Уже в апреле этого года компания Rapidus собирается запустить в Японии опытную линию по выпуску 2-нм чипов. В конце прошлого года она уже получила первый литографический сканер ASML, позволяющий наладить производство подобной продукции. Всего же на двух предприятиях Rapidus намерена установить до 10 таких сканеров.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: Intel

Об этом сообщило японское издание Nikkan Kogyo Shimbun со ссылкой на комментарии главы компании Ацуёси Коикэ (Atsuyoshi Koike). Массовый выпуск 2-нм продукции Rapidus намеревается развернуть на своём первом предприятии, которое пока продолжает возводиться, в 2027 году. Именно Rapidus получила первый в Японии литографический сканер для работы со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), это произошло в прошлом месяце.

Когда Rapidus введёт в строй второе предприятие, не уточняется, но это наверняка будет зависеть от рыночных успехов продукции, выпускаемой первым. Уже с июня текущего года образцы 2-нм чипов производства Rapidus должна начать получать американская компания Broadcom. Тайваньская TSMC, являющаяся лидером рынка, начнёт выпуск 2-нм изделий в 2025 году, в дальнейшим они будут предназначаться Apple, Nvidia, AMD и Qualcomm. Samsung даже в условиях сокращения расходов на контрактный бизнес надеется предложить услуги по выпуску 2-нм чипов компаниям Nvidia и Qualcomm. Компания Intel должна наладить выпуск кристаллов для процессоров Panther Lake по передовой технологии 18A во второй половине текущего года.

Молодая японская компания Rapidus рассчитывает к 2027 году наладить серийный выпуск 2-нм полупроводниковых изделий по заказу различных клиентов, уже в апреле следующего года она рассчитывает наладить выпуск опытной продукции такого класса. Для этого она приступила к монтажу литографического оборудования ASML, которое уже получает через аэропорт острова Хоккайдо.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: ASML

Как сообщает DigiTimes со ссылкой на японские средства массовой информации, на этой неделе Rapidus провела символическую церемонию получения первого литографического сканера ASML Twinscan NXE:3800E для работы с EUV — сверхжёстким ультрафиолетовым излучением. Такое оборудование применяется при производстве 2-нм чипов, и впервые попало на территорию Японии для использования при выпуске полупроводниковых компонентов.

Сколько всего подобных систем Rapidus получит для нужд запуска опытного производства 2-нм чипов к апрелю 2025 года, компания уточнять не хочет, но даёт понять, что одной или двух ей не хватит. Каждая система транспортируется в нескольких больших контейнерах, в сборе весит 71 тонну и имеет высоту 3,4 метра. Монтаж подобного оборудования подразумевает хорошую защиту от сейсмического воздействия, что для Японии довольно актуально. По словам представителей Rapidus, подготовка к освоению производства 2-нм чипов идёт по плану. Компания отправила на стажировку в США около 150 технических специалистов, которые набираются опыта в IBM. К моменту запуска опытного производства 2-нм чипов в апреле следующего года на предприятии будет работать от 300 до 400 сотрудников. Необходимое для запуска опытного производства 2-нм чипов оборудование ASML компания Rapidus рассчитывает получить до конца текущего года.

Чтобы к 2027 году наладить серийный выпуск 2-нм чипов для заказчиков к 2027 году, молодая японская компания должна будет освоить их опытное производство к апрелю 2025 года, и для этого она в середине декабря текущего года получит свой первый сканер ASML для работы с EUV-литографией. В дальнейшем компания обзаведётся несколькими такими системами, а всего на предприятии будут использоваться более 200 единиц оборудования.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: Intel

Как отмечает Nikkei, в аэропорт на острове Хоккайдо первый EUV-сканер ASML для нужд Rapidus прибудет в середине декабря. Ради ускорения доставки его привезут несколькими грузовыми самолётами в разобранном виде. Специалисты ASML, откомандированные в Японию, затем соберут и настроят систему, чтобы она к апрелю следующего года позволила начать опытный выпуск 2-нм продукции. По соседству ASML откроет свой сервисный центр, поэтому проблем с дальнейшим обслуживанием такого оборудования у Rapidus возникать не должно.

По состоянию на октябрь этого года, предприятие Rapidus было построено на 63 %, в текущем месяце в строительстве были задействованы примерно 4400 рабочих. В случае успеха данного проекта Rapidus намерена построить на Хоккайдо ещё одно предприятие, которое до конца десятилетия сможет наладить выпуск 1,4-нм чипов. В перспективе значится и третье, но в данном случае его строительство будет осуществляться уже в следующем десятилетии.

Руководство компании сейчас ведёт переговоры более чем с 40 потенциальными клиентами, которые могли бы заказывать свои чипы в производство Rapidus, но имена реальных заказчиков компания начнёт раскрывать не ранее следующего года. Примечательно, что на этой неделе основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) намекнул на свою заинтересованность в сотрудничестве с Rapidus, указав на важность диверсификации цепочек поставок своей компании в условиях усугубляющихся противоречий между США и Китаем.

TSMC удалось опередить Intel в запуске массового производства на EUV-оборудовании, но в более продвинутом сегменте High-NA EUV компания отстала от своего американского конкурента. Intel уже пользуется машиной High-NA EUV от ASML для проведения исследований и разработки, а TSMC начнёт установку первого такого сканера лишь в этом месяце, узнали DigiTimes и United Daily News.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: asml.com

Первая установка со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением и высокой числовой апертурой (High-NA EUV) ASML Twinscan EXE:5000, построенная специально для применения в целях исследования и разработки, будет устанавливаться в центре TSMC в тайваньском Синьчжу. В сентябре крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик начнёт получать компоненты машины, после чего несколько месяцев потребуются на сборку и калибровку оборудования, прежде чем на нём станет тестироваться технология производства полупроводников нового поколения.

