Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Бывшие инженеры ASML тайно построили в Китае прототип EUV-литографа — он работает, но чипы пока не делает
17.12.2025 [20:36],
Сергей Сурабекянц
По словам осведомлённых источников, в Китае построили прототип передового фотолитографа, работающего с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV). Он создан командой бывших инженеров ASML, которые провели реверс-инжиниринг литографов голландской компании. На сегодняшний день китайская установка запущена и успешно генерирует экстремальное ультрафиолетовое излучение, но пока не производит работающие чипы. 
Источник изображений: ASML В апреле генеральный директор ASML Кристоф Фуке заявил, что Китаю потребуется «много-много лет» для разработки технологий EUV-литографии. Но существование этого прототипа предполагает, что Китай может быть на несколько лет ближе к достижению полупроводниковой независимости, чем предполагали аналитики. По словам источников, наличие комплектующих от старых установок ASML на вторичных рынках позволило Китаю создать собственный прототип, который должен обеспечить выпуск работающих чипов к 2028 году. Этот безусловный прорыв знаменует собой кульминацию шестилетней инициативы правительства Китая по достижению полупроводниковой независимости. Китай заявлял об этих целях публично, но «Китайский Манхэттенский проект» по созданию собственного EUV-литографа, осуществлялся в обстановке полной секретности. «Цель состоит в том, чтобы Китай в конечном итоге смог производить передовые чипы на машинах, полностью произведённых в Китае, — сказал один из источников. — Китай хочет полностью исключить Соединённые Штаты из его цепочек поставок». До сих пор только ASML успешно освоила технологию EUV. Её оборудование, стоимость которого составляет около $250 млн, незаменимо для производства самых передовых чипов, разработанных такими компаниями, как Nvidia и AMD, и выпускаемых такими производителями чипов, как TSMC, Intel и Samsung. ASML создала свой первый рабочий прототип технологии EUV в 2001 году, но потребовалось почти два десятилетия и миллиарды евро для начала коммерческого выпуска чипов по этой технологии в 2019 году.  Системы EUV компании ASML в настоящее время доступны союзникам США, включая Тайвань, Южную Корею и Японию. Начиная с 2018 года, США начали оказывать давление на Нидерланды с целью заблокировать продажу ASML систем EUV Китаю. В 2022 году правительство США ввело масштабный экспортный контроль, призванный перекрыть Китаю доступ к передовым полупроводниковым технологиям. ASML утверждает, что ни одна система EUV никогда не продавалась китайским заказчикам. Экспортный контроль был направлен не только на системы EUV, но и на машины предыдущих поколений на основе глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии. В настоящее время государственный департамент США работает с партнёрами «над устранением лазеек по мере развития технологий». В свою очередь, министерство обороны Нидерландов заявило о внедрении политики, требующей от «институтов знаний» тщательных проверок персонала для предотвращения утечек конфиденциальных технологий. По некоторым данным, ASML в 2023 году злоупотребила доверием американской стороны, а когда это вскрылось, предложила США шпионить за китайскими клиентами. По сообщениям осведомлённых источников, приём на работу бывших сотрудников ASML в Китае сопровождался беспрецедентными мерами секретности и выдачей фальшивых удостоверений личности. В команду вошли недавно вышедшие на пенсию бывшие инженеры и учёные ASML китайского происхождения — первоклассные кандидаты на работу, поскольку они обладают конфиденциальными техническими знаниями, но сталкиваются с меньшими профессиональными ограничениями после ухода из компании.  