Сегодня 25 июля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → флеш-память
Быстрый переход

Kioxia приступила к массовому производству передовой 218-слойной памяти 3D NAND

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia к 2027 году рассчитывает увеличить количество слоёв 3D NAND до 1000 штук

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм2. Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

Kioxia впервые за 20 месяцев перестала сокращать объёмы выпуска флеш-памяти

В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Western Digital показала кристаллы 3D QLC NAND объёмом 2 Тбит — очень ёмкие и доступные SSD уже не за горами

Western Digital на конференции инвесторов предварительно представила первый в мире кристалл памяти 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт). Новая флэш-память потенциально может изменить рынок твердотельных накопителей, позволяя создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные SSD большой ёмкости. Кристалл производится по отработанному 218-слойному производственному процессу BiCS8 и имеет настолько крошечные размеры, что легко помещается на кончике пальца.

 Источник изображений: Western Digital

Источник изображений: Western Digital

«Я очень рад поделиться с вами предварительным обзором кристалла BiCS8 2Tb 3D QLC, — заявил генеральный менеджер подразделения флэш-памяти Western Digital Роберт Содербери (Robert Soderbery). — Мы разработали этот кристалл для удовлетворения потребностей центров обработки данных и систем хранения данных искусственного интеллекта. Вскоре мы собираемся анонсировать этот продукт, но я хочу поделиться им с вами сегодня. Это кристалл памяти с самой высокой ёмкостью в мире».

«Обычно мы показываем вам пластину, но мне показалось, что вид пластины не совсем передаёт то, чего мы достигли, — сказал Содербери. — Итак, я хочу показать вам кристалл. Пожалуйста, увеличьте масштаб того, что я держу здесь на пальце. Это размер кристалла, намного меньше чем кончик моего пальца».

Микросхема 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит является огромным достижением по сравнению с «базовым» продуктом 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, изготовленном на основе той же 218-слойной производственной технологии BiCS8. На данный момент компания не предоставила информации об архитектуре нового чипа и скоростных характеристиках, но поделилась сравнительными показателями производительности и энергопотребления.

3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт) позволит производителям создавать SSD ёмкостью 1 Тбайт, используя всего четыре кристалла памяти. В производители уже научились упаковывать до 16 кристаллов в один корпус — с новыми кристаллами WD можно получить ёмкость 4 Тбайт в одном чипе. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут наладить массовое производство 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, новинка может существенно повлиять на стоимость твердотельных накопителей большой ёмкости.

Western Digital заявляет, что плотность её кристаллов QLC на 15–19 % выше, чем у конкурентов. По утверждению компании, новинка на 50 % быстрее и требует на 13 % меньше энергии на 1 Гбайт хранимой информации, чем конкуренты.

Официальный анонс 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит ожидается в ближайшее время.

Рынок флеш-памяти NAND показал рекордные продажи в первом квартале — Micron выросла сильнее всех и обогнала WD

Выручка отрасли производства флеш-памяти NAND в первом квартале текущего года достигла более $14,7 млрд — это самый высокий квартальный показатель за последние годы. При этом Micron обогнала одного из лидеров рынка в лице Western Digital благодаря наращиванию поставок SSD для ИИ-серверов. Флэш-память остаётся одним из самых быстрорастущих сегментов рынка полупроводников.

 Источник изображения: Wikipedia

Источник изображения: Wikipedia

Согласно отчету аналитической компании TrendForce, в первом квартале 2024 года наблюдался значительный рост на рынке флэш-памяти NAND. Выручка отрасли увеличилась на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $14,71 млрд.

Основными драйверами роста стал высокий спрос на твердотельные накопители (SSD) для корпоративных серверов, нацеленных на задачи искусственного интеллекта. Также запасы флэш-памяти наращивали производители ПК и смартфонов, а также операторы дата-центров. Последние постоянно стремятся компенсировать ожидаемый дальнейший рост цен.

 Источник изображений: TrendForce

Источник изображений: TrendForce

Лидером рынка остается Samsung с долей 37 %, выручка компании от продаж NAND выросла на 28,6 % до $5,4 млрд. На втором месте оказалась SK Group (SK Hynix + Solidigm) с долей 22 % и ростом выручки на 31,9 % до $3,27 млрд. Третье и четвертое место занимают Kioxia и Micron с долями 12 % и 13 % соответственно.

Micron смогла обогнать Western Digital благодаря более низким ценам и активному наращиванию поставок SSD для дата-центров. Выручка Micron выросла на 51,2 %, что является самым высоким показателем среди лидеров отрасли.

Эксперты TrendForce прогнозируют сохранение положительной динамики и во втором квартале — ожидается рост выручки отрасли почти на 10 %. Отмечается, что этому будут способствовать дальнейшее увеличение контрактных цен на флэш-память (+15 %) и расширение использования SSD корпоративным сегментом.

