Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Аналитики Omdia недавно выяснили, что на рынке памяти типа DRAM в целом доля SK hynix уже достигла 35 % и не так далека от позиций лидера Samsung Electronics, занимающего 39,4 %. Если рассматривать отдельно рынок серверной памяти, то SK hynix уже обошла своего главного соперника, заняв в третьем квартале 49,6 % сегмента и оставив Samsung не более 35,2 % в показателях выручки. Первая получила $1,85 млрд, вторая — $1,313 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Об этом со ссылкой на статистику TrendForce сообщает ресурс Business Korea. В выборку попали финансовые результаты поставщиков модулей памяти типа DRAM на серверный рынок, без учёта микросхем HBM, но если считать и их, то отрыв SK hynix от Samsung Electronics будет ещё больше. На рынке оперативной памяти в целом, как уже поясняли специалисты Omdia, компания Samsung продолжает лидировать, но в серверном сегменте она уступает SK hynix. Третье место в серверном сегменте досталось Micron с 15 % рынка и $560 млн выручки.

Вообще, серверная память в структуре рынка DRAM отвечает за 35–40 %, поэтому успехи SK hynix в этом сегменте и помогли компании приблизиться к Samsung с учётом других сегментов рынка. Продукция семейства DDR5 марки SK hynix, выпускаемая по техпроцессу 10-нм класса (1α, 4-е поколение) прошла сертификацию Intel, а память 5-го поколения (1β) сейчас проходит тестирование. Конкурирующая Samsung Electronics пока получила сертификат Intel только на память 3-го поколения, выпускаемую по техпроцессу 10-нм класса (1z). Компания HPE уже продемонстрировала серверные системы на основе памяти типа DDR5 пятого поколения SK hynix (1β).

До сих пор единственным поставщиком микросхем HBM3 для нужд NVIDIA оставалась южнокорейская компания SK hynix, но в случае с HBM3e конкурирующая Micron Technology начала снабжать NVIDIA образцами своей продукции к концу июля, поэтому борьба за место на рынке в этом сегменте памяти будет ожесточённой. К 2026 году на рынок будет готова выйти память типа HBM4, которая годом позднее увеличит количество слоёв с 12 до 16 штук.

Источник изображения: SK hynix

Ближайшая перспектива в эволюции памяти типа HBM3e, как поясняет TrendForce — это выход 8-слойных микросхем, которые к первому кварталу следующего года должны пройти сертификацию NVIDIA и прочих клиентов, а затем перейти в фазу серийного производства. Micron Technology в этой сфере слегка опережает SK hynix, предоставив свои образцы для тестирования на пару недель раньше, а вот Samsung успела сделать это только к началу октября. Память типа HBM3e способна обеспечить скорость передачи информации от 8 до 9,2 Гбит/с, восьмислойные микросхемы объёмом 24 Гбайт будут выпускаться по техпроцессам класса 1-альфа (Samsung) или 1-бета (SK hynix и Micron). Их серийное производство к середине следующего года наладят все три компании, но две последних рассчитывают это сделать к началу второго квартала.

Во многом этот график будет определять ритмичность выхода новых ускорителей вычислений NVIDIA. В следующем году компания наладит поставки ускорителей H200 с шестью микросхемами HBM3e, до конца того же года выйдут ускорители B100 уже с восемью микросхемами HBM3e. Попутно будут выпускаться гибридные решения с центральными процессорами с Arm-совместимой архитектурой, именуемые GH200 и GB200.

Источник изображения: TrendForce

Конкурирующая компания AMD, по данным TrendForce, в 2024 году сосредоточится на использовании памяти типа HBM3 в семействе ускорителей Instinct MI300, а переход на HBM3e прибережёт для более поздних Instinct MI350. Тестирование памяти на совместимость в этом случае начнётся во второй половине 2024 года, а фактические поставки микросхем HBM3e для AMD стартуют не ранее первого квартала 2025 года.

Представленные во второй половине прошлого года ускорители Intel Habana Gaudi 2 ограничиваются использованием шести стеков HBM2e, преемники серии Gaudi 3 к середине следующего года увеличат количество стеков до 8 штук, но останутся верны использованию микросхем HBM2e.