По словам источников, в настоящее время команда из примерно 100 сотрудников занимается обратным проектированием компонентов как EUV, так и DUV литографических машин. Рабочий стол каждого сотрудника снимается индивидуальной камерой, чтобы задокументировать их усилия. Предусмотрена система поощрений за результативный труд. Европейские законы о защите персональных данных ограничивают возможности ASML отслеживать бывших сотрудников. Хотя сотрудники подписывают соглашения о неразглашении, их соблюдение за пределами страны оказалось сложной задачей. В 2019 году ASML выиграла дело на сумму $845 млн против своего бывшего инженера, обвиняемого в краже коммерческих секретов, но ответчик подал заявление о банкротстве и продолжает работать в Пекине при поддержке китайского правительства. Голландская разведка утверждает, что Китай «использовал обширные программы шпионажа в своих попытках получить передовые технологии и знания из западных стран», включая вербовку «западных учёных и сотрудников высокотехнологичных компаний». По словам источников, именно ветераны ASML сделали возможным прорыв в «Китайском Манхэттенском проекте». Без их глубоких знаний технологии реверс-инжиниринг оборудования был бы практически невозможен.  Вербовка сотрудников ASML стала частью агрессивной кампании, начатой Китаем в 2019 году для привлечения экспертов в области полупроводников. Предусматривались бонусы за подписание контракта в размере от 3 до 5 млн юаней (от $420 000 до $700 000) и субсидии на покупку жилья. Некоторым натурализованным гражданам других стран были выданы китайские паспорта и разрешение сохранить двойное гражданство, хотя китайские законы это запрещают. Самые передовые системы EUV компании ASML размером примерно с автобус и весят до 180 тонн. По сообщениям инсайдеров, после нескольких неудачных попыток копирования китайский прототип пришлось существенно увеличить. Он довольно примитивен по сравнению с машинами ASML, но достаточно работоспособен для испытаний. Источники утверждают, что китайский прототип отстаёт от машин ASML из-за проблем с созданием оптических систем, подобных тем, что поставляет ASML немецкая компания Carl Zeiss. Сообщается, что в настоящее время Чанчуньский институт оптики, точной механики и физики Китайской академии наук (CIOMP) добился прорыва в интеграции экстремального ультрафиолетового излучения в оптическую систему прототипа, что позволило начать его испытания в начале 2025 года, хотя оптика все ещё требует значительной доработки. В своём объявлении CIOMP предлагает «неограниченные» зарплаты исследователям-исследователям в области литографии со степенью доктора наук, а также исследовательские гранты на сумму до 4 миллионов юаней ($560 000) плюс 1 миллион юаней ($140 000) в виде личных субсидий.  Бывший инженер ASML Джефф Кох (Jeff Koch) уверен, что Китай добьётся «значительного прогресса», если «источник света будет достаточно мощным, надёжным и не будет создавать слишком много загрязнений». «Без сомнения, это технически осуществимо, это просто вопрос сроков, — сказал он. — У Китая есть преимущество в том, что коммерческое EUV-литографическое производство уже существует, поэтому им не нужно начинать с нуля». Чтобы получить необходимые детали, Китай извлекает компоненты из старых машин ASML и закупает детали у поставщиков ASML через рынки подержанных товаров. По словам источников, международные банки регулярно проводят аукционы старого оборудования для производства полупроводников, которое было в лизинге. Так, на платформе Alibaba Auction ещё в октябре 2025 года продавалось старое литографическое оборудование ASML. Для сокрытия конечного покупателя используются цепочки компаний-посредников. По слухам, в китайском прототипе используются компоненты японских компаний Nikon и Canon, на экспорт которых распространяются ограничения. Обе компании отказались от комментариев. Хотя сам проект создания литографического EUV-сканера находится под управлением китайского правительства, активнейшее участие в нём принимает Huawei. Компания задействована на каждом этапе цепочки поставок, от проектирования чипов и оборудования для производства до изготовления и окончательной интеграции. По словам одного из источников, генеральный директор Huawei Рен Чжэнфэй (Ren Zhengfei) лично информирует высшее китайское руководство о ходе работ. Китайцы создали EUV-сканер на гармониках — в тысячи раз компактнее «шкафов» ASML
22.11.2025 [13:27],
Геннадий Детинич
Китайская компания Hefei Lumiverse Technology представила первый в мире настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) на основе генерации высоких гармоник (HHG), который уже используется на производстве для выпуска 14-нм чипов. В отличие от гигантских литографических машин ASML стоимостью более $100 млн и размером с автобус, новое устройство помещается на обычном лабораторном столе и стоит в сотни раз дешевле. 
