Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung рассчитывает увеличить долю рынка HBM до 28 % благодаря HBM4
09.03.2026 [08:19],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics поспешила заявить о начале поставок микросхем памяти типа HBM4 некоему крупному клиенту, в котором угадывается Nvidia с её ИИ-ускорителями семейства Vera Rubin. По некоторым оценкам, в сегменте HBM4 именно Samsung останется крупнейшим поставщиком Nvidia, и это позволит ей увеличить свою долю на мировом рынке HBM с 20 до 28 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, на это рассчитывают представители TrendForce, которые попутно отмечают, что уже в этом месяце к поставкам HBM4 должны приступить оба ведущих производителя в лице Samsung и SK hynix. Первая из компаний, по прогнозам Hankyung, сохранит доминирование в поставках HBM4 для нужд Nvidia, но SK hynix всё равно будет лидировать на мировом рынке с учётом HBM3E, занимая на нём более половины. В прошлом году SK hynix могла похвастать долей в 59 %, но теперь Samsung должна укрепить свои позиции с 20 до 28 % за счёт активных действий на направлении HBM4. По имеющимся данным, памяти HBM4 производства Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia, которая требует от неё соответствия скоростям передачи информации свыше 10 Гбит/с, значительно превышающих стандартные для JEDEC 8 Гбит/с. Продукция Samsung способна стабильно передавать информацию на скоростях 10 Гбит/с и 11 Гбит/с, а вот SK hynix свою память под скорость 11 Гбит/с до сих пор оптимизирует. В ускорителях Nvidia Vera Rubin будут использоваться 16-ярусные стеки памяти типа HBM4. Micron, которая являлась вторым по величине поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, не будет отсечена от поставок HBM4, поскольку сохранит способность снабжать Nvidia соответствующей памятью для решений, оснащаемых менее быстрыми микросхемами этого типа. Конъюнктура рынка DRAM сейчас такова, что Samsung даже выгоднее выпускать модули оперативной памяти SOCAMM2 для серверных систем, а не более сложную в производстве HBM4. Кроме того, Nvidia не желает в сфере HBM4 зависеть от единственного поставщика, а потому у Samsung неизбежно появятся конкуренты в лице SK hynix и Micron. Samsung прекратит выпускать 2D NAND и перепрофилирует фабрики на HBM4
25.02.2026 [19:21],
Сергей Сурабекянц
В этом году Samsung официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные линии будет перепрофилированы для удовлетворения ажиотажного спроса на память HBM4, обусловленного бурным развитием искусственного интеллекта. 
Источник изображения: TechPowerUp По данным The Elec Korea, Samsung планирует официально прекратить производство 2D NAND на своём заводе в Хвасоне. Вместо того чтобы полностью закрывать предприятие, Samsung перепрофилирует мощности для металлизации DRAM, то есть процесса нанесения реальных дорожек для соединения ячеек памяти внутри самой DRAM. Производственная мощность линии 12 в Хвасоне составляет от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Это значительное количество пластин, которые сейчас используются только для 2D NAND Flash, технологии, которая устарела после появления 3D NAND Flash. Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6-го поколения класса 10 нм, используемая в HBM4, и Samsung ожидает, что общая мощность производства DRAM вместе с линиями 3 и 4 в Пхёнтеке достигнет около 200 000 пластин в месяц во второй половине года. Память 2D NAND Flash была впервые представлена в конце 1990-х годов. Производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии в последние несколько лет, и Samsung не является исключением. В марте производство 2D NAND будет окончательно прекращено, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая обладает множеством преимуществ перед старой планарной NAND, включая большую ёмкость, лучшую надёжность и гораздо более высокие показатели производительности в целом. Samsung готова взять реванш в гонке ИИ-памяти и будет продавать свою HBM4 на 20–30 % дороже HBM3E
20.02.2026 [15:20],
Алексей Разин
Для SK hynix выпуск памяти типа HBM3E в эпоху ИИ-бума буквально стал «золотой жилой», поэтому Samsung Electronics горит желанием наверстать отставание от более мелкого соперника и оправдать собственный статус крупнейшего производителя памяти применительно к HBM4. 
