Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Маск снова торопится: дорогущий EUV-сканер для Terafab могут поставить раньше, чем завод достроят
14.10.2026 [19:00],
Павел Котов
Проект Илона Маска (Elon Musk) Terafab может получить первую установку для EUV-литографии уже в середине следующего года. Строительство корпуса предприятия завершится лишь в конце 2027 года, а монтаж оборудования начнётся ещё позже, так что сканер будет некоторое время простаивать. 
Источник изображений: asml.com Tesla дала старт полупроводниковому предприятию на территории северного кампуса завода Giga Texas близ Остина в апреле этого года. Возведение здания, как ожидается, займёт 15 месяцев, и ещё полгода уйдут на установку оборудования и производственных систем. Только после этого компания сможет приступить к обработке пластин — точнее, к экспериментальному производству чипов, чтобы подготовить сотрудников к завершению первого этапа строительства полноценного завода Terafab. Учитывая, насколько сложно сегодня приобрести установку EUV-литографии ASML Twinscan NXE, хранение оборудования в течение нескольких месяцев до начала эксплуатации представляется дорогостоящим простоем, но только не для Terafab. Маск высоко оценивает перспективы лазеров на свободных электронах, однако поставка EUV-сканера ASML свидетельствует, что как минимум на начальных этапах на предприятии будет работать более традиционное оборудование. Это логично, учитывая, что Terafab намерена начать с техпроцесса Intel 14A — он совместим с существующим EUV-сканерами с низкой числовой апертурой Low-NA и установками нового поколения с высокой числовой апертурой High-NA. Переход на нестандартные и во многом ещё не проверенные источники света потребовал бы существенной корректировки производственного процесса, масштабных испытаний оборудования перед допуском к производству и, возможно, изменения конструкции фотошаблонов и состава фоторезистов. Это усложнило бы перенос технологии Intel 14A и замедлило бы выход предприятия Terafab на проектную мощность. Но строить догадки о том, что и как будет выпускаться на заводе, ещё рано.  SpaceX объявила о выборе площадки для завода Terafab в техасском округе Граймс в августе 2026 года. По состоянию на середину сентября там рыли котлован под фундамент и монтировали арматурный каркас здания. Строительство первой очереди завода Terafab займёт, по оценкам аналитиков, 20 месяцев, оснащение его оборудованием — 17 месяцев, выход на проектную мощность — ещё 6 месяцев. То есть предприятие начнёт работу в конце 2029 года и выйдет на полную производственную мощность к середине 2030 года. По неофициальным данным, SpaceX заказала оборудование для производства полупроводников ещё в апреле 2026 года за несколько месяцев до объявления о выборе площадки в округе Граймс, то есть твердо определилась с производственными планами задолго до публичного начала строительных работ. Учитывая традиционно длительные сроки поставки ASML, это делает правдоподобным прогноз об установке оборудования в середине 2028 года. Intel намерена начать опытное производство по техпроцессу 14A (класс 1,4 нм) во второй половине 2027 года, массовое производство стартует во второй половине 2028 года; то есть компания будет опережать Terafab минимум на полтора года. Таким образом, Terafab будет отставать и от самого совершенного на тот момент техпроцесса: в конце 2029 года TSMC намерена перейти на техпроцесс A12 класса 1,2 нм с GAA-транзисторами с нанолистами и окружающим затвором. Но, учитывая, что завод Terafab станет выпускать оборудование исключительно для нужд Tesla и SpaceX, это едва ли станет серьёзной проблемой: рост затрат из-за более сложной технологии будет компенсирован за счёт использования собственных мощностей. ASML готовит литографию нового поколения — Hyper NA через 10 лет уменьшит элементы чипов более чем на треть
08.10.2026 [18:08],
Павел Котов
Преемник самой передовой технологии ASML для производства микросхем может появиться примерно через десять лет — на смену High NA EUV придёт Hyper NA EUV. Об этом написали в рецензируемой статье инженеры нидерландской компании, а также сотрудники поставляющей ей оптику фирмы Carl Zeiss. 