Источник изображения: Hefei Lumiverse Technology Представленная технология предоставляет Китаю возможность обойти американские санкции на поставку в страну передового EUV-оборудования и обеспечивает независимое производство чипов, пусть и не самых передовых на сегодняшний день, всё же широко применяемых в электромобилях, промышленной автоматизации и носимых устройствах. Принцип работы компактного сканера основан на направлении мощного фемтосекундного лазера в среду с инертным газом (обычно это аргон), где из-за нелинейных оптических эффектов происходит генерация высоких гармоник, что проявляется в виде вторичного излучения когерентного EUV-света с длиной волны 13,5 нм — именно той, которая необходима для современной литографии. В принципе, длина волны EUV может настраиваться в широких пределах от 1 до 200 нм, поскольку возбуждение на высоких гармониках кратно частоте входного лазерного луча. Но не всё так просто. Излучение, получаемое за счёт генерации гармоник, очень и очень слабое — оно в миллионы раз слабее, чем в литографических сканерах ASML, использующих испарение капель олова лазером. Установка Lumiverse производит EUV-свет мощностью 1 мкВт с крайне низкой эффективностью. Выход в том, что она создаёт на маске пятно света на порядки меньшего диаметра, чем сканер ASML. Это снижает производительность сканера, но позволяет поддерживать необходимую плотность мощности для воздействия на фоторезист. По крайней мере, на первых порах настольный китайский сканер EUV можно использовать для неразрушающего контроля качества продукции или для опытного производства чипов, когда никто никуда не спешит. Кстати, 80 % заказчиков на сканер — это учёные, которые собираются экспериментировать с производством транзисторов нанометрового масштаба. Разработчик заявляет о мировом лидерстве в области 13,5-нм HHG-технологий и планирует в ближайшее время повысить выходную мощность до 1 мВт, что позволит выйти на рынок коммерческого оборудования для контроля и метрологии полупроводников. Разработка стала возможна благодаря возвращению в Китай бывшего руководителя EUV-направления американской KMLabs и демонстрирует стремительное сокращение технологического отставания КНР в одной из самых сложных областей современной микроэлектроники. SK hynix ускорит закупку EUV‑сканеров, чтобы не отдать Samsung лидерство на рынке HBM
24.09.2025 [15:07],
Алексей Разин
Долгое время считалось, что внедрение сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV) при производстве микросхем памяти себя не оправдывает с экономической и технической точки зрения, но конъюнктура начала меняться по мере роста популярности HBM. В таких условиях SK hynix собирается к 2027 году закупить 20 сканеров класса EUV. 
Источник изображения: SK hynix По сути, как поясняет ET News, тем самым SK hynix удвоит за два года количество эксплуатируемых EUV-сканеров, доведя их к 2027 году до 40 штук. Реализация такого плана потребует от SK hynix капитальных затрат в размере около $4,3 млрд. Часть имеющегося оборудования такого класса компания использует для научно-исследовательской деятельности и экспериментов. Приоритетным получателями новых EUV-сканеров ASML станут площадки M15X в Чхонджу и M16 в Ичхоне. По данным отраслевых источников, SK hynix ускоряет темпы закупок EUV-оборудования для своих нужд. В начале этого месяца компания даже получила от ASML первый экземпляр сканера EXE:5200B, который предназначен для работы с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). По состоянию на конец прошлого года TSMC располагала самым большим парком EUV-сканеров среди производителей полупроводниковых компонентов. На втором месте располагалась южнокорейская Samsung Electronics, на третьем была Intel, а вот SK hynix довольствовалась только четвёртым. На пятом месте расположилась американская Micron Technology. Если SK hynix купит ещё 20 сканеров, то окажется на третьем месте и обойдёт Intel. К концу этого года SK hynix планирует освоить пятое поколение 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов памяти HBM4, а также начать освоение 10-нм техпроцесса шестого поколения (1c). В следующем году будет освоен техпроцесс 1d. Данные усилия позволят SK hynix удержать рыночные позиции в условиях усиления конкуренции со стороны Samsung. TSMC переоборудует старые заводы под выпуск дорогостоящих мембран для EUV-литографии
11.09.2025 [14:05],
Алексей Разин
Производство чипов по передовым литографическим технологиям требует использования не только дорогостоящего оборудования, но и высокотехнологичной оснастки. К последней можно отнести сверхтонкие защитные мембраны, которые предохраняют фотомаски от попадания мельчайших частиц пыли. TSMC намерена сама выпускать такие мембраны для своих нужд, снижая уровень брака при использовании передовой EUV-литографии. 
