Опрос
|
реклама
Быстрый переход
40 000 сотрудников Samsung вышли на протест, требуя премии до $400 000 в год
23.04.2026 [13:21],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта, характеризующийся высоким спросом на память и резким ростом цен, позволил производителям этого вида продукции резко увеличить выручку и прибыль. Сотрудники Samsung Electronics в таких условиях хотели бы рассчитывать на увеличение размеров премий, которые в среднем в три раза ниже, чем у коллег из SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как уже отмечалось, окрепший профсоюз Samsung Electronics, который охватывает примерно 70 % сотрудников компании, выступил с требованием увеличить долю операционной прибыли, распределяемой между работниками компании, до 15 %. При нынешнем уровне доходов это означало, что каждому из сотрудников причиталось бы в среднем по $400 000 в год, и это без учёта основной заработной платы. Члены профсоюза ссылались на конкурирующую SK hynix, работники которой получают в три раза больше премиальных выплат. Кроме того, профсоюз Samsung требует увеличения на 7 % базовой заработной платы сотрудников. Руководство компании пока готово направлять на премирование не более 10 % операционной прибыли Samsung. При этом сотрудникам подразделения, которое занято выпуском памяти, будут увеличены прочие выплаты в текущем году, которые призваны удержать их от перехода к конкурентам. Профсоюзу удалось на этой неделе вывести на улицу перед производственным комплексом Samsung в Сеуле около 40 000 сотрудников, которые несли в руках плакаты с требованиями повысить оплату труда и скандировали лозунги. Это крупнейшая акция, организованная профсоюзом Samsung. Если руководство компании не пойдёт на его требования, массовая забастовка сотрудников может начаться 21 мая и продлиться 18 дней. Помимо ущерба имиджу Samsung, это повлечёт многомиллиардные потери и усугубит ситуацию на рынке памяти, где и так наблюдается дефицит. По данным профсоюза Samsung, если в прошлом году сотрудник компании в среднем получал $51 280 базовой зарплаты и примерно половину этой суммы в качестве премии, то сотрудник SK hynix мог претендовать на премию, которая была в три с лишним раза выше. Многие сотрудники Samsung в итоге переходят на работу в SK hynix. Последняя раньше также имела ограничение на размер премиальных выплат, но позже его устранила, тогда как у Samsung он остался на уровне 50 % от основной зарплаты. SK hynix готова распределять в виде премий сотрудникам до 10 % своей годовой операционной прибыли. SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль в пять раз на фоне бума ИИ
23.04.2026 [04:54],
Алексей Разин
Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз. 
Источник изображения: SK hynix Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип. Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %. Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти. SK hynix построит фабрики по упаковке памяти HBM в США и Южной Корее
22.04.2026 [11:48],
Алексей Разин
Южнокорейская компания закрепила за собой статус лидера рынка HBM3E, хотя с учётом других типов памяти мировым лидером остаётся Samsung Electronics. Чтобы не уступать конкуренту прибыльный сегмент, SK hynix намерена в ближайшее время приступить к строительству двух новых предприятий по тестированию и упаковке памяти для сегмента ИИ в США и Южной Корее. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Reuters, в этом месяце SK hynix начнёт возводить предприятие такого профиля в родной Южной Корее, рассчитывая в общей сложности направить на эти цели около $12,85 млрд. Предприятие должно быть построено к концу следующего года, как ожидают источники. Во-вторых, в американском штате Индиана SK hynix приступила к формированию фундамента подобного предприятия, построить которое решила ещё в 2024 году. К полномасштабной деятельности по тестированию и упаковке памяти американское предприятие SK hynix в Индиане должно приступить во второй половине 2028 года. К тому времени оно уже сможет заниматься тестированием и упаковкой микросхем памяти типа HBM4E и HBM5. Подрядчики SK hynix уже начали забивать сваи на участке, где расположится американское предприятие компании. Местные власти были уведомлены о начале строительства ещё в конце прошлой недели. Как ожидается, на подготовку фундамента уйдёт несколько месяцев, и уже во второй половине текущего года начнут возводиться стены и кровля будущего предприятия. Общий бюджет проекта достигнет $3,87 млрд, если не возникнут дополнительные расходы или потребность в срочном расширении. Параллельно SK hynix будет расширять свои мощности по выпуску DRAM в Южной Корее. Предприятие Fab M15X недавно было расширено, и в новом корпусе уже начинается монтаж оборудования, чтобы в мае приступить к опытном производству продукции. Первое предприятие в новом комплексе в Йонъине будет построено в феврале следующего года, после чего начнётся монтаж оборудования для производства памяти. SK hynix на данном этапе развития планирует активно внедрять EUV-литографию при выпуске памяти, в обозримом будущем по всем производственным линиям в общей сложности будет распределено 20 соответствующих литографических систем. SK hynix начала массовое производство модулей памяти SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт для Nvidia Vera Rubin
20.04.2026 [14:37],
Алексей Разин
Микросхемы памяти LPDDR5X нашли применение в серверном сегменте, хотя изначально предназначались для мобильного, а по мере распространения на рынке систем поколения Vera Rubin тенденция будет выражена ещё сильнее. SK hynix сегодня сообщила о начале массового производства модулей памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт на чипах LPDDR5X. 
