Желая сохранить лидирующие позиции на рынке памяти типа HBM, которая стала крайне востребована на волне ИИ-бума, южнокорейская компания SK hynix в этом году вложит в расширение мощностей по её тестированию и упаковке в родной стране более $1 млрд. По оценкам сторонних экспертов, общая величина капитальных затрат SK hynix в этом году достигнет $10,5 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Поскольку на упаковку памяти будет направлена одна десятая часть этого бюджета, то данное направление деятельности можно признать приоритетным, как поясняет Bloomberg. Руководит данным бизнесом Ли Кан-ук (Lee Kang-Wook), который ранее занимался подобной работой в Samsung Electronics. Комбинация различных полупроводниковых материалов и разработка новых методов соединений являются сферами специализации этого бывшего инженера Samsung. По его мнению, первые 50 лет развития полупроводниковой отрасли были посвящены начальным этапам создания компонентов, связанных с обработкой кремния, а последующие 50 лет будут посвящены технологиям упаковки чипов.

Непосредственно Ли Кан-ук принимал участие в разработки методов упаковки чипов памяти типа HBM2E, именно эти ноу-хау позволили SK hynix стать главным поставщиком подобной памяти для нужд NVIDIA с конца 2019 года. Будучи инженером Samsung, он с 2002 года руководил разработкой межслойных соединений в многоярусных полупроводниковых компонентах. Эта технология в дальнейшем легла в основу создания микросхем памяти HBM, которые в последнем поколении насчитывают по 12 ярусов, соединяемых между собой вертикально. Когда в 2013 году SK hynix и AMD первыми начали применять HBM в серийных продуктах, никто из конкурентов не мог последовать их примеру на протяжении двух лет, пока к концу 2015 года Samsung не представила HBM2. Ли Кан-ук перешёл на работу в SK hynix тремя годами позднее.

Сейчас SK hynix сотрудничает с японскими компаниями в разработке более совершенной технологии формирования вертикальных межсоединений в микросхемах памяти HBM. В конце февраля Samsung объявила о завершении разработки микросхем HBM3E с 12 слоями, которые могут обеспечить объём памяти до 36 Гбайт в одном стеке. Micron Technology в то же время объявила о начале выпуска 8-слойной памяти HBM3E, которая может предложить объём до 24 Гбайт в одном стеке. Считается, что NVIDIA будет получать такие микросхемы от обоих конкурентов SK hynix. Помимо развития предприятий по упаковке HBM на территории Южной Кореи, SK hynix готовится вложить несколько миллиардов долларов в реализации профильного проекта на территории США.

Пока SK hynix удаётся удерживать статус основного поставщика микросхем HBM3 для компании NVIDIA, которая оснащает ею свои востребованные на рынке ускорители вычислений. Несмотря на планы SK hynix в текущем году удвоить объёмы выпуска памяти HBM, вся производственная программа на 2024 год уже распродана, как признаёт руководство компании.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие заявления сделал на страницах ресурса Korea IT Times вице-президент SK hynix по продажам и маркетингу Ким Ги Тхэ (Kim Ki-Tae). По его словам, компания была пионером в производстве HBM, предвидев развитие тех сегментов рынка, которые нуждаются в скоростной памяти, но и в этом году она сделает всё возможное для защиты своих лидирующих позиций. Разработка, выпуск и продажи HBM теперь курируются в составе SK hynix специальным подразделением, работу которого курирует как раз Ким Ги Тхэ. По его словам, спросом в текущем году будет пользоваться не только HBM3E, но и оперативная память типов DDR5 и LPDDR5T.

Все производственные квоты на выпуск HBM компания уже распродала до конца текущего года, и уже сейчас готовится к выполнению заказов в 2025 году, рассчитывая сохранить за собой лидирующие позиции на рынке и в следующем году. По прогнозам аналитиков, операционная прибыль SK hynix в этом году достигнет $7,5 млрд. На фоне прошлогодней выручки в размере $24,5 млрд это будет весьма достойным результатом, особенно с учётом необходимости нести расходы на кратное увеличение объёмов выпуска памяти типа HBM.

В конце декабря прошлого года нидерландская компания ASML отгрузила первый экземпляр литографического сканера поколения EUV High-NA, который характеризуется высоким значением числовой апертуры и повышает разрешающую способность оборудования при производстве полупроводниковых компонентов. Получателем этой установки стала компания Intel, но руководство SK hynix утверждает, что этот корейский производитель памяти тоже интересуется таким оборудованием.

