Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Более двух с половиной часов длилось выступление основателя и бессменного генерального директора Nvidia Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на технологической конференции GTC 2025. О новинках компании её глава рассказал ближе к концу своей презентации, впервые прозвучало имя преемника ускорителей семейства Rubin, который выйдет на рынок в 2028 году.

Источник изображения: Nvidia

Новейшие ускорители Nvidia к тому времени перейдут на архитектуру Feynman, очевидным образом названную в честь американского физика Ричарда Фейнмана (Richard Feynman), удостоившегося Нобелевской премии и принявшего участие в создании ядерной бомбы в середине сороковых годов прошлого века. Характеристики и предполагаемый уровень производительности ускорителей поколения Feynman пока не приводятся, но Nvidia упоминает об использовании ими памяти HBM следующего за HBM4E поколения. Любопытно, что из числа центральных процессоров этим ускорителям сопутствуют только чипы с архитектурой Vera, которые дебютируют в 2026 или 2027 году одновременно с ускорителями Rubin.

Собственно, разделение имени и фамилии выдающихся учёных для Nvidia в принятой системе условных обозначений становится нормой. Вслед за Blackwell на рынке должны будут появиться решения, названные в честь американского астронома Веры Рубин (Vera Rubin). Своей фамилией она невольно поделится с ускорителями вычислений, которые будут выходить в 2026 и 2027 годах, а центральные процессоры унаследуют её имя. Таким образом, преемники процессоров Vera наверняка получат обозначение Richard, но в планах Nvidia они пока не упоминаются. Процессоры Vera будут сочетать 88 ядер с Arm-совместимой архитектурой собственной разработки и 176 потоков.

Источник изображения: Nvidia

Во время своего выступления Дженсен Хуанг признался, что при обозначении ускорителей B200 семейства Blackwell его компания совершила небольшой просчёт, использовав сочетание NVL72. Поскольку на одной подложке расположены по соседству два кристалла, правильнее было бы называть такую компоновку NVL144. Именно оно станет нормой для схожих представителей семейства Rubin.

Стоечная система Vera Rubin NVL144 дебютирует во второй половине следующего года, она будет обеспечивать в 3,3 раза более высокое быстродействие по сравнению с GB300 NVL72. Каждый GPU будет оснащаться 288 Гбайт памяти типа HBM4. При этом пропускная способность памяти по сравнению с B300 вырастет с 8 до 13 Тбайт/с. Интерфейсы NVLink для обмена данными внутри системы также увеличат свою пропускную способность, примерно в два раза.

Источник изображения: Nvidia

Во второй половине 2027 года выйдут ускорители Rubin Ultra и стоечные решения NVL576 на их основе. Быстродействие в вычислениях FP4 вырастет в четыре раза по сравнению с Rubin NVL144 и в четырнадцать раз относительно GB300 NVL72 — до 15 Эфлопс. Чипы Rubin Ultra будут объединять в одной упаковке четыре кристалла. Объём оперативной памяти при переходе от Rubin NVL144 к Rubin Ultra NVL576 вырастет с 75 до 365 Тбайт. Ускорители Rubin Ultra перейдут на использование памяти типа HBM4E, но на каждый чип будет приходиться не более 8 Тбайт/с пропускной способности, зато объём памяти вырастет до 1 Тбайт. Интерфейс NVLink7 в поколении Rubin Ultra будет ускорен в шесть раз до 1,5 Пбайт/с, интерконнект CX9 ускорится в четыре раза до 115,2 Тбайт/с.

Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.

Новейшая HBM3E относится к пятому поколению памяти HBM, а ведущий поставщик в лице SK hynix уже сейчас рассматривает возможность вывода на рынок памяти седьмого поколения HBM4E к 2026 году. Это на год быстрее, чем планировалось ранее, а в дальнейшем шаг между выходами поколений HBM будет сокращён с двух лет до одного года.

Источник изображения: SK hynix

По крайней мере, об этом сообщает ресурс The Elec со ссылкой на собственные источники, знакомые с планами компании. Первоначально SK hynix в 2026 году рассчитывала вывести на рынок только шестое поколение памяти (HBM4), а седьмое представить не ранее 2027 года. Теперь выход на рынок HBM4E решено ускорить на год. SK hynix будет выпускать микросхемы HBM4E с использованием техпроцесса 10-нм класса, плотность каждой достигнет 32 Гбит.

Правда, пока у специалистов SK hynix даже нет уверенности, какой высоты будут стеки памяти HBM4E, и какие технологии будут использоваться для формирования вертикальных межслойных соединений. По некоторым данным, HBM4E сможет увеличить скорость передачи информации на 40 % по сравнению c HBM4, а вот от намерений по внедрению гибридных связей при выпуске памяти последнего типа SK hynix вынуждена отказаться, хотя в прошлом году о соответствующих намерениях заявляла.

Конкурирующая Samsung Electronics намеревается освоить массовый выпуск HBM4 в 2026 году, поэтому нельзя исключать, что активность SK hynix на этом направлении заставит корейского гиганта ускориться. Как считают отдельные источники, являясь крупнейшим потребителем памяти HBM, компания Nvidia буквально сталкивает лбами её производителей в надежде получить более выгодные для себя условия закупок.