Источник изображения: SK hynix Соответствующую память SK hynix выпускает по 10-нм технологии нового поколения (1c), которая относится к шестому поколению соответствующих литографических норм. По информации SK hynix, такая память в исполнении SOCAMM2 обеспечивает вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с обычными модулями RDIMM, а энергетическая эффективность выше на 75 %. Память в исполнении SOCAMM2 одинаково эффективна как при обучении ИИ-моделей, так и в инференсе, когда используются большие языковые модели с сотнями миллиардов параметров. Использование LPDDR5X позволяет снизить энергопотребление, что благоприятно сказывается на затратах на эксплуатацию всей вычислительной инфраструктуры. По словам SK hynix, она уже готова снабжать облачных провайдеров памятью SOCAMM2 в модулях объёмом по 192 Гбайт в серьёзных количествах. Nvidia не будет единственным провайдером платформ, поддерживающим память в исполнении SOCAMM2, поскольку AMD в следующем году должна представить платформу Verano, которая также обеспечивает совместимость с такими модулями памяти. Помимо SK hynix, модули SOCAMM2 такого объёма поставляют Micron и Samsung Electronics. SK hynix начала поставки первых SSD на основе 321-слойной памяти 3D QLC NAND
08.04.2026 [12:26],
Алексей Разин
Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно. 
Источник изображения: SK hynix За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix. Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году. JEDEC разрешит памяти HBM4E подрасти — ради упрощения производства и снижения цены
03.04.2026 [16:01],
Алексей Разин
Формируемая несколькими слоями память типа HBM считается одной из самых быстрых на рынке, но она остаётся дорогой и сложной в производстве. По некоторым данным, стандартизирующий орган JEDEC готовит послабления в части требований к высоте стека HBM4E, чтобы облегчить жизнь и работу производителям памяти не только одноимённого поколения, но и последующих. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает издание Business Korea, которое заодно напоминает, что действующим стандартом JEDEC определена максимальная высота стека HBM3E в размере 720 мкм, а для HBM4 задан предел в размере 775 мкм. Как ожидается, для HBM4E шаг увеличения размера окажется заметно больше, поскольку максимальная высота стека ограничится 900 мкм. Предполагается, что за счёт этого в стеке можно будет разместить больше ярусов и тем самым увеличить ёмкость одного стека памяти. Современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, но производители памяти уже располагают образцами 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4. Кроме того, подобные послабления влекут целый ряд преимуществ. Во-первых, при производстве HBM следующих поколений можно будет сохранить технологию упаковки чипов в стеке — сейчас для этого применяется метод термокомпрессионного формирования связей, а перспективная технология гибридных связей пока не может применяться в массовом производстве из-за нестабильности качества продукции. Сохранив прежнее оборудование для производства новых типов памяти, можно будет не только сэкономить, но и не ограничивать объёмы выпуска продукции из-за нехватки новых типов оборудования. Во-вторых, поскольку требования к сложности выпускаемых чипов HBM будут снижены, снизится уровень брака и объёмы годной продукции удастся увеличить, а затраты снизятся. Правда, у возможных послаблений находятся и свои противники. Южнокорейские производители типа Samsung и SK hynix уже сейчас выпускают продукцию, которая превосходит требования стандартов JEDEC. Если эти требования станут мягче, это позволит конкурентам проще проникать на рынок, особенно китайским. Удобно устроились: долгосрочные контракты позволят Samsung и SK hynix расширять производство памяти на деньги клиентов
02.04.2026 [14:29],
Алексей Разин
Долгосрочные контракты в сфере поставок микросхем памяти теперь становятся нормой, период их действия нередко достигает пяти лет, а охватываемая номенклатура продукции оказывается довольно разнообразной. Как поясняет Business Korea, такие контракты в сочетании с авансовыми платежами упрощают производителям памяти задачу поиска средств на расширение своих мощностей и их модернизацию. 
