Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее
23.10.2026 [16:15],
Владимир Мироненко
Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить передачу информации на 50 %, одновременно снизив энергозатраты. Новая память рассчитана в том числе на будущие ИИ-системы, а её массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года. 
Источник изображения: Micron «Мы занимаем очень прочные позиции благодаря нашей технологии NAND девятого поколения (Gen 9), и это лидерство сохранится в одиннадцатом поколении (Gen 11). Это значительный качественный скачок. Мы оптимизировали эту память — целенаправленно подготовили ее для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта; именно поэтому мы переходим с 9-го сразу на 11-е поколение», — сообщил в ходе вебинара президент и директор по технологиям и продуктам Micron Скотт ДеБур (Scott DeBoer). Исходя из ранее озвученного показателя плотности записи для G9 (тип TLC) — 21 Гбит/мм2 — эксперты ComputerBase оценивают плотность записи данных для G11 примерно в 42 Гбит/мм2. Они отмечают, что это лишь оценочное значение. Кроме того, следует учитывать, что чипы типов TLC и QLC нельзя сравнивать напрямую, а Micron не уточнила, о каком типе памяти идёт речь. В поколении G11 также будет использоваться технология соединения пластин wafer-on-wafer bonding, при которой массив ячеек памяти и схема ввода-вывода (I/O) производятся на отдельных пластинах, а затем соединяются друг с другом. Первой этот подход внедрила компания YMTC, за ней последовали Kioxia, SanDisk и Samsung. Компания также сообщила, что скорость интерфейса возрастёт на 50 % по сравнению с поколением G9. Учитывая, что для G9 этот показатель составляет 3,6 Гбит/с, для G11 он достигнет примерно 5,4 Гбит/с. Для сравнения: по данным ComputerBase, скорость передачи данных у BiCS10 составляет 4,8 Гбит/с, а для своего поколения V10 Samsung указала показатель 5,6 Гбит/с. Micron также сообщает, что энергозатраты на передачу одного бита данных у поколения G11 будут более чем на четверть ниже, чем у G9. По заявлению Micron, массовое производство памяти G11 NAND начнётся во второй половине 2027 года. Следовательно, потребительские SSD на её основе появятся ещё позже. В дорожной карте компании нет упоминания о поколении G12, хотя сообщается об «архитектуре ячеек сверхвысокой плотности» (Ultra Dense cell architecture) и «прорывном материале с высокой подвижностью носителей заряда». Как полагает ComputerBase, это указывает на уменьшение размера ячеек (или шага их размещения) и, вероятно, на замену каналов из поликремния материалом, обеспечивающим более высокую подвижность электронов. Samsung и SK hynix собрались выпускать более современную NAND в Китае — без нарушения санкций США
21.10.2026 [13:05],
Алексей Разин
Samsung и SK hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы выпускать более современную NAND-память, несмотря на экспортные ограничения США. Samsung рассчитывает наладить в Сиане производство 286-слойных чипов, а SK hynix намерена перейти в Даляне на выпуск памяти как минимум со 240 слоями. При этом Samsung обязуется перед США не расширять имеющиеся мощности, а SK hynix этого принципа придерживается по условиям договорённостей с властями США от 2022 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Значительную часть своей твердотельной памяти южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix продолжают производить на территории КНР. Существуют ограничения на поставки определённых видов импортируемого оборудования для выпуска памяти на территорию Китая, поэтому модернизировать имеющиеся производства этим компаниям будет непросто, но они всё же намерены это сделать. Помимо высокого спроса на память NAND на мировом рынке, актуальность такой модернизации повышается и активностью китайских производителей, которые уже наступают на пятки южнокорейским и американскому конкурентам. Правила экспортного контроля США ограничивают ассортимент поставляемого в Китай оборудования для выпуска памяти с 2022 года. Поставки оборудования американского происхождения в Китай сейчас требуют от Samsung и SK hynix ежегодного получения экспортных лицензий в США. В прошлом году власти США дали понять, что не собираются выдавать лицензии, которые позволили бы зарубежным производителям чипов модернизировать технологии их выпуска и расширять мощности на территории Китая. Как отмечает Reuters, представители Samsung подтвердили, что модернизация китайского предприятия компании в Сиане осуществляется, причём делается это при тесных консультациях с Вашингтоном. SK hynix также подтвердила, что устанавливает оборудование на своём предприятии в китайском Даляне при условии консультаций с правительством США. Свои производственные планы относительно данных площадок обе компании раскрывать не стали. Собственные источники Reuters сообщили, что оба южнокорейских производителя намереваются наладить выпуск в Китае памяти типа NAND с количеством слоёв более 200 штук. Предприятие Samsung в Сиане