Теги → asml
Быстрый переход

ASML сообщила о задержках с поставкой продукции в начале 2019 года

В понедельник в четыре часа утра в городе Сон в Нидерландах загорелось одно из зданий производственного комплекса компании Prodrive Technologies. Повреждёнными оказались производственное оборудование и часть готовой продукции. К счастью, обошлось без жертв. Для расследования причин возгорания начато следствие и проводится экспертиза. Как следствие пожара заявлено о возможных задержках с поставкой продукции Prodrive клиентам. Но из многочисленных клиентов Prodrive Technologies нас интересует только один — это компания ASML, которая выпускает подавляющее большинство фотолитографических сканеров в мире для производства полупроводниковой продукции.

Сканер ASML для EUV-литографии с оголённой оптической системой зеркал (NXE:3300B)

Сканер ASML для EUV-литографии с оголённой оптической системой зеркал (NXE:3300B)

Как сообщается в пресс-релизе ASML, компания делает всё возможное, чтобы помочь производственному партнёру восстановить выпуск продукции в полном объёме. В качестве запасного варианта ASML изучает вопрос заказа комплектующих у других компаний, пока Prodrive не вернётся к обычному ритму работы. Что это за комплектующие, ASML и Prodrive не раскрывают. По ассортименту Prodrive можно предположить, что это либо блоки питания, либо контрольно-измерительная аппаратура.

На план поставок продукции ASML в 2018 году несчастье на предприятии Prodrive не окажет никакого влияния. Но на поставку продукции в 2019 году данное событие повлияет. В ASML официально предупредили, что в начале 2019 года произойдут задержки с отгрузкой продукции, что может продлиться до нескольких недель. О задержках в поставках каких сканеров или иного оборудования идёт речь в компании не пояснили. В 2019 году, например, ASML договорилась поставить производителям чипов минимум 30 установок диапазона EUV. Это оборудование никто кроме неё на рынок не поставляет, так что задержки могут оказать влияние на запуск в производство 7-нм и даже 5-нм продукции, как и повлиять на сроки запуска в производство памяти с использованием сканеров EUV.

ASML подтвердила планы выпуска памяти DRAM с использованием сканеров EUV

На прошедшей неделе нидерландская компания ASML — крупнейший в мире производитель оборудования для литографической проекции при изготовлении полупроводников — провела встречу с инвесторами и пролила свет на свои производственные планы, а также оценила перспективы отрасли. С точки зрения ASML, чьи сканеры в среднем покупают в 84 случаях из 100, рынок прикладной электроники демонстрирует и будет демонстрировать завидное здоровье. В частности, чипы будут востребованы для области связи 5G, ИИ, автономного вождения и больших данных.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Потребность в полупроводниках для представленных областей и другого транслируется в спрос на продукцию заводов по обработке кремниевых пластин во всех уголках мира. Особенный интерес возникает к самым передовым техпроцессам, что отрасли обычно было не свойственно. Поэтому также складывающаяся обстановка будет благоприятствовать переходу от DUV-сканеров (193-нм) на EUV-сканеры (13,5-нм). Новейшие техпроцессы снова поддержат закон Мура и обеспечат снижение масштабов технологических норм как с точки зрения удешевления производства, так и с позиций роста производительности решений.

Более того, в компании официально подтвердили, что сканеры EUV в ближайшем будущем будут применяться не только для изготовления 7-нм логики (процессоров и другого), но также для производства памяти типа DRAM. Сканеры для выпуска DRAM уже поставлены клиентам и проходят квалификационную проверку. С использованием EUV-проекции будет начат выпуск микросхем памяти с нормами 16 нм. Они помогут удешевить производство DRAM. В частности, за счёт уменьшения числа проходов при проекции. Если вы внимательно следили за новостями на нашем сайте, то вам нетрудно будет вспомнить, что 16-нм DRAM с использованием сканеров EUV будет выпускать Samsung.

Cканер ASML для EUV-литографии с оголённой оптической системой зеркал (NXE:3300B)

Сканер ASML для EUV-литографии с оголённой оптической системой зеркал (NXE:3300B)

Новым сканером для EUV станет установка NXE:3400C с производительностью 170 пластин в час при 90 % нагрузке. Актуальные модели сканеров NXE:3400B способны в тех же условиях за час обрабатывать до 150 пластин. Тем самым за сутки набегает почти полтысячи обработанных пластин, что станет хорошим аргументов в пользу перехода на сканеры EUV. Параллельно ASML обещает увеличить разрешение сканеров EUV с помощью выпуска оптики не только с числовой апертурой 0,33 NA, но также с NA 0,55, что произойдёт в следующую декаду. Новое оборудование должно быть встречено в отрасли с интересом, поскольку бизнес по выпуску полупроводников (логики, DRAM и NAND), как уверены в ASML, ждёт хороший рост как минимум до 2025 года со среднегодовым показателем роста 15–20 %.

Imec и ASML вместе сделают сканеры EUV намного лучше

Бельгийский исследовательский центр Imec и нидерландская компания ASML выпустили пресс-релиз, в котором сообщили о ряде совместных действий по улучшению сканеров диапазона EUV. Это не первое сотрудничество Imec и ASML. По тем или иным проектам центр и компания работают вместе около трёх десятилетий. Более того, в 2014 году они создали совместный исследовательский центр Advanced Patterning Center для оптимизации литографических технологий для развитых техпроцессов КМОП и для подготовки инфраструктуры для поддержки новейших технологий выпуска полупроводников.

Пример сканера компании ASML (ASML)

Пример сканера компании ASML (ASML)

Сканеры EUV с использованием длины волны 13,5 нм только-только начали свой путь в коммерческом производстве чипов. Это произошло благодаря компании Samsung. С помощью штатного сканера ASML NXE:3400B Samsung в сутки обрабатывает до 1500 300-мм кремниевых подложек. И хотя для начала коммерческого использования сканеров этого достаточно, Samsung использует только половину из пропускной способности сканеров данной серии. Очевидно, что при интенсивном использовании технологии использования сканеров EUV требуют доработки. Центр Imec и компания ASML вновь объединяют усилия, чтобы сделать сканеры EUV ещё лучше.