Источник изображения: MediaTek По данным источника, производители памяти в условиях высокого спроса и дефицита продукции проявляют завидную изобретательность, составляя контракты с клиентами таким образом, чтобы максимально себя защитить от превратностей рыночной конъюнктуры в будущем. Исторически цены на память менялись циклически, в результате их падения производители на протяжении приличных по продолжительности периодов несли убытки. Заключая сейчас долгосрочные контракты с клиентами, производители памяти стараются не только предусмотреть крупные авансовые платежи, но и гарантировать предел цен, ниже которого они не опустятся на протяжении всего действия контракта. Корейские источники отмечают, что Samsung Electronics и SK hynix сейчас заключают контракты на поставку памяти сроком от трёх до пяти лет с облачными гигантами, которые строят свои крупные центры обработки данных, а с разработчиками GPU типа Nvidia сроки контрактов увеличены до трёх лет. Ранее контракты заключались на срок в один год, а цены могли пересматриваться ежеквартально. На таких условиях реализуется и обычная DRAM или NAND, а не только дорогая и востребованная HBM. Имея возможность получать от клиентов крупные авансовые платежи, производители памяти свободнее инвестируют в модернизацию и расширение предприятий, не нуждаясь в коммерческих кредитах. По крайней мере, самих производителей памяти подобные перемены на рынке радуют. Запасов гелия Samsung и SK hynix хватит до конца июня, как минимум
31.03.2026 [13:47],
Алексей Разин
Активизация военных действий на Ближнем Востоке сделала невозможным экспорт гелия из Катара, хотя до недавних пор страна оставалась одним из крупнейших поставщиков этого газа в Азию, где он использовался при производстве полупроводниковых компонентов. Источники утверждают, что в Южной Корее запасов гелия местным производителям чипов хватит как минимум до конца июня. 
Источник изображения: SK hynix Южнокорейские чиновники исключили вероятность сбоев в производстве чипов в первом полугодии по причине проблем с закупками гелия, как отмечает Reuters со ссылкой на собственные источники. При этом нельзя сказать, что южнокорейские производители чипов, крупнейшими среди которых являются Samsung Electronics и SK hynix, ничего не предпринимают для защиты своего бизнеса от перебоев с поставками гелия из Катара. Компании закупают газ у американских поставщиков, и даже необходимость приобретать сырьё по завышенным ценам их не останавливает, поскольку сейчас в приоритете обеспечение необходимых для непрерывного производства чипов запасов гелия. Правительственные источники в Южной Корее выразили уверенность, что в текущем полугодии перебои в работе местных чипмейкеров по причине нехватки гелия исключены. Непосредственно Samsung и SK hynix располагают запасами гелия на сроки от четырёх до шести месяцев работы, как поясняет Reuters. Эти две компании в совокупности контролируют почти две трети мирового рынка микросхем памяти, поэтому влияние иранского кризиса на их бизнес способно нарушить функционирование всех смежных производств. Катар остаётся вторым после США поставщиком гелия на мировой рынок, контролируя около трети предложения. Из-за иранских атак на инфраструктуру Катар был вынужден объявить форс-мажор и отказаться от поставок гелия в ближайшее время. Ситуация с доступностью гелия в азиатской полупроводниковой отрасли неоднородна. Мелким производителям чипов сложнее обеспечить себя данным газом, они могут пострадать сильнее крупных игроков рынка. Рост цен на природный газ, также поставляемый из Катара, в сочетании с дефицитом брома, отгружаемого Израилем, являются двумя другими факторами риска, способными повлиять на мировую полупроводниковую отрасль в обозримой перспективе. Котировки акций производителей DRAM стабилизировались после первичного влияния TurboQuant
29.03.2026 [08:24],
Алексей Разин
На этой неделе Google представила метод сжатия данных TurboQuant при работе с ИИ, который позволяет снизить потребность моделей в памяти в шесть раз без потери точности. Данный прорыв вызвал падение курсов акций крупных производителей памяти, но после более глубокого анализа ситуации котировки выборочно отыграли потери. 