сейчас способно выпускать чипы NAND с количеством слоёв около 200 штук. На эту площадку приходится около 40 % мировых объёмов производства NAND данной компании. По имеющимся данным, после модернизации предприятие в Сиане сможет выпускать 286-слойные микросхемы V9 NAND. Производство такой памяти будет постепенно наращиваться, а более старой сокращаться: к декабрю этого года ежемесячный тираж 286-слойной NAND будет составлять 5000 кремниевых пластин, а к декабрю следующего года он увеличится до 40 000 штук в месяц. Samsung сообщила, что её планы по модернизации соответствуют правилам экспортного контроля США. Эти мероприятия направлены на более полное удовлетворение растущего спроса на мировом рынке, включая и США. Компания не расширяет своё производство в Китае и не строит новые предприятия в этой стране. Данное условие было одним из важных, оговорённых с властями США ещё в 2022 году. SK hynix в Даляне собирается перейти на выпуск чипов NAND с количеством слоёв не менее 240 штук. Сейчас на своей китайской площадке компания выпускает 192-слойную память. Местное предприятие досталось южнокорейскому производителю в 2021 году по итогам сделки с компанией Intel, которой ранее принадлежало. По неофициальным данным, сейчас формально власти США позволяют SK hynix выпускать в Даляне память с количеством слоёв до 240 штук включительно. В случае необходимости в Вашингтоне будет запрошено разрешение на разработку памяти с количеством слоёв более 300 штук. Возможно, в дальнейшем это поможет организовать производство памяти в США. Предприятие по выпуску NAND силами SK hynix или дочерней Solidigm стало предметом переговоров с администрацией президента Дональда Трампа. По данным Omdia, во втором квартале 38,5 % китайского рынка NAND контролировала местная компания YMTC, которая по итогам всего 2025 года ограничивалась долей в 28 %. При этом позиции Samsung на китайском рынке NAND ослабли с 36 до 33,5 %, а SK hynix скатилась с 20 до 17 %. Компания YMTC в основном выпускает память со 160 и 232 слоями, но в небольших количествах производит и 294-слойную NAND. Она готовится наладить выпуск памяти с более чем 300 слоями. При этом за пределами Китая Samsung предлагает 286-слойную память, а также располагает прототипами памяти NAND с более чем 400 слоями. SK hynix за пределами Китая предлагает память типа NAND с количеством слоёв до 321 штуки включительно. Китайская YMTC заявила, что к концу 2027 года станет крупнейшим производителем NAND в мире
26.08.2026 [12:26],
Алексей Разин
По итогам второго квартала текущего года, как отмечали ранее представители Counterpoint Research, китайской компании YMTC удалось войти в тройку крупнейших производителей флеш-памяти и занять 14 % мирового рынка. Теперь готовящаяся к IPO компания заявила потенциальным инвесторам, что намерена к концу 2027 года выйти на первое место. 
Источник изображения: YMTC Об этом сообщает Financial Times со ссылкой на источники, знакомые с содержанием переговоров между YMTC и потенциальными инвесторами. Как уже отмечалось недавно, в ходе IPO компания рассчитывает привлечь почти $5 млрд. Большую часть этих средств планируется направить на расширение производства NAND, а примерно треть — на исследования и разработки, необходимые для своевременного вывода на рынок новых поколений 3D NAND. В наиболее оптимистичном сценарии YMTC рассчитывает получить при размещении оценку около $150 млрд, что сделает её второй по величине компанией на китайском фондовом рынке. Однако источники отмечают, что регуляторы могут ограничить цену размещения акций. В таком случае итоговая оценка YMTC может оказаться до пяти раз ниже той, на которую рассчитывает сама компания. Ориентиром для YMTC может служить пример CXMT, специализирующейся на выпуске DRAM. В прошлом месяце она дебютировала на бирже с оценкой $580 млрд и стала самой дорогой публичной компанией Китая. В ходе IPO CXMT привлекла $9 млрд, что стало крупнейшим размещением на азиатских фондовых рынках в нынешнем году. Бум ИИ тем временем способствует стремительному росту рынка памяти. По данным TrendForce, если в прошлом году объём мирового рынка NAND составлял $71 млрд, то в нынешнем году он превысит $300 млрд, а к концу десятилетия приблизится к $490 млрд. Инвесторов беспокоят планы китайских производителей по быстрому наращиванию мощностей, однако большинство из них полагает, что даже столь активное расширение производства не позволит полностью удовлетворить спрос. Поэтому перенасыщение рынка в ближайшие годы они считают маловероятным. За прошлый квартал общая выручка пяти крупнейших производителей памяти NAND взлетела на 77 %
21.08.2026 [14:28],
Алексей Разин
Первоначально бум систем искусственного интеллекта разгонял главным образом цены на DRAM, но постепенно память типа NAND присоединилась к непрерывному подорожанию. По итогам прошлого квартала пятёрка крупнейших поставщиков NAND увеличила свою выручку последовательно сразу на 77 % до $68,87 млрд, что говорит о высокой динамике цен в сегменте. 
