Samsung получила литографический сканер для работы с технологией High-NA EUV

Для выпуска чипов по технологиям с нормами менее 2 нм потребуются литографические сканеры нового поколения, обладающие высоким значением числовой апертуры (High-NA) и использующие сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение (EUV). Первый образец такого оборудования Samsung Electronics уже получила для установки на флагманском предприятии в Хвасоне.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если учесть, что у Intel в Орегоне уже установлено как минимум два таких литографических сканера ASML, и конкурирующая TSMC тоже проявляет осторожный интерес к подобному оборудованию, действия Samsung можно считать своевременными. По данным южнокорейских СМИ, компания получила первый экземпляр сканера ASML TwinScan EXE:5000 для работы с ним на предприятии в Хвасоне в начале этого месяца. Оборудование такого класса понадобится Samsung для экспериментов по выпуску чипов по технологиям тоньше 2 нм.

В четвёртом квартале прошлого года Samsung, по данным TrendForce, занимала 8,1 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов. Буквально за один квартал потери составили один процентный пункт, тогда как TSMC укрепили свои позиции на 2,4 п.п. до 67,1 %. Выручка Samsung при этом сократилась последовательно на 1,4 % до $3,26 млрд. Своевременное освоение передовых техпроцессов позволит Samsung эффективнее удерживать свои рыночные позиции. К 2028 году TSMC рассчитывает внедрить оборудование класса High-NA EUV в массовом производстве чипов, Intel рассчитывает сделать это значительно раньше.