Здание imec с новой «чистой комнатой» (imec )

Здание imec с новой «чистой комнатой» (imec )

Дальнейшая совместная деятельность Imec и ASML будет двигаться в одном направлении, но разными путями. Во-первых, Imec в недавно построенной «чистой» комнате установит сканер ASML NXE:3400B и сканер NXT:2000i для иммерсионной (с погружением в жидкость) литографии. Сканер NXE:3400B будет установлен до конца года, а NXT:2000i — в 2019 году. Во-вторых, Imec и ASML создадут совместную лабораторию high-NA EUV research lab для разработки оборудования и техпроцессов производства чипов с помощью сканеров с оптическими системами с высоким значением числовой апертуры (NA). Для этого лаборатория получит сканер EXE:5000 с NA 0,55, что намного больше NA сканера NXE:3400B, которая равна 0,33.

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Сканер NXE:3400B с числовой апертурой 0,33 может за один проход «нарисовать» 7-нм и даже 5-нм элемент. Чтобы создать на кремнии элемент размерами 3 нм и меньше необходимо увеличить значение NA и, тем самым, ещё ближе придвинуть оптику к пластине, что само по себе затруднит работу сканера. Сканеры с NA свыше 0,5 компания ASML планирует выпустить после 2020 года, но не позже 2025 года. Похоже, следование этим планам будет зависеть от успехов совместных лабораторий Imec и ASML.

Также центр Imec возьмёт на вооружение инструменты ASML YieldStar для оптической оценки дефектов и систему ASML-HMI Multi-electron beam для оценки дефектов в наноструктурах. С помощью нового оборудования Imec и ASML намерены всесторонне совершенствовать техпроцессы с использованием сканеров EUV.

Intel уменьшила долю в компании ASML до менее 3 %

В пятницу нидерландский регистратор Authority for Financial Markets (AFM) сообщил, что компания Intel уменьшила принадлежащую ей долю акций в компании ASML до уровня менее 3 %. Предыдущее снижение акций до уровня менее 5 % компания Intel провела в декабре 2017 года. Поскольку компания ASML выпускает сканеры для литографического производства полупроводников и является монополистом в этой области, резонно предположить, что Intel рассматривает данное направление как теряющее инвестиционную привлекательность, чтобы это ни значило.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Акции ASML компания Intel приобрела в два этапа летом 2012 года. На первом этапе компания заплатила ASML $2,1 млрд за 10 % акций и ещё $680 млн за разработку оборудования для выпуска чипов на 450-мм кремниевых пластинах. В ходе второго этапа Intel приобрела ещё 5 % акций ASML за $1 млрд с целью обеспечить финансирование разработки EUV-сканеров. Итого Intel заплатила ASML $4,1 млрд на новые разработки, плодами которых, к слову, она сегодня не может воспользоваться. Зато EUV-разработками нидерландской компании в полной мере воспользовались компании Samsung и TSMC.

Типичный современный литографический сканер компании ASML для выпуска полупроводников

Типичный современный литографический сканер компании ASML для выпуска полупроводников

В том же 2012 году ASML дополнительно продала 10 % акций, которые между собой поровну разделили Samsung и TSMC. Позже TSMC полностью избавилась от акций ASML, продав их почти в два раз дешевле, чем покупала. Тем не менее, и TSMC, и Samsung близки к коммерческому запуску EUV-литографии, что было бы сложно сделать без тех инвестиций в 2012 году.

ASML отрицает запрет на наём на работу китайцев, но подтверждает ограничения на работу в США

В компании ASML не могли не отреагировать на разгоревшуюся в китайском сегменте Интернета дискуссию о якобы запрете на наём на работу сотрудников с китайской национальностью. Если верить источнику, некий китайский студент, завершающий обучение в Нидерландах, получил отказ на приём резюме для обретения вакансии в компании ASML. Крупнейший в мире производитель оборудования для литографического производства полупроводников якобы вынужден был отказать под давлением неких распоряжений со стороны американских правительственных структур.

Литографический EUV-сканер ASML для обработки кремниевых пластин

Литографический EUV-сканер ASML для обработки кремниевых пластин

Как сообщили в ASML, компания берёт на работу специалистов любой национальности без ограничений. Исследовательские центры ASML расположены во многих странах, что предполагает целый спектр наций, участвующих в проектах компании. Однако для получения работы в США для инженеров более чем 20 национальностей, включая китайскую, необходимо получать специальную лицензию от правительственных структур этой страны. Можно предположить, что этого требует также участие в совместных проектах с американскими подразделениями, что может влиять на наём китайцев на работу в ASML в других странах.

Также в ASML отметили, что правило лицензирования для работы в структурах компании в США введено достаточно давно. При этом производитель подтвердил, что условия для получения лицензии становятся всё жёстче и жёстче. Это явно не идёт на пользу ASML. В первом квартале этого года китайский рынок принёс компании около 20 % выручки, и этот показатель стабильно растёт. Например, крупнейший в Китае контрактный производитель чипов компания SMIC заказала и готовится получить и установить в 2019 году несколько новейших EUV-сканеров. Не имея китайских сотрудников в своих структурах, компании ASML будет тяжело развивать деятельность в Поднебесной.

Под давлением США нидерландская ASML больше не может нанимать на работу китайцев

Буквально на днях произошёл один знаковый инцидент, о котором поспешил доложить китайский интернет-ресурс EXPreview. В микроблогах Weibo один из зарегистрированных участников поделился новостью о небывалом доселе случае отказа в получении работы в высокотехнологической европейской компании. Один из китайских студентов, который заканчивает обучение в Нидерландах, направил запрос об отправке резюме для получения работы по месту в компании ASML или в её дочерних структурах. Ответ представителя ASML обескуражил. Под давлением правительства США компании якобы запрещено принимать на работу китайцев.

Позиция ASML понятна. При сборке сканеров для полупроводникового литографического производства она опирается на поставки комплектующих из многих стран, включая США. Поэтому она уязвима для возможных санкций, если американцы обвинят её даже в непредумышленном пособничестве Китаю по передаче технологий. Подобной позиции можно ожидать от других европейских компаний и более чем вероятно — от американских компаний. Возможно, вопрос смены гражданства облегчит китайцам поиск работы в IT-сфере в США и Европе. Но в случае накала борьбы за чистоту рядов случиться может всякое. Примеры этому можно легко найти в не таком далёком прошлом.