Источник изображения: Samsung Electronics Данный метод сжатия данных, как поясняют эксперты, в большей мере влияет на потребность разработчиков ИИ в памяти типа NAND, поэтому производители микросхем прочих типов могут не переживать по поводу снижения спроса. Например, курсы акций Samsung и SK hynix, которые остаются крупнейшими производителями HBM, свои первоначальные потери отыграли. Поставщики DRAM в целом могут не переживать по поводу влияния метода TurboQuant на отрасль, чего нельзя сказать о производителях NAND. К концу рабочей недели акции Samsung отыграли ранние потери, тогда как ценные бумаги SK hynix сохранили разрыв в 1 % относительно курсовой стоимости по состоянию на четверг. Зато акции Sandisk и Kioxia, которые специализируются на выпуске NAND, продолжили своё падение. При этом следует учитывать, что с августа прошлого года первые подорожали более чем в десять раз, а вторые — более чем на 600 %. По оценкам специалистов Morgan Stanley, внедрение TurboQuant почти не угрожает производителям HBM, оно способно оказать влияние разве что на сегмент NAND. Данный метод сжатия применяется при инференсе, а не обучении языковых моделей, которое подразумевает активное использование GPU с установленной памятью типа HBM. По некоторым оценкам, внедрение TurboQuant всё равно не окажет долгосрочного влияния на рынок микросхем памяти, и наблюдаемая коррекция является краткосрочной. Тем не менее, эволюция отрасли может сформировать разные условия для работы производителей различных типов памяти, как отмечают эксперты. Samsung и SK hynix вложили в расширение производства памяти в Китае почти $1 млрд за прошлый год
27.03.2026 [14:42],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене власти США пытались ограничить способность южнокорейских производителей памяти модернизировать и расширять свои предприятия на территории Китая, которые выдают основной объём продукции для мирового рынка. Тем не менее, Samsung и SK hynix умудрились сохранить доступ к американскому оборудованию для выпуска памяти, одновременно вкладываясь в модернизацию производства в Китае. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, как отмечает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане потратила $344 млн, что на 67,5 % больше затрат предыдущего года. Данное предприятие является единственной зарубежной площадкой Samsung по выпуску микросхем памяти NAND, причём оно обеспечивает до 40 % объёмов производства продукции для мирового рынка. Надо сказать, что инвестиции в китайский завод Samsung не были регулярными, после вложения $464 млн в 2019 году она на протяжении четырёх лет не подпитывала его существенными финансовыми ресурсами. В 2024 году компания направила на поддержку предприятия $184 млн, а в прошлом году увеличила сумму сразу на 67,5 %. Конкурирующая SK hynix в свои китайские предприятия по итогам прошлого года вложила более $663 млн, поскольку в Уси она располагает заводом по производству DRAM, а в Даляне ей от Intel досталась фабрика по производству 3D NAND. Первая из площадок в прошлом году удостоилась удвоенных инвестиций в размере $190 млн, а вторая получила $293 млн, что в полтора раза больше инвестиций 2024 года. Впервые с 2022 года, когда SK hynix купила у Intel предприятие в Даляне, этой компании пришлось вкладывать в свою китайскую производственную базу более $660 млн. В южнокорейской национальной валюте данная сумма составляет психологически важное значение в 1 трлн вон. В условиях