Недавно компания Samsung Electronics отчиталась о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, но она одновременно уже полным ходом разрабатывает и HBM5. На выставке Computex 2025 она продемонстрировала лишь масштабный макет чипа HBM5, который призван в общих чертах показать его устройство, но уже на этом этапе понятно, что технологически это будет не самый простой вид продукции Samsung.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Asia Business Daily

Начнём с того, что базовый кристалл для HBM5 компания собирается выпускать собственными силами по 2-нм технологии. Количество слоёв DRAM, которые будут выпускаться по технологии класса 1c, может варьироваться в случае с HBM5 от 12 до 20 штук. Технический директор профильного подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk), который присутствовал на стенде компании на Computex 2026, пообещал использование компоновки транзисторов с окружающим затвором (GAA) при производстве 2-нм чипов. Кроме того, он выразил уверенность, что Samsung в целом сможет освоить технологии тоньше 1 нм. Наличие у Samsung контрактного подразделения, по словам представителя компании, позволяет ей удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.

Для сравнения, HBM4E подразумевает использование 4-нм базового кристалла и техпроцесса 1c для изготовления чипов DRAM, формирующих стек памяти. Важным нововведением HBM5 станет использование теплоотводного канала Heat Path Block (HPB). Память HBM5 не только увеличит количество слоёв DRAM в стеке, но и скорость обмена информации, поэтому отводу тепла от элементов стека Samsung собирается уделять особое внимание. Технология уже отлажена на примере HBM4E, в дальнейшем компания собирается применять продвинутые способы отвода тепла для повышения стабильности работы памяти такой компоновки. Массовым производством HBM5 южнокорейский гигант собирается заняться с 2028 года. Уже в рамках HBM5E кристаллы DRAM в стеке начнут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.

У конкурирующей SK hynix за охлаждение элементов в стеке будет отвечать схожая технология iHBM, поэтому нельзя утверждать, что решение Samsung в чём-то уникально. Именно при производстве HBM5 компания SK hynix собирается внедрить iHBM в условиях массового выпуска памяти. Кроме того, в составе HBM5 этого производителя также будут присутствовать 2-нм чипы.

Степень доверия руководства Nvidia к способности Samsung Electronics выпускать качественную память типа HBM4 была в этом месяце подтверждена совместным фото основателя первой из компаний с представителями второй. Дженсен Хуанг (Jensen Huang) прямо на кремниевой пластине с чипами HBM4 назвал эту память «удивительной». При этом Samsung уже разрабатывает HBM5 и HBM5E.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung Electronics

Соответствующую информацию на прошлой неделе опубликовал южнокорейский ресурс Business Korea. В случае с HBM5 в исполнении Samsung базовый кристалл для стека памяти будет выпускаться по 2-нм технологии, а HBM5E примерит кристаллы DRAM, выпущенные по седьмому поколению 10-нм техпроцесса, который условно обозначается как «1d». Samsung уже удалось договориться с Nvidia о производстве специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм технологии на своих контрактных мощностях. Руководитель профильного подразделения Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) подчеркнул, что 4-нм процесс компании «никак нельзя считать посредственным».

Это заявление было сделано представителем Samsung Electronics на мероприятии GTC 2026, которое Nvidia проводила в Калифорнии для своих партнёров. Если учесть, что и руководство конкурирующей SK hynix было приглашено на конференцию в Сан-Хосе, лучшей иллюстрации значимости корейских поставщиков HBM в восприятии Nvidia и придумать сложно.

Представители Samsung пояснили, что HBM5 будет производиться с использованием 2-нм техпроцесса силами самой компании, если говорить о базовом кристалле. Чипы DRAM в стеке HBM5 будут выпускаться по шестому поколению 10-нм техпроцесса (1c). Строго говоря, последний уже применяется при выпуске кристаллов DRAM в стеке HBM4, он просто будет перенесён на HBM5. Основным новшеством станет использование собственного 2-нм техпроцесса Samsung для изготовления базового кристалла. В случае с HBM4 базовый кристалл Samsung производит по 4-нм технологии. Она смогла опередить конкурентов с началом поставок HBM4 для нужд Nvidia.

HBM5E будет выпускаться с использованием более свежего варианта 10-нм техпроцесса 1d в случае с кристаллами DRAM в стеке, а в его основании будет лежать базовый кристалл, производимый по всё тому же 2-нм техпроцессу. Очевидно, «шахматный порядок» модернизации техпроцессов при выпуске HBM позволяет Samsung снизить технологические риски. Спрос на 4-нм техпроцесс в ближайшее время будет заметно расти, как убеждены в Samsung, поскольку он применяется для выпуска базовых кристаллов HBM4.

В отношении стартапа Groq, который был недавно куплен Nvidia, способность Samsung выпускать его чипы объясняется просто: они сотрудничали ещё до сделки с 2023 года, Samsung принимала участие в разработке чипов LPU. На этапе подготовки к сделке Nvidia пришла к выводу, что 4-нм техпроцесс Samsung для соответствующих нужд вполне подходит, поэтому подрядчика по производству чипов Groq менять не стали. Их массовый выпуск будет начат на рубеже третьего и четвёртого кварталов этого года. Серьёзный спрос на чипы Groq 3 будет наблюдаться, начиная со следующего года. Глава Nvidia на GTC 2026 также оставил свой автограф и на кремниевой пластине с чипами Groq 3, назвав их «сверхбыстрыми».

Производство многоярусной памяти HBM3E уже требует использование передовых технологий, оборудования и материалов, что подтверждается неспособностью Samsung наладить выпуск подобных чипов, удовлетворяющих высоким требованиям Nvidia. В дальнейшем HBM примерит не только погружное и сквозное охлаждение, но и перейдёт на более сложные методы упаковки, включая интеграцию на GPU.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

Профессор Корейского института науки и передовых технологий (KAIST) Ким Чжон Хо (Kim Joungho), как отмечает The Elec, во время своего недавнего доклада описал возможные пути развития технологий производства памяти класса HBM. Уже в рамках HBM5 может быть предложен вариант охлаждения стека памяти методом погружения в диэлектрическую жидкость, поскольку сейчас «посредник» в виде металлического теплораспределителя не демонстрирует хорошего запаса по эффективности на будущее. Производители серверных систем погружное охлаждение невольно начали практиковать после того, как плотность теплового потока современных ускорителей вычислений заметно выросла.

В целом, профессором Кимом предварительно разработана дорожная карта развития HBM на срок до 2040 года, когда на рынке уже будет предлагаться HBM8, хотя эти этапы всё равно являются приблизительными. Например, память поколения HBM7 уже будет предусматривать сквозное охлаждения стека памяти, когда охлаждающая жидкость будет циркулировать по микроканалам внутри самих микросхем и базового кристалла. Твердотельная память NAND со временем тоже станет многоярусной, как HBM. На определённом этапе базовый кристалл переедет из основания стека на его верхушку, а HBM8 наверняка позволит интегрировать стек памяти прямо на кристалл графического процессора.

Технологии и материалы для производства стеков HBM также будут совершенствоваться. Например, HBM6 предложит использование стекла и кремния одновременно для создания подложки. Гибридные методы межслойного соединения будут внедрены уже в ближайшее время, а HBM5 предложит до 20 слоёв памяти в одном стеке. На рынок память типа HBM5 выйдет примерно к 2029 году.