Источник изображения: Micron Technology Представители TrendForce, которые привели эту статистику, не скрывают, что подобный рост выручки был обусловлен главным образом сохранением дефицита NAND и ростом средней цены реализации. В третьем квартале, по словам авторов отчёта TrendForce, спрос на флеш-память со стороны сегментов ПК и смартфонов будет подавлен из-за высоких цен, а вот в серверном сегменте он обладает куда меньшей эластичностью, а потому рост цен может продолжиться. Тем более, что производители отдают приоритет выпуску DRAM и HBM, финансируя направление NAND по остаточному принципу. Это ограничивает предложение твердотельной памяти на рынке и способствует росту цен. 
Источник изображения: TrendForce В прошлом квартале выручка Samsung Electronics, лидирующей в сегменте NAND с долей 29,3 %, последовательно выросла на 70,7 % до $23 млрд. Под натиском конкурентов она немного сдала позиции, поскольку в первом квартале занимала 31,6 % рынка. На втором месте оказался альянс SK hynix и Solidigm, который увеличил свою выручку от реализации на 89,5 % до $14,3 млрд, а долю рынка поднял с 17,6 до 18,2 %. Лидером по темпам роста выручки оказалась компания Micron Technology, которая почти удвоила её, заодно укрепив позиции последовательно с 13,9 до 15,1 %. Kioxia хоть и показала приличный рост выручки на 79,9 % до $10,7 млрд, сократила свою долю с 13,9 до 13,6 %. Кроме того, эта компания скатилась на четвёртое место и уступила третье американской Micron. Падение Sandisk, которая увеличила выручку только на 50,7 % до $8,97 млрд, в показателях рыночной доли было выражено ещё сильнее: с 13,9 до 11,4 %. В общей сложности пятёрка крупнейших производителей NAND во втором квартале контролировала 87,6 % мирового рынка в денежном выражении. В первом квартале текущего года их доля достигала 90,9 %. К слову, представители Counterpoint Research рисуют несколько иную картину расстановки сил на рынке NAND во втором квартале, согласно которой на третьем месте оказалась китайская компания YMTC. Авторы этого отчёта опираются на физические объёмы поставок памяти, а не выручку от её реализации. Закономерно, что поставляющая более дешёвую NAND компания YMTC может не попадать в статистику TrendForce — тем более, что она пока не вышла на биржу, и это не позволяет получить представление о точной сумме её доходов. Sandisk готова к выпуску сверхскоростной флеш-памяти HBF — первые чипы появятся в 2027 году
14.08.2026 [09:46],
Алексей Разин
В начале этого месяца был представлен стандарт памяти HBF, в разработке которого принимали непосредственное участие SK hynix и Sandisk, а вторая из них уже сообщила о наличии у неё готовых цифровых проектов, которые позволят приступить к производству соответствующих чипов в обозримом будущем. По имеющимся данным, первые образцы HBF в физическом воплощении Sandisk предложит в следующем году, а массовое производство будет развёрнуто в 2028 году. 
Источник изображения: Sandisk В этом представители Sandisk признались на мероприятии для инвесторов, которое состоялось вчера. По итогам их выступления стало понятно, что память типа HBF способна обеспечить скорость передачи информации на операциях чтения, характерную для HBM, но при этом увеличить ёмкость в шесть или восемь раз. Добавление HBF в вычислительную конфигурацию с GPU позволяет вырабатывать такое же количество токенов при вдвое меньшем количестве самих GPU по сравнению с классической компоновкой, использующей только память типа HBM. При функционировании больших языковых моделей комбинации из четырёх GPU с памятью HBF достаточно для обеспечения аналогичной производительности, исторически достигаемой восемью GPU с памятью HBM. Технически, это позволяет надеяться на сокращение дефицита как HBM, так и GPU, а также на снижение затрат на создание вычислительной инфраструктуры ИИ. Впрочем, аппетиты разработчиков в этой сфере растут гораздо быстрее, чем появляются более эффективные технологии осуществления расчётов. HBF обходится дешевле HBM при идентичной ёмкости, но в целом обладает более высокой ёмкостью, хотя и уступает HBM с точки зрения задержек при передаче информации. Пропускная способность обоих типов памяти при этом сопоставима. Скорее всего, в будущем оба типа памяти будут сосуществовать и комбинироваться, и HBF не сможет вытеснить с рынка HBM. Чипы NAND в первом случае объединяются в вертикальные стеки из 8 или 16 штук совокупным объёмом до 512 Гбайт. Со слов представителей Sandisk также стало понятно, что в период с 2028 по 2030 фискальные годы её выручка будет расти в среднем на 16-19 %, а норма прибыли будет оставаться на уровне около 80 %. Во многом этому будут способствовать долгосрочные соглашения с клиентами, которые уже заключены с восемью компаниями, покупающими у неё память. К 2028 фискальному году поставки по таким контрактам будут формировать две трети всего объёма производства продукции Sandisk. Китайская YMTC обогнала Micron, Kioxia и Sandisk и ворвалась в тройку крупнейших поставщиков NAND
12.08.2026 [16:15],
Николай Хижняк
Китайская компания YMTC продемонстрировала значительный рост в мировых поставках флеш-памяти NAND. Это подтверждают данные анализа рынка памяти NAND за второй квартал этого года аналитической компании Counterpoint Research, на которые ссылается портал TechPowerUp. 