Источник изображения: ASML Представляющая собой технически сверхтонкую прозрачную плёнку, защитная мембрана не так проста в изготовлении. Она должна выдерживать многократное воздействие мощного лазерного излучения, которое разогревает её поверхность до 1000 градусов Цельсия и обладают мощностью до 400 Вт. В случае с EUV-литографией всё усложняется тем, что ресурс защитной мембраны при таких условиях работы заметно сокращается, а себестоимость резко возрастает. Например, если защитная мембрана для использования с менее мощными DUV-лазерами стоит около 600 евро, то при переходе к EUV-излучению стоимость увеличивается сразу в 50 раз до 30 000 евро. Компанию Samsung, как принято считать, это вынудило выпускать чипы с применением EUV-литографии без защитных мембран, и это могло стать одной из причин высокого уровня брака на производстве чипов с использованием той же 3-нм технологии, например. В начале года TSMC заявила, что стоимость одной мембраны для EUV-литографии превышает $10 000, но заменять её нужно каждые три или четыре дня. Тем не менее, компания постепенно пришла к выводу, что обойтись без подобных защитных мембран в будущем не удастся, а потому надо стараться снизить себестоимость подобной оснастки. По информации DigiTimes, компания TSMC намеревается переоборудовать ряд своих старых предприятий под выпуск сверхтонких защитных мембран собственными силами. Это позволит покрыть потребности в оснастке для EUV-линий без чрезмерных затрат на её закупку на стороне. Начать применение защитных мембран собственного производства TSMC сможет в рамках 2-нм техпроцесса или более «тонкого» A16. SK hynix первой в мире установила сканер High-NA EUV для выпуска памяти по передовым техпроцессам
03.09.2025 [07:37],
Алексей Разин
Применение литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA) активнее всего освещается в контексте выпуска интегральных микросхем в целом, а для сферы производства чипов памяти считается не столь актуальным, но это не значит, что подобная миграция оборудования не происходит. SK hynix, например, недавно отчиталась об установке первого сканера ASML TwinScan EXE:5200B, который поможет ей выпускать передовые чипы памяти в будущем. 
Источник изображения: ASML Первый экземпляр этой дорогостоящей литографической системы ASML был установлен на предприятии M16 в южнокорейском Ичхоне. По заявлениям SK hynix, такой сканер способен уменьшить размеры воспроизводимых на кремниевых пластинах транзисторов в 1,7 раза, а плотность их размещения увеличить в 2,9 раза по сравнению с существующими EUV-системами. Применение EUV-оборудования в целом SK hynix начала в 2021 году, но когда она собирается начать применение сканеров класса High-NA EUV в массовом производстве, не уточняется. Значение числовой апертуры при переходе от одного поколения оборудования к другому может измениться с 0,33 до 0,55. Как попутно отмечает The Financial News, конкурирующая Samsung Electronics тоже не упускает из виду соответствующее оборудование, и сканер ASML TwinScan EXE:5000 установила н своём предприятии в Хвасоне ещё в марте текущего года. Эта модель находится на ступень ниже той, что была установлена SK hynix, и чаще всего используется производителями чипов для исследовательских целей и экспериментов. Для Samsung применение оборудования класса High-NA EUV имеет особое значение и при контрактном производстве чипов. Освоить выпуск 1,4-нм продукции компания собирается к 2027 году, но пока не принято решение, потребуются ли для этого сканеры нового поколения. При производстве микросхем памяти Samsung торопиться с их внедрением не будет. ASML рассказала, когда создаст машины для выпуска чипов с разрешением 5 нм
26.06.2025 [15:03],
Алексей Разин
Компания ASML является уникальным представителем нидерландской высокотехнологичной промышленности, поскольку только она выпускает литографические сканеры, позволяющие производить самые передовые полупроводниковые компоненты. «Закон Мура», если верить представителям ASML, сохранит актуальность в ближайшие годы, поскольку производителям чипов будет предлагаться всё более совершенное оборудование. 