Источник изображений: asml.com Новая технология Hyper NA позволит формировать чипы с более мелкими элементами. В ней будет использоваться значительная часть уже существующих технологий компаний, применяемых в передовых литографических сканерах с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV), хотя определённые трудности ещё предстоит преодолеть. ASML уже приступила к разработке этой установки, но окончательное решение о серийном производстве пока не принято — тем не менее, она имеет важное значение для перспектив самой компании, а также её партнёров и конкурентов. Технология Hyper NA продолжит использовать EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм, применяемое в нынешних установках, но получит оптическую систему с большей числовой апертурой. Новая технология должна обеспечить разрешение около 5 нм — против 8 нм у актуальных EUV-установок ASML класса High NA с числовой апертурой 0,55. Иными словами, новая система сможет формировать элементы примерно на 38 % мельче. При этом речь идёт именно о разрешении литографической установки, а не о 5-нм техпроцессе: современные названия техпроцессов уже не соответствуют непосредственно физическому размеру элементов. Например, TSMC называет свой самый передовой техпроцесс N2, а Intel — 18A, то есть «18 ангстрем». В буквальном смысле это 2 и 1,8 нм соответственно, однако транзисторы, изготовленные по этим нормам, не имеют затворов шириной ровно 2 или 1,8 нм. Эти обозначения являются скорее названиями поколений технологического процесса и отражают их положение относительно предыдущих поколений и уровень достигнутой плотности, производительности и энергоэффективности. Подробнее об этом мы писали здесь.  К слову, среди производителей чипов пока только Intel начала использовать оборудование High NA, как раз для техпроцесса 18A. TSMC и Samsung свои 2-нм чипы выпускают с помощью EUV-литографии, но в будущем тоже перейдут на High NA — Samsung в 2028 году, а TSMC — в 2030 году. Zeiss уже способна изготавливать зеркала с точностью, необходимой для Hyper NA — при этом сама установка будет лишь незначительно превосходить по габаритам системы High NA, которые по размерам сопоставимы с двухэтажным автобусом. Для создания систем, превосходящих Hyper NA, вероятно, потребуется свет с ещё более короткой длиной волны, но этот вопрос пока находится на стадии научных исследований. Нынешний источник света у ASML «может использоваться в неизменном виде» для Hyper NA; альтернативный метод с применением лазеров на свободных электронах не потребует менять конструкцию системы освещения, отметили инженеры. Эти замечания актуальны для американских стартапов: xLight разрабатывает источники излучения на базе лазеров на свободных электронах — Илон Маск (Elon Musk) намекал, что может сделать на них ставку на своём заводе Terafab в Техасе; а Substrate занимается рентгеновской литографией. ASML объяснила, почему не успевает за спросом на EUV-сканеры — та же сложность помогла ей обойти Nikon и Canon
28.09.2026 [11:03],
Алексей Разин
Нидерландская компания ASML является крупнейшим в мире поставщиком передовых литографических сканеров, но для 43-летного производителя путь к этому статусу был долгим и сложным. Нынешний глава ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) объяснил, как компании удалось достичь нынешнего успеха, и почему расширять производство продукции она не может желанными для клиентов темпами. 
Источник изображения: ASML Свои комментарии генеральный директор ASML сделал в интервью изданию Financial Times, которое касалось широкого спектра вопросов. Прежде всего, он пояснил, почему компания не может наращивать объёмы выпуска оборудования для выпуска чипов теми темпами, которые позволили бы в сжатые сроки покрыть потребности мировой полупроводниковой отрасли. Как отмечает Фуке, если бы можно было направить несколько миллиардов долларов США на расширение объёмов производства на 20 %, то он бы без колебаний это сделал. В действительности же обширные цепочки поставок самой ASML мешают ей быстро внедрять подобные изменения. В общей сложности на выпуск продукции ASML работают 2000 разных компаний, которые снабжают её более чем 100 000 разновидностей компонентов. С одной стороны, это не позволяет быстро нарастить объёмы производства, поскольку синхронно до нового уровня должны подтянуться все члены длинной цепочки поставок. С другой стороны, подобная «наукоёмкость» продукции ASML позволяет ей хорошо себя чувствовать на рынке с позиций конкуренции. Разработка изделий ASML осуществляется быстрее, чем у кого-либо ещё, по словам главы компании. В некоторых случаях для технологического прорыва полезна монополия, как убеждён глава компании. Делегирование компетенций поставщикам позволило ASML обойти тех же японских соперников типа Nikon и Canon, которые до сих пор застряли в DUV-оборудовании, которое по меркам ASML уже не является передовым. Нидерландский производитель полагается на своих партнёров в ключевых сферах технологического развития. Zeiss поставляет оптику, Trumpf источники лазерного излучения, а VDL занимается мехатроникой. «Мы действительно нуждаемся в лучших марках со всего мира, чтобы сделать это. Могу сказать, если бы мы занимались всем этим самостоятельно, что требовалось бы для EUV, мы бы ни при каких условиях не смогли этого достичь», — признался Фуке. Компания старается поддерживать подрядчиков, если те испытывают финансовые проблемы. В 2013 году она поглотила производителя лазерных компонентов Cymer, а недавно ASML купила 11 % акций французского ИИ-стартапа Mistral. Использовать искусственный интеллект можно в широком спектре сфер деятельности ASML, ведь компании приходится много сил и времени тратить на научные исследования и разработки. По мнению Фуке, эффект влияния ИИ на общество и промышленность будет ощущаться на протяжении ближайших десяти или пятнадцати лет, и пока нам видна «только вершина айсберга». Как он убеждён, технологии EUV-литографии будут активно развиваться на протяжении сопоставимого периода. Транзисторные структуры будут монтироваться друг на друга, апертуры зеркальных элементов будут увеличиваться, чтобы фокусировать лазерный свет более точно. Китайские учёные нашли путь к 3-нм чипам в обход санкций и EUV-литографии
20.09.2026 [01:00],
Анжелла Марина
Китайские исследователи наметили путь к выпуску транзисторов класса 3 нм с использованием глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) вместо более современной EUV. Разработка пока находится на ранней стадии и не готова к массовому производству, но показывает, что Китай продолжает искать способы выпускать передовые полупроводники без доступа к новейшему западному оборудованию. 
