопителей eMMC (Embedded Multi-Media Card). Такие изделия применяются в различных мобильных устройствах, в частности, смартфонах, планшетных компьютерах и пр.

В 2013 году предприятие KSI привлекло инвестиции со стороны Toshiba. Отмечается, что совместная структура в процессе деятельности использовала достижения Phison в области контроллеров для флеш-накопителей и опыт Kingston на рынке памяти. Это позволило ускорить коммерциализацию новых продуктов и укрепить рыночные позиции.

По условиям нового договора, Phison продаст свою долю в совместном предприятии KSI компании Kingston. В результате последняя станет мажоритарным акционером данной структуры.

Ожидается, что продажа доли в совместном предприятии позволит Phison сосредоточить усилия на приоритетных направлениях — развитии передовых технологий, а также на научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах. 

Phison инвестирует в дочку Sony, занимающуюся системами хранения данных

По данным ресурса DigiTimes, тайваньский производитель контроллеров флеш-памяти, компания Phison Electronics собирается купить 49 % акций компании Nextorage. Последняя является дочерним подразделением Sony Storage Media Solutions (SSMS), образованным в октябре 2019 года.

Сумма сделки не разглашается. Ссылаясь на представителей Phison, источник указывает, что Nextorage станет частью партнерства Phison с Sony, направленного на разработку предназначенных для рынка Японии высококачественных средств хранения изображений. Сделка будет совершаться на фоне роста рынка цифровых изображений, создаваемых пользователями, а также растущего спроса со стороны тех, кто снимает видео для онлайн-сервисов, включая YouTube.

«Это долгосрочная беспроигрышная модель сотрудничества, которой придерживается Phison, — так описывает сделку тайваньский производитель. — Команда SSMS будет руководить работой и стратегическим направлением Nextorage, в то время как Phison поддерживает развитие технологий и системную интеграцию».

Как обычно бывает в таких случаях, запланированные инвестиции Phison в Nextorage сперва должны быть согласованы с регулирующими органами.

К слову, сетевые аналитики утверждают, что 12-канальный SSD-контроллер игровой приставки нового поколения PlayStation 5 был вероятнее всего разработан Phison.

Китайские накопители — в каждый дом: скоро YMTC представит свою марку SSD

Согласно недавнему отчету DigiTimes, компания YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) может вскоре запустить собственную марку SSD. Производитель флеш-памяти NAND из материкового Китая в последнее время делает огромные успехи в развитии рынка накопителей.

China Daily

China Daily

Как сообщается, Yangtze Memory уже в третьем квартале текущего года может присоединиться к Micron, SK Hynix, Kioxia и Samsung в деле выпуска собственных готовых твердотельных накопителей на базе своих чипов. Первые решения, как сообщается, будут основаны на 64-слойной флеш-памяти 3D TLC NAND.

В будущем компания сможет перейти к 96- и 128-слойным чипам, производством которых она занимается. Учитывая тот факт, что компания Phison уже выпустила контроллеры с поддержкой чипов YMTC, вполне вероятно, что китайский производитель памяти будет использовать именно их в своих накопителях. Впрочем, может быть применён и контроллер GK2302V200 от китайской Goke Micro, который тоже поддерживает чипы YMTC.

Yangtze Memory является одной из успешных восходящих звёзд китайской индустрии высоких технологий. Компания выступает бенефициаром государственных инвестиций в рамках плана правительства Китая по ликвидации зависимости от иностранного компьютерного оборудования и развития собственной высокотехнологической отрасли.

Кстати, чисто китайские SSD с чипами компании Yangtze Memory уже выпускаются, правда пока под сторонней маркой: в мае Goke Micro представила свой первый твердотельный накопитель 331C-Y на 64-слойной памяти YMTC.

Team Group выпустила флеш-накопитель T-Force Spark RGB

Компания Team Group сообщила о начале продаж новых устройств хранения данных на основе флеш-памяти — изделий T-Force Spark RGB и Elite SDXC.

T-Force Spark RGB — это флеш-брелок, оборудованный выдвижным коннектором USB. Благодаря такой конструкции устройству не требуется защитный колпачок.

Накопитель наделён многоцветной подсветкой. В среде Windows синий, жёлтый, и красный сигналы отображают уровень оставшегося свободного места при чтении и записи данных.