Источник изображения: ASML Как отмечается в интервью исполнительного вице-президента ASML по технологиям Джоса Беншопа (Jos Benshop) изданию Nikkei Asian Review, сегодня лишь эта компания способна предложить клиентам литографические сканеры для работы со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Своим успехом ASML, по словам руководителя, обязана обширной сети партнёров и подрядчиков вроде той же Carl Zeiss, поскольку в столь сложной сфере деятельности она изначально не обладала тем количеством ресурсов, которое помогло бы изготавливать всё своими силами. При нынешних масштабах бизнеса обширная кооперация всё равно приносит свои преимущества. Самые совершенные поставляемые сейчас ASML литографические сканеры обеспечивают разрешающую способность на уровне 8 нм за один проход. При этом специалисты ASML и Carl Zeiss уже разрабатывают оборудование с разрешающей способностью 5 нм. Оно выйдет на рынок к 2035 году и позволит ускорить изготовление чипов и повысить уровень их качества. Более того, Джос Беншоп заявил, что ASML работает над увеличением числовой апертуры своего оборудования. Чем больше этот параметр, тем более тонкие структуры могут быть созданы на кремниевой пластине. Стандартные EUV-сканеры располагают числовой апертурой 0,33, а новейшее поколение такого оборудования имеет апертуру 0,55 и относится к классу High-NA. Чтобы поднять значение апертуры до 0,7, необходимо кардинально переработать многие ключевые системы, входящие в состав литографических сканеров, как пояснил представитель ASML. Когда такое оборудование появится на рынке, он уточнять не стал. Хотя ASML уже поставляет образцы сканеров класса High-NA EUV компаниям Intel и TSMC, их массовое применение начнётся не ранее конца текущего десятилетия или начала следующего, по мнению исполнительного вице-президента компании. Базовую технологию EUV компания ASML разрабатывала с 1997 года, а лежащие в её основе принципы были сформулированы ещё в середине 80-х годов прошлого года. Тем не менее, ранее 2006 года ASML так и не смогла создать первые образцы EUV-систем, а их массовое производство и вовсе началось лишь в 2019 году. В прошлом году ASML потратила на оплату компонентов и материалов 16 млрд евро. С 2015 года компания также заметно увеличила расходы на исследования и разработки. Если быть точнее, они к прошлому году выросли с 1,1 до 4,3 млрд евро. TSMC до сих пор не определилась, когда начнёт использовать литографию High-NA EUV
28.05.2025 [08:04],
Алексей Разин
Как известно, Intel приступила к экспериментам с литографическим оборудованием класса High-NA EUV в своих лабораториях ещё в рамках технологии 18A, но в серийном производстве планирует внедрить его не ранее момента перехода на техпроцесс 14A. Компания TSMC на этой неделе призналась, что пока не готова сообщить, когда сделает аналогичный шаг. 
Источник изображения: ASML Оборудование с высоким значением числовой апертуры (High-NA) нужно для уменьшения геометрических параметров транзисторов, содержащихся на кремниевом чипе, но пока оно остаётся громоздким и дорогим, достигая в своей стоимости $400 млн за одну установку. Это не помешало Intel заполучить как минимум два таких литографических сканера ASML для проведения экспериментов в своей лаборатории в Орегоне, и для использования таких систем в серийном производстве ей понадобятся как минимум ещё несколько таких сканеров. Вице-президент по развитию бизнеса TSMC Кевин Чжан (Kevin Zhang) на этой неделе пояснил, что выпуск чипов по технологии A14 может быть налажен без использования подобного оборудования. «Наши специалисты по технологиям ищут возможности для продолжения жизненного цикла имеющегося оборудования с низким значением числовой апертуры», — заявил руководитель на встрече с прессой. «Если им удастся найти такой обходной путь, мы очевидным образом не будем использовать [High-NA]», — добавил он. TSMC ещё в прошлом году заявила, что не будет применять такое оборудование в рамках технологии A16, поскольку это слишком дорого. Intel, которая начнёт поэтапно внедрять High-NA EUV в рамках конкурирующей технологии 14A, недавно также дала понять, что не будет давить на клиентов, и те смогут отдать предпочтение более проверенным литографическим технологиям. По словам руководства ASML, которая поставляет соответствующее оборудование, в опытном производстве чипов решения класса High-NA EUV найдут применение в 2026 или 2027 годах, а массовое применение начнётся позднее. ASML на данный момент отгрузила пять литографических сканеров нового поколения, которые распределились между Intel, Samsung и TSMC. Последняя хоть и не торопится внедрять новую технологию, своевременно знакомиться с возможностями нового оборудования считает крайне важным. ASML увеличит количество обслуживающего персонала в Японии в пять раз
03.04.2025 [04:57],
Алексей Разин
Новая волна развития японской полупроводниковой отрасли, инициированная запуском опытного производства 2-нм чипов компанией Rapidus, в последующие несколько лет потребует от компании ASML увеличения численности обслуживающего оборудование для выпуска чипов персонала в пять раз, как выяснило агентство Nikkei. 