Источник изображения: SK hynix

Отметим, что производители памяти в целом достаточно долго тянули с переходом на так называемую EUV-литографию, и та же SK hynix начала применять профильное оборудование только в 2021 году при производстве микросхем памяти типа DRAM. По информации Business Korea, генеральный директор SK hynix Квак Но Чон (Kwak Noh-jung) на мероприятии Ассоциации производителей полупроводниковой продукции Южной Кореи поделился некоторыми планами компании относительно развития бизнеса.

Во-первых, он заявил, что не может комментировать слухи о готовности SK hynix построить предприятие по упаковке чипов HBM непосредственно в штате Индиана. По его словам, все американские штаты являются потенциальными кандидатами на размещение подобного предприятия.

Во-вторых, глава SK hynix опроверг возобновление переговоров между Western Digital и Kioxia о покупке бизнеса последней. Как известно, именно SK hynix своими возражениями сорвала эти переговоры в прошлом году. Неизменной остаётся позиция SK hynix по этому вопросу и сейчас, как отметил глава компании. Впрочем, он добавил, что если Kioxia готова к взаимовыгодному сотрудничеству с SK hynix, то последняя всегда готова рассмотреть соответствующие предложения.

Наконец, глава SK hynix признался, что компания готовится получить от ASML оборудование для производства чипов памяти с использованием EUV-литографии с высоким значением числовой апертуры. При этом он отказался пояснять, когда данное оборудование начнёт применяться компанией в условиях массового производства, но дал понять, что это произойдёт в нужный момент.

Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

Стандарт HBM4, как ожидается, благодаря 2048-битному интерфейсу значительно увеличит пропускную способность памяти, что благотворно скажется на работе ИИ-ускорителей и компонентов высокопроизводительных вычислений (HPC). Но эта технология потребует многочисленных изменений в механизмах интеграции памяти, а значит, и более тесного сотрудничества между производителями памяти и производителями логики. Поэтому TSMC и SK hynix сформировали альянс для совместного производства HBM4.

Источник изображения: skhynix.com

Новая организация получила название AI Semiconductor Alliance — инициатива поможет TSMC и SK hynix объединить свои сильные стороны и согласовать действия по принципу «стратегии единой команды», пишет Maeil Business News Korea. TSMC возьмёт на себя проработку «некоторых процессов HBM4» — вероятно, имеется в виду выпуск кристаллов с использованием одной из своих передовых технологий, которых нет в арсенале SK hynix. По неподтвержденной информации, речь идёт о нормах 12 нм; ранее также стало известно, что SK hynix и NVIDIA работают над технологией, которая позволит размещать память HBM прямо на графических процессорах без подложки.

TSMC одновременно является членом сообщества 3DFabric Memory Alliance вместе со всеми тремя производителями HBM: Micron, Samsung и SK hynix. С последней тайваньский подрядчик также сотрудничает в области разработки упаковки CoWoS для HBM3 и HBM4, совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO) HBM и даже чиплетного интерфейса UCIe для HBM. Тесное сотрудничество TSMC и SK hynix позволит гарантировать, что память HBM3E и HBM4 от SK hynix будет работать с чипами производства TSMC. Это важно, поскольку SK hynix лидирует на рынке HBM, а TSMC — крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик.

Корейское издание обмолвилось, что альянс также направлен на создание «единого фронта против Samsung Electronics» — это конкурент одновременно и для TSMC, и для SK hynix, но, возможно, не стоит излишне доверять таким заявлениям. И правда, трудно представить, чтобы TSMC намеренно ограничила совместимость своей упаковки только продукцией SK hynix — вероятно, в действительности тайваньский подрядчик будет просто плотнее сотрудничать с SK hynix, чем с Samsung.

Южнокорейская компания SK hynix объявила, что приступит к массовому производству оперативной памяти с высокой пропускной способностью следующего поколения — HBM4 — к 2026 году. Ранее компания сообщила, что начнёт разработку HBM4 уже в этом году.

Источник изображения: Wccftech

До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах. Теперь и SK hynix более точно определилась с планом по своему будущему продукту. Со стремительным развитием ИИ-технологий на рынке возрастает спрос на более высокопроизводительные решения, необходимые для решения этих задач. Память типа HBM сыграла значительную роль в развитии этой сферы и является важным компонентом в производстве передовых специализированных ускорителей ИИ-вычислений. И на данный момент SK hynix является главным поставщиком самой скоростной HBM — памяти HBM3E — для ИИ-ускорителей.