Литографический сканер ASML диапазона EUV

Литографический сканер ASML диапазона EUV

Компания ASML не зря попала в поле зрения служб безопасности США. Она является безусловным лидером по разработке промышленного оборудования для выпуска полупроводников, в чём отчаянно нуждается Китай. Тем самым в ASML фактически в одном месте сосредоточены главные секреты в области работы с кремниевыми пластинами. К такому кого попало не допустишь. Остаётся вопрос, будет ли для Китая намного хуже, если прошедший обучение в Европе студент вернётся на родину и начнёт работать на её благо?

7-нм EUV-техпроцесс Samsung обеспечит удвоенную энергоэффективность

На днях Samsung подтвердила планы использования сканеров EUV для выпуска DRAM. А во время конференции VLSI раскрыла подробности о своей 7-нм технологии, основанной на EUV. Новая литография предлагает широкий спектр преимуществ для чипов компании, которые, как ожидалось, могут появиться уже в Galaxy S10. Samsung собирается первой на рынке начать применение технологии EUV, сулящей ряд выгод по сравнению с традиционными инструментами, поставляемыми ASML или Nikon.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Сегодня литографические инструменты используют свет с длиной волны 193 нм. EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) — следующее поколение инструментов печати чипов, оснащённых сканерами с длиной волны 13,5 нм. Например, новые сканеры уже позволили Samsung создать самые маленькие FinFET-транзисторы в мире. В целом новый 7-нм техпроцесс компании, как сообщает корейский производитель, позволяет на 40 % увеличить плотность логики чипов по сравнению с её 10-нм нормами, используемыми в Snapdragon 845 и Exynos 9810.

Это не единственное преимущество: Samsung говорит о повышении на 70 % точности фотошаблонов, что позволяет сократить количество циклов обработки и, соответственно, заметно снизить себестоимость. По сравнению со 193-нм сканерами новое EUV-оборудование от ASML также помогает быстрее наращивать долю выхода годных кристаллов, что тоже увеличивает экономию.

Уже сейчас корейский гигант добился производства 256-Мбит тестовых кристаллов SRAM с использованием 7-нм норм с долей выхода годных чипов более 50 процентов. Кроме того, компания отпечатала полностью работоспособную 7-нм однокристальную систему с четырёхъядерным CPU и шестиядерным GPU. Samsung говорит, что новые 7-нм нормы EUV обеспечивают рост производительности на 20–30 % или снижение энергопотребления на 30–50 % (то есть до двух раз).

К сожалению, процесс перехода от рискового производства в этом году до полноценной массовой печати кристаллов может занять у Samsung 12 месяцев и даже более. Другими словами, не стоит рассчитывать, что новый флагманский кристалл Samsung, который придёт на смену Exynos 9820, будет произведён с соблюдением 7-нм норм EUV. По-видимому, в Galaxy S10 будет использоваться чип на базе 8-нм LPP техпроцесса Samsung — такой же применяется якобы в производстве Snapdragon 730. Кстати, Samsung подтвердила, что может перевести чипы Qualcomm с 10-нм FinFET-печати на 8-нм техпроцесс, так что вполне можно ждать анонса ряда новых 8-нм процессоров Snapdragon.

Тем временем TSMC придерживается другого подхода в освоении 7-нм норм: тайваньская компания опирается на отработанные литографические инструменты вместо освоения ULV-сканеров. За счёт этого её техпроцесс CLN7FF уже готов к массовому производству, а к концу года ожидается, что количество 7-нм продуктов, достигших стадии tapeout, превысит 50 и будет включать однокристальные системы, серверные CPU, графические и ИИ-ускорители, FPGA и сетевые процессоры. Одним из них выступает, по слухам, Apple A12, который появится в новых iPhone.

ASML отмечает высокий спрос на сканеры EUV

Компания ASML сообщила о росте интереса производителей полупроводников к сканерам диапазона EUV. Массовые сканеры диапазона DUV с длиной волны 193 нм тоже пользовались повышенным спросом. За 2017 год компания поставила 161 сканер DUV, что на 21 % больше поставок 2016 года. Рост продаж сканеров в Китае также вырос примерно на 20 %. В 2018 году поставки в Китай продолжатся, заявки на которые компании ASML оставили пять крупных китайских производителей полупроводников.

Сканер EUV без защитного кожуха (проекционная система, обратите внимание, состоит из зеркал)

Сканер EUV без защитного кожуха (проекционная система, обратите внимание, состоит из зеркал, а не линз)

Что касается новейших сканеров EUV с длиной волны 13,5 нм, то в 2017 году таких отгружено 10 штук, за что ASML получила 1,1 млрд евро (по 110 млн евро за каждый). Ещё два сканера собраны раньше срока и находятся в процессе доставки заказчику. В 2016 году отгружено всего 4 EUV сканера, так что 2017 год можно считать годом массового выпуска сканеров действительно нового поколения. Всего в очереди заказов на выпуск EUV-сканеров находятся 28 заявок. В 2019 году, как рассчитывают в ASML, в очереди будет не менее 30 заявок на 13,5-нм сканеры.

Следует сказать, что ASML постепенно совершенствует сканеры диапазона EUV. Скорость производства осталась на прежнем уровне и достигает 125 пластин в час, но время промышленной эксплуатации сканеров увеличилась с 80 % до 90 %. Иначе говоря, время простоя по отношению к времени в работе сократилось на 10 %. При обработки всех рабочих слоёв чипа сканеры EUV всё ещё малопродуктивны, но для изготовления нескольких критически важных слоёв уже готовы к использованию в промышленных масштабах. Этим вскоре и первой воспользуется компания Samsung, когда во второй половине текущего года начнёт выпуск первого поколения 7-нм продуктов, и компания TSMC, но сделает это в следующем году в процессе выпуска второго поколения 7-нм продукции.