бума ИИ память стала дефицитным товаром, поэтому доминирующие на рынке южнокорейские компании активно наращивают её выпуск. Samsung собирается наладить выпуск в Китае более прогрессивной 236-слойной памяти 3D NAND вместо прежней 128-слойной. Если учесть, что у себя на родине Samsung в этом году собирается наладить выпуск 400-слойной памяти, то отстающая на пару шагов 236-слойная вполне может прописаться в Китае с учётом политики сдерживания технологического развития этой страны. Предприятие SK hynix по производству DRAM в Уси также перейдёт с третьего на четвёртое поколение 10-нм техпроцесса (1a), это позволит выгодно производить здесь микросхемы DDR5. Данное предприятие в Китае обеспечивает более 30 % объёмов выпуска DRAM компании в мировом масштабе. SK hynix нужны миллиарды, чтобы не отстать в гонке ИИ-памяти — компания нацелилась на IPO в США в этом году
25.03.2026 [07:03],
Алексей Разин
Пока одни эксперты указывают на формирование неблагоприятных условий для размещений акций, компании с большими потребностями в капитале не стесняются готовить IPO в текущем году. Среди них применительно к американскому фондовому рынку готова оказаться и южнокорейская SK hynix, которой нужны деньги на расширение производства памяти. 
Источник изображения: SK hynix Активность SK hynix в медийной сфере в последнее время подтверждает стремление обозначить свои масштабные планы по развитию производства памяти. Вчера стало известно о намерениях этого производителя потратить почти $8 млрд на закупку оборудования ASML для выпуска памяти. По данным Bloomberg и CNBC, компания SK hynix подала конфиденциальную заявку на размещение в США депозитарных расписок (ADR) в этом году. Данный шаг позволит компании привлечь финансовые ресурсы на американском рынке под обеспечение уже существующих акций без необходимости выпуска новых. SK hynix собирается выйти на американский фондовый рынок до конца текущего года. Дополнительные действия по оформлению заявки компания должна предпринять в ближайшие шесть месяцев. По данным южнокорейских СМИ, в ходе размещения на американском фондовом рынке SK hynix собирается привлечь от $6,7 до $10 млрд. При таких параметрах данное размещение может войти в историю Нью-Йоркской фондовой биржи, как одно из крупнейших среди зарубежных компаний. Руководство SK hynix на ежегодном собрании акционеров накануне заявило, что собирается направить на инвестиции в бизнес почти $67 млрд. Новое предприятие M15X в Южной Корее было возведено с опережением графика, крупный кластер по выпуску памяти в Йонъине за $15 млрд возводится по плану, а ещё SK hynix строит предприятие в американском штате Индиана для тестирования и упаковки памяти. Основные конкуренты тоже не сбавляют обороты: Micron недавно объявила о намерениях потратить $35 млрд на расширение мощностей в следующем фискальном году, а Samsung до конца текущего календарного года на подобные нужды в сочетании с исследованиями выделит более $73 млрд. SK hynix закупит у ASML новейшего EUV-оборудования для выпуска чипов почти на $8 млрд
24.03.2026 [12:47],
Алексей Разин
Нидерландская компания ASML редко открыто обсуждает свои взаимоотношения и договорённости с клиентами, но иногда они становятся достоянием гласности. На этой неделе стало известно, что южнокорейская SK hynix до 2027 года включительно направит $7,9 млрд на приобретение литографических сканеров ASML класса EUV, с помощью которых рассчитывает наладить выпуск чипов по передовым технологиям. 