Источник изображения: Samsung Electronics С этой целью Samsung недавно подготовила общественное мнение к своему потенциальному реваншу, рассказав о начале поставок памяти типа HBM4 первым клиентам. Как отмечает Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, свою память типа HBM4 компания Samsung Electronics намеревается предлагать по цене на 20–30 % выше, чем HBM3E. Выручку на данном направлении Samsung в текущем году намеревается увеличить более чем в три раза по сравнению с прошлым. Если учесть, что цены на DRAM в целом в этом квартале вырастут минимум на 80–90 % по сравнению с предыдущим, то Samsung с учётом своих масштабов производства может неплохо увеличить не только выручку, но и прибыль. С другой стороны, рост цен на память вынудит её поднять цены на собственные смартфоны, даже с учётом того, что процессоры семейства Exynos 2600 она для них сможет выпускать самостоятельно. Как ожидается, смартфоны флагманского семейства Galaxy 26, которые будут представлены на следующей неделе, вырастут в цене на $68–137 исключительно из-за подорожания памяти. Вариант Galaxy S26 Ultra с 512 Гбайт памяти запросто может получить ценник в районе $1380. По прогнозам аналитиков KB Securities, если полупроводниковое подразделение DS компании Samsung Electronics в этом году увеличит операционную прибыль почти в шесть раз по сравнению с ожидаемыми $17,2 млрд, то бизнес по выпуску смартфонов сократит свою прибыль с $8,9 до $5,1 трлн. Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
13.02.2026 [08:40],
Алексей Разин
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia. ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin. Samsung первой запустила HBM4 в серию — для ускорителей Nvidia Vera Rubin
12.02.2026 [17:30],
Алексей Разин
Не секрет, что в сегменте HBM3E дела у Samsung Electronics с точки зрения сотрудничества с Nvidia шли не очень хорошо. Первая из компаний долго добивалась сертификации своей продукции этого семейства по требованиям Nvidia, но так и не смогла наладить массовые поставки и потеснить SK hynix. Сейчас Samsung заявляет, что смогла опередить конкурентов, начав коммерческие поставки HBM4 своим клиентам. 
Источник изображений: Samsung Electronics Как поясняет Bloomberg, имена клиентов при этом не называются, но легко догадаться, что среди них главным является Nvidia. На фоне таких заявлений курс акций Samsung Electronics взлетел сегодня на 7,6 % и обновил исторический максимум. Корейскому гиганту придётся бороться за место в цепочках поставок Nvidia в сегменте HBM4 со всё той же SK hynix, а также американской Micron, которая недавно опровергла слухи о проблемах с сертификации своей продукции для нужд Nvidia. Все трое поставщиков должны наладить снабжение Nvidia чипами HBM4, поскольку они потребуются при производстве ускорителей поколения Vera Rubin и серверных систем на их основе. Массовые поставки таких систем должны начаться в текущем году, поэтому соответствующая память нужна подрядчикам Nvidia уже сейчас. Представители SK hynix заявили в октябре прошлого года, что компания начнёт снабжать клиентов микросхемами HBM4 ещё в четвёртом квартале, но о масштабных поставках можно будет говорить только с наступлением 2026 года. По словам представителей Samsung, наладить выпуск HBM4 в коммерческих масштабах удалось благодаря преимуществу над конкурентами в литографических технологиях. Компания использует более передовые техпроцессы (10-нм класса 1c) при выпуске не только самих кристаллов DRAM в стеке HBM4, но и базового кристалла, который производится по 4-нм технологии. В отличие от SK hynix, которая в этой сфере полагается на услуги TSMC, компания Samsung базовые кристаллы может выпускать самостоятельно.  