Показатели ASML за 3 и 4 кварталы 2017 года (разбивка по технологиям, заказчикам, регионам поставок, числу сканеров с разбивкой по виду излучения)

Показатели ASML за 3 и 4 кварталы 2017 года (разбивка по технологиям, заказчикам, регионам поставок, числу сканеров с разбивкой по виду излучения)

В целом за календарный 2017 год ASML выручила 9,05 млрд евро (около $11,04 млрд) — это на 33 % больше, чем за 2016 год. Чистая прибыль компании за 2017 год достигла 2,12 млрд евро (порядка $2,59 млрд), что на 44 % больше по сравнению с 2016 годом. Производство сканеров всех типов, включая EUV, компания ASML готова нарастить по первому требованию заказчиков, так что в будущее она смотрит с оптимизмом (удерживая 80 % рынка 193-нм сканеров, в оптимизме недостатка не будет).

В Китае первые EUV-сканеры ASML будут установлены в 2019 году

В текущем году так называемая EUV-литография — система проекции для производства полупроводников с использованием излучения с длиной волны 13,5 нм — достигла коммерческой зрелости. Производством литографических EUV-сканеров занимается нидерландская компания ASML. В настоящий момент ASML поставила клиентам 14 опытных EUV-сканеров и располагает заказами на изготовление 21 новой установки.

Внешний вид типичного современного литографического сканера компании ASML для выпуска чипов

Внешний вид типичного современного литографического сканера компании ASML для выпуска чипов

Первыми сканеры EUV-диапазона для коммерческого производства полупроводников с нормами 7 нм начнёт использовать компания Samsung — это произойдёт в 2018 году. В 2019 году коммерческий выпуск 7-нм чипов на EUV-оборудовании начнёт компания TSMC. Компания GlobalFoundries приступит к коммерческой эксплуатации EUV-сканеров в конце 2019 года или, скорее всего, в 2020 году. В компании Intel по этому поводу хранят молчание, но, по слухам, из 21 новых сканеров ASML большинство установок заказано Intel. Китайцы, что удивительно, также рассчитывают получить первые EUV-сканеры в 2019 году.

Собственно, удивляет не сам факт получения сканеров, деньги на которые Китай найдёт в любом объёме, а намерение китайских производителей начать выпуск 7-нм полупроводниковой продукции по истечении трёх лет — в 2020 или 2021 году. В настоящий момент в страну негласно запрещено передавать техпроцессы с нормами 14 нм. Компании UMC и TSMC, например, с трудом получили разрешение внедрить на своих китайских СП техпроцессы с нормами 28 нм. Тем не менее, о планах поставить в Китай EUV-сканеры заявил глава китайского представительства ASML Ким Ён Сун (Young-Sun Kim).

Кремниевая пластина (Фото ASML)

Кремниевая пластина (Фото ASML)

По словам локального представителя ASML, есть договорённость на поставку EUV-сканеров с одним из китайских лидеров контрактного производства полупроводников, и есть множественные контакты с компаниями поменьше. Поскольку на изготовление каждой установки уходит около 21 месяца, контракты необходимо заключать с существенным упреждением. Кстати, ASML не собирается и никак не дискриминирует китайских заказчиков, чтобы отдавать предпочтение заказам со стороны американских, тайваньских или японских компаний. Если китайская компания захочет купить EUV-сканеры, они будут собраны в срок и отправлены заказчику без каких-либо оговорок.

ASML и Carl Zeiss подали встречный иск против Nikon

ASML, третий по величине производитель полупроводникового оборудования в мире, заявил в минувшую пятницу, что подал встречный иск против Nikon после того, как несколькими днями ранее японская компания начала против него широкомасштабную патентную битву.

REUTERS/Thomas Peter

REUTERS/Thomas Peter

Иски ASML касаются нарушения более 10 патентов на оборудование для производства полупроводников, оборудование для производства плоских панелей и цифровых камер. Они были поданы в суд в Японии голландской компанией самостоятельно и совместно со своим партнёром Carl Zeiss, немецким производителем оптических систем и медицинских устройств, отмечено в заявлении ASML. Также будут поданы иски против японского производителя в США.

ASML доминирует на рынке литографических машин, используемых крупнейшими мировыми производителями для того, чтобы выпускаемые микросхемы были ещё меньше, быстрее и производительнее. По данным рейтингового агентства Fitch, ASML генерирует около 80 % доходов на этом рынке, опережая Nikon и Canon, занимающих второе и третье место соответственно.

Раунд исков и встречных исков последовал после безуспешных попыток пересмотреть патентную сделки между ASML и Nikon, срок действия которой истёк в 2014 году. Сейчас есть угроза возобновления патентных боёв между компаниями, которые начались на рубеже веков.

ASML сталкивалась с обвинениями Nikon в нарушении патентных прав и раньше. В 2001 году Nikon обратилась по этому поводу в Международную комиссию по торговле США (ITC). Спустя два года ITC вынесла решение о невиновности ASML, победившей по всем 15 пунктам обвинения. В 2004 году Nikon, ASML и Carl Zeiss заключили перекрёстное лицензионное соглашение на пять лет. Лицензионный период закончился 31 декабря 2009 года. Переходный период, в течение которого стороны согласились не подавать иск, закончился 31 декабря 2014 года.

Следует отметить, что в 2004 году патентный портфель Nikon был больше, чем у ASML и ZEISS, но сейчас ситуация в корне изменилась. 

Nikon подала в суд на ASML и Carl Zeiss за нарушение патентов

В декабре 2016 года компания Nikon объявила о начале реструктуризации бизнеса. Как и многие другие японские производители электроники, Nikon вошла в чёрную полосу убытков. В частности, продажи цифровых камер компании страдают под давлением смартфонов. Между тем значительную часть выручки компании Nikon приносило производство промышленного литографического оборудования для выпуска полупроводников. Но всё это осталось в 90-х годах прошлого века. Увы, пионер рынка оборудования для производства чипов уступил пальму первенства конкурентам, а именно — нидерландской компании ASML.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

В 90-х годах доля Nikon на рынке литографического оборудования для выпуска полупроводников достигала 60 %. В настоящее время 84 % этого рынка принадлежит компании ASML. На долю оборудования ASML для иммерсионной литографии приходится ещё больше — 93 % рынка. Угрозу со стороны ASML компания Nikon начала ощущать в конце 90-х, а в 2001 году подала в один из судов США против нидерландского конкурента иск с обвинением в нарушении патентов. Также Nikon обвинила в нарушении своих патентов немецкую компанию Carl Zeiss, которая поставляла ASML оптические системы для литографических сканеров (на тот момент такие установки назвались степперами).