Источник изображения: SMIC Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) разработал предварительный технологический процесс для изготовления транзисторов с круговым затвором (gate-all-around, GAA) исключительно с помощью доступного DUV-оборудования. Об этом сообщила газета South China Morning Post со ссылкой на выступление главного инженера института Е Тяньчуня (Ye Tianchun). GAA представляет собой не замену EUV-литографии, а конструкцию транзистора, в которой затвор окружает канал со всех сторон. Получать структуры, соответствующие классу 3 нм, при помощи DUV позволяет многократное формирование рисунка на пластине. Такой подход требует большего количества экспозиций, масок и технологических операций, из-за чего усложняет производство, повышает его стоимость и создаёт дополнительные сложности с точностью совмещения слоёв и выходом годных кристаллов. Работа ведётся на фоне ограничений на поставки оборудования в Китай. Компания ASML не может продавать китайским заказчикам литографические установки EUV, которые производители используют для экономически эффективного выпуска наиболее передовых чипов. Теоретически некоторые критические слои можно формировать и с помощью DUV, однако многократная экспозиция делает техпроцесс значительно сложнее и дороже. GAA-транзисторы уже применяются в серийном производстве: Samsung начала выпускать 3-нм чипы с такой конструкцией в 2022 году, а TSMC использует её в своём 2-нм техпроцессе N2. В Китайской академии наук подчёркивают, что разработка пока далека от массового производства. По словам Е Тяньчуня, её перспективы станут понятнее только после испытаний пластин на реальных производственных линиях. Даже успешное изготовление отдельных GAA-транзисторов ещё не означает готовности полноценного техпроцесса: необходимо освоить формирование межсоединений и других слоёв, добиться приемлемого выхода годных кристаллов и обеспечить стабильность производства. В 2025 году исследователи академии также представили твердотельный источник когерентного излучения с длиной волны 193 нм, соответствующей применяемой в современной DUV-литографии. Разработка рассматривается как возможная основа для компонентов будущих литографических систем, но сама по себе не является готовой заменой промышленным источникам излучения и сканерам ASML. Собственный путь к дальнейшему масштабированию чипов развивает и Huawei Technologies. В мае компания представила концепцию Tau Scaling Law, предусматривающую повышение плотности вычислений за счёт архитектурных изменений и так называемого временного масштабирования. Huawei рассчитывает, что к 2031 году её высокопроизводительные процессоры смогут достичь плотности транзисторов, сопоставимой с ожидаемыми показателями 1,4-нм техпроцесса. Речь при этом идёт об эквивалентной плотности, а не об освоении физического производства по нормам 1,4 нм. Все EUV-сканеры ASML расписаны до конца 2027 года — компания начала строительство нового завода
14.09.2026 [14:15],
Алексей Разин
Контролируя примерно 94 % рынка литографических сканеров, которые необходимы для выпуска полупроводниковых компонентов, компания ASML вынуждена признать, что в условиях бума ИИ не справляется со спросом. Компания уже распределила всю квоту на производство EUV-систем стоимостью по $200 млн каждая до конца 2027 года, и недавно заложила фундамент своего нового предприятия в Нидерландах, которое позволит расширить производственные мощности. 
Источник изображения: ASML По словам финансового директора ASML Роджера Дассена (Roger Dassen), крупные заказчики теперь в беседе с компанией всё чаще интересуются возможностью предоставить им не только больше оборудования для производства чипов, но и сделать это быстрее. В комментариях агентству Reuters Дассен признался: «Я не думаю, что мы находимся в конце (ИИ-бума), откровенно говоря». Все крупные клиенты ASML уже обозначили свои планы по использованию оборудования следующего поколения, которое сочетает сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение (EUV) с высоким значением числовой апертуры (High-NA), и может стоить более $400 млн за одну установку. Компания TSMC призналась, что начнёт применять его с 2030 года, а Intel на прошлой неделе сообщила, что уже обработала с помощью подобного оборудования 1 млн кремниевых пластин типоразмера 300 мм. С помощью оборудования такого класса можно создавать на 40 % меньшие полупроводниковые структуры, чем с использованием классического EUV-сканера. В сегменте EUV-оборудования у ASML до сих пор нет конкурентов, поскольку попытки японских и китайских производителей создать подобные системы до стадии их серийного производства не дошли. Производители памяти в лице Samsung Electronics и SK hynix выразили готовность приступить к использованию оборудования поколения High-NA с 2028 года, а Micron Technology хоть и заказала образцы таких литографических систем, со сроками их внедрения в массовом производстве так и не определилась. По словам финансового директора ASML, производители памяти готовы начать применение High-NA раньше, поскольку им приходится выпускать более компактные чипы по сравнению с производителями логических компонентов. Практически все из них, по мнению Дассена, внедряют такое оборудование в массовом производстве раньше, чем планировали изначально. Intel обработала миллион 300-мм кремниевых пластин на оборудовании High-NA EUV
08.09.2026 [17:15],
Николай Хижняк
Компания Intel сообщила, что обработала один миллион 300-мм кремниевых пластин с использованием литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV) с высокой числовой апертурой (High-NA). Использование High-NA EUV в производстве кремниевых микросхем сопряжено со многими трудностями из-за дополнительной сложности процесса. 