На мероприятии SEMICON Korea 2024 вице-президент SK hynix Ким Чун Хван (Kim Chun-hwan) сообщил о намерении компании начать массовое производство памяти HBM4 к 2026 году. Он добавил, что новое поколение памяти будет способствовать стремительному росту рынка устройств для искусственного интеллекта. В то же время он отметил, что индустрия производства памяти HBM сталкивается с огромным спросом. Поэтому компании очень важно создать решения, которые позволили бы обеспечить бесперебойную поставку такого типа памяти. По мнению топ-менеджера SK hynix, к 2025 году рынок памяти HBM вырастет до 40 %, поэтому компании необходимо заранее подготовился к тому, чтобы извлечь из этого максимальную выгоду.

Источник изображения: TrendForce

Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной диаграммы с планами по выпуску продуктов различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что новая память будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые образцы ожидаются в 2026 году.

На данный момент неизвестно, какие именно ИИ-ускорители будут использовать новый тип памяти. Предполагается, что одними из первых таких продуктов могут стать решения NVIDIA, которые компания выпустит после специализированных ИИ-ускорителей Blackwell, поскольку последние будут использовать память HBM3E.

Сперва пандемия с её нарушениями логистики, а затем и обострение геополитической ситуации в мире заставили американских разработчиков чипов задуматься о переносе площадок для их производства поближе к США. Следуя этой логике, южнокорейская SK hynix рассчитывает возвести в штате Индиана предприятие по упаковке чипов памяти HBM, которое позволило бы NVIDIA получать свои ускорители вычислений без отправки за границу.

Источник изображения: SK hynix

Правда, следует учитывать, что для перехода к «национальному производству» в Аризоне должны будут заработать предприятия TSMC, которые смогут наладить выпуск для NVIDIA собственно чипов ускорителей вычислений. Сейчас они производятся на Тайване компанией TSMC, она же упаковывает их по соседству с поступающими из Южной Кореи микросхемами памяти типа HBM, и только после этого партнёры NVIDIA получают возможность устанавливать чипы ускорителей с памятью на одной подложке на печатные платы.

Издание Financial Times сообщило, что SK hynix вынашивает план организации упаковки HBM и чипов NVIDIA на предприятии, которое будет построено в Индиане через несколько лет. Подобный проект имеет смысл при условии способности TSMC наладить выпуск чипов для NVIDIA в штате Аризона. Тогда из-за пределов США будут поставляться только микросхемы памяти HBM производства SK hynix, а их объединение в готовые изделия с чипом ускорителя NVIDIA будет осуществляться уже на территории США. Сейчас на территории страны оказывается не более 3 % услуг по упаковке чипов, но корпорация Intel пытается развивать профильный бизнес, и теперь достижению этой цели сможет способствовать и проект SK hynix. Официально представители компании данную ситуацию не комментируют, но дают понять, что рассматривают возможность инвестиций в экономику США.

Квартальная статистика южнокорейских производителей памяти указывала на то, что спрос на их продукцию начинает расти после затяжного кризиса прошлого года, который стал самым глубоким для рынка. Официальные органы статистики Южной Кореи подтверждают эту тенденцию своими данными, упоминая о значительном росте как объёма производства чипов, так и их поставок в декабре.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации Bloomberg, в прошлом месяце объёмы поставок полупроводниковых компонентов южнокорейскими производителями выросли на 113,7 % в годовом сравнении, на максимальное значение за период с 1997 года. При этом складские запасы чипов выросли на 11,6 %, что является минимальным значением с конца 2022 года, а объёмы производства выросли на 53,3 % по сравнению с аналогичным месяцем 2022 года, и это стало максимальным приростом с середины 2016 года.

Другими словами, всё указывает на то, что южнокорейская полупроводниковая промышленность переварила накопившиеся запасы продукции и приступает к наращиванию новых поставок и производству соответствующих изделий. Специфика местной отрасли такова, что основной экспортной продукции Южной Кореи является как раз память, поскольку страна обеспечивает две трети поставок данного вида товаров на мировой рынок. Аналитики Bloomberg предполагают, что в складывающихся условиях Южная Корея по итогам 2024 года сможет увеличить ВВП на 2,2 %.

Корпорация Intel давно занимается проблемой сращивания полупроводниковых решений для передачи информации с оптоволоконными каналами, эта сфера получила обозначение «кремниевой фотоники». Японское правительство готово субсидировать совместные изыскания оператора связи NTT, компаний Intel и SK hynix в данной сфере, выделяя на это $305 млн бюджетных средств.