Источник изображения: ASML Как напоминает источник, нидерландская компания ASML является единственным поставщиком в Японию оборудования, позволяющего выпускать передовые чипы с использованием сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV). Такое оборудование, в частности, будет использоваться японской компанией Rapidus, которая к 2070 году рассчитывает развернуть в Японии массовое производство 2-нм чипов. Естественно, для его обслуживания потребуется квалифицированный персонал, поэтому ASML займётся увеличением его локальной численности в Японии. Литографические системы ASML насчитывают почти 100 000 компонентов и сложны в устройстве. Для их успешного встраивания в технологический процесс требуется грамотная настройка. Rapidus будет не единственным потребителем подобного оборудования ASML на территории Японии, со следующего года Micron Technology намеревается внедрить его на своём предприятии по выпуску микросхем памяти DRAM в Хиросиме. К 2027 году ASML собирается увеличить численность обслуживающего персонала в Японии в пять раз до примерно 100 человек. Технологический процесс изготовления полупроводникового чипа может насчитывать от нескольких сотен до тысячи различных этапов, и каждый из них требует не только соответствующего оборудования, но и грамотной его настройки и обслуживания. Остановка EUV-системы на производстве может повлечь упущенную выручку, измеряемую тысячами долларов в минуту, как считает сама ASML. Бригада специалистов по ремонту должна круглосуточно дежурить возле производственной линии, чтобы это предотвратить. Ещё одним крупным клиентом ASML в Японии является JASM — совместное предприятие тайваньской TSMC и японских Sony и Denso. Оно пока не начало использовать EUV-системы на своём производстве и не скоро это сделает, но в перспективе ASML необходимо быть готовой к развитию технологических возможностей этого производителя. В любом случае, JASM уже использует оборудование ASML предыдущих поколений, которое тоже требует обслуживания. Японские поставщики оборудования для производства чипов также наращивают штат обслуживающего персонала. Tokyo Electron собирается за три последующих года нанять 3000 человек. Kokusai Electric за пять предшествующих лет уже увеличила штат обслуживающего персонала на 50 %. В первой в мире памяти DDR5 с EUV-литографией оказалось лишь чуть-чуть EUV и много старых методов производства
11.03.2025 [10:49],
Геннадий Детинич
Южнокорейские источники сообщают, что компания Micron в обозримом будущем не планирует расширять использование EUV-сканеров при производстве памяти. Громкий анонс поставок первых в мире чипов Micron DDR5 поколения 1γ с применением EUV-литографии (длина волны 13,5 нм) оказался своего рода психологической атакой на конкурентов. В дальнейшем компания намерена полагаться на массовое использование классических 193-нм сканеров в производстве DRAM. 
Источник изображений: Micron Издание Chosun Biz сообщило, что при производстве памяти Micron DDR5 поколения 1γ (гамма) с помощью EUV-сканера обрабатывается лишь один слой из нескольких десятков. Все остальные слои создаются с использованием аргон-фторидных эксимерных лазеров (ArF) с погружением в жидкость (так называемая иммерсионная литография для повышения разрешения). Таким образом, компания продолжает применять многомасочный подход — использование нескольких фотошаблонов (масок) для каждого слоя чипов вместо одного шаблона при EUV-литографии. Это увеличивает число технологических этапов при обработке каждой кремниевой пластины с памятью, а значит, и себестоимость производства. Издание отмечает, что многомасочный подход может быть оправдан, если он служит альтернативой EUV-сканерам для обработки 1–3 слоёв микросхем. Однако если требуется обработка большего количества слоёв с помощью EUV, ставка на ArF-литографию обойдётся производителю существенно дороже, что в перспективе сделает продукцию менее конкурентоспособной (более дорогой).  Компании Samsung и SK Hynix уже в ближайшее время планируют использовать EUV-сканеры для обработки более пяти слоёв микросхем (пока это память HBM), и на этом фоне Micron будет выглядеть серьёзно отстающей. Если информация Chosun Biz верна, компания ещё долго будет применять EUV-сканеры лишь для обработки одного критически важного слоя, полагаясь во всём остальном на 193-нм сканеры. Японская Rapidus намерена установить до 10 сканеров для работы с EUV-литографией
28.01.2025 [07:05],
Алексей Разин
Уже в апреле этого года компания Rapidus собирается запустить в Японии опытную линию по выпуску 2-нм чипов. В конце прошлого года она уже получила первый литографический сканер ASML, позволяющий наладить производство подобной продукции. Всего же на двух предприятиях Rapidus намерена установить до 10 таких сканеров. 