Сканер компании Nikon

Сканер компании Nikon

В 2004 году Nikon, ASML и Carl Zeiss заключили пятилетнее перекрёстное лицензионное соглашение. В рамках соглашения компания ASML уплатила Nikon $87 млн, а Carl Zeiss — $58 млн. После 2009 года Nikon, ASML и Carl Zeiss провели ряд консультаций, но так и не смогли договориться о продлении соглашения на последующие годы. Между тем современные сканеры используют всё те же принципы и базовые технологии, которые когда-то запатентовала Nikon.

Опытный сканер Nikon для обработки пластин диаметром 450 мм

Опытный сканер Nikon для обработки пластин диаметром 450 мм

Сегодня компания ASML получает от продажи литографического оборудования около $7,37 млрд в год (данные за 2016 год). По мнению Nikon, $3,8 млрд из этой суммы ASML получает благодаря нарушению патентов японского разработчика. Очевидно, что с точки зрения Nikon это несправедливо. Чтобы призвать нарушителей патентов к ответу, Nikon подала иски против ASML и Carl Zeiss в Нидерландах, Германии и в Японии. Компании ASML и Carl Zeiss обвиняются в нарушении 11 патентов Nikon. Подобные иски рассматриваются достаточно долго, но у Nikon есть козырь — отказ от продления перекрёстного соглашения. Так что всё может закончиться внесудебной договорённостью между компаниями.

ASML покупает долю в Carl Zeiss для совместной разработки оптики для EUV-сканеров

Нидерландская компания ASML Holding NV сообщила, что она достигла договорённости о покупке доли в одном из ведущих подразделений немецкой компании Carl Zeiss AG. Если сделка состоится, то к концу второго квартала 2017 года за сумму в 1 млрд евро компания ASML получит 24,9 % акций группы Carl Zeiss SMT. Подразделение Carl Zeiss SMT специализируется на разработке оптических систем для литографических сканеров для выпуска полупроводников. Компания ASML, как знают многие из наших читателей, является лидирующим разработчиком и производителем сканеров для литографической обработки кремниевых подложек (пластин). К слову, Carl Zeiss SMT и ASML сотрудничают уже порядка 30 лет, так что укрепление отношений опирается на хорошую основу.

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Новый уровень отношений между ASML и Carl Zeiss SMT должен привести к разработке оптической системы для EUV-сканеров нового поколения (используется излучение в сверхжёстком ультрафиолете с длиной волны 13,5 нм, что требует уже не линз, а зеркал). Первое коммерческое поколение EUV-сканеров массово начнёт использоваться на рубеже 2018-2019 годов. Числовая апертура (NA) оптических систем таких сканеров будет равна 0,33, тогда как NA сканеров следующего поколения должна достичь значения 0,5 или даже выше. Первое поколение сканеров позволит за один проход формировать 7- и 5-нм полупроводники, а второе поколение сканеров ориентировано на выпуск полупроводников с нормами 3 нм и меньшими нормами. Появятся такие сканеры, по оценкам ASML, после 2020 года, но не позже 2025 года.

Перспективы перехода к оптическим системам с высоким значением NA для EUV-сканеров (ASML)

Перспективы перехода к оптическим системам с высоким значением NA для EUV-сканеров (ASML)

Кроме покупки акций группы Carl Zeiss SMT компания ASML берёт на себя обязательство инвестировать в разработки оптических систем с высоким значением числовой апертуры (High NA). Первым вкладом станут инвестиции в объёме 220 млн евро. В следующие шесть лет в эти разработки компания ASML вложит ещё 540 млн евро. Отдачей будет не только доступ к перспективным разработкам, но также выплаты в виде дивидендов, которые Carl Zeiss SMT будет платить материнской компании и компании ASML.

GlobalFoundries раскрывает планы на будущее: 7 нм в 2018 году

GlobalFoundries недавно обнародовала первые подробности о своём технологическом процессе следующего поколения — 7 нм, которое начнёт применяться в 2018 году. Первоначально GlobalFoundries продолжит использовать иммерсионную литографию и эксимерный лазер с длиной волны 193 нм (deep ultraviolet, DUV) для производства микросхем по технологии 7 нм, но после может начать применять фотолитографию в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet, EUV) и лазеры с длиной волны 13,5 нм для критичных слоёв, в случае, если соответствующее оборудование будет готово к коммерческому производству. Принимая во внимание тот факт, что ключевым клиентом GlobalFoundries является Advanced Micro Devices, планы данного контрактного производителя микросхем будут иметь большое значение для рынка персональных компьютеров (ПК). В дополнение к передовой технологии 7 нм GlobalFoundries продолжит совершенствовать свои техпроцессы на основе FD-SOI.

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Существенные улучшения по сравнению с 14LPP

GlobalFoundries будет использовать свой технологический процесс 7 нм для производства различных высокопроизводительных микросхем, таких как процессоры, графические процессоры и системы на кристалле (system-on-chip, SoC) для всевозможных областей применения (мобильные устройства, ПК, серверы и т. д. ). Таким образом, целый ряд будущих продуктов AMD будет выпускаться с использованием 7-нм технологий GlobalFoundries (что мы знали из соглашения о поставке подложек, которые компании подписали ранее в этом году). При этом, в отличие от других производителей микроэлектроники, GlobalFoundries пропустит техпроцесс 10 нм, мотивируя это его слабыми преимуществом по сравнению с технологией 14LPP (14 нм, low power plus). Что касается технологии 7 нм DUV, то для неё GlobalFoundries обещает более чем двукратное увеличение плотности транзисторов, более чем 60-% снижение энергопотребления (при одинаковой тактовой частоте и сложности) или же более чем 30-% увеличение производительности (при одинаковом энергопотреблении и сложности). На практике это означает, что в идеальном сценарии GlobalFoundries будет иметь возможность удвоить количество транзисторов в микросхеме без увеличения размера кристалла при одновременном повышении её производительности на ватт. GlobalFoundries планирует продолжить использование текущего оборудования в Fab 8 при производстве микросхем по технологии 7 нм. Тем не менее, следующий техпроцесс потребует новых инвестиций в производственный комплекс, которые составят несколько миллиардов долларов.