Источник изображения: Intel

Агентство Nikkei сообщило о принятом властями Японии решении сегодня. Кремниевая фотоника обещает не только повысить скорость передачи информации, но снизить энергозатраты на обеспечение этого процесса. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии выражает надежду, что за счёт прорыва на этом направлении страна сможет получить преимущество на международном рынке и возродить свою полупроводниковую промышленность. В свете бурного развития систем искусственного интеллекта спрос на технологии скоростной передачи информации будет только расти.

Кремниевая фотоника позволяет уйти от лишних преобразований оптических сигналов в электрические, тем самым повышая скорость обмена данными и снижая энергопотребление. Участие SK hynix в этих разработках определяется её специализацией на разработке микросхем памяти, сейчас эта южнокорейская компания до сих пор остаётся главным поставщиком памяти типа HBM для ускорителей вычислений NVIDIA, которые доминируют на рынке.

К 2027 году перечисленные компании надеются вывести на рынок технологию, которая позволяет обрабатывать оптические сигналы на уровне кремниевых компонентов, а также технологию производства памяти, способной работать на терабитных скоростях. Intel, уже имеющая определённый опыт в этой сфере, будет специализироваться на приближении данных решений к условиям массового производства, хотя от своего профильного бизнеса она не так давно избавилась. В части энергопотребления стоит задача снизить его на 30–40 % по сравнению с традиционными полупроводниковыми компонентами. Японская NTT свои эксперименты в области кремниевой фотоники проводит с 2019 года и уже добилась определённых успехов на этапе изысканий, а также располагает экспериментальной площадкой для работы с прототипами соответствующих устройств.

На предстоящей конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в феврале, не только компания Samsung собирается рассказать о новом поколении видеопамяти GDDR7. Аналогичную разработку собирается анонсировать компания SK hynix.

Источник изображения: SK hynix

Память GDDR7 от SK hynix предложит скорость 35,4 Гбит/с на контакт. Это меньше, чем у памяти Samsung, для которой заявляется скорость 37 Гбит/с. Однако в обоих случаях чипы будут обладать объёмом 16 Гбит. Благодаря этому при поддержке графическим процессором 256-битной шины памяти на одной стороне видеокарты можно будет разместить до 16 Гбайт памяти.

Далеко не все микросхемы нового поколения памяти GDDR7 предложат скорость 37 Гбит/с. Некоторые чипы будут медленнее, как в случае с SK hynix. Однако своё применение они тоже найдут несомненно. Как и Samsung, компания SK hynix использует в GDDR7 схему амплитудно-импульсную модуляция PAM3, а также собственную энергоэффективную архитектуру. Правда, компания не поясняет, какую именно и похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты, как в чипах Samsung.

Память GDDR7, как ожидается, будет активно использовать в новом поколении графических ускорителей, как в игровом, так и в профессиональном сегментах. Однако рынки ИИ-вычислений и HPC будут по-прежнему в значительной степени полагаться на высокопроизводительную память HBM3E. У SK hynix и здесь есть новинки. Производитель собирается рассказать о новых 16-слойных стеках памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, способных обеспечить скорость 1280 Гбайт/с. Графический процессор, оснащённый четырьмя такими стеками памяти общим объёмом 192 Гбайт, сможет обеспечить пропускную способность на уровне 5,12 Тбайт/с.

В составе нового стека памяти HBM3E от SK hynix реализована новая схема всестороннего питания TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS. Производитель также собирается показать новую память LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких ноутбуков. Эти чипы обеспечивают скорость передачи данных до 10,5 Гбит/с на контакт и работают при напряжении 1,05 В.

Принято считать, что именно возражения SK hynix, являющейся номинальным инвестором в капитал Kioxia, осенью прошлого года стали основным препятствием на пути слияния этой японской компании с Western Digital. Последняя тогда решила просто реструктуризировать собственный бизнес во второй половине текущего года, но теперь появилась информация о наличии у Bain Capital интереса по возрождению сделки.

Источник изображения: Kioxia

Об этом на текущей неделе сообщило издание Kyodo, на которое ссылается Reuters. Напомним, что Bain Capital стояла за сделкой по выкупу бизнеса Toshiba по производству твердотельной памяти в 2018 году, которая и создала предпосылки для появления компании Kioxia, унаследовавшей профильные активы этого производителя. Интерес SK hynix в той сделке измерялся суммой около $2,67 млрд, давшей ей право претендовать на 15 % акций Kioxia в случае конверсии облигаций.