Память типа HBM4 будет представлена только в 2026 году, она предложит использование 12-нм подложки, которая будет изготавливаться контрактными производителями. Количество слоёв в одном стеке памяти будет варьироваться между 12 и 16 штуками, причём микросхемы последнего типа появятся на рынке не ранее 2027 года. Впрочем, Samsung Electronics демонстрирует намерения представить HBM4 уже в 2025 году, наверстав упущенное по сравнению с предыдущими поколениями микросхем памяти этого класса.

В ближайшие годы сформируется и тренд на индивидуализацию дизайна решений с использованием памяти типа HBM. В частности, некоторые разработчики рассматривают возможность интеграции чипов такой памяти непосредственно на кристаллы с вычислительными ядрами. По крайней мере, NVIDIA подобные намерения уже приписываются, и именно в отношении микросхем типа HBM4.

Южнокорейская компания SK hynix, как отмечает издание Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, собирается в следующем году опубликовать результаты своих разработок по интеграции микросхем памяти методом «2,5D Fan-out». Он подразумевает соединение двух чипов встык и до этого при производстве микросхем памяти не применялся.

Источник изображения: SK hynix

Этот новый метод предлагает располагать два чипа DRAM рядом друг с другом горизонтально, а затем объединять их, как если бы они были одним чипом. Характерной особенностью является то, что готовая микросхема получается тоньше, так как под чипы не добавляется подложка.

По информации источника, TSMC с 2016 года подобную компоновку использует для интеграции разнородных чипов, и она нашла применение при выпуске процессоров для компании Apple, но производители памяти к данной технологии внимания до сих пор не проявляли. Как известно, вертикальная интеграция микросхем памяти типа HBM позволяет значительно увеличить пропускную способность интерфейса, но это весьма дорогой метод, а так называемый «2,5D Fan-out» мог бы стать разумной альтернативой при производстве других микросхем типа DRAM. Предполагается, что SK hynix такой метод интеграции применит при выпуске памяти типа GDDR для графических процессоров игрового уровня.

Как известно, AMD в своё время экспериментировала с применением памяти типа HBM первого поколения в потребительских графических решениях, но идея не получила развития из-за ограниченной экономической целесообразности. Возможно, если SK hynix в использовании альтернативной компоновки 2,5D продвинется дальше конкурентов, она сможет получить определённые преимущества в формировании контрактов с NVIDIA и AMD при выпуске компонентов для игровых видеокарт следующих поколений. Впрочем, поскольку в следующем году будут представлены только результаты исследований в этой сфере, на скорое внедрение данного типа компоновки в серийном производстве памяти рассчитывать не приходится.

Память типа HBM различных поколений активно используется ускорителями вычислений для систем искусственного интеллекта, а SK hynix пока остаётся единственным её поставщиком для нужд NVIDIA, которая доминирует на рынке этих ускорителей. Нет ничего удивительного в том, что в третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла рекордных для неё 35 %.

Источник изображения: SK hynix

Результатами статистических исследований Omdia поделился ресурс Business Korea. По словам экспертов, отрасль производства микросхем памяти типа DRAM стала одним из главных бенефициаров роста спроса на системы искусственного интеллекта. Если рынок DRAM в целом в период до 2027 года будет ежегодно прирастать на 21 % в среднем, по прогнозам аналитиков Omdia, то сегмент HBM в отдельности будет расти на 52 % ежегодно. По итогам текущего года доля HBM на рынке DRAM превысит 10 %, а в 2027 году она должна приблизиться к 20 %.

В более близкой перспективе спрос на HBM будет превышать предложение. В следующем году основные производители HBM удвоят объёмы выпуска такой памяти, но у них уже есть заказы на год вперёд, и удовлетворить их своевременно будет сложно даже после удвоения объёмов производства. Память типа HBM в 5–7 дороже классических типов DRAM, а менять её на новую потребители готовы чаще, в среднем раз в год или два. Всё это гарантирует производителям HBM стабильный рост выручки в обозримом будущем. В третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла максимальных 35 % за всю историю её существования.

Производителям памяти ради удовлетворения спроса на HBM порой даже придётся жертвовать планами по расширению выпуска других типов DRAM, как считают эксперты Omdia. Они также убеждены, что технологическая сложность HBM ограничит количество игроков рынка, и всего несколько компаний смогут делить между собой довольно высокую прибыль, получаемую в результате реализации памяти типа HBM. Только компании с хорошо выстроенной производственной инфраструктурой и контролем качества смогут сохранить свои позиции в этом сегменте рынка.