Кремниевая пластина. Фото ASML

Кремниевая пластина. Фото ASML

К настоящему времени GlobalFoundries уже начала изготовление тестовых пластин с различными разработками своих клиентов по технологии 7 нм в производственном комплексе Fab 8 около города Мальта (штат Нью-Йорк). Несмотря на то, что компания не сможет использовать свой опыт в освоении 10-нм техпроцесса для 7-нм технологии, в GlobalFoundries говорят, что компания приобрела большой опыт с FinFET-транзисторами при работе с нормами производства 14LPE и 14LPP. Контрактный производитель полупроводников рассчитывает утвердить спецификацию 7-нм техпроцесса во второй половине 2017 года, что может предполагать старт массового производства соответствующих микросхем во второй половине 2018-го. По понятным причинам GlobalFoundries не может определить точно, когда именно она начнёт использование EUV-фотолитографии, но можно с уверенностью сказать, что EUV будет применяться не ранее 2019 года.

Ожидаемые GlobalFoundries улучшения в области производительности, энергопотребления и плотности размещения транзисторов (power, performance, area, PPA) для 7-нм технологического процесса смотрятся весьма достойно. Однако следует отметить, что GlobalFoundries является второй компанией, которая официально подтвердила намерение использовать DUV-литографию для 7-нм техпроцесса. Samsung надеется использовать EUV-литографию для критичных слоёв в случае с 7 нм, чтобы избежать использования многократного экспонирования (multipatterning), которое значительно увеличивает стоимость проектирования и производства и длительность производственного цикла (впрочем, на официальном сайте компания подтверждает лишь факт «оценки перспектив» использования EUV). В Intel также рассматривают возможность использования EUV для технологического процесса с шириной транзисторного затвора 7 нм. Тем не менее, TSMC не боится использования многократного экспонирования и намерена производить полупроводники с использованием технологии 7 нм при помощи иммерсионной фотолитографии во второй половине 2018 года.

Инспектирование подложки с микросхемами

Инспектирование подложки с микросхемами

Как покажут себя 7-нм нормы производства GlobalFoundries и TSMC, будет ясно в ближайшие годы, но следует иметь в виду, что техпроцесс первой «совместим с EUV»: компания сможет начать использование сканеров ASML TWINSCAN NXE для критичных слоёв, как только указанное оборудование будет готово для коммерческого использования (мощность источников излучения составит 250 Ватт, а сами сканеры будут доступны более 80 % времени). Поскольку технология 7 нм с EUV будет использоваться для производства других микросхем, нежели технология 7 нм с DUV, GlobalFoundries не делает секрета, что 7 нм с DUV и 7 нм с EUV являются двумя поколениями одного техпроцесса. Более того, если EUV-сканеры будут готовы к массовому производству уже в 2019 году, то жизненный цикл технологии 7 нм с DUV будет весьма недолгим. К слову, уже сейчас GlobalFoundries использует TWINSCAN NXE и EUV для ускорения производства прототипов определённых интегральных схем для своих клиентов. Иными словами, компания постепенно набирается опыта в использовании EUV.

GlobaFoundries пропустит 10 нм

Анонсировав техпроцесс 7 нм, GlobalFoundries подтвердила слухи о том, что не будет предлагать технологию 10 нм. Судя по всему, тому есть две причины, обе из которых лежат в плоскости PPASC (power, performance, area, schedule, costs). C одной стороны, 10-нм нормы производства не дали бы желаемого технологического эффекта, с другой — график их появления и необходимые инвестиции не обеспечили бы желаемого экономического эффекта.

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

Поскольку технологии производства полупроводников становятся всё более комплексными, обеспечивать постоянные улучшения по всем метрикам PPA становится всё более сложно. Как результат, некоторые технологические процессы используются лишь некоторыми разработчиками на протяжении пары лет, а другие — годами и десятками компаний. GlobalFoundries считает, что техпроцесс 10 нм не обеспечит ощутимого роста производительности, снижения энергопотребления и роста плотности транзисторов по сравнению с технологией 14LPP (которая использует межблочные соединения от 20-нм техпроцесса), а потому станет маловостребованной переходной технологией с коротким жизненным циклом (в последние годы таковыми стали 45-, 32- и 20-нм техпроцессы, которые были использованы единицами разработчиков). Если мы посмотрим на озвучиваемые PPA-улучшения для наиболее продвинутых техпроцессов компаний GF, Samsung Foundry и TSMC последних лет, то мы заметим, что новая технология не принесёт по-настоящему существенных улучшений ни в случае TSMC (мы видели нечто подобное в случае с CLN20SOC), ни в случае Samsung (при этом, следует помнить о том, что технология 14LPP была лицензирована именно у последней), что подтверждает опасения GlobalFoundries.

В какой-то мере ожидания GlobalFoundries, что техпроцесс 10 нм может стать переходной технологией с коротким жизненным циклом, оправданы. На сегодняшний день, менее чем за полгода до старта массового производства (конец 2016 — начало 2017), лишь три клиента TSMC завершили проектирование 10-нм микросхем и отправили их цифровые модели производителю. В случае с технологией 16 нм (CLN16FF) десятки компаний завершили проектирование своих чипов задолго до старта массового производства во второй половине 2015 года. Примечательно, что 10-нм техпроцесс TSMC будет использоваться в основном разработчиками мобильных SoC (читай: Apple, Qualcomm, MediaTek), которым требуется увеличивать количество транзисторов и производительность на ватт каждый год. Такие клиенты меньше обеспокоены производственными затратами и агрессивностью усовершенствований, им требуются новые технологии просто чтобы представлять новые SoC каждый год, как того требует рынок. В то же время, по словам руководства TSMC, технология производства 7 нм будет использоваться многими клиентами компании, в том числе для изготовления микросхем для высокопроизводительных вычислений (впрочем, это не значит, что никто с рынка решений для HPC не будет использовать 10-нм технологию). TSMC планирует начать массовое производство 7-нм чипов в первой половине 2018 года, на несколько месяцев раньше GlobalFoundries. Тем не менее, первый технологический процесс TSMC c EUV (5 нм) появится лишь в 2020 году, таким образом, компания может быть немного позади своего соперника, когда дело дойдёт до следующего поколения литографии.