Перспективные технологические процессы TSMC N2 (класс 2 нм) и A16 (класс 1,6 нм) будут работать исключительно на EUV-оборудовании с низкой числовой апертурой 0,33. Сканер High-NA EUV (числовая апертура 0,55) будет использоваться для техпроцесса A14 (класс 1,4 нм) ориентировочно в 2028 году, хотя официальных заявлений компании по этому поводу пока не последовало. Но его внедрение вызовет дополнительные сложности как у производителей, так и у разработчиков, поэтому TSMC не спешит с развёртыванием таких сканеров.

Ещё один аргумент не в пользу машин нового поколения — их цена, которая, как заявил ответственный за разработку новых технологических процессов в TSMC Кевин Чжан (Kevin Zhang), понравилась ему меньше, чем производительность. Каждая машина High-NA стоит около $400 млн, хотя президенту компании Си-Си Вэю (C.C. Wei) и удалось договориться о скидке в размере почти 20 % при покупке нескольких единиц оборудования сразу. Учитывая, что TSMC является ведущим производителем, использующим EUV-литографию, и в её распоряжении находятся 65 % мировых EUV-мощностей ASML, нидерландский производитель, конечно, склонен идти на сделки с заводом, который является одним из его крупнейших клиентов.

Японский национальный институт передовых промышленных наук и технологий (AIST) совместно с Intel создадут в Японии новый центр исследований и разработок. Он будет ориентирован на разработку техпроцессов для передовых чипов на основе EUV-литографии, пишет Nikkei со ссылкой на информированные источники.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: Intel

На реализацию проекта, стоимость которого исчисляется сотнями миллионов долларов (цена одной установки для EUV-литографии составляет $273 млн), как ожидается, уйдёт 3–5 лет. В этом центре будет установлено передовое EUV-оборудование, на котором японские компании смогут отлаживать свои технологии. Создание нового центра обеспечит японским предприятиям возможность в сотрудничестве с AIST и Intel разрабатывать и внедрять новейшие технологические процессы, что позволит повысить их конкурентоспособность на мировом рынке.

Сейчас японским компаниям приходится обращаться в зарубежные исследовательские центры, такие как бельгийский IMEC, для получения доступа к оборудованию EUV с целью разработки новых продуктов. Создание центра исследований на территории Японии позволит местным компаниям сократить зависимость от зарубежных ресурсов, что поможет ускорить процесс разработки новых чипов и повысить конкурентоспособность отечественной полупроводниковой промышленности.

При этом такие японские компании, как Lasertec и JSR, уже являются мировыми лидерами в нескольких областях технологии EUV. Lasertec имеет 100-процентую долю на рынке оборудования для контроля EUV, в то время как JSR является одним из крупнейших в мире производителей фоторезистов — полимерных светочувствительных материалов, используемых в производстве микросхем. Участие в строительстве нового центра позволит Intel укрепить сотрудничество с этими компаниями. При этом её существующий конкурент TSMC (и будущий конкурент Rapidus с присутствием в Японии) не смогут обеспечить себе ключевые стратегические преимущества, такие как отношения с клиентами или лучшие инструменты и/или сырье, отметил ресурс Tom's Hardware.

В свою очередь, Nikkei утверждает, что совместный центр исследований и разработки Intel и AIST имеет стратегическое значение, поскольку устранит для Японии необходимость в обращении в американские регулирующие органы для передачи исследовательских данных и технологий из США на фоне ужесточения экспортных ограничений.

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза.

Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.

Профессор Цумору Шинтаке (Tsumoru Shintake) из Окинавского института науки и технологий (OIST) разработал существенно упрощённый инструмент для EUV-литографии, который значительно дешевле сканеров производства ASML. Предложенная им литографическая система использует два зеркала вместо шести. Если устройство поступит в массовое производство, оно может изменить отрасль оборудования для производства чипов, если не всю полупроводниковую промышленность.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Samsung

Новая система использует в своей оптической проекционной установке только два зеркала, что значительно отличается от традиционной конфигурации из шести зеркал. Новый укороченный оптический путь позволяет более 10 % начальной EUV-энергии достигать пластины по сравнению с примерно 1 % в используемых в настоящее время установках, что является серьёзным прорывом.

Команда профессора Шинтаке решила две основные проблемы в EUV-литографии: предотвращение оптических аберраций и обеспечение эффективной передачи света. Разработанный ими метод «двойного линейного поля» экспонирует фотошаблон, сводя к минимуму искажения и повышая точность изображения на кремниевой пластине.

Источник изображения: OIST

Одним из ключевых преимуществ предложенного решения является повышенная надёжность и простота обслуживания оборудования. Не менее существенным достоинством этой конструкции стало радикальное снижение энергопотребления. Благодаря оптимизированному оптическому пути система использует источник EUV-излучения мощностью всего 20 Вт, а общее энергопотребление составляет менее 100 кВт, что на порядок ниже, чем потребность традиционных систем EUV-литографии. Благодаря сниженному энергопотреблению также упрощается и удешевляется система охлаждения.

Производительность новой системы была тщательно проверена с использованием программного обеспечения для оптического моделирования, подтвердив её способность производить передовые полупроводники. Учёные подали заявку на патент, что свидетельствует о готовности новой технологии к коммерческому внедрению. Разработчики рассматривают новую систему EUV-литографии как важный шаг к снижению энергопотребления и других затрат на производство микросхем, но конкретные сроки начала коммерческой эксплуатации нового сканера пока не называются.

Экономические последствия изобретения весьма многообещающие. Ожидается, что мировой рынок EUV-литографии вырастет с $8,9 млрд в 2024 году до $17,4 млрд к 2030 году.