Вместимость составляет 128 Гбайт. Накопитель выполнен в корпусе чёрного цвета. Цена — 25 долларов США.

Карты памяти Elite SDXC, в свою очередь, предлагаются в версиях ёмкостью 64, 128 и 256 Гбайт. Эти изделия стоят соответственно 15, 23 и 41 доллар США.

Карты памяти Elite SDXC способны работать в широком диапазоне температур и имеют защиту от влаги, сотрясений, статического электричества и рентгеновских лучей.

Поддержка спецификации UHS-I Class 30 (V30) обеспечивает скорость чтения/записи до 90/45 Мбайт/с. 

Коронавирус откроет новые возможности перед китайским производителем флеш-памяти

В прошлом году средняя цена реализации твердотельной памяти сократилась на 46 %, что заставило многих производителей сократить капитальные расходы и заморозить планы по расширению мощностей. Вспышка коронавируса подогрела спрос, который теперь не так просто удовлетворить. Эти условия позволят китайским игрокам рынка 3D NAND проявить себя.

Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Соображениями на этот счёт делятся специалисты аналитического агентства TrendForce. Недавнюю новость о готовности китайской компании Yangtze Memory Technology Corporation (YMTC) начать поставки 128-слойной памяти типа 3D NAND эксперты считают значимой для этого производителя. Если взглянуть на производственные программы других участников рынка, то массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND сейчас освоили только Samsung и SK Hynix. Компании Kioxia, Intel и Micron сделают это только во втором полугодии. К концу года YMTC сможет выступать на равных с отраслевыми гигантами, хотя ранее она выступала в роли догоняющей.

Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Как отмечают эксперты TrendForce, у YMTC в этой ситуации есть важное преимущество: она не обременена «наследием прошлых лет», когда падение цен на память вынудило производителей сократить объёмы производства. Напротив, в течение двенадцати месяцев в строй будет введено предприятие YMTC в Чэнду, а к существующему предприятию в Ухане присоединятся два дополнительных. В то время как конкуренты будут застигнуты врасплох последствиями коронавируса, YMTC сможет нарастить объёмы выпуска твердотельной памяти, и уже в следующем году начнёт оказывать влияние на мировой уровень цен — ожидаемо, в сторону их снижения.

Samsung ускоряет разработку 160-слойной памяти 3D NAND

На этой неделе китайская компания YMTC сообщила о разработке 128-слойной флеш-памяти 3D NAND рекордного объёма. Китайцы пропустят этап производства 96-слойной памяти и в конце года сразу начнут выпускать 128-слойную память. Тем самым они выйдут на уровень лидеров отрасли, что равноценно размахиванию красной тряпкой перед глазами быка. И «быки» отреагировали как положено.

Южнокорейский сайт ETNews сегодня сообщил, что компания Samsung ускорила разработку 160-слойной 3D NAND (или V-NAND, как называют в компании многослойную флеш-память). У Samsung это называется стратегия «суперзазора» или игра на упреждение, что должно помочь южнокорейским технологическим лидерам оставаться впереди конкурентов. Поскольку успешность Samsung лежит в основе южнокорейской экономики, это вопрос процветания целой нации, поэтому в компании серьёзно относятся к своей работе.

Память со 100+ слоями Samsung представила в августе прошлого года. Можно считать, что компания уже третий квартал подряд выпускает условно 128-слойную память (точное число слоёв доподлинно остаётся неизвестным). Следующей на сцене должна появиться память Samsung с 160 или даже с большим числом слоёв. Она будет относиться к 7-му поколению памяти V-NAND. По слухам, компания добилась значительного прогресса в деле её разработки. Есть мнение, что Samsung первой покорит рубеж в 160 слоёв, как это произошло со всеми предыдущими поколениями памяти 3D NAND.

Важный этап для Китая: YMTC представила 128-слойный чип флеш-памяти

Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) официально представила свой первый 128-слойный чип флеш-памяти. Это знаменует преодоление важного этапа в усилиях страны по развитию отечественного полупроводникового сектора.

China Daily

China Daily

YMTC сообщила, что образцы её 128-слойной микросхемы флеш-памяти 3D NAND уже прошли проверку на платформах твердотельных накопителей благодаря сотрудничеству с несколькими партнёрами, выпускающими контроллеры. Компания утверждает, что её чип, получившей название X2-6070, достиг самой высокой плотности данных и максимальной ёмкости среди всех доступных сегодня на рынке чипов 3D NAND.