Источник изображения: Intel В 2024 году Intel установила системы ASML TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV для исследований и тестирования технологического процесса 14A. Однако с тех пор Intel нашла более эффективные способы использования инструментов High-NA за пределами норм 14A, расширив их применение на нормы 18A. Для некоторых моделей микросхем процессоров Panther Lake Intel использует наложение нескольких слоёв кремния с помощью экспонирования High-NA, вместо того чтобы полагаться исключительно на Low-NA. Более того, Intel предлагает эту конфигурацию High-NA внешним клиентам, поскольку она может быть выгодна и для них. В сотрудничестве с ASML компания Intel завершила приёмочные испытания на заводе Intel Foundry для своего техпроцесса 14A с целью повышения эффективности производства кремниевых пластин. Для этого использовался сканер TWINSCAN EXE:5200B — вторая версия сканера High-NA EUV от ASML после TWINSCAN EXE:5000, который Intel первоначально использовала для пробных запусков 14A. Ранее Intel сообщала, что за один квартал обрабатывает более 30 000 пластин, упростив производственный процесс за счёт сокращения количества этапов, необходимых для обработки одного слоя, с 40 до менее чем 10, что значительно ускорило производственный цикл. На данный момент Intel остаётся единственной компанией, которая активно производит полупроводники с использованием EUV-литографии с высокой числовой апертурой. TSMC утверждает, что может сохранить конкурентное преимущество, используя существующую технологию EUV-литографии с низкой числовой апертурой, уменьшая размер техпроцесса и внося улучшения с каждым новым поколением. По некоторым данным, Samsung Foundry отложит внедрение EUV-литографии с высокой числовой апертурой до 2030 года для своего 1-нм техпроцесса, так что до полного перехода всей отрасли на литографию с высокой числовой апертурой осталось ещё несколько лет. Оборудование с низкой числовой апертурой вдвое дешевле передовых EUV-систем с высокой числовой апертурой. Самая современная EUV-система с высокой числовой апертурой от ASML стоит около $400 млн, что делает её невероятно дорогой даже для современного завода по производству полупроводников. Поставщик оптики для ASML согласен, что китайское EUV-оборудование для производства чипов будет готово не ранее чем через 15 лет
03.09.2026 [07:26],
Алексей Разин
Усилия китайских производителей оборудования для выпуска полупроводниковых компонентов по импортозамещению привлекают внимание западных экспертов, и те регулярно дают свою оценку величине отставания китайских разработчиков. Немецкий производитель оптических компонентов Zeiss Group говорит о 15-летнем периоде, который может потребоваться китайским разработчикам для освоения EUV-литографии. 
Источник изображения: ASML Напомним, под EUV подразумевается литографическое оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением, позволяющее выпускать 7-нм и более совершенные чипы. Готовое оборудование западного происхождения такого класса в Китай не поставляется из-за экспортных ограничений США и Нидерландов, поэтому для преодоления технологического барьера китайские производители должны будут разработать собственное оборудование. Директор полупроводникового бизнеса Zeiss Group Франк Ромунд (Frank Rohmund) в интервью телеканалу Bloomberg заявил, что считает разумным предположение о пятнадцатилетнем сроке, который потребуется китайским разработчикам для создания EUV-оборудования. При этом он добавил, что точную оценку уровню их прогресса дать довольно сложно. Напомним, в 15 лет отставание китайских разработчиков EUV-оборудования от западных конкурентов на днях оценили аналитики UBS. Пока нидерландская ASML остаётся единственным в мире производителем литографических сканеров, способных работать со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), а немецкая Zeiss Group снабжает её оптическими компонентами. Оборудование ASML предыдущего поколения (DUV) в Китай поставляется почти без ограничений, если не считать самых продвинутых моделей, на поставку которых требуется запрашивать экспортные лицензии в США. По словам Ромунда, дальнейшее ужесточение запретов на поставку оборудования класса DUV в Китай не только навредит профильному бизнесу европейских производителей, но и подстегнёт активность китайских в сфере импортозамещения. Китайская промышленность над созданием такого оборудования работает десятилетиями, как утверждает представитель Zeiss Group: «Это вообще не является сюрпризом, и сейчас мы должны убедиться, какими возможностями обладают эти инструменты. Мы всё равно ещё сильно их опережаем». Оптические компоненты Zeiss применяются для производства 80 % чипов, выпускаемых в мире. Клиенты ASML уже используют 10 сканеров High-NA EUV, которые позволяют делать чипы «тоньше» 2 нм
01.09.2026 [16:32],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, тайваньская компания TSMC довольно консервативно настроена в отношении скорого внедрения оборудования класса High-NA EUV, которое стоит по $400 млн за единицу. В любом случае, уже четыре клиента выпускающей соответствующие сканеры компании ASML эксплуатируют на своих предприятиях и в лабораториях 10 таких литографических систем. 