Сейчас, как сообщается, Bain Capital приступила к переговорам с SK hynix с целью возобновления процесса подготовки к сделке между Western Digital и Kioxia. Натолкнувшись на возражения по поводу поглощения Kioxia, американский производитель жёстких дисков принял в октябре прошлого года решение отделить бизнес по производству флеш-памяти в самостоятельную компанию. Реструктуризацию планируется завершить во второй половине текущего года. По всей видимости, Bain Capital свою альтернативу собирается предложить раньше этого срока. Слияние Western Digital и Kioxia, по предварительным расчётам, могло бы породить крупнейшего производителя твердотельной памяти в мире, которому по силам было бы бросить вызов даже Samsung Electronics.

Квартальная отчётность SK hynix показала, что за предыдущие три месяца эта южнокорейская компания в пять с лишним раз увеличила объёмы выпуска памяти типа HBM, которая в своих различных разновидностях востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. В текущем году SK hynix собирается увеличить объёмы производства HBM как минимум в два раза.

Источник изображения: SK hynix

Об этом руководство SK hynix, как сообщает Business Korea, заявило после объявления итогов четвёртого квартала. В текущем году компания планирует более чем в два раза увеличить объёмы производства микросхем типа HBM по сравнению с прошлым годом. По оценкам аналитиков, по итогам текущего года операционная прибыль превысит $7,5 млрд, во многом благодаря высокому спросу на ускорители вычислений, которые используют память типа HBM. Если учесть, что за весь прошлый год компания выручила $24,5 млрд, то операционная прибыль в размере более $7,5 млрд в текущем году стала бы весьма достойным результатом. Прошлый квартал SK hynix впервые за четыре предыдущих периода завершила с операционной прибылью, но её величина не превысила $259 млн.

Руководство SK hynix убеждено, что бум систем искусственного интеллекта позволит рынку памяти вырасти сильнее, чем это случилось в 2018 году. В текущем году рынок памяти точно будет расти, как убеждены представители компании. Ещё в прошлом квартале некоторые клиенты SK hynix начали увеличивать объёмы заказов, ожидая дальнейшего роста цен на память и рассчитывая приобрести их на более привлекательных условиях сейчас. Характерно, что в сегменте ПК и смартфонов спрос на память тоже начал расти. Уже в текущем полугодии спрос и предложение на рынке DRAM достигнут равновесия, по мнению руководства SK hynix, а на рынке NAND данное состояние будет достигнуто во втором полугодии.

Рекорд по операционной прибыли SK hynix установила в 2018 году, получив более $15 млрд за период. Ожидается, что в текущем году компания получит операционную прибыль в размере $7,5 млрд, а по итогам следующего она увеличится до $11,2 млрд. В предвкушении подобной динамики SK hynix и собирается увеличить объёмы выпуска памяти типа HBM более чем в два раза в текущем году. Конкурирующая Samsung Electronics, к слову, намерена сделать примерно то же самое.

Генеральный директор OpenAI Сэм Альтман (Sam Altman), как считается, ведёт переговоры с инвесторами на Ближнем Востоке с целью поиска средств для финансирования проекта по выпуску ускорителей систем искусственного интеллекта собственной разработки. На этой неделе, по слухам, он отправился в Южную Корею для переговоров с SK hynix и Samsung.

Источник изображения: OpenAI

Об этом утром сообщило агентство Reuters со ссылкой на собственные источники. Если SK hynix является производителем памяти, который уже давно сотрудничает с NVIDIA в сфере поставки востребованных последней микросхем памяти типа HBM3, то Samsung Electronics одновременно способна и выпускать чипы сторонней разработки для своих клиентов. В этом контексте не совсем понятно, какую роль OpenAI отводит компании Samsung в рамках вероятного партнёрства.

В любом случае, сейчас спрос на микросхемы памяти типа HBM3 позволяет производителям неплохо себя чувствовать, в прошлом квартале SK hynix увеличила объёмы выпуска таких микросхем более чем в пять раз, а Samsung Electronics в ближайшее время собирается кратно увеличить инвестиции в производство подобной памяти. Создание современных ускорителей вычислений, способных стать альтернативной решениям NVIDIA, наверняка не обойдётся без участия SK hynix, Samsung или Micron, и руководство OpenAI это прекрасно понимает.