Источник изображения: TechPowerUp Во втором квартале YMTC стала третьим по величине поставщиком флеш-памяти NAND, обогнав некоторых более именитых игроков отрасли. Лидером на мировом рынке флеш-памяти NAND является Samsung, занимающая 25 % рынка. На втором месте находится SK hynix вместе со своей дочерней компанией Solidigm, на долю которых совокупно приходится 22 % рынка. YMTC заняла третье место с долей 14 % — её поставки в расчёте на бит выросли на 22 % в годовом выражении и на 5 % по сравнению с предыдущим кварталом, опередив показатели компаний Micron, Kioxia и Sandisk. 
Источник изображения: Counterpoint Research Рост YMTC до третьего по величине игрока в индустрии флеш-памяти NAND во втором квартале объясняется значительным объёмом поставок как на родном китайском рынке, так и за рубежом. Архитектура хранения данных YMTC Xtacking 4.0, на базе которой компания выпускает 267-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND, уже используется в массовом производстве, а переход на более чем 300-слойную технологию памяти NAND ожидается в следующем году. В сочетании с высоким объёмом производства это позволило YMTC с лёгкостью превзойти известные бренды. Однако, как отмечается, доля рынка не соответствует доле выручки. Несмотря на третье место по доле рынка, YMTC заняла лишь пятое место по доле выручки среди поставщиков. Это связано с тем, что китайский производитель в настоящее время специализируется на потребительской электронике, в то время как Micron, Kioxia и другие конкуренты концентрируются на более прибыльных сегментах корпоративных серверов и искусственного интеллекта. Как отмечает портал TechPowerUp, на данный момент YMTC поставляет не так много твердотельных накопителей за пределы Китая, но у неё есть соглашения с крупными производителями оборудования, такими как Lenovo, которая использует её SSD в своих ноутбуках. Поскольку китайский производитель всё больше фокусируется на потребительских устройствах, можно ожидать появления большего количества потребительских ПК с памятью YMTC NAND. Даже Apple рассматривает возможность добавления YMTC в список своих поставщиков. SK hynix намерена увеличить на 50 % производство флеш-памяти NAND в Китае в 2027 году
12.08.2026 [01:03],
Николай Хижняк
SK hynix продолжает инвестировать капитал, человеческие ресурсы и стратегическое планирование в свой завод по производству флеш-памяти NAND в Китае, пишет TechPowerUp со ссылкой на несколько южнокорейских источников. Согласно последним сообщениям, компания планирует увеличить производство на своём заводе в Даляне на 50 % в 2027 году, чтобы удовлетворить растущий спрос на флеш-память NAND. 
Источник изображения: SK hynix Завод принадлежит и управляется дочерней компанией Solidigm, возобновляющей экспансию в материковом Китае после четырёхлетнего перерыва в реализации проекта. В 2021 году, когда SK hynix приобрела подразделение Intel по производству памяти 3D NAND и твердотельных накопителей, она основала Solidigm, чтобы сосредоточиться на этом направлении. Однако экспортный контроль и спад на рынке флеш-памяти NAND остановили все стратегические планы Solidigm и SK hynix по расширению производства в Китае. В настоящее время Solidigm производит около 100 000 пластин с флеш-памятью NAND в месяц, поэтому увеличение объёма производства на 50 % в 2027 году позволит нарастить выпуск примерно до 150 000 пластин в месяц. Solidigm также начнёт производство флеш-памяти 3D QLC NAND с плавающим затвором, которая будет содержать более 200 активных слоёв памяти на кристалле. Это нововведение позволит предприятиям, которые в настоящее время являются основными потребителями этих решений, создавать твердотельные накопители очень большой ёмкости. Поскольку ожидается, что в 2027 году мировые объёмы производства флеш-памяти NAND наконец будут соответствовать спросу, это нововведение станет долгожданным дополнением, хотя и составит лишь малую долю в общемировом спросе на флеш-память NAND. SK hynix также рассматривает возможность первичного публичного размещения акций Solidigm на рынках капитала США, в частности на бирже NASDAQ. Это может означать, что компания наращивает производство и сможет использовать доходы от IPO Solidigm для финансирования дальнейшего расширения в будущем. Россияне бросились собирать ПК: в «М.Видео» рассказали о подскочивших в 15 раз продажах комплектующих
11.08.2026 [15:27],
Владимир Мироненко