Источник изображения: ASML Об этом старший вице-президент ASML Грит Стормс (Greet Storms), заведующая направлением данных литографических машин, заявила на конференции Semicon Taiwan 2026, которая на этой неделе проходит на Тайване. По её словам, помимо десяти уже эксплуатируемых литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA), в поставке и процессе монтажа находятся ещё три. Пионером внедрения подобного оборудования при производстве процессоров можно считать Intel, поскольку она уже использует его для выполнения части технологических операций при выпуске чипов семейства Panther Lake по технологии Intel 18A. Samsung и SK hynix интересуются возможностью использования такого оборудования при выпуске памяти, поэтому располагают как минимум по одному образцу литографических систем ASML TwinScan EXE:5200B. Как минимум пять поколений литографических норм, применяемых при производстве микросхем памяти DRAM, могут быть внедрены с использованием такого оборудования. Оно упрощает оснастку и сокращает сам производственный цикл, что в условиях высокого спроса на память важно для указанных южнокорейских компаний. По словам представительницы ASML, соответствующее оборудование этой марки уже приняло участие в обработке 1,35 млн кремниевых пластин. Система TwinScan EXE:5200B, например, способна обрабатывать по 135 кремниевых пластин в час, этого уже достаточно для её применения в массовом производстве чипов. К концу десятилетия показатель производительности удастся увеличить до 180 или даже 210 кремниевых пластин в час, но для этого придётся переходить на более совершенные модели оборудования, которые ASML к тому времени предложит клиентам. В этом году TSMC всё же купила несколько литографических сканеров ASML соответствующего класса, хотя пока и планирует использовать их только для лабораторных экспериментов. С учётом масштабов бизнеса этой компании, внедрение такого оборудования в массовом производстве потребует колоссальных затрат, и пока она не готова на них решиться. Китай разработал ключевой компонент для суверенной EUV-литографии — помог бывший инженер ASML
11.08.2026 [13:11],
Алексей Разин
Литографические сканеры необходимы для производства полупроводниковых компонентов, но их поставки сосредоточены в руках ограниченной группы западных компаний. Китайская полупроводниковая промышленность в попытках догнать Запад вынуждена полагаться на собственные силы в этой сфере, и недавно местным исследователям удалось создать источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). 
Источник изображения: ASML По идее, данный источник позволит китайским компаниям в перспективе создавать литографические сканеры, способные участвовать в процессе производства чипов с технологическими нормами менее 7 нм. До сих пор подобным оборудованием располагали только американские, южнокорейские и японские производители чипов, а поставки его в Китай были запрещены ещё в 2019 году по инициативе властей Нидерландов, где расположена штаб-квартира ведущего поставщика ASML, а позже инициативу поддержали и американские власти. Ресурс Newsbit теперь сообщает, что создать перспективный источник лазерного излучения китайским исследователям помог выходец из той самой ASML по имени Линь Нань (Lin Nan). До этого на уровне экспериментов китайским разработчикам удавалось создать источник лазерного излучения класса EUV с показателем эффективности не более 3,42 %. Это подразумевает, что не более 3,42 % энергии этого источника преобразуется в полезное излучение, пригодное для работы с кремниевыми пластинами. Для экспериментальной установки это вполне приемлемо, но в условиях массового производства такой источник излучения применяться не сможет. Более того, мощность этого источника лежит в пределах от 100 до 150 Вт, по некоторым оценкам, тогда как современные серийные EUV-системы выдают около 600 Вт. ASML даже собирается поднять мощность своих источников излучения до 1000 Вт. Чем выше мощность, тем большее количество чипов можно выпускать в единицу времени. По информации источника, Линь Нань как раз работал в ASML в Нидерландах, специализируясь на разработке таких лазеров. Одного только подходящего источника излучения, однако, не хватит для создания полноценной EUV-системы, пригодной для массового производства чипов. Нужны сложные системы зеркал и прецизионные приводы, не говоря уже о сопутствующем программном обеспечении. По данным Reuters, прототипы EUV-сканеров китайской разработки пока не обладают достаточно качественной оптикой. Работоспособный EUV-сканер китайцам удастся создать не ранее 2028 или даже 2030 года, как считают некоторые источники. Zeiss расширила производство оптики в Германии, чтобы удовлетворить аппетиты ASML
26.07.2026 [22:37],
Анжелла Марина
Немецкая компания Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology (Zeiss SMT) ввела в эксплуатацию первое новое производственное здание на площадке в немецком Оберкохене, строительство которой началось в 2022 году. Расширение предприятия важно для ASML, поскольку именно мощности Zeiss по выпуску оптики ограничивают объёмы выпуска EUV-сканеров. 