Источник изображения: ASML Исторически производителям памяти не особо требовалось передовое литографическое оборудование, поскольку они применяли более зрелые техпроцессы по сравнению с производителями логических компонентов. Тем не менее, развитие многокристальной компоновки привело к появлению соответствующих потребностей и у производителей микросхем памяти. Закупаемое SK hynix у ASML оборудование класса EUV найдёт применение на обоих крупнейших предприятиях компании в Южной Корее. Этот заказ стал самым крупным среди раскрытых клиентами ASML. Новому оборудованию предстоит начать работу на предприятии SK hynix в Йонъине, которое сейчас возводится. Оно будет готово к февралю 2027 года. Не исключено, что EUV-сканеры потребуются SK hynix для выпуска более прогрессивных видов памяти типа HBM, которые используют базовые кристаллы с логикой, в настоящее время выпускаемые для SK hynix тайваньской компанией TSMC. Конкурирующая Samsung Electronics может самостоятельно выпускать и базовые кристаллы, и чипы DRAM для формирования стека HBM. По всей видимости, SK hynix в своей деятельности тоже стремится достичь подобной независимости от TSMC. Заметим, что Samsung Electronics при этом уже тестирует и самое передовое оборудование ASML, обладающее высоким значением числовой апертуры (High-NA). Оно будет востребовано при производстве чипов по техпроцессам тоньше 2 нм, им также интересуются TSMC и Intel. В дальнейшем EUV-оборудование пригодится SK hynix для выпуска обычной DRAM, как ожидают некоторые эксперты. Указанной суммы должно хватить на закупку примерно 30 новых EUV-сканеров ASML. Глава SK hynix рассказал, когда дефицит памяти может закончиться
17.03.2026 [12:28],
Алексей Разин
Одним из явных последствий бума систем искусственного интеллекта на данном этапе развития стал усиливающийся дефицит памяти большинства типов, который больно бьёт практически по всем сегментам рынка электроники. По мнению председателя совета директоров SK hynix Чхэ Тхэ Вона (Chey Tae-won), дефицит памяти продлится до 2030 года. 
Источник изображения: SK hynix Этот представитель отрасли вполне имеет право делать подобные прогнозы, поскольку SK hynix остаётся вторым после Samsung Electronics производителем памяти всех типов, а в сегменте HBM она лидирует благодаря своим плотным и давним связям с Nvidia. Как поясняет Nikkei Asian Review, главу южнокорейского гиганта пригласили в Калифорнию на конференцию GTC 2026, которую Nvidia использовала для анонса своей ИИ-платформы Vera Rubin. По мнению Чхэ Тхэ Вона, отрасли потребуется ещё от четырёх до пяти лет, чтобы наладить выпуск памяти в количествах, достаточных для удовлетворения спроса. В отличие от тайваньской TSMC, компания SK hynix пока не намерена активно расширять производство памяти за пределами родной страны. Как пояснил глава SK hynix, при реализации зарубежных проектов основной проблемой является доступ к водным и энергетическим ресурсам, и дело тут вовсе не в наличии государственных субсидий на строительство новых фабрик. Возможности производителей по наращиванию объёмов выпуска памяти ограничены, по словам представителя SK hynix, поэтому участникам рынка прежде всего следует постараться стабилизировать цены. Основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) вчера заявил, что спрос на ИИ-чипы вырос в 10 000 раз, поскольку профильные технологии применяются во многих отраслях экономики и весьма востребованы. Для SK hynix военные действия на Ближнем Востоке стали серьёзной проблемой с точки зрения сохранения доступа к энергетическим ресурсам и цен на них. Компании пришлось искать альтернативные источники энергоносителей для сохранения своей способности работать в обычном режиме. Это не мешает SK hynix задумываться о выходе на американский фондовый рынок через депозитарные расписки. Доступ к крупным рынкам капитала важен для любой компании, находящейся в стадии активного роста, а бум ИИ пока создаёт соответствующие условия для производителей памяти. Samsung опасается падения спроса на память с 2028 года
16.03.2026 [04:54],
Алексей Разин