Технический директор Чжэ Хёк Сон (Jaehyuk Song) заявил на этой неделе: «Мы теперь демонстрируем подлинные возможности Samsung в очередной раз. Хотя мы могли не в полной мере демонстрировать Samsung с той стороны, которая отвечает за потребности клиентов в части технологий мирового уровня — на протяжении определённого периода, вы сможете увидеть, как мы вернёмся на прежние позиции». Из пресс-релиза Samsung следует, что её память типа HBM4 способна достигать скоростей передачи информации до 13 Гбит/с, а в устоявшемся режиме скорость достигает 11,7 Гбайт/с. Уровень выхода годной продукции при выпуске HBM4 достиг стабильных значений, по словам Samsung. Формально, HBM4 способна передавать данные в 1,22 раза быстрее, чем HBM3E, в пересчёте на один контакт. С учётом изменений в компоновке и архитектуре преимущество вырастает до 2,7 раза в пересчёте на один стек памяти. Предельная скорость передачи информации HBM4 достигает 3,3 Тбайт/с. 12-ярусная компоновка позволяет создавать стеки памяти объёмом от 24 до 36 Гбайт. В дальнейшем Samsung рассчитывает предложить и 16-ярусные стеки объёмом до 48 Гбайт. Базовый кристалл HBM4 компания проектировала таким образом, чтобы обеспечить его высокую энергоэффективность. Последний показатель удалось улучшить на 40 % за счёт использования новых способов формирования межслойных соединений и оптимизации компоновки с целью снижения энергопотребления. По сравнению с HBM3E, эффективность теплоотвода удалось улучшить на 30 %, а тепловое сопротивление изменить на 10 %. В целом, Samsung рассчитывает в текущем году в три раза увеличить продажи всех актуальных типов HBM. Во втором полугодии она уже готова начать поставки образцов HBM4E своим клиентам, а в следующем году предложит индивидуализированные варианты такой памяти. Micron опровергла слухи, что её HBM4 оказалась не нужна Nvidia — массовое производство начнётся в текущем квартале
12.02.2026 [08:01],
Алексей Разин
Ведущие производители памяти сейчас соперничают за лучшие условия сотрудничества с Nvidia в сфере поставок HBM4, и финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) недавно дал понять, что данная компания не собирается оставаться за бортом прогресса. Массовые поставки микросхем HBM4 она начинает в этом квартале, быстрее первоначального намеченного срока. 
Источник изображения: Micron Technology Ещё в декабре прошлого года Micron рассчитывала приступить к поставкам HBM4 лишь во втором квартале текущего года, но теперь полна решимости наращивать объёмы уже в текущем квартале. Образцы HBM4 компания Micron поставляет своим клиентам с сентября прошлого года. Она изначально отмечала, что предлагает самую быструю память HBM4 на рынке со скоростью передачи информации более 11 Гбит/с, но с тех пор лидерство в данной сфере пытается оспаривать Samsung. По данным южнокорейских СМИ, все три крупнейших поставщика HBM4 смогут снабжать памятью этого типа компанию Nvidia, которой она нужна для оснащения ускорителей вычислений семейства Rubin. На долю SK hynix придётся около 55 % таких поставок, Samsung получит около 25 %, а Micron придётся довольствоваться 20 %. В любом случае, по словам финансового директора Micron Technology, слухи о неспособности компании принять участие в снабжении Nvidia памятью HBM4 в текущем году не имеют ничего общего с реальностью. Как ожидается, очередной рассказ об ускорителях Rubin можно будет услышать от представителей Nvidia на мартовской конференции GTC 2026. Micron при этом продолжает расширять свои мощности, пригодные под организацию упаковки чипов памяти. Помимо сотрудничества с тайваньской PSMC, американский производитель памяти с 2024 года скупает простаивающие тайваньские предприятия по выпуску ЖК-панелей. В прошлом году Micron купила два таких завода на Тайване у AUO, а в этом готовится купить ещё одно у Innolux. После переоборудования такие предприятия можно приспособить к тестированию и упаковке микросхем памяти. Совместный проект с PSMC начнёт приносить свои плоды с конца 2027 года. Samsung начнёт коммерческие поставки памяти HBM4 уже в феврале, опередив конкурентов
09.02.2026 [04:27],
Анжелла Марина
Samsung Electronics станет первым производителем памяти, который начнёт коммерческие поставки чипов HBM4. Компания планирует отгрузить первые партии уже в середине февраля. Основным заказчиком выступит Nvidia, которая будет использовать HBM4 в своей вычислительной платформе следующего поколения Vera Rubin для ИИ-суперкомпьютеров. Ожидается, что Nvidia представит ускорители на базе этой памяти на конференции GTC 2026 в марте. 