Источник изображения: ASML В годовом отчёте ASML за 2025 год специализированное подразделение Carl Zeiss SMT названо эксклюзивным поставщиком линз, зеркал, осветительных систем, коллекторов и других критически важных оптических компонентов для EUV-сканеров. Компания также предупреждает, что длительная остановка производства у Zeiss фактически сделает невозможным выпуск её литографических систем. На этом фоне закупки у Zeiss SMT и её дочерних предприятий продолжают расти — с 3,33 млрд евро в 2023 году до 3,95 млрд евро в 2024 и 4,41 млрд евро в 2025 году, сообщает Tom's Hardware. Необходимость расширения производства объясняется и планами самой ASML, финансовый директор которой — Роджер Дассен (Roger Dassen) — ранее сообщал, что портфель заказов на Low-NA EUV-системы с поставкой в 2027 году уже практически заполнен. При этом производитель намерен увеличить выпуск примерно на 30 % по сравнению с ожидаемыми 65 установками в текущем году, одновременно сократив цикл сборки каждого сканера примерно с 22 до 15–16 недель. Также рассматривается возможность расширения производственных мощностей и в 2028 году. Отмечается, что расширение площадей Zeiss не означает мгновенного роста выпуска оптики, так как производство компонентов для High-NA EUV остаётся сложным процессом: одна проекционная система состоит более чем из 40 тысяч деталей и весит около 12 тонн, а система освещения включает ещё около 25 тысяч компонентов. Отдельные зеркала изготавливаются в течение нескольких месяцев, после чего проходят проверку в специальной вакуумной камере размером 5 × 10 метров, состоящей более чем из 100 тысяч деталей при весе свыше 150 тонн. Стратегическое значение Zeiss подтверждается и масштабом финансовой поддержки со стороны ASML. По итогам 2025 года объём выданных Zeiss SMT займов достиг 1,91 млрд евро, а авансовые платежи за будущие поставки оптических колонн составили ещё 1,19 млрд евро. Одновременно Zeiss SMT продолжает расширять собственную производственную инфраструктуру и по итогам финансового года, завершившегося 30 сентября 2025 года, выручка подразделения выросла на 23 % (до 5,055 млрд евро). Помимо развития площадки в Оберкохене, компания строит новый завод в Вецларе, расширяет чистые помещения в Росдорфе и открыла инновационный центр в Южной Корее. Японский учёный решил давнюю проблему EUV-литографии — новая оптика кратно удешевит производство передовых чипов
17.06.2026 [12:33],
Геннадий Детинич
Учёный из Окинавского института науки и технологий (OIST) предложил радикально упростить оптическую схему EUV-литографии — ключевой технологии, с помощью которой сегодня производят самые передовые микросхемы. Профессор Цумору Синтакэ (Tsumoru Shintake) разработал вариант high-NA EUV-системы с линейной геометрией, где фотомаска, проекционная оптика и кремниевая пластина расположены на одной оси в отличие от нынешних промышленных сканеров. 
Источник изображений: OIST По расчётам автора, предложенная им оптическая архитектура может помочь печатать элементы размером 2–3 нм и в 3–4 раза снизить стоимость оборудования, которое сегодня оценивается в сотни миллионов евро за машину. Это также обещает снизить стоимость производства чипов даже более передового уровня, чем сегодня, и в конечном итоге повлечёт сокращение расходов на поддержку самых совершенных ИИ-моделей и дата-центров. Как известно, EUV-литография использует экстремальное ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм. Такой свет нельзя пропускать через обычные линзы: он просто поглощается ими, поэтому вся оптическая система строится на отражении от многослойных зеркал и работает в вакууме. В стандартной схеме литографического сканера ASML луч попадает на зеркальную фотомаску с рисунком будущей схемы, затем проекционная оптика уменьшает и фокусирует изображение на кремниевой пластине. Увеличение числовой апертуры, или NA, позволяет захватывать более широкий диапазон углов, что повышает разрешение, но одновременно усложняет оптику (см. рисунок ниже) и усиливает искажения. 
Источник изображения: ASML При разработке новой оптической архитектуры EUV-сканеров профессор Синтакэ прежде всего стремился снизить так называемые «3D-эффекты маски» — искажения, возникающие из-за трёхмерной структуры зеркальной EUV-маски и падения света на неё под углом. Эту проблему исследователи не смогли решить в 90-х годах прошлого века, когда начали проектировать EUV-сканеры, поэтому коммерчески жизнеспособным вариантом оказалась чрезвычайно сложная внеосевая оптическая схема, реализованная во всех современных EUV-сканерах ASML. Учёный предложил линейную фокусирующую систему из двух оптических компонентов, каждый из которых содержит пару вогнутого и выпуклого зеркал. Моделирование показало, что многократные отражения между зеркалами с точно рассчитанным профилем и строго определённым расстоянием между ними могут взаимно компенсировать часть искажений, сохраняя при этом высокую числовую апертуру и качество изображения. В отличие от нынешних сложных high-NA-решений, эта схема должна быть существенно проще в производстве и настройке.  Впрочем, до промышленного применения ещё далеко. Расчёты предполагают идеальные зеркала — со 100-процентным отражением и без дефектов, тогда как реальная EUV-оптика теряет часть энергии при каждом отражении и требует предельно точной обработки поверхности. Следующим шагом станет сборка физического прототипа: команда уже начала разработку соответствующего EUV-оборудования. Если подход подтвердится экспериментально, он может удешевить выпуск высокоплотной памяти и логических микросхем, сократить число технологических операций и снизить энергопотребление вычислений, что особенно важно на фоне роста нагрузки от ИИ и центров обработки данных. SK hynix закупит у ASML новейшего EUV-оборудования для выпуска чипов почти на $8 млрд
24.03.2026 [12:47],
Алексей Разин
Нидерландская компания ASML редко открыто обсуждает свои взаимоотношения и договорённости с клиентами, но иногда они становятся достоянием гласности. На этой неделе стало известно, что южнокорейская SK hynix до 2027 года включительно направит $7,9 млрд на приобретение литографических сканеров ASML класса EUV, с помощью которых рассчитывает наладить выпуск чипов по передовым технологиям. 