Старший вице-президент по маркетингу и продажам YMTC Грейс Гонг (Grace Gong) заявил, что компания смогла добиться этих результатов благодаря беспрепятственному сотрудничеству с мировыми партнёрами по отрасли, а также внушительному вкладу сотрудников. «YMTC с запуском Xtacking 2.0 теперь готова построить новую деловую экосистему, в которой наши партнёры могут использовать свои сильные стороны и достичь взаимовыгодных результатов», — добавил руководитель.

Архитектура Xtacking являлась собственной разработкой компании и позволяла создавать 64-слойные чипы NAND — их массовое производство началось в прошлом году. По словам компании, технология Xtacking была обновлена ​​до версии 2.0, что дало целый ряд преимуществ для семейства 128-слойных продуктов.

«Эти чипы вначале будет использоваться в твердотельных накопителях потребительского уровня, а в конечном итоге будут распространены на серверы и центры обработки данных корпоративного класса для удовлетворения разных потребностей в системах хранения данных в эпоху 5G и ИИ», — подчеркнул господин Гонг.

YMTC является подразделением китайского полупроводникового гиганта Tsinghua Unigroup и выступает ключевым звеном в стратегии китайского правительства по снижению сильной зависимости от зарубежной полупроводниковой индустрии.

На долю Samsung приходится половина выручки всего рынка чипов памяти для смартфонов

Компания Strategy Analytics подвела итоги исследования мирового рынка чипов памяти для смартфонов в 2019 году: объём отрасли составил приблизительно $39,3 млрд. Представленные данные учитывают отгрузки флеш-накопителей NAND, а также модулей оперативной памяти DRAM.

Бесспорным лидером отрасли является Samsung Memory с долей около 47 % в денежном выражении. Далее следуют SK Hynix и Micron. Сообща эти три производителя в 2019 году заняли примерно 84 % глобального рынка чипов памяти для смартфонов в плане выручки.

Если рассматривать сегмент NAND, то годовой доход здесь сократился на 29 % по сравнению с 2018-м. Компания Samsung Memory контролирует приблизительно 42 % данного сектора. На втором и третьем местах находятся Kioxia и SK Hynix с долями в 22 % и 16 % соответственно.

В секторе DRAM суммарная выручка за год уменьшилась на 27 %. Половину рынка — 51 % — контролирует Samsung Memory. Следом идут SK Hynix с долей в 29 % и Micron с долей в 19 %.

В текущем году на глобальный рынок чипов памяти для смартфонов серьёзное влияние окажет коронавирус. Распространение этого заболевания привело к значительному снижению спроса на «умные» сотовые аппараты. А следовательно, сократятся заказы на изделия NAND и DRAM для мобильных устройств. 

Samsung приступила к производству наибыстрейших eUFS-накопителей для смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых быстрых в отрасли микросхем флеш-памяти с интерфейсом eUFS 3.1. Эта память нацелена как на флагманские смартфоны, так и на тонкие ноутбуки. Новинка обеспечит в три раза большую скорость записи, что станет находкой для любителей фотографий с большим разрешением и ценителей видео с разрешением 8K.

Скорость записи на чипы Samsung с шиной eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гбайт пробивает психологический барьер в 1 Гбайт/с и достигает 1,2 Гбайт/с в режиме устоявшейся записи. Аналогичная продукция компаний WDC и Toshiba способна показать скорость записи до 800 Мбайт/с. Микросхемы памяти с интерфейсом eUFS 3.0 показывали ещё меньшую скорость записи ― до 400 Мбайт/с. Тем самым Samsung утроила этот параметр, что выглядит весьма впечатляюще.

С подобной скоростью фильм объёмом 100 Гбайт можно переписать за 1,5 минуты, тогда как в случае накопителя eUFS 3.0 запись длилась бы 4 минуты. Пакет больших фотографий на смартфоне или видео с разрешением 8K на ноутбуке ― всем этим станет легче оперировать, когда новая память Samsung проникнет в устройства.

Устоявшаяся скорость чтения с новых микросхем Samsung осталась на уровне микросхем предыдущего поколения и достигает 2,1 Гбайт/с. Теоретический предел скорости обмена по интерфейсу UFS 3.1 достигает 2,9 Гбайт/с, так что производителям ещё есть над чем работать.