Развитие сферы высокопроизводительных вычислений в наши дни стало зависеть от способности разработчиков специализированных ускорителей использовать самую скоростную из доступных на рынке разновидностей памяти. По некоторым данным, SK hynix и NVIDIA уже работают над интеграцией микросхем HBM4 прямо на графический процессор.

Источник изображения: SK hynix

Конечно, «графическим» такой процессор принято называть чисто по инерции, поскольку NVIDIA уже давно обособила линейки своей продукции для ускорения вычислений и работы с графикой. Использование памяти типа HBM стало атрибутом первого типа продукции NVIDIA. В случае с актуальным ассортиментом ускорителей последней из марок южнокорейская SK hynix изначально была единственным поставщиком памяти типа HBM3, поскольку только её продукция отвечала строжайшим требованиям NVIDIA как с точки зрения производительности, так и возможности интеграции в процессе производства.

Сейчас микросхемы HBM3 и HBM3e соседствуют с графическим процессором на одной подложке, сама память при этом может насчитывать до 12 ярусов. Как сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на южнокорейские СМИ, компании NVIDIA и SK hynix уже ведут разработку технологии интеграции микросхем памяти HBM4 прямо поверх кристалла графического процессора. Подобная близость двух типов этих компонентов позволит значительно повысить скорость обмена информацией, но будет предъявлять особые требования не только к производственному процессу, но и к охлаждению компонентов.

Скорее всего, SK hynix будет передавать свои микросхемы HBM4 компании TSMC, которая попутно будет производить и графические процессоры NVIDIA, а затем этот тайваньский подрядчик будет и «сращивать» эти кристаллы без использования промежуточной подложки. Отдалённо эта технология напоминает производство процессоров AMD Ryzen с памятью типа 3D V-Cache, интегрируемой прямо на кристалл с вычислительными ядрами. Просто память HBM4 окажется несколько медленнее, но дешевле используемого AMD кеша, и при этом предложит гораздо большую ёмкость. Память HBM4 должна увеличить разрядность шины памяти с 1024 до 2048 бит, что дополнительно увеличивает целесообразность отказа от промежуточной подложки, поскольку она выходила бы слишком дорогой в производстве.

Существенную проблему будет представлять охлаждение такой конструкции, поскольку графические процессоры и без памяти становятся всё более горячими, да и микросхемы HBM4 тоже придётся охлаждать интенсивно, и при этом оба типа компонентов расположатся друг на друге. Впрочем, в серверном сегменте как раз применение продвинутых методов охлаждения с использованием жидкости или погружением в диэлектрическую жидкость всего ускорителя оправдывает себя с точки зрения экономической целесообразности и сложности. Не исключено также, что микросхемы HBM4 и связанные с ними графические процессоры будут производиться если не по одному и тому же техпроцессу, то хотя бы по близким технологическим нормам. С этой точки зрения требования к производственному процессу станут почти идентичными как для логической части ускорителей, так и для памяти.

Министерство торговли Южной Кореи опубликовало октябрьскую статистику, которая указывает на рост выручки от экспорта микросхем памяти на 1 % по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года. Ещё в сентябре экспортная выручка на этом направлении снижалась на 18 %, а теперь она перешла к росту впервые за предыдущие 16 месяцев.

Источник изображения: SK hynix

Многокристальные решения увеличили выручку на 12,2 %, выступив лучше всех прочих категорий памяти, а поставки DRAM в денежном выражении сократились до однозначных величин в процентах впервые более чем за год (8,1 %). Выручка от реализации микросхем типа NAND сократилась в годовом сравнении на 0,6 %, в этом отношении говорить о стабилизации рынка преждевременно. Так или иначе, совокупный рост выручки от экспорта памяти позволил южнокорейским властям скорректировать прогноз по росту ВВП в следующем году с 1,4 до 2,2 %.

Экспорт товаров из Южной Кореи в целом вырос впервые с конца прошлого года. Дисплеи и сопутствующие компоненты увеличили по итогам октября экспортную выручку на 13,1 % в годовом сравнении, а выручка от реализации смартфонов сократилась на 3,3 %. В сентябре на последнем направлении падение экспортной выручки достигало 5,2 %. В Южной Корее находятся штаб-квартиры двух крупнейших производителей памяти в мире — компаний Samsung Electronics и SK hynix, их деятельность сильно влияет на всю национальную экономику.

Являясь крупнейшим поставщиком микросхем памяти типа HBM, южнокорейская компания SK hynix до сих пор сохраняла исключительные права на снабжение ею ускорителей