Источник изображения: Intel Об этом сообщило японское издание Nikkan Kogyo Shimbun со ссылкой на комментарии главы компании Ацуёси Коикэ (Atsuyoshi Koike). Массовый выпуск 2-нм продукции Rapidus намеревается развернуть на своём первом предприятии, которое пока продолжает возводиться, в 2027 году. Именно Rapidus получила первый в Японии литографический сканер для работы со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), это произошло в прошлом месяце. Когда Rapidus введёт в строй второе предприятие, не уточняется, но это наверняка будет зависеть от рыночных успехов продукции, выпускаемой первым. Уже с июня текущего года образцы 2-нм чипов производства Rapidus должна начать получать американская компания Broadcom. Тайваньская TSMC, являющаяся лидером рынка, начнёт выпуск 2-нм изделий в 2025 году, в дальнейшим они будут предназначаться Apple, Nvidia, AMD и Qualcomm. Samsung даже в условиях сокращения расходов на контрактный бизнес надеется предложить услуги по выпуску 2-нм чипов компаниям Nvidia и Qualcomm. Компания Intel должна наладить выпуск кристаллов для процессоров Panther Lake по передовой технологии 18A во второй половине текущего года. Японские 2-нм чипы всё ближе: Rapidus получила первый литографический EUV-сканер ASML
19.12.2024 [14:15],
Алексей Разин
Молодая японская компания Rapidus рассчитывает к 2027 году наладить серийный выпуск 2-нм полупроводниковых изделий по заказу различных клиентов, уже в апреле следующего года она рассчитывает наладить выпуск опытной продукции такого класса. Для этого она приступила к монтажу литографического оборудования ASML, которое уже получает через аэропорт острова Хоккайдо. 
Источник изображения: ASML Как сообщает DigiTimes со ссылкой на японские средства массовой информации, на этой неделе Rapidus провела символическую церемонию получения первого литографического сканера ASML Twinscan NXE:3800E для работы с EUV — сверхжёстким ультрафиолетовым излучением. Такое оборудование применяется при производстве 2-нм чипов, и впервые попало на территорию Японии для использования при выпуске полупроводниковых компонентов. Сколько всего подобных систем Rapidus получит для нужд запуска опытного производства 2-нм чипов к апрелю 2025 года, компания уточнять не хочет, но даёт понять, что одной или двух ей не хватит. Каждая система транспортируется в нескольких больших контейнерах, в сборе весит 71 тонну и имеет высоту 3,4 метра. Монтаж подобного оборудования подразумевает хорошую защиту от сейсмического воздействия, что для Японии довольно актуально. По словам представителей Rapidus, подготовка к освоению производства 2-нм чипов идёт по плану. Компания отправила на стажировку в США около 150 технических специалистов, которые набираются опыта в IBM. К моменту запуска опытного производства 2-нм чипов в апреле следующего года на предприятии будет работать от 300 до 400 сотрудников. Необходимое для запуска опытного производства 2-нм чипов оборудование ASML компания Rapidus рассчитывает получить до конца текущего года. Японская Rapidus получит свой первый EUV-сканер для выпуска 2-нм чипов в декабре
16.11.2024 [06:37],
Алексей Разин
Чтобы к 2027 году наладить серийный выпуск 2-нм чипов для заказчиков к 2027 году, молодая японская компания должна будет освоить их опытное производство к апрелю 2025 года, и для этого она в середине декабря текущего года получит свой первый сканер ASML для работы с EUV-литографией. В дальнейшем компания обзаведётся несколькими такими системами, а всего на предприятии будут использоваться более 200 единиц оборудования. 
Источник изображения: Intel Как отмечает Nikkei, в аэропорт на острове Хоккайдо первый EUV-сканер ASML для нужд Rapidus прибудет в середине декабря. Ради ускорения доставки его привезут несколькими грузовыми самолётами в разобранном виде. Специалисты ASML, откомандированные в Японию, затем соберут и настроят систему, чтобы она к апрелю следующего года позволила начать опытный выпуск 2-нм продукции. По соседству ASML откроет свой сервисный центр, поэтому проблем с дальнейшим обслуживанием такого оборудования у Rapidus возникать не должно. По состоянию на октябрь этого года, предприятие Rapidus было построено на 63 %, в текущем месяце в строительстве были задействованы примерно 4400 рабочих. В случае успеха данного проекта Rapidus намерена построить на Хоккайдо ещё одно предприятие, которое до конца десятилетия сможет наладить выпуск 1,4-нм чипов. В перспективе значится и третье, но в данном случае его строительство будет осуществляться уже в следующем десятилетии. Руководство компании сейчас ведёт переговоры более чем с 40 потенциальными клиентами, которые могли бы заказывать свои чипы в производство Rapidus, но имена реальных заказчиков компания начнёт раскрывать не ранее следующего года. Примечательно, что на этой неделе основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) намекнул на свою заинтересованность в сотрудничестве с Rapidus, указав на важность диверсификации цепочек поставок своей компании в условиях усугубляющихся противоречий между США и Китаем. TSMC начнёт устанавливать первый литографический сканер High-NA EUV до конца месяца
10.09.2024 [16:34],
Павел Котов
TSMC удалось опередить Intel в запуске массового производства на EUV-оборудовании, но в более продвинутом сегменте High-NA EUV компания отстала от своего американского конкурента. Intel уже пользуется машиной High-NA EUV от ASML для проведения исследований и разработки, а TSMC начнёт установку первого такого сканера лишь в этом месяце, узнали DigiTimes и United Daily News. 