В прошлом месяце SK hynix удалось стать второй по капитализации компанией из Южной Кореи, во многом благодаря высокому спросу на память типа HBM3, которой она снабжает ускорители вычислений NVIDIA для систем искусственного интеллекта. Данный фактор также способствовал завершению компанией SK hynix прошлого квартала с операционной прибылью впервые более чем за год.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, прошлый год был для рынка памяти в целом очень тяжёлым, но сегмент HBM выделялся на этом фоне весьма выгодной для производителей конъюнктурой. Micron и Samsung стремятся получить место в цепочке поставщиков памяти типа HBM для нужд NVIDIA, но пока SK hynix в нём присутствовала единолично, она неплохо зарабатывала. Четыре предшествующих квартала для компании были убыточными, но в прошлом она получила операционную прибыль в размере $259 млн, но это всё равно не уберегло компанию от чистых убытков в размере $1 млрд. Выручка SK hynix в годовом сравнении по итогам четвёртого квартала выросла на 47 % до $8,5 млрд. По итогам всего года выручка компании достигла $24,5 млрд. Тем не менее, в прошлом квартале норма прибыли была отрицательной (-12 %), а по итогам всего года она достигала -28 %. Чистые убытки SK hynix по итогам года составили $6,84 млрд.

В прошлом квартале SK hynix смогла увеличить поставки DDR5 более чем в четыре раза, а поставки HBM3 выросли в пять с лишним раз. В текущем году компания рассчитывает приступить к массовому производству HBM3E и продолжить разработку памяти типа HBM4. Пока NVIDIA сохраняет за собой доминирующее положение в сегменте ускорителей вычислений, SK hynix сможет до конца текущего полугодия пользоваться своим преимуществом на этом рынке. В серверном сегменте будут наращиваться поставки DDR5, а мобильный сегмент воспользуется памятью типа LPDDR5 этой марки. Первому также будут предназначены модули памяти типа MCRDIMM повышенной ёмкости, а в мобильном сегменте будет внедряться формфактор LPCAMM2. Выпуск микросхем типа DDR5 и LPDDR5 по технологиям 10-нм класса будет налажен на китайском предприятии SK hynix в Уси.

В сегменте NAND, в котором восстановление идёт очень медленно, SK hynix собирается сосредоточиться на накопителях премиального класса. В текущем году приоритетом для компании станет стабильность и ограничение роста капитальных затрат, хотя на приоритетных направлениях развития экономить не планируется. Цены на флеш-память уже начали расти в прошлом квартале, а ситуация со складскими запасами должна нормализоваться в следующем полугодии. В случае с памятью DRAM нормализация будет достигнута в первой половине текущего года. Если стратегически важные направления бизнеса будут подкрепляться растущими капитальными затратами, то выпуск устаревающей продукции будет сокращаться. Спрос на DRAM и NAND в текущем году, по мнению представителей SK hynix, вырастет на 15–19 %.

SK hynix считается старожилом рынка памяти типа HBM, поскольку начала разрабатывать её в сотрудничестве с NVIDIA ещё в 2013 году, но крупнейший производитель микросхем памяти в лице Samsung готов бросить ей вызов в данном сегменте. В этом году корейский гигант увеличит капитальные затраты на выпуск HBM более чем в два с половиной раза, в следующем году данная сумма останется на таком же уровне.

Источник изображения: Samsung Electronics

К четвёртому кварталу текущего года, как отмечает Business Korea, компания Samsung Electronics собирается увеличить объёмы выпуска микросхем до 150–170 тысяч изделий в месяц. В текущем полугодии конкурирующая SK hynix начнёт выпускать микросхемы HBM3e по технологиям пятого поколения, и такая память найдёт применение в новейших ускорителях вычислений NVIDIA самое позднее в следующем году. Samsung свою память типа HBM3 четвёртого поколения выпускает с прошлого квартала, и стремится посоперничать с SK hynix за заказы NVIDIA на поставку HBM3e. Последняя из компаний уже завершила разработку HBM3e и сейчас проводит её сертификацию на соответствие требованиям NVIDIA.

По некоторым оценкам, в прошлом квартале SK hynix впервые выручила от поставок HBM свыше $749 млн — для южнокорейской компании это важный психологический рубеж, поскольку он соответствует сумме в 1 трлн вон. Принято считать, что ёмкость рынка микросхем типа HBM в прошлом году приблизилась к $4 млрд, а компания SK hynix занимает на нём лидирующие позиции с долей около 20 %. Перед Samsung стоит задача поколебать позиции конкурента, поэтому она решительно вкладывается в расширение производства HBM.