Компания «М.Видео» отметила резкий скачок продаж в первом полугодии 2026 года комплектующих для ПК, которые россияне приобретали для сборки или модернизации своих компьютеров. В июне объём продаж в каналах «М.Видео» почти в 15 раз превысил показатель января.  Спрос на комплектующие для ПК начал резко увеличиваться в марте, когда по сравнению с январём продажи выросли более чем в девять раз. Наиболее активно россияне покупали комплектующие для сборки и модернизации своих ПК в апреле, когда продажи превысили январские в 24,5 раза. В мае превышение показателя по сравнению с январём составило 18,8 раза, а в июне — 14,6 раза. Согласно анализу «М.Видео», наиболее активно комплектующие для компьютеров приобретались с апреля по июнь. Объём продаж в этот период составил более 80 % оборота категории за первое полугодие. Это может быть связано с подготовкой пользователей к осеннему сезону игровых и программных новинок, обновлением домашних рабочих станций, а также желанием заранее собрать систему с запасом производительности на несколько лет, полагают аналитики «М.Видео». При этом покупатели не ограничиваются заменой одного компонента, приобретая вместе с видеокартами процессоры, оперативную память, материнские платы, блоки питания, корпуса и системы охлаждения. Это говорит о комплексных сборках, когда пользователи самостоятельно подбирают конфигурацию ПК для игр, работы с графикой, создания контента и других ресурсоёмких задач. На видеокарты, один из главных драйверов роста, спрос с начала года вырос в 19,3 раза по сравнению с январём. Пик продаж пришёлся на апрель, когда реализация превысила январскую более чем в 34 раза. Наибольшей популярностью пользовались видеокарты NVIDIA GeForce RTX 50-й серии. Первое место заняла Gigabyte GeForce RTX 5060 Eagle OC 8 Гбайт. За ней следуют MSI GeForce RTX 5080 Shadow 3X OC 16 Гбайт и Gigabyte GeForce RTX 5060 Ti Windforce Max OC 16 Гбайт. В пятёрку лидеров по продажам также вошли Gigabyte GeForce RTX 5070 Ti Windforce OC SFF 16 Гбайт и MSI GeForce RTX 5060 Ti Shadow 2X OC Plus 16 Гбайт. Хотя наиболее высокий спрос был зафиксирован на RTX 5060 и RTX 5060 Ti, заметная доля продаж пришлась на более производительные RTX 5070 Ti и RTX 5080. Покупатели преимущественно ориентируются на актуальное поколение видеокарт, отметили в «М.Видео». В отличие от других категорий, в сегменте оперативной памяти пик продаж пришёлся на июнь, когда они выросли в 12,1 раза по сравнению с январём. Здесь высоким спросом пользовалась память DDR5. Первые два места рейтинга популярности заняли комплекты Netac Shadow DDR5-6000 объёмом 32 Гбайт в чёрном и белом исполнении. За ними следуют модули Netac Shadow III DDR5-6000 объёмом 16 Гбайт, а также комплект Netac Shadow DDR5 объёмом 64 Гбайт. Наиболее востребованным объёмом памяти для новой сборки были 32 Гбайт. Для игровых платформ чаще выбирали память с частотой 6000 МГц, а для более производительных рабочих конфигураций — комплекты объёмом 64 Гбайт. Среди крупных компонентов наибольший рост показали процессоры. В июне их оборот в 61,7 раза превысил январский. Максимальный рост был зафиксирован в апреле — почти в 139 раз. В мае превышение составило около 129 раз. Лидирует в этой категории AMD Ryzen 7 5700X. Вторую и третью позиции заняли разные товарные версии AMD Ryzen 7 9800X3D. Замыкают пятёрку AMD Ryzen 5 5600 и AMD Ryzen 7 7800X3D. Ryzen 5 5600 и Ryzen 7 5700X выбирают для сборки доступных и сбалансированных систем на проверенной платформе AM4, а Ryzen 7 7800X3D и Ryzen 7 9800X3D — для производительных игровых компьютеров на современной платформе AM5.  В категории материнских плат наиболее высокие продажи были зафиксированы в апреле (более чем в 10 раз выше по сравнению с январём). В мае показатель был выше январского в 8,7 раза, в июне — в 4,7 раза. Возглавляет рейтинг популярности модель Asus ROG Crosshair VIII Impact, второе место занимает MSI MAG B550 Tomahawk MAX WiFi, третье — MSI MAG B850 Tomahawk WiFi, четвёртое и пятое — MSI B550M PRO-VDH и Gigabyte B550M K. Наиболее высокий спрос среди блоков питания был зафиксирован на модели мощностью 750–850 Вт. В июне продажи БП превысили январский показатель в 3,2 раза. Максимальная активность покупателей была отмечена в апреле, когда продажи оказались выше уровня начала года в 5,3 раза. Наибольшей популярностью пользовался блок питания Thermalright TR-TG 850S мощностью 850 Вт. Второе место занял MSI MAG A750BN PCIe 5 мощностью 750 Вт, третье — Thermalright TR-SG 850S мощностью 850 Вт, четвёртое и пятое — модели Asus мощностью 850 Вт и FSP MEGA-1350TI мощностью 1350 Вт соответственно. В сегменте корпусов для ПК продажи в июне превысили январские в 2,5 раза. Чаще всего выбирали премиальный