Источник изображения: asml.com Первая установка со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением и высокой числовой апертурой (High-NA EUV) ASML Twinscan EXE:5000, построенная специально для применения в целях исследования и разработки, будет устанавливаться в центре TSMC в тайваньском Синьчжу. В сентябре крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик начнёт получать компоненты машины, после чего несколько месяцев потребуются на сборку и калибровку оборудования, прежде чем на нём станет тестироваться технология производства полупроводников нового поколения. Перспективные технологические процессы TSMC N2 (класс 2 нм) и A16 (класс 1,6 нм) будут работать исключительно на EUV-оборудовании с низкой числовой апертурой 0,33. Сканер High-NA EUV (числовая апертура 0,55) будет использоваться для техпроцесса A14 (класс 1,4 нм) ориентировочно в 2028 году, хотя официальных заявлений компании по этому поводу пока не последовало. Но его внедрение вызовет дополнительные сложности как у производителей, так и у разработчиков, поэтому TSMC не спешит с развёртыванием таких сканеров. Ещё один аргумент не в пользу машин нового поколения — их цена, которая, как заявил ответственный за разработку новых технологических процессов в TSMC Кевин Чжан (Kevin Zhang), понравилась ему меньше, чем производительность. Каждая машина High-NA стоит около $400 млн, хотя президенту компании Си-Си Вэю (C.C. Wei) и удалось договориться о скидке в размере почти 20 % при покупке нескольких единиц оборудования сразу. Учитывая, что TSMC является ведущим производителем, использующим EUV-литографию, и в её распоряжении находятся 65 % мировых EUV-мощностей ASML, нидерландский производитель, конечно, склонен идти на сделки с заводом, который является одним из его крупнейших клиентов. Intel и AIST построят в Японии центр исследований и разработок для передовых техпроцессов
03.09.2024 [20:17],
Владимир Мироненко
Японский национальный институт передовых промышленных наук и технологий (AIST) совместно с Intel создадут в Японии новый центр исследований и разработок. Он будет ориентирован на разработку техпроцессов для передовых чипов на основе EUV-литографии, пишет Nikkei со ссылкой на информированные источники. 
Источник изображения: Intel На реализацию проекта, стоимость которого исчисляется сотнями миллионов долларов (цена одной установки для EUV-литографии составляет $273 млн), как ожидается, уйдёт 3–5 лет. В этом центре будет установлено передовое EUV-оборудование, на котором японские компании смогут отлаживать свои технологии. Создание нового центра обеспечит японским предприятиям возможность в сотрудничестве с AIST и Intel разрабатывать и внедрять новейшие технологические процессы, что позволит повысить их конкурентоспособность на мировом рынке. Сейчас японским компаниям приходится обращаться в зарубежные исследовательские центры, такие как бельгийский IMEC, для получения доступа к оборудованию EUV с целью разработки новых продуктов. Создание центра исследований на территории Японии позволит местным компаниям сократить зависимость от зарубежных ресурсов, что поможет ускорить процесс разработки новых чипов и повысить конкурентоспособность отечественной полупроводниковой промышленности. При этом такие японские компании, как Lasertec и JSR, уже являются мировыми лидерами в нескольких областях технологии EUV. Lasertec имеет 100-процентую долю на рынке оборудования для контроля EUV, в то время как JSR является одним из крупнейших в мире производителей фоторезистов — полимерных светочувствительных материалов, используемых в производстве микросхем. Участие в строительстве нового центра позволит Intel укрепить сотрудничество с этими компаниями. При этом её существующий конкурент TSMC (и будущий конкурент Rapidus с присутствием в Японии) не смогут обеспечить себе ключевые стратегические преимущества, такие как отношения с клиентами или лучшие инструменты и/или сырье, отметил ресурс Tom's Hardware. В свою очередь, Nikkei утверждает, что совместный центр исследований и разработки Intel и AIST имеет стратегическое значение, поскольку устранит для Японии необходимость в обращении в американские регулирующие органы для передачи исследовательских данных и технологий из США на фоне ужесточения экспортных ограничений. SK hynix предлагает перейти на 3D DRAM — это удешевит оперативную память вдвое
17.08.2024 [07:03],
Алексей Разин
Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится. 
Источник изображения: SK hynix Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза. Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