Следует сказать, что спецификации eUFS 3.1 по сравнению со спецификациями eUFS 3.0 не предполагают рост скорости обмена до нового значения, хотя оставляют лазейку для увеличения скорости записи. Вероятно, этим и воспользовалась компания Samsung. В частности, спецификации eUFS 3.1 предусматривают наличие буфера для записи. Очевидно, это ускорит запись до какого-то определённого объёма информации, а после переполнения буфера скорость может снизиться, но нам это ещё предстоит узнать. Пока же чипы Samsung eUFS 3.1 объёмом 512 Гбайт, 256 Гбайт и 128 Гбайт остаются самыми быстрыми в индустрии.

Добавим, скорость записи случайных блоков в терминах IOPS выросла незначительно ― всего на 3 % с 68 000 до 70 000. Скорость чтения случайных блоков в IOPS увеличилась внушительно ― на 60 % с 63 000 до 100 000. В новых смартфонах эта память появится не раньше, чем во второй половине этого года.

KIOXIA — новое имя легендарной Toshiba Memory, давшей миру флеш-память

Нынешний мир трудно представить без технологий энергонезависимой памяти. Флеш-память окружает нас со всех сторон, мы пользуемся ей каждый день, даже не замечая этого. А подарила миру эту технологию компания KIOXIA, известная ранее под именем Toshiba Memory. Ещё в июле прошлого года Toshiba Memory Europe заявила о смене названия на  KIOXIA Europe. Новое имя получили все подразделения, ранее действовавшие под брендом Toshiba Memory. Осенью того же года, 1 октября, был объявлен запуск нового бренда и начало деятельности компании под новым именем. А совсем недавно название KIOXIA получило официальный статус. Подробнее о KIOXIA →

Western Digital iNAND MC EU521: модули памяти UFS 3.1 для 5G-смартфонов

Компания Western Digital анонсировала модули флеш-памяти iNAND MC EU521, рассчитанные на использование в смартфонах топового уровня с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G).

Представленные изделия соответствуют стандарту UFS 3.1 (Universal Flash Storage), который обеспечивает высокую производительность и небольшое энергопотребление.

В основу модулей iNAND MC EU521 положены 96-слойные микрочипы 3D NAND. Заявленная скорость записи информации достигает 800 Мбайт/с.

В настоящее время в семейство входят модули вместимостью 128 Гбайт и 256 Гбайт. В дальнейшем, по всей видимости, будут представлены изделия ёмкостью 512 Гбайт.

Размеры составляют 11,5 × 13 × 1,0 мм. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Помимо 5G-смартфонов, называются и другие сферы применения модулей iNAND MC EU521: это устройства виртуальной и дополненной реальности, планшеты, хромбуки, камеры высокого разрешения и пр. 

Adata: коронавирус не сможет остановить рост цен на флеш-память

Несмотря на обеспокоенность наблюдателей рынка по поводу вспышки коронавируса в Китае, негативно отразившейся на потребительском спросе в первом квартале 2020 года, глава Adata Technology Саймон Чен (Simon Chen, на фото ниже) заявил, что цены на флеш-память DRAM и NAND после завершения эпидемии продолжат повышаться.

Согласно прогнозу Чена, спрос на флеш-память возобновит рост к маю или июню, если вспышку коронавируса удастся пресечь. По словам главы Adata, вспышка заболевания ударит по продажам флеш-памяти в обычных магазинах, но эти потери будут перекрыты резким ростом онлайн-продаж.

Цены на флеш-память NAND начали рост в четвёртом квартале 2019 году, увеличившись с тех пор на 30–40 %.

В конце 2019 года ежемесячные доходы Adata от продаж твердотельных накопителей выросли более чем в два раза, составив более 30 % от общих доходов компании.

Между тем южнокорейская фирма SK Hynix проявляет осторожность в своих прогнозах в отношении последствий вспышки коронавируса, полагая, что ситуация на рынке сохранит неопределённость в ближайшем будущем. Из-за опасений по поводу воздействия эпидемии на китайский рынок SK Hynix планирует сократить свои капитальные затраты на 2020 год.

Эксперты отметили высокую экологичность флеш-памяти Samsung

Британская организация Carbon Trust, занимающаяся оценкой выбросов углерода и потребления воды при промышленном производстве, провела сертификацию модулей флеш-памяти Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. По словам Samsung, это первые в отрасли мобильные флеш-накопители, прошедшие подобную сертификацию.