Источник изображения: Samsung Electronics По сообщению южнокорейского издания The Korea Herald со ссылкой на отраслевые источники, новая память HBM4 от Samsung с самого начала проектировалась с превышением базовых отраслевых стандартов, установленных организацией JEDEC. Чип работает на скорости до 11,7 Гбит в секунду, что на 37 % превышает стандарт JEDEC в 8 Гбит в секунду и на 22 % выше показателя предыдущего поколения HBM3E. Пропускная способность одного стека достигает 3 Тбайт в секунду, а ёмкость составляет 36 Гбайт при двенадцатислойной компоновке. В перспективе шестнадцатислойная компоновка позволит увеличить объём до 48 Гбайт. Для производства памяти применены DRAM-техпроцесс шестого поколения 10-нм класса (1c) и собственный четырёхнанометровый логический кристалл. 
Источник изображения: Nvidia Для удовлетворения прогнозируемого спроса Samsung расширяет производственные линии на заводе Pyeongtaek Campus Line 4. После модернизации общий объём выпуска пластин с памятью 1c DRAM, предназначенных для HBM4, составит около 200 тысяч единиц в месяц. Это количество покрывает примерно четверть всех мощностей компании по производству DRAM. По оценкам аналитиков SemiAnalysis, рынок HBM4 будет поделен между двумя игроками: SK hynix займет около 70 % рынка, а Samsung получит оставшиеся 30 %, тогда как компания Micron фактически выбыла из конкурентной гонки. В предыдущих поколениях HBM Samsung сталкивалась с кризисом своей конкурентоспособности, уступая лидерство SK hynix. С помощью HBM4 разрыв может быть не только сокращён, но возможно и опережение конкурента, который получил раннее преимущество на фоне растущего спроса со стороны центров обработки данных для задач искусственного интеллекта. Король HBM: SK hynix отчиталась о рекордной прибыли и обогнала Samsung, но последняя готовит контратаку
28.01.2026 [13:34],
Алексей Разин
Южнокорейская SK hynix долгое время оставалась основным поставщиком памяти типа HBM3E для весьма востребованных рынком ускорителей Nvidia. Это позволило ей обойти по прибыли более крупную Samsung Electronics и в целом неплохо зарабатывать. Четвёртый квартал прошлого года стал рекордным для SK hynix с точки зрения финансовых результатов, операционная прибыль компании более чем удвоилась. 
Источник изображения: SK hynix Она достигла $13,5 млрд в пересчёте по курсу и заметно превысила ожидания аналитиков, увеличившись на 137 %. Выручка SK hynix в годовом сравнении выросла сразу на 66 % до $23 млрд, но в данном случае ожидания аналитиков были превышены только незначительно. И выручка, и операционная прибыль этого производителя памяти в четвёртом квартале оказались рекордными. Реализация HBM принесла SK hynix в прошлом квартале более чем в два раза больше выручки, чем годом ранее. По независимым оценкам, SK hynix сейчас занимает 61 % мирового рынка HBM. Если Samsung добьётся успеха в сегменте HBM4, то в этом году доля SK hynix сократится до 53 %. Сегмент HBM должен до 2030 года расти на 25 % в среднем, по прогнозам экспертов. 