Источник изображения: ASML Исторически производителям памяти не особо требовалось передовое литографическое оборудование, поскольку они применяли более зрелые техпроцессы по сравнению с производителями логических компонентов. Тем не менее, развитие многокристальной компоновки привело к появлению соответствующих потребностей и у производителей микросхем памяти. Закупаемое SK hynix у ASML оборудование класса EUV найдёт применение на обоих крупнейших предприятиях компании в Южной Корее. Этот заказ стал самым крупным среди раскрытых клиентами ASML. Новому оборудованию предстоит начать работу на предприятии SK hynix в Йонъине, которое сейчас возводится. Оно будет готово к февралю 2027 года. Не исключено, что EUV-сканеры потребуются SK hynix для выпуска более прогрессивных видов памяти типа HBM, которые используют базовые кристаллы с логикой, в настоящее время выпускаемые для SK hynix тайваньской компанией TSMC. Конкурирующая Samsung Electronics может самостоятельно выпускать и базовые кристаллы, и чипы DRAM для формирования стека HBM. По всей видимости, SK hynix в своей деятельности тоже стремится достичь подобной независимости от TSMC. Заметим, что Samsung Electronics при этом уже тестирует и самое передовое оборудование ASML, обладающее высоким значением числовой апертуры (High-NA). Оно будет востребовано при производстве чипов по техпроцессам тоньше 2 нм, им также интересуются TSMC и Intel. В дальнейшем EUV-оборудование пригодится SK hynix для выпуска обычной DRAM, как ожидают некоторые эксперты. Указанной суммы должно хватить на закупку примерно 30 новых EUV-сканеров ASML. Европа получила ключ к ангстрёмным техпроцессам будущего — Imec установит новейший EUV-сканер ASML EXE:5200
19.03.2026 [14:26],
Геннадий Детинич
Бельгийский исследовательский центр Imec похвастался приобретением новейшего EUV-сканера компании ASML — установки TWINSCAN EXE:5200 с числовой апертурой 0,55 (High Numerical Aperture). Сканер обеспечит беспрецедентное разрешение при изготовлении полупроводниковых структур, гарантируя высокий спрос на эти технологии со стороны компаний-производителей чипов. Это позволит Европе продолжить оставаться донором техпроцессов, как и в предыдущие десятилетия. 
Источник изображения: Imec По оптическому разрешению новый сканер превзойдёт возможности обычных EUV-систем с NA 0,33, а также обеспечит повышенную производительность при обработке пластин, стабильность работы и скорость процессов. Система будет развёрнута в чистой комнате Imec с оборудованием для обработки 300-мм пластин и станет центральным элементом пилотной линии NanoIC, предназначенной для ускоренной разработки и отработки технологий производства чипов с техпроцессом менее 2 нм, а также для перехода в «эру ангстремов» (Ångström era). Получение центром Imec одной из немногих таких установок в мире лишний раз подчёркивает лидерство европейских разработчиков техпроцессов в подготовке глобальной экосистемы выпуска полупроводников к следующему поколению производства логики и памяти. Технические преимущества систем с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) заключаются в возможности печати более мелких структур за один проход, что упрощает процессы, снижает затраты и повышает выход годных изделий по сравнению с многоэтапным процессом поочерёдного наложения масок (множественной проекции) для сканеров предыдущего поколения. Система EXE:5200 предлагает повышенную пропускную способность, лучшую точность совмещения элементов и совместимость с новыми материалами фоторезистов (включая фоторезисты на основе оксидов металлов), что критично для создания сверхплотных массивов транзисторов. В предыдущие два года Imec и ASML активно сотрудничали в совместной лаборатории High-NA EUV в Вельдховене (Нидерланды), где уже были достигнуты мировые рекорды по разрешению линий — например, изготовлены линии шириной 16 нм за один проход. Теперь всё это будет воспроизведено в Imec на линиях, близких к коммерческим, что переводит исследования на промышленный масштаб с полной интеграцией в цепочку из сырья, обработки и метрологии. Полная готовность системы EXE:5200 к эксплуатации ожидается к четвёртому кварталу 2026 года. До этого момента исследования в сфере High-NA EUV продолжатся в совместной лаборатории ASML–Imec в Вельдховене, обеспечивая непрерывность работ для партнёров. Установка в Imec позволит экосистеме (ведущим производителям чипов, поставщикам оборудования и материалов) получить самый ранний и наиболее полный доступ к технологиям следующего поколения. Это особенно важно для разработки энергоэффективных AI-ускорителей, высокоплотной памяти и других приложений, требующих экстремальной миниатюризации. Стратегическое значение события подкрепляется тесным партнёрством Imec с ASML, поддержкой Европейского союза, правительств Бельгии и Нидерландов, а также финансированием через программы Digital Europe и Horizon Europe. Получение столь дорогой и уникальной системы (стоимость одной установки оценивается в сотни миллионов долларов) подтверждает роль Imec как ключевого «трамплина» для индустрии в «эру ангстремов». Технология High-NA EUV становится краеугольным камнем для продолжения закона Мура за пределами 2 нм, обеспечивая экономически оправданное масштабирование и открывая путь к чипам в масштабе A10/A7 и далее, что критично для конкурентоспособности Европы в глобальной полупроводниковой гонке. Бельгийцы обнаружили возможность ускорить производительность EUV-сканеров на ровном месте