Asus ROG Hyperion GR701 BTF Edition. Второе место занял Zalman N4 Rev.1 Black, третье — Foxline FL-BQ5. Далее следуют ExeGate EX292859RUS и стандартная версия Asus ROG Hyperion GR701. В категории СЖО продажи в июне превысили показатель января в 19,1 раза. Наибольшим спросом пользовались модели Arctic: Arctic ACFRE00180A, Arctic ACFRE00184A, Arctic ACFRE00181A и Arctic ACFRE00185A. Пятую позицию заняла система SAMA L60. В сегменте систем жидкостного охлаждения лидировали Arctic ACFRE00189A, Arctic ACFRE00181A и Arctic Liquid Freezer III Pro 360. В топ-5 также вошли системы Asus ROG Ryujin III 360 ARGB Extreme и Arctic Liquid Freezer III Pro 240. Чаще всего покупали производительные системы с радиаторами на 240 и 360 мм. Продажи кулеров для процессоров выросли в июне в 2,5 раза по сравнению с январём. Рейтинг популярности возглавил кулер ID-Cooling Frozn A620 Pro SE ARGB. За ним следуют модели DeepCool AG620 BK ARGB V2, LYAMBDA LPC-03, ID-Cooling SE-904-XT и 4FAN C4UL815B. В сегменте корпусных вентиляторов июньские продажи превысили январские в 3,3 раза. На первой позиции рейтинга находится комплект Arctic P12 Pro PST 5-pack, вторую занимает Arctic P12 Pro A-RGB 3-pack, третье место — Arctic P14 Pro PST, четвёртое и пятое — Lyambda LAC-01 и 4FAN F40. Квартальная выручка Sandisk выросла почти в пять раз до $8,97 млрд
06.08.2026 [07:18],
Алексей Разин
Динамика цен на NAND благоприятно сказывается на деятельности производителей как памяти этого типа, так и готовых накопителей. Sandisk сообщила, что её совокупная выручка в прошлом квартале выросла на 372 % в годовом сравнении до $8,97 млрд, а последовательно она увеличилась на 51 %. При этом серверный сегмент увеличил свою долю в структурах поставок с 12 до 38 %, а сама профильная выручка удвоилась до $2,98 млрд. 
Источник изображений: Sandisk Если рассматривать весь 2026 фискальный год, который в календаре Sandisk уже завершился, то выручка компании на серверном направлении выросла на 437 % до $5,2 млрд. Компания сейчас сосредоточена на поставках твердотельных накопителей корпоративного класса на базе памяти типа TLC. Это самый быстрорастущий источник выручки Sandisk, что легко объяснить спросом на компоненты для инфраструктуры искусственного интеллекта. В следующем году доля серверной выручки на рынке SSD, по прогнозам Sandisk, значительно превысит 50 %. В прошлом квартале на этот сегмент пришлась треть всей выручки компании.  Решения для периферийных вычислений, которые включают мобильные устройства, ПК и робототехнику, в прошлом квартале увеличили выручку Sandisk на 392 % до $5,4 млрд, последовательно она выросла на 48 %. По итогам всего прошедшего фискального года профильная выручка почти утроилась до $12,2 млрд. При этом руководство компании отмечает, что сейчас рынок ПК и смартфонов переживает коррекцию спроса на фоне резкого роста цен на память. В следующем году оба сегмента должны вернуться к росту, по мнению представителей Sandisk. На сегмент потребительской электроники пришлось только $556 млн выручки в прошлом квартале, что на 32 % ниже результатов предыдущего квартала, а годовое снижение достигло 5 %. В любом случае, по итогам минувшего фискального года сегмент продемонстрировал рост выручки на 29 % до $2,94 млрд. По итогам текущего года, как считают в Sandisk, общая ёмкость рынка NAND превысит $300 млрд, утроившись по сравнению с 2025 календарным годом, а в следующем году ёмкость рынка вырастет до $500 млрд. В то же время, компания не ожидает, что сможет в 2027 календарном году удовлетворять спрос на свою продукцию в полной мере. Примечательно, что норма прибыли Sandisk по итогам четвёртого квартала 2026 фискального года выросла в годовом сравнении с 26,4 до 84,6 %. Это говорит о том, что цены на NAND росли быстрее, чем увеличивались объёмы поставок продукции. Операционные расходы при этом выросли всего на 20 % до $484 млн. В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $10,3 до $10,8 млрд, демонстрируя сохранение тенденции к росту выручки. Kioxia начала тестовые поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с
30.07.2026 [21:27],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения. 
Источник изображения: Kioxia Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность. При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности. Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения. Китайцы создали идеальную память: для хранения бита ей нужен всего один электрон
23.07.2026 [16:34],
Геннадий Детинич
Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет. 