Источник изображения: Bloomberg Что характерно, руководство SK hynix осознаёт, какое негативное влияние на рынок оказывает ИИ-бум. Из-за роста цен на память для смартфонов и ПК, по мнению представителей компании, а также её дефицита, темпы роста заказов в указанных сегментах будут отставать от остального рынка. Акции SK hynix выросли в цене на 6 % после публикации квартальной отчётности. Дефицит памяти на этапе наращивания объёмов выпуска HBM4 будет усиливаться, по мнению аналитиков. Представители Citigroup ожидают, что средние цены на DRAM в этом году вырастут на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %. По итогам года в целом SK hynix выручили рекордные $68 млрд, операционная прибыль достигла $33 млрд, а чистая — $30 млрд, при этом норма прибыли выросла до 44 %. В сегменте DRAM выручка от реализации HBM более чем удвоилась. Классическую DRAM компания начала выпускать по шестому поколению техпроцесса 10-нм класса (1c). В серверном сегменте SK hynix начала предлагать модули DDR5 в исполнении RDIMM объёмом 256 Гбайт. В текущем году компания надеется ускорить переход на техпроцесс 1c при производстве DRAM, а также предлагать на рынке ИИ актуальные решения типа модулей SOCAMM2 и микросхем GDDR7. В сегменте NAND компания завершила разработку 321-слойной памяти типа QLC, а также добилась рекордной выручки от реализации флеш-памяти. Samsung начнёт выпускать память типа HBM4 для Nvidia в следующем месяце
26.01.2026 [04:51],
Алексей Разин
В первой половине этого месяца появлялась информация о том, что начало массового выпуска памяти типа HBM4 откладывается до конца первого квартала по причинам, связанным с компанией Nvidia. Эту неделю агентство Reuters начало с сообщения о готовности Samsung начать производство HBM4 в следующем месяце. 
Источник изображения: Nvidia Получать эти чипы предсказуемо будет Nvidia, поскольку они требуются для производства ускорителей вычислений семейства Rubin. В случае с предыдущими поколениями ускорителей Nvidia приоритетным поставщиком HBM оставалась SK hynix, но Samsung уже давно идёт к цели по превращению в серьёзного поставщика HBM4, желая наверстать упущенное и как минимум догнать конкурента. Каким будет объём первых партий HBM4 в исполнении Samsung, не уточняется. Южнокорейское издание Korea Economic Daily сегодня сообщило, что память HBM4 в исполнении Samsung прошла квалификационные тесты Nvidia и AMD, а потому формально этот производитель имеет возможность начать её поставки первому из клиентов в следующем месяце. Первые образцы HBM4 были отправлены Samsung для тестирования в лабораториях Nvidia ещё в сентябре прошлого года. SK hynix в октябре сообщила, что завершила переговоры о поставках HBM на 2026 год с основными клиентами. Ради удовлетворения спроса на память данного семейства SK hynix со следующего месяца начнёт поставки кремниевых пластин для производства памяти на новое предприятие M15X в Южной Корее. Samsung и SK hynix отчитаются о результатах прошлого квартала в этот четверг, наверняка на мероприятиях по этому поводу что-то будет сказано в отношении сроков поставок HBM4. Глава Nvidia в начале этого месяца подтвердил, что производство чипов для ускорителей Vera Rubin уже началось. Соответственно, медлить с выпуском HBM4 для этой платформы особой нужды нет. Массовое производство HBM4 отложили до конца первого квартала по прихоти Nvidia
08.01.2026 [17:52],
Владимир Мироненко
Компания Nvidia вынудила производителей микросхем оперативной памяти отложить запуск серийного производства памяти HBM4 до конца первого квартала 2026 года, сообщается в недавнем исследовании TrendForce. 