Samsung продемонстрировала первые пластины, обработанные по технологии 10LPE (10 нм, low power early), в мае 2015 года и обозначила планы по использованию 10-нм техпроцесса для производства коммерческих чипов в конце 2016 года. Кроме того, в ближайшее время компания планирует начать производство микросхем с использованием улучшенной технологии 10LPP с увеличенным частотным потенциалом. Таким образом, за несколько месяцев до выпуска нового поколения смартфонов Samsung Galaxy S8 в первой половине 2017 года, у Samsung будет возможность производить для них 10-нм микросхемы (судя по всему, речь идёт о новых Samsung Exynos и Qualcomm Snapdragon). Поскольку Samsung требуются наиболее передовые SoC для своих смартфонов, неудивительно, что компания готовится развернуть 10-нм производство. Даже в случае, если она не получит множество клиентов на данный техпроцесс, она в любом случае будет нуждаться в продвинутой технологии изготовления микросхем, чтобы сохранять конкурентоспособность с Apple (или даже получить эту компанию в качестве клиента). Кроме того, если Samsung решит, что применение EUV необходимо для её технологического процесса с шириной транзисторного затвора 7 нм, то концерну придётся использовать 10LPP (или более совершенные нормы изготовления) до тех пор, пока сканеры ASML TWINSCAN NXE не будут готовы для массового производства. Отчасти поэтому Samsung не делает конкретных анонсов о времени появления 7-нм техпроцессов (всё, что мы знаем, это то, что они появятся в 2019 году, или позже), а также конкретных планов касательно EUV.

В то же время есть ещё одна причина, почему GlobalFoundries решила пропустить технологический процесс 10 нм. Два года назад компания приобрела активы IBM Microelectronics вместе с командой разработчиков. Естественно, что для интеграции сотрудников IBM в структуры GlobalFoundries потребовалось время, а потому, вместо создания 10-нм техпроцесса (который бы всё равно опоздал), компания решила сосредоточиться на технологическом процессе с шириной транзисторного затвора 7 нм. Последний станет первым техпроцессом, совместно разработанным специалистами их GlobalFoundries и IBM.

Плавный переход к EUV

В настоящее время как производители полупроводников, так и производители оборудования для изготовления микросхем согласны, что EUV потребуется при переходе на более тонкие техпроцессы. Вопрос в том, будет ли готова компания ASML поставлять соответствующие сканеры для норм производства 7 нм или 5 нм. Как следствие, каждый должен принимать решение о том, когда именно начинать использование EUV для критичных слоев.

Фотошаблон Zeiss для производства микросхем с использованием EUV

Фотошаблон Zeiss для производства микросхем с использованием EUV

ASML и Cymer последовательно улучшают свои сканеры и характеристики источников EUV-излучения, тогда как производители полупроводников учатся использовать эти инструменты. До сих пор только TSMC обозначила конкретные сроки начала использования EUV: 2020 год для технологического процесса 5 нм. Хотя Samsung и утверждает, что EUV потребуется для 7-нм производства, компания не раскрывает точного времени старта применения соответствующих инструментов. Аналогично поступает и GlobalFoundries, когда указывает на совместимость 7-нм техпроцесса с EUV оборудованием, но не указывает сроков старта применения TWINSCAN NXE. Intel также взвешивает возможности использования EUV для критичных слоёв в 7-нм микросхемах, но не делает формальных официальных заявлений. Что касается SMIC и UMC, то обе компании пока никак не обозначили планы использования фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Кроме того, обеим компания еще требуется догнать своих соперников с FinFET-транзисторами.

Разрабатывая технологический процесс с шириной транзисторного затвора в 7 нм, который «совместим с EUV на ключевых уровнях», что по сути означает два поколения техпроцессов, GlobalFoundries ведёт себя весьма мудро.

  • Во-первых, у компании будет новый 7-нм техпроцесс, готовый к массовому производству во второй половине 2018 года. Это позже, чем начало 7-нм производства у TSMC, но раньше, чем у Intel (которая не без оснований заявляет, что плотность транзисторов у её 10-нм технологии будет похожа на плотность транзисторов у конкурирующих 7-нм решений, а потому формальное отставание не имеет значения), что будет позитивно для AMD и других клиентов GlobalFoundries (впрочем, надо держать в уме, более длительный цикл производства и увеличенную себестоимость микросхем в случае 7 нм и DUV).
  • Во-вторых, как только EUV-оборудование будет готово к массовому производству, у GlobalFoundries будет уже разработанный техпроцесс, совместимый с EUV. При этом большинство слоёв всё равно будут экспонироваться при помощи привычных DUV-сканеров, а значит зрелость «DUV-составляющей» весьма важна.
  • В-третьих, даже если оборудование ASML не будет готово ко второй половине 2019 года (о чём её клиенты узнают задолго до этого срока), GlobalFoundries будет иметь конкурентоспособную технологию производства и время, чтобы разработать новую, с (или без) EUV.

Разумеется, при определенном стечении обстоятельствах GlobalFoundries придётся конкурировать с 5-нм технологией TSMC при помощи 7-нм норм производства в 2020 году. Однако компания сделает всё, чтобы этого избежать.

GlobalFoundries предложит как EUV, так и FD-SOI

GlobalFoundries не кладёт все яйца в одну корзину. Хотя компании Samsung и TSMC разрабатывают версии своих техпроцессов с FinFET-транзисторами с уменьшенной стоимостью производства и сниженным энергопотреблением в попытке привлечь создателей микросхем с небольшими бюджетами, GF планирует продолжать разработку новых технологий с планарными транзисторами с применением подложек FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator, полностью обеднённый кремний-на-изоляторе). Таким образом, для недорогих микросхем с низким энергопотреблением, беспроводными и аналоговыми интерфейсами, компания будет продолжать предлагать техпроцесс 22FDX (28 нм BEOL, 14 нм FEOL разработанные STMicroelectronics), а затем более совершенный 12FDX.