SK hynix представила флеш-память Zoned UFS (ZUFS) 4.0, оптимизированную для работы ИИ на мобильных устройствах

Компания SK hynix разработала новый тип мобильной флеш-памяти Zoned UFS (ZUFS) 4.0, предназначенный для ускорения выполнения задач, связанных с работой ИИ-алгоритмов на смартфонах и других мобильных устройствах.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

ZUFS 4.0 — это тип флеш-памяти NAND, которая оптимизирует управление данными на устройствах с технологиями искусственного интеллекта. Достигается это за счёт классификации и хранения данных, связанных с ИИ, в определённых зонах устройства хранения в соответствии с характеристиками смартфона. Такой метод целевого хранения данных, в отличие от обычной флеш-памяти UFS, повышает скорость и эффективность доступа к данным для операционной системы смартфона, а также для приложений искусственного интеллекта.

SK hynix заявляет, что флеш-память ZUFS 4.0 ускоряет запуск приложений на смартфонах до 45 % по сравнению с обычной флеш-памятью UFS. Кроме того, новая технология значительно снижает процесс деградации производительности операций чтения и записи, продлевая жизненный цикл устройства хранения данных на 40 %.

Компания сообщает, что приступила к разработке флеш-памяти ZUFS в 2019 году, предвидя растущий спрос на высокопроизводительные решения хранения данных для искусственного интеллекта на мобильных устройствах.

SK hynix начнёт массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.0 в третьем квартале 2024 года.

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Kioxia планирует начать массовое производство 1000-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND к 2031 году

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

YMTC увеличила ресурс перезаписи флеш-памяти QLC до уровня старой TLC

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

Контрактные цены на память типа NAND во втором квартале вырастут на 13–18 %

По мнению специалистов TrendForce, во втором квартале контрактные цены на микросхемы NAND вырастут сразу на 13–18 %, и сильнее всего это скажется на стоимости твердотельных накопителей корпоративного класса. Из производителей NAND сейчас активнее всего наращивают объёмы выпуска Kioxia и Western Digital, остальные пока придерживаются консервативной стратегии. В первом квартале цены должны вырасти на 23–28 %.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

В этом отношении снижение темпов роста контрактных цен на флеш-память можно объяснить снижением спроса во втором квартале, но оно будет не столь существенным, чтобы переломить общую тенденцию к росту цен. Контрактные цены на микросхемы eMMC в первом квартале могут вырасти на 25–30 %, во втором квартале они вырастут ещё на 10–15 %, поскольку китайские производители смартфонов после опустошения складских запасов возобновляют закупку этих модулей памяти.

Память типа UFS востребована производителями смартфонов, реализующих свою продукцию на территории Индии и Юго-Восточной Азии, поэтому и её контрактная стоимость вырастет во втором квартале на 10–15 %. Цены на твердотельные накопители в корпоративном и потребительском сегменте в первом квартале выросли на 23–28 %, но во втором квартале именно корпоративный сегмент сохранит более высокую динамику цен на SSD, в диапазоне от 20 до 25 %. Это связано с тем, что клиенты в этом сегменте рынка стараются сформировать увеличенные запасы накопителей ко второму полугодию, когда они им понадобятся. В клиентском сегменте снижается спрос на SSD в связи с сезонными явлениями, цены во втором квартале вырастут от силы на 10–15 %.

Цены на кремниевые пластины с микросхемами 3D NAND в первом квартале выросли на 23–28 %, как считают аналитики TrendForce, а во втором спрос и предложения будут лучше сбалансированы, из-за чего рост цен на кремниевые пластины ограничится 5–10 %, во многом из-за снижения спроса на розничном рынке.

WD создала SSD на памяти QLC, которые оказались быстрее SSD на базе TLC

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

 Источник изображений: Western Digital

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

 Источник изображения: Tom's Hardware

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Western Digital заявила, что успешно идёт к отделению бизнеса по выпуску флеш-памяти

Условия ведения бизнеса порой меняются так, что компании вынуждены пересматривать ранее принятые решения и менять их на противоположные. Купив в 2016 году за $19 млрд компанию SanDisk, сейчас Western Digital готовится отделить бизнес по выпуску флеш-памяти от бизнеса по выпуску жёстких дисков. Подготовка к завершению реструктуризации идёт полным ходом и завершится разделением компании во второй половине этого года.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Об этом на страницах официального сайта Western Digital сообщил генеральный директор Дэвид Геклер (David Goeckeler). Соответствующее решение было принято в конце октября прошлого года — как считается, в результате провала инициативы Western Digital по покупке активов компании Kioxia, выпускающей твердотельную память. Сейчас, по словам Геклера, его компания успешно разделяет документооборот с клиентами между будущими независимыми компаниями, на которые Western Digital поделится во втором полугодии. Во всех 18 странах присутствия ведётся реформирование организационной структуры и бизнес-процессов. Компания также готовится к подаче необходимых документов государственным регуляторам в регионах присутствия, включая США.

Выбран уже и кандидат на пост генерального директора компании, которая после разделения бизнеса Western Digital продолжит выпускать жёсткие диски. Её возглавит действующий исполнительный вице-президент по глобальным операциям Ирвинг Тан (Irving Tan), занимающий эту должность с февраля 2020 года. Прочие кадровые назначения будут сделаны ближе к моменту завершения реструктуризации компании.