Источник изображения: SK hynix Это решение связано с целым рядом причин. Во-первых, в III квартале 2025 года компания пересмотрела спецификации HBM4 для своей платформы Rubin, повысив требуемую скорость на контакт до более чем 11 Гбит/с. В связи с этим её трём основным поставщикам — SK hynix, Samsung и Micron — пришлось внести изменения в свои разработки. Кроме того, из-за высокого спроса на чипы Nvidia предыдущего поколения Blackwell, обусловленного продолжающимся бумом ИИ, компания скорректировала сроки начала серийного производства платформы Rubin. TrendForce отмечает, что SK hynix, Samsung и Micron повторно представили образцы HBM4 в соответствии с более высокими требованиями Nvidia. Samsung вышла на лидирующие позиции в этой тройке благодаря внедрению 1-нм техпроцесса для HBM4 и использованию собственных передовых технологий для базового кристалла. Это позволит компании добиться более высоких скоростей передачи данных, и сделает её наиболее вероятным поставщиком, который первым пройдёт квалификацию и потенциально получит преимущество в поставках высококачественных продуктов Rubin. В свою очередь, SK hynix уже заключила контракты на поставку HBM и, следовательно, скорее всего, сохранит доминирующую долю на рынке поставок HBM в 2026 году. На темпы квалификации HBM4 также влияют изменения в продуктовой стратегии Nvidia. Поскольку спрос на продукты Blackwell на фоне продолжающегося бума ИИ резко возрастёт в первой половине 2026 года, Nvidia повысила целевые показатели поставок для B300/GB300 и увеличила заказы на HBM3e, также пересмотрев график производства Rubin. Вместе с тем благодаря корректировкам в графике Nvidia поставщики HBM получили дополнительное время для доработки решений HBM4. Исходя из имеющихся результатов квалификации компания TrendForce прогнозирует, что массовое производство HBM4 у поставщиков, скорее всего, начнётся в конце I квартала или начале II квартала 2026 года. Новая статья: Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше
08.01.2026 [00:03],
3DNews Team
Данные берутся из публикации Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше SK hynix показала первые 16-слойные стеки HBM4, память LPDDR6 и другие новинки
06.01.2026 [12:38],
Алексей Разин
Производство HBM3E для SK hynix буквально стало «золотой жилой», которая позволила значительно улучшить финансовое положение компании. По этой причине она связывает с HBM4 особые надежды и использовала CES 2026 для демонстрации образцов 16-слойных микросхем объёмом 48 Гбайт. 
Источник изображений: SK hynix Как отмечается в пресс-релизе на сайте SK hynix, образцы 16-слойной HBM4 впервые демонстрируются ею именно на CES 2026 в Лас-Вегасе. Ранее компания уже показывала 12-слойные микросхемы HBM4 объёмом 36 Гбайт, которые обеспечивали скорость передачи информации до 11,7 Гбит/с. При этом SK hynix признаёт, что с точки зрения продаж именно 36-гигабайтные чипы HBM3E с 12-ярусной компоновкой будут двигать бизнес компании в этом году. Такую память SK hynix продемонстрирует в сочетании с GPU тех разработчиков, которые продолжат с ней сотрудничать в сегменте HBM3E. В серверном сегменте также найдут применение модули оперативной памяти типа SOCAMM2, отличающиеся низким энергопотреблением. В мобильном сегменте LPDDR6 будет оптимизирована под периферийные вычисления в сфере ИИ, обеспечивая нужный баланс быстродействия и энергопотребления. На стенде SK hynix в Лас-Вегасе также можно будет найти образцы 321-слойной флеш-памяти типа QLC 3D NAND, которые позволят создавать накопители eSSD высокой ёмкости. Эта память также сочетает высокое быстродействие с низким энергопотреблением, что особенно ценится в сфере центров обработки данных.  Компания также будет уделять внимание и другим инновациям, включая создание заказной HBM4, в составе которой некоторые функции будут реализованы на уровне базового кристалла стека с учётом пожеланий конкретного заказчика. Память типа PIM, подразумевающая выполнение некоторых вычислений собственными силами, также является одним из перспективных направлений разработок SK hynix. Технология AiMX подразумевает ускорение вычислений в системах ИИ на уровне памяти типа GDDR6. Ещё одной разновидностью периферийных вычислений на уровне памяти является технология Compute-using-DRAM (CuD). Вычисления будут выполняться даже на стороне SSD, а интерфейс CXL позволит ускорить обмен данными между различными компонентами вычислительных систем. Samsung оправилась от провала с HBM3E и утверждает, что клиенты довольны её HBM4
02.01.2026 [14:38],
Владимир Фетисов
Клиенты Samsung Electronics высоко оценили конкурентоспособность чипов памяти нового поколения HBM4. Об этом пишет информационное агентство Reuters со ссылкой на заявление одного из топ-менеджеров южнокорейской компании Чун Ён Хена (Jun-Young-hyun). 