Южнокорейская Samsung Electronics остаётся крупнейшим производителем памяти в мире, хотя в сегменте HBM эта компания и уступила лидерство SK hynix. Многолетний опыт работы на рынке заставляет Samsung задумываться о неизбежном снижении спроса на память. В компании считают, что после нынешнего ИИ-бума фаза спада начнётся в 2028 году, а потому готовятся к этому.  Прошлый опыт подсказывает Samsung, что чрезмерно вкладываться в расширение производственных мощностей в фазе роста опасно, ибо дальнейший спад спроса приводит к перепроизводству и огромным убыткам. Сейчас компания ставит перед собой задачу минимизации подобного риска с одновременной максимизацией прибыли на этапе активных продаж в условиях бума ИИ. Samsung будет вкладываться в расширение производства нового поколения HBM и освоение передовых техпроцессов, но с оглядкой на ожидаемый спад на рынке. Аналитики жалуются, что с начала ИИ-бума рынок стал более непредсказуемым, изменив продолжительность циклов, и для производителей памяти стало сложнее выстраивать свои инвестиционные стратегии. В этом году, тем не менее, эксперты не сомневаются в целесообразности концентрации на выпуске HBM в увеличенных количествах. Без пропорционального введения в строй новых производственных линий это приводит к дефициту прочих типов памяти, хотя Samsung старается и расширять свою производственную базу. Вводятся в строй новые линии комплекса в Пхёнтхэке, а в Хвасоне компания сосредоточена на освоении новых техпроцессов. Идёт подготовка к выпуску DRAM по шестому поколению 10-нм технологии (1c). SK hynix сильнее ограничена в свободных площадях для строительства, но и она старается вводить в строй новые линии по выпуску перспективных видов DRAM. Под эгидой южнокорейского правительства в Йонъине возводится гигантский комплекс по производству памяти, он может пригодиться обеим компаниям. Первая фаза строительства как раз продемонстрирует результаты к 2028 году, после чего начнётся вторая фаза развития местного комплекса. Американская Micron Technology тоже не сидит без дела. Она расширяет производство DRAM в США, на Тайване и в Сингапуре, наращивая выпуск HBM. Обычно производственные проекты требуют на свою реализацию около двух лет, поэтому к 2028 году все три производителя памяти заметно модернизируют свои возможности. В сегменте NAND, как ожидается, перенасыщение рынка может наступить ещё раньше. В сфере DRAM основными игроками являются три перечисленные выше компании, а на рынке NAND к ним добавляются Kioxia и YMTC, которые также активно наращивают мощности. Близкие к Samsung источники сообщили Chosun Biz, что ещё прошлым летом Samsung и SK hynix не рассчитывали столкнуться с бумом ИИ, а потому им было сложно подстроить свои инвестиционные планы под новую ситуацию на рынке. Выделять средства для расширения производства теперь приходится в срочном порядке. Память для флагманов нового поколения: SK hynix готовит 16-гигабитные чипы LPDDR6 со скоростью 10,7 Гбит/c
10.03.2026 [17:20],
Николай Хижняк
SK hynix объявила о разработке 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR6 на основе техпроцесса 10-нм класса шестого поколения (1c). По словам производителя, он недавно завершил первую в отрасли проверку 1c LPDDR6, впервые продемонстрировав продукт на выставке CES 2026. 
Источник изображений: SK hynix Новая память предназначена для смартфонов и планшетов, способных выполнять задачи, связанные с технологиями искусственного интеллекта непосредственно на устройстве. По данным SK hynix, новая память LPDDR6 обеспечивает увеличение скорости обработки данных на 33 % по сравнению с LPDDR5X, и обладает базовой рабочей скоростью более 10,7 Гбит/с, что превышает максимальную скорость LPDDR5X текущего поколения. SK hynix также заявляет, что новая память обладает на 20 % более высокой энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Компания объясняет это субканальной структурой и динамическим масштабированием напряжения и частоты (DVFS). Конструкция с субканалами позволяет работать только необходимым каналам передачи данных, в то время как DVFS регулирует напряжение и частоту в зависимости от рабочей нагрузки и условий работы устройства.  По словам SK hynix, эти изменения призваны улучшить время автономной работы и производительность многозадачности мобильных устройств. При более высоких нагрузках, таких как игры, память может повысить уровень производительности для увеличения пропускной способности. При более низком уровне использования она может снизить частоту и напряжение для уменьшения энергопотребления. SK hynix планирует завершить подготовку к серийному производству 1c LPDDR6 в первой половине 2026 года и начать поставки во второй половине года. По словам компании, этот продукт расширит линейку DRAM для мобильных устройств, ориентированных на искусственный интеллект, поскольку производители продолжают внедрять всё больше вычислений ИИ непосредственно в телефоны и планшеты. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