Источник изображения: Fudan University Разработка получила название Guiyi («Гуйи»), что означает буддийское понятие «Единства» — необъятного множества в чём-то предельно малом. Публикация по проекту вышла 16 июля в журнале Science. Предложенная учёными память несоизмеримо плотнее современных вариантов флеш-памяти. Сегодня каждый бит данных сохраняется в заряде, формируемом из сотен тысяч электронов. Главной помехой на пути к одноэлектронной памяти оставалась так называемая паразитная краевая ёмкость. Электромагнитное поле между двумя электродами не может быть идеальным и всегда ведёт к накоплению паразитного заряда, в шумах которого легко теряется заряд от одного электрона. Чтобы подавить паразитные явления учёные использовали атомарно тонкие двумерные материалы и разработали самовыравнивающуюся планарную архитектуру, в которой сток, канал и исток размещены в одной плоскости. Такая «объединённая» архитектура подавила краевые ёмкостные эффекты, а слой графена послужил барьером, не дающим захваченному электрону покинуть область хранения. Добавление или удаление всего одного электрона в ячейке памяти изменяло пороговое напряжение транзистора сразу на 0,5 В, благодаря чему два состояния ячейки можно было уверенно различать обычными средствами современной электроники. Это почти на порядок больше, чем в известном эксперименте 1997 года, где одноэлектронный сигнал составлял около 55 мВ и сохранялся менее пяти секунд. При этом новая ячейка удерживала состояние без питания при комнатной температуре. Авторы также обнаружили дискретные зависимости от напряжения программирования и пообещали разработать вариант многоуровневой записи с использованием одного электрона. Одноэлектронная запись обещает резко увеличить плотность энергонезависимой памяти и уменьшить энергию, расходуемую на переключение ячеек. Разработчики связывают технологию с будущими вычислительными системами, в которых крупные модели искусственного интеллекта смогут хранить больше данных рядом с вычислительными блоками, сокращая энергозатратную пересылку данных. В настоящий момент продемонстрировано только отдельное лабораторное устройство. Для создания полноценного массива памяти ещё предстоит подтвердить ресурс перезаписи, скорость, процент выхода годных ячеек и стабильность параметров при массовом производстве. Для коммерческого продвижения разработки осенью этого года будет создана отдельная компания, которая будет намереваться вывести новый продукт на рынок в течение трёх–пяти лет. TrendForce предсказала конец дефицита флеш-памяти во второй половине 2027 года
21.07.2026 [16:48],
Николай Хижняк
Аналитики TrendForce прогнозируют восстановление цепочек поставок флеш-памяти в 2027 году, что сделает её единственным сегментом рынка памяти, которая стабилизируется в краткосрочной перспективе. 
Источник изображения: SK hynix Хотя спрос на флеш-память NAND и все решения для хранения данных на базе SSD, как ожидается, останутся дефицитными до конца 2026 года, TrendForce считает, что ситуация нормализуется в 2027 году. Согласно оценке экспертов, дефицит предложения в первой половине будущего года составит около 4–6 % по сравнению с уровнем спроса до конца текущего года. Однако ожидается, что во второй половине будущего года на рынке будет восстановлен баланс спроса и предложения в цепочке поставок, а через год с текущего момента дефицит на чипы флеш-памяти NAND будет полностью побеждён. Достижение баланса спроса предложения обусловлено несколькими факторами. Во-первых, крайне важно увеличение производственных мощностей поставщиков памяти NAND Flash, таких как SK hynix, Micron, Samsung, YMTC и другие. Увеличение количества производимых ежемесячно кремниевых пластин, наряду с модернизацией технологических процессов, значительно повысит предложение, стабилизировав ситуацию на этом рынке после длительного периода неопределённости. Вторым фактором является постоянно слабый спрос со стороны потребителей, поскольку цены на потребительскую электронику так сильно выросли из-за дефицита DRAM и NAND Flash, что многие потребители предпочитают не покупать новое оборудование, избегая высоких наценок по сравнению с прошлым годом. В корпоративном секторе спрос на серверы будет продолжать расти, потребляя большую часть предложения NAND Flash. На серверы приходится около 40 % потребления чипов флеш-памяти, а на смартфоны и ноутбуки вместе взятые — более 40 %. 
Источник изображения: TrendForce Производители устройств хранения данных в США, Японии и Южной Корее модернизируют свои заводы умеренными темпами, избегая быстрого расширения. Значительная часть мирового производства NAND Flash будет обеспечиваться Китаем и компанией YMTC. Ожидается, что в этом году Китай увеличит свою глобальную долю производства NAND Flash почти до 19 %. Хотя это кажется значительным в глобальном масштабе, большая часть чипов китайского производства будет удовлетворять только внутренний спрос материкового Китая, и лишь малая часть продукции будет поставляться внешним поставщикам оборудования, например, компании Lenovo, чьи ноутбуки поставляются в Европу. Silicon Motion нарастила продажи SSD-контроллеров на фоне дефицита NAND — нехватка памяти усугубится в 2027 году
04.06.2026 [18:03],
Сергей Сурабекянц
Цены на SSD достигли рекордных максимумов в первом квартале 2026 года на фоне высокого спроса и дефицита памяти 3D NAND для устройств потребительского класса. В то же время Silicon Motion отчиталась о росте выручки от производства контроллеров SSD благодаря высоким продажам корпоративных устройств. Компания уверена в спросе со стороны сектора ЦОД, но ожидает усиление дисбаланса между спросом и предложением для потребительских SSD. 