Источник изображения: Samsung Electronics В октябре Samsung сообщала о проведении переговоров по поставкам своих чипов памяти HBM4 американскому производителю графических ускорителей Nvidia. За счёт этого Samsung рассчитывала догнать конкурентов, таких как SK Hynix, в сегменте поставок чипов для сферы искусственного интеллекта. «В частности, что касается HBM4, то клиенты заявили, что Samsung вернулась», — приводит источник слова Чун Ён Хена. Он также добавил, что компании предстоит проделать большую работу для дальнейшего повышения конкурентоспособности своих чипов. Генеральный директор SK Hynix Квак Но-Джун (Kwak Noh-Jung) в своём предновогоднем обращении к сотрудникам заявил, что компания сумела извлечь выгоду из благоприятных внешних условий, поскольку спрос на чипы памяти для сферы ИИ вырос быстрее, чем ожидалось. Он добавил, что конкуренция стремительно обостряется, и теперь спрос на ИИ-чипы — это данность, а не приятная неожиданность. По его мнению, бизнес-среда в 2026 году будет более жесткой, чем в прошлом году, но время смелых инвестиций не прошло, поскольку они помогут подготовиться к будущему. Данные аналитической компании Counterpoint Research указывают на то, что SK Hynix была лидером на рынке памяти HBM в третьем квартале 2025 года с долей в 53 %. Следом за ней находились Samsung и Micron, занявшие 35 % и 11 % рынка соответственно. Акции Samsung и SK Hynix завершили первую торговую сессию нового года ростом на 7,2 % и 4 % соответственно, обновив рекордные максимумы и опередив рост базового индекса KOSPI на 2,3 %. Что касается контрактного производства, то, по словам Чун Ён Хена, недавно Samsung заключила несколько сделок по поставкам крупным заказчикам, тем самым подготовив данное направление бизнеса к «большому скачку вперёд». Помимо прочего, Samsung заключила соглашение с Tesla стоимостью $16,5 млрд. SK hynix начнёт производство чипов памяти HBM4 на новом заводе M15X на 4 месяца раньше запланированного срока
28.12.2025 [11:47],
Николай Хижняк
Компания SK hynix рассчитывает приступить к коммерческому производству чипов памяти на своём новейшем заводе M15X на четыре месяца раньше запланированного срока, пишет The Elec. По словам источников издания, производитель чипов планирует начать выпуск кристаллов 1b DRAM (10 нм), которые будут использоваться в стеках памяти HBM4 в феврале будущего года. 