Флеш-память NAND продолжит дорожать, чтобы производители вернулись к прибыльности — ещё как минимум на 40–50 %

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Производители флеш-памяти добились своего — SSD к концу года начнут дорожать

В этом году на снижение объёмов выпуска памяти типа NAND решилась даже лидирующая на рынке компания Samsung Electronics, хотя на фоне конкурентов она в этом смысле держалась дольше всех. Невольная консолидация участников рынка в таком решении принесла свои плоды и, как отмечает TrendForce, в четвёртом квартале контрактные цены на твердотельную память в целом вырастут на 8–13 %.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Дальнейшая динамика цен, по мнению экспертов, будет зависеть от наличия спроса на твердотельные накопители в серверном сегменте. Если он проявит себя на фоне интереса корпоративных клиентов к теме искусственного интеллекта, то цены на твердотельную память в следующем году продолжат расти.

В потребительском сегменте на рынке SSD, как считают аналитики TrendForce, контрактные цены на накопители вырастут в четвёртом квартале на те же самые 8–13 %. Что характерно, цены будут расти как на изделия начального уровня, так и на дорогие. Накопленные складские запасы продукции, по сути, оставляют мало запаса для дальнейшего снижения цен на клиентские SSD. Производители ПК создали запас накопителей, превышающий реальную потребность конечного рынка, и пока рост цен возможен лишь в отдельных нишах.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Непосредственно в серверном сегменте, как поясняет TrendForce, спрос начал расти уже во втором полугодии, хотя крупные облачные провайдеры в США всё ещё располагают существенными запасами накопителей данных. В Китае спрос тоже начал расти, поскольку уровень складских запасов среди местных облачных провайдеров снизился до разумных значений. К тому же близость сезона осенних распродаж заставляет китайских интернет-гигантов заблаговременно вкладываться в модернизацию технической инфраструктуры. В целом в четвёртом квартале провайдеры должны вернуться к закупкам серверных накопителей в достаточно крупных количествах. Контрактные цены на SSD в серверном сегменте в четвёртом квартале вырастут на 5–10 %, по мнению представителей TrendForce.

В сегменте eMMC, ориентированном на встраиваемые решения, контрактные цены на твердотельные накопители в текущем квартале вырастут на 10–15 %, поскольку здесь и складские запасы ниже, и объёмы производства ниже, поэтому для продавцов складываются более благоприятные условия. На рынке карт памяти (UFS) рост контрактных цен в четвёртом квартале тоже достигнет 10–15 %, поскольку участники рынка в большинстве своём уже исчерпали дальнейшие возможности для снижения цен. Контрактные цены на кремниевые пластины для выпуска памяти типа 3D NAND вырастут в текущем квартале на 13–18 %, поскольку предшествующие снижения объёмов поставок создали для этого необходимые условия.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Stability AI представила генератор 4D-видео Stable Video 4D 16 мин.
Релиз Fallout: London ближе, чем можно было подумать — мод для Fallout 4 размером с аддон получил новую дату выхода 2 ч.
CrowdStrike решила загладить вину за глобальный сбой ПК подарочными картами на $10, но они не работают 3 ч.
Победа: разработчики Apex Legends отменили скандальное изменение боевых пропусков на фоне массовой критики 3 ч.
CrowdStrike обвинила в недавнем глобальном сбое ПК на Windows баг в ПО для тестирования апдейтов 4 ч.
«Это издевательство над фанатами Borderlands»: финальный трейлер фильма «Бордерлендс» разозлил игроков 5 ч.
Журналисты нашли подтверждение существования ПК-версии Stellar Blade 6 ч.
Стратегия Ratten Reich отправит игроков в мир бесконечных войн крыс, мышей, ящериц и тараканов — трейлер с датой выхода в раннем доступе Steam 7 ч.
В X теперь можно получить сводку от ИИ о любом пользователе, но алгоритм часто ошибается 7 ч.
Госдума приняла законопроект о майнинге в первом чтении — добычу криптовалют в некоторых регионах РФ могут запретить 8 ч.
Intel так и не нашла истинную причину нестабильности Raptor Lake, хотя заявила об обратном 2 ч.
Новая статья: Предварительный обзор очков дополненной реальности Acer AR Vision G500 2 ч.
Электрические спорткары Xiaomi SU7 Ultra начнут массово выпускаться в первой половине 2025 года 3 ч.
Разгадку тайны тёмной материи учёные поискали в аномалиях пульсаров 7 ч.
На старте продаж Ryzen 9000 обзоров будет мало — многие СМИ ещё не получили образцы 7 ч.
В Atos назначен новый гендиректор — шестой за три года 8 ч.
AMD представила самый мощный процессор Ryzen AI 300 — у него 12 ядер Zen 5 и 5c, а также NPU на 55 TOPS 8 ч.
AWS закупит топливные элементы Bloom Energy на 20 МВт для будущего ЦОД в Кремниевой долине 9 ч.
Илон Маск показал суперкомпьютер Dojo для обучения автопилота Tesla — он эквивалентен 8000 ИИ-ускорителей Nvidia H100 9 ч.
AOC представила 27-дюймовый офисный монитор U27B3CF с 4K и разъёмом USB-C 9 ч.