По оценке экспертов, на производство одного мобильного модуля памяти eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт необходимо 310 литров воды, а выбросы углерода при этом составляют 13,4 кг. На первый взгляд кажется, что это довольно много, но на самом деле полупроводниковое производство является довольно «чистым». Для сравнения, производство, эксплуатация в течение трёх лет и утилизация iPhone 11 со 128 Гбайт памяти, по оценке самой Apple, обеспечивает 77 кг углеродных выбросов.

Samsung отметила, что продолжит внедрять технологии, обеспечивающие снижение влияния её производства на окружающую среду. Также было отмечено, что своей высокой экологичностью накопители eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт обязаны «уникальной технологии литографии» и компоновке из более чем 90 слоёв.

Кстати, высокой экологичностью обладают не только чипы Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. На днях Министерство охраны окружающей среды Кореи присвоило накопителям Samsung eUFS 2.1 объёмом 1 Тбайт и микросхемам флеш-памяти Samsung V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт сертификат Экологической декларации продукции (EPD), который также указывает на низкие выбросы при производстве этих устройств.

Kioxia создала первый UFS-модуль ёмкостью 512 Гбайт для автомобильных систем

Компания Kioxia (ранее — Toshiba Memory) сообщила о разработке первого в отрасли модуля встраиваемой флеш-памяти UFS на 512 Гбайт, предназначенного для использования в автомобильной сфере.

Представленное изделие соответствует спецификации универсальных флеш-накопителей JEDEC версии 2.1. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Важно отметить, что модуль характеризуется повышенной надёжностью, что важно с учётом сферы его применения. Так, технология Thermal Control защищает изделие от перегрева в условиях высоких температур, которые могут возникать в автомобильных системах. Функция Extended Diagnosis помогает центральному процессору легко определять состояние устройства. Наконец, технология Refresh может использоваться для обновления данных, находящихся в UFS-модуле, и помогает увеличить продолжительность их хранения.

При создании модуля компания Kioxia объединила в одном корпусе 3D-флеш-память BiCS Flash собственной разработки и контроллер. Изделие может применяться в составе бортовых информационно-развлекательных комплексов, цифровых приборных кластеров, средств обработки и передачи информации и ADAS-решений.

Добавим, что семейство автомобильных UFS-модулей Kioxia также включает изделия вместимостью 16, 32, 64, 128 и 256 Гбайт. 

Износ флеш-памяти убивает старые электромобили Tesla

Общие проблемы, которые возникают у автомобилей с двигателями внутреннего сгорания в процессе эксплуатации, достаточно хорошо известны. Касаемо электрокаров многие считали, что срок службы такого транспорта будет значительно более продолжительным, поскольку в конструкции используется меньше движущихся частей. Теперь же сетевые источники сообщают, что некоторые электронные устройства внутри электрокаров Tesla создают проблемы владельцам.

В процессе эксплуатации электрокара фиксируются разные данные, которые записываются в журнал, хранящийся в модуле флеш-памяти, расположенном в блоке управления MCU. Вероятно, электрокары фиксируют слишком много информации. Поскольку фиксируемые данные постоянно перезаписываются, это приводит к постепенному износу флеш-памяти.

Кроме того, производитель периодически интегрирует новые функции в авто, что также приводит к уменьшению места для хранения данных журнала. В результате некоторые сектора памяти страдают от большого количества данных, записываемых за короткий промежуток времени, что ещё больше ускоряет процесс износа. Поскольку Tesla сильно зависит от электроники, когда флеш-память в информационно-развлекательной системе выходит из строя, фактически происходит блокировка всей машины.

Несколько месяцев назад, когда о данной проблеме стало известно впервые, Tesla не смогла предложить какое-либо решение владельцам электрокаров. В результате автовладельцам пришлось самостоятельно заниматься заменой модуля памяти. Теперь же производитель готов решить проблему путём замены всего блока управления MCU. Для тех, чьи электрокары находятся на гарантии, замена блока управления будет бесплатной, а устранение проблемы после истечения срока гарантийного обслуживания будет стоить от $1800 до $3000 в зависимости от местоположения авто. Что касается новых электрокаров Tesla, то в них используются современные модули памяти, более устойчивые к износу. Однако это не гарантирует того, что в будущем владельцы электрокаров Tesla не столкнутся с данной проблемой.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