Источник изображений: SK hynix Первоначально SK hynix планировала начать выпуск пластин для производства памяти на заводе в июне. Ожидается, что начальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, но к концу 2026 года она будет увеличена в несколько раз. По словам источников, производитель чипов активно устанавливает оборудование на заводе для быстрого расширения производственных мощностей. Этот шаг предпринят для удовлетворения спроса на высокопроизводительную память со стороны Nvidia.  Завод SK hynix M15X полностью предназначен для производства памяти HBM4, которая может использоваться в паре с ускорителем искусственного интеллекта нового поколения Nvidia Rubin. Отмечается, что образцы памяти от SK hynix уже прошли клиентскую проверку. В частности, компания изготовила образцы памяти в сентябре и затем поставила их Nvidia. Для компоновки графических процессоров для ИИ Nvidiа будет использовать передовой метод упаковки CoWoS от TSMC. CoWoS позволяет размещать на одной подложке чипа различные элементы, такие как графический процессор и стеки памяти HBM для обеспечения повышенной скорости передачи данных, рассчитывающейся в терабайтах в секунду. Процесс верификации CoWoS также называется оптимизацией. Для стабильной работы графического процессора и HBM в одном корпусе необходимо установить оптимальные параметры синхронизации сигналов, питания и распределения тепла. Ошибка в этом процессе может привести к снижению производительности продукта или проблем с перегревом. Источники The Elec сообщили, что SK hynix и Nvidia находятся на заключительном этапе оптимизации и что этот процесс проходит гладко. Издание также сообщает, что компания Samsung тоже отправила Nvidia образцы памяти HBM4, но их тестирование и оптимизация находятся на более ранней стадии. В свою очередь компания Micron заявила, что её мощности по производству HBM4 уже полностью зарезервированы клиентами. Ожидается, что Nvidia окончательно определится с поставщиками памяти HBM4 для своих ИИ-ускорителей в начале следующего года. А Samsung тем временем пытается увеличить объёмы выпуска годных чипов. Память HBM4 от Samsung получила высшие оценки в тестах Nvidia
21.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
В ходе испытаний высокоскоростной памяти HBM4, которая будет использоваться в следующем поколении ускорителей искусственного интеллекта Nvidia серии Vera Rubin, запуск которых запланирован на следующий год, компания Samsung Electronics получила наивысшие оценки. Об этом пишет корейская пресса. 
Источник изображений: Samsung Сообщается, что на прошлой неделе представители Nvidia посетили Samsung Electronics для оценки хода тестирования памяти HBM4 в корпусе System in a Package (SiP). В ходе встречи было отмечено, что Samsung Electronics достигла лучших в отрасли результатов по скорости работы и энергоэффективности. В результате Samsung Electronics получила убедительный сигнал о прохождении квалификации Nvidia для HBM4 и о поставках в первой половине следующего года. Объём поставок HBM4, запрошенный Nvidia на следующий год, как отмечается, значительно превышает внутренние оценки Samsung, что, как ожидается, существенно повысит загрузку производственных линий компании. Учитывая темпы расширения и производственные мощности линии Samsung P4 в Пхёнтеке, ожидается, что компания официально подпишет контракты на поставку памяти HBM4 в первом квартале следующего года. А полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся во втором квартале. Samsung Electronics заявила, что не может официально подтвердить информацию, касающуюся оценок Nvidia. Один из инсайдеров отрасли в комментарии Maeil Business Newspaper отметил: «В отличие от HBM3E, Samsung Electronics лидирует в разработке HBM4, и это общее мнение в команде разработчиков компании».  Другой южнокорейский гигант по производству памяти, SK hynix, завершил подготовку к массовому производству чипов памяти HBM4 в конце сентября, опередив Samsung Electronics примерно на три месяца. Примечательно, что SK hynix уже начала поставлять платные образцы Nvidia, тем самым фактически подтвердив начало производство этой памяти. Отмечается, что Samsung тем не менее может быстро сократить это отставание. Поскольку полномасштабное серийное производство памяти HBM4 ожидается во втором квартале следующего года, Samsung Electronics, получившая высокие оценки в области SiP, может увеличить объёмы поставок. Технология «система в корпусе» (SiP) подразумевает интеграцию нескольких полупроводниковых чипов в один корпус. Для HBM4 это означает, что такие компоненты, как графический процессор (GPU), память, межсоединительная плата и микросхема питания, находятся в составе одного корпуса чипа. Тестирование SiP считается заключительным этапом проверки того, находятся ли скорость, тепловыделение и показатели питания в пределах контролируемых уровней. Проверка также представляет собой последний шаг для подтверждения готовности к серийному производству. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