Дифферинцированный подход GlobalFoundries: FinFET, EUV и FD-SOI

Дифферинцированный подход GlobalFoundries: FinFET, EUV и FD-SOI

Поскольку проектирование микросхем на основе планарных транзисторов в разы дешевле проектирования чипов с трёхмерными FinFET-транзисторами, технологии на базе FD-SOI отлично подходят для небольших разработчиков чипов для целого ряда приложений (беспроводные устройства, IoT, 5G и т. д. ). GlobalFoundries позиционирует 22FDX как альтернативу 14/16 нм FinFET-техпроцессам, тогда как 12FDX будет конкурировать против 10-нм, а, возможно, и против суб-10 нм технологий в 2019 году и далее. Samsung, другой производитель микросхем с использованием FD-SOI, обозначил планы добавить поддержку eNVM (embedded non-volatile memory) в техпроцесс 28FDS в 2018 году, но не раскрыл, планирует ли совершенствовать свои FD-SOI предложения в дальнейшем.

Будут ли технологии GlobalFoundries на базе FD-SOI пользоваться спросом — покажет время. Тем не менее, GlobalFoundries и Samsung являются единственными контрактными производителями микросхем, кто планирует предлагать как передовые техпроцессы с FinFET-транзисторами, так и экономичные технологии производства с планарными вентилями и FD-SOI в 2020 году и далее. Кроме того, пока лишь GlobalFoundries обозначила планы по суб-20 нм нормам производства с применением FD-SOI.

ASML приближается к поглощению компании Hermes Microvision

Как и во всей полупроводниковой индустрии, отрасль по выпуску производственного оборудования для выпуска полупроводников также переживает этап консолидации или укрупнения. Примером этому служит процесс по поглощению нидерландской ASML Holding тайваньской компании Hermes Microvision Inc. (HMI).

bloomberg.com

bloomberg.com

В середине июня ASML сообщила, что она достигла договорённости о покупке всех акций компании HMI. Цена вопроса достигает $3,2 млрд. Для IT-сектора Тайваня это крупнейшая сделка в истории. Немудрено, что тайваньская Комиссия по честной торговле пристально изучала вопрос с продажей HMI. На днях FTC Тайваня разрешила сделку. Со слов ответственных лиц, продукция ASML и Hermes Microvision не пересекается, что не приведёт к монополизации рынка производственного оборудования, так что прямого нарушения антимонопольных законов нет.

Пример сканера компании ASML (ASML)

Пример сканера компании ASML (ASML)

Правда, остаётся один вопрос, который ещё потребует рассмотрения. После поглощения HMI компания ASML сможет предложить лучший в индустрии набор оборудования для производства и тестирования чипов, что косвенно может навредить конкурентам. В настоящий момент это не считается препятствием для сделки. Возможно, на это обратят внимание регулирующие органы других стран. Сделку между ASML и HMI пока не одобрили комиссии США, Южной Кореи и Сингапура.

Компания ASML, как вы можете знать, выпускает сканеры для литографического производства полупроводников. Её клиентами являются Intel, Samsung, TSMC и другие чипмейкеры. Также ASML поставляет опытные сканеры для будущей EUV-литографии. Продукция компании Hermes Microvision — это сканеры с использованием электронно-лучевой литографии и оборудование для обнаружения дефектов в чипах на полупроводниковых пластинах. Поскольку топографические размеры элементов на пластине стремительно уменьшаются, искать дефекты становится всё труднее. Поэтому гармоничное сочетание проекционного оборудования ASML со встроенным в цепочку оборудованием HMI для тестирования обещает поднять качество заводской проверки чипов на новую высоту.

Японский консорциум разработал фоторезист, открывающий путь к EUV-литографии

Чтобы перенести рисунок электронной схемы с фотомаски на полупроводниковый кристалл, на полупроводниковую пластину необходимо нанести светочувствительный материал — фоторезист. Под воздействием потока фотонов материал изменит свои свойства, а последующий смыв фоторезиста раствором оставит на пластине рисунок будущих цепей для дальнейшего травления.

Ожидаемый в 2017–2018 годах переход на излучение в крайнем ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV) предъявляет новые требования к фоторезисту. Само по себе жёсткое излучение способно повредить кремниевую подложку, поэтому время экспозиции должно быть снижено до порядка одной фемтосекунды (до миллиардной доли микросекунды). Современные фоторезисты не способны работать с такой короткой выдержкой. При этом фоторезист должен сохранять механическую прочность. Попросту говоря, современные смеси могут быть либо механически устойчивыми, но с длительной выдержкой проекции, либо слабоустойчивыми, но с повышенной светочувствительностью.

По сообщению японского консорциума Eidec (EUVL Infrastructure Development Center), созданного в 2011 году рядом крупнейших местных компаний, включая Toshiba, Nikon, Fujifilm, Shin-Etsu Chemical и Dai Nippon Printing, разработчикам удалось создать фоторезист, подходящий для EUV-проекции. Вместо набора органических материалов для состава фоторезиста учёные составили смесь из оксидов металлов. Новый фоторезист для EUV-литографии оказался в 10 раз более чувствителен к излучению, чем современные фоторезисты, уже использующиеся для опытного производства с использованием EUV-излучения. Фактически речь идёт о возможности примерно в 10 раз ускорить обработку кремниевых пластин.

Перечень основных компаний, участвующих в разработке EUV-сканеров

Перечень основных компаний, участвующих в разработке EUV-сканеров

Следует напомнить, что современные сканеры компании ASML для EUV-литографии оборудуются источниками излучения чуть более 80 Вт. Это как минимум в три раза меньше, чем необходимо для организации коммерческого производства с использованием EUV-оборудования. Источник излучения мощностью 80 Вт в однодневном цикле позволяет за сутки обработать около 1000 пластин. Многосуточный цикл снижает объёмы обработки до 300–400 пластин в сутки. Для сравнения, современные 193-нм сканеры за сутки способны обрабатывать до 4000 пластин. Если получится задействовать новый фоторезист, то даже опытные установки ASML можно будет вывести на коммерческую мощность. Это значительно ускорит начало масштабного производства 10-нм решений в 2017 году и 7-нм — в 2019. Закон Мура под угрозой. Японцы помогут его спасти?

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