Источник изображения: Silicon Motion Продажи Silicon Motion в первом квартале составили $342,1 млн, что на 23 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 105 % больше, чем годом ранее, при этом продажи контроллеров SSD выросли на 40-45 % в годовом исчислении. По всей видимости, компании удалось увеличить продажи как потребительских, так и корпоративных контроллеров. В последнем случае компания нарастила поставки своих контроллеров SSD PCIe 5.0, поскольку спрос со стороны сегмента ЦОД был особенно высок. Спрос со стороны секторов ИИ и облачных вычислений будет продолжать расти, что позволит компании продать рекордное количество контроллеров SSD корпоративного класса. Однако в секторе потребительских решений ситуация заметно сложнее. «Во второй половине этого года я ожидаю, что ситуация останется в основном неизменной; предложение будет по-прежнему очень ограниченным, — заявил старший вице-президент подразделения клиентского бизнеса Silicon Motion Нельсон Дуанн (Nelson Duann). — 2027 год будет худшим. Производители NAND настроены очень пессимистично. […] Условия поставок станут ещё хуже, потому что операторы связи и ЦОД продолжают увеличивать спрос. В результате у поставщиков NAND практически нет выбора, кроме как сосредоточить свои ресурсы на рынке ЦОД». Это не означает, что крупные производители памяти NAND вообще не будут поставлять флэш-память для потребительских приложений. Однако дисбаланс спроса и предложения в этом секторе существенно ухудшится в 2027 году. «Они [производители флеш-памяти] по-прежнему хотят поддерживать некоторые поставки для потребительских товаров, таких как клиентские устройства, и меньшую долю для автомобильных приложений, но этих объёмов недостаточно, чтобы изменить общую ситуацию», — полагает Дуанн. Хотя для потребителей эта ситуация крайне неблагоприятна, таким компаниям, как Silicon Motion, она может сыграть на руку. Производители твердотельных накопителей могут сократить ёмкость своих накопителей, чтобы удовлетворить спрос, но потребность в контроллерах для SSD не снизится, а в некоторых случаях даже возрастёт. Kioxia представила быстрый твердотельный накопитель EG7 на основе 218-слойной 3D QLC NAND
21.04.2026 [19:42],
Сергей Сурабекянц
Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC. 
Источник изображения: Kioxia BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале. «Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia). Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно. Физик из Албании разработал флеш-память в 100 000 раз более плотную, чем лучшие современные решения
14.04.2026 [10:21],
Геннадий Детинич
Независимый исследователь Илия Толи (Ilia Toli) опубликовал на Zenodo препринт работы, в котором рассказал о создании модели и прототипа сверхплотной энергонезависимой памяти. Разработка также призвана решить проблему узкого места, которое память занимает в современных вычислительных архитектурах: скорость процессоров растёт, а пропускная способность памяти отстаёт. Учёный продвигает новую память самостоятельно, надеясь на интерес производителей. 
Источник изображения: ИИ-генерация Grok 4/3DNews В основе технологии лежит однослойный флюорографан (CF) — полностью фторированный графен, где каждый атом фтора выступает в роли переключателя бита, способного условно бесконечно оставаться в одном из двух стабильных состояний по отношению к углеродному каркасу, в который он помещён. Моделирование показало, что переключение требует энергии около 4,6–4,8 эВ (электронвольт). Это ниже энергии разрушения связи углерод—фтор (5,6 эВ), что делает связь C–F стабильной в процессе работы (циклов переключения) ячейки памяти. На одной плоскости структуры флюорографана (в научной литературе принято писать «флюорографен», но автор ввёл новый термин) можно будет записать 447 Тбайт данных на 1 см2 без последующих затрат энергии на удержание бита. В случае объёмной структуры плотность записи может достигать 0,4–9 зеттабайта на 1 см3. Собственно, автор представил многоуровневую архитектуру чтения/записи. В прототипе реализован одноуровневый подход на основе сканирующего зонда. В случае многоуровневой структуры разрабатывается беспроводной интерфейс на базе инфракрасного излучения среднего диапазона в ближнем поле. Модель контроллера обещает обеспечить совокупную пропускную способность до 25 Пбайт/с. Прототип, по словам автора, уже демонстрирует работоспособность и по плотности превосходит существующие технологии записи более чем на пять порядков. Препринт пока не прошёл рецензирование и публикуется на независимом ресурсе, однако уже вызвал активное обсуждение на таких технических площадках, как Hacker News, Reddit и других. Технология позиционируется как «посттранзисторная», способная радикально изменить индустрию хранения данных. Дальнейшая судьба идеи зависит от перспектив масштабирования производства больших листов флюорографана и интеграции в промышленные процессы, но уже сейчас она на уровне теории демонстрирует прорыв в плотности энергонезависимой памяти, а это всегда интересно. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