27.02.2026 [21:58],
Геннадий Детинич
Процесс переноса изображения с маски на фоточувствительный слой на кремниевой пластине при изготовлении чипов балансирует между качеством и скоростью нанесения рисунка. Ускорить его можно либо повысив мощность излучения, с чем есть проблемы, либо повысив чувствительность фоторезиста, с чем тоже всё не очень хорошо. Исследователи из бельгийского Imec нашли неожиданный вариант по ускорению процесса, который до сих пор почему-то не рассматривался. 
Источник изображения: Imec В современном техпроцессе пластина после экспонирования сканером переносится в бокс для отжига и так называемой послеэкспозиционной обработки. Это происходит в чистой комнате при обычном давлении и естественной атмосферной среде, содержание кислорода в которой соответствует типичному для Земли уровню примерно на уровне моря — около 21 %. В Imec создали специальный герметичный бокс с массой датчиков среды и материалов, который позволял проводить отжиг и послеэкспозиционную обработку при разном соотношении газов, а также давал возможность получать характеристики фоторезиста на всех этапах производства. Ключевым открытием стало то, что повышение концентрации кислорода в атмосфере до 50 % во время процесса ускоряет фоточувствительность фоторезиста на 15–20 %, позволяя достигать целевых размеров структур при меньшей дозе EUV-излучения. Иначе говоря, перенести рисунок микросхемы с маски на фоторезист можно либо быстрее, либо с меньшими энергозатратами — и это не ухудшит детализацию и качество линий. Бельгийские исследователи выяснили, что увеличение содержания кислорода стимулирует химические реакции в экспонированных участках металл-оксидных фоторезистов (metal-oxide resists, MOR), которые считаются перспективными материалами для EUV-проекции с низкой и, особенно, с высокой числовой апертурой. Тем самым относительно простыми средствами можно увеличить производительность EUV-сканеров и линий по выпуску наиболее передовых чипов, не меняя сами сканеры. Безусловно, для этого придётся создать новые условия для обработки пластин со всеми сопутствующими расходами. Возможно, производители заинтересуются этим «лайфхаком», но пока это неизвестно. ASML заявила о готовности High-NA EUV к серийному производству ангстремных чипов
27.02.2026 [12:17],
Алексей Разин
Литографическим оборудованием ASML нового поколения интересуются даже те производители чипов, которые в ближайшие годы не собираются использовать сканеры с высоким значением числовой апертуры (High-NA). При этом сама нидерландская компания утверждает, что испытания подтвердили высокую степень готовности такого оборудования к массовому производству чипов. 
Источник изображения: ASML Соответствующими соображениями поделился с Reuters технический директор ASML Марко Питерс (Marco Pieters). Своими данными, полученными по итогам испытаний профильного оборудования класса High-NA EUV, руководство ASML собирается поделиться на технологической конференции в Сан-Хосе, штат Калифорния. В общей сложности с помощью новейших литографических сканеров ASML, которые позволяют изготавливать чипы по техпроцессам тоньше 2 нм, было обработано примерно 500 000 кремниевых пластин. ASML утверждает, что эти литографические сканеры стоимостью около $400 млн каждый формально готовы к началу серийного выпуска чипов с их помощью. Они обеспечивают требуемую точность экспозиции, простаивают из-за необходимости настройки и ремонта не более 20 % времени, а потому чисто технически их уже можно использовать при серийном производстве передовых чипов. Впрочем, клиентам ASML потребуется ещё не менее двух–трёх лет на полную адаптацию своих технологий к использованию оборудования класса High-NA EUV, даже если учесть, что Intel, TSMC и Samsung с этим оборудованием уже начали знакомиться заранее. К концу года ASML сократит время простоев оборудования до 10 %, дополнительно улучшив критерии эффективности использования таких литографических сканеров. Компания готова активно делиться с клиентами данными, позволяющими убедить их в целесообразности использования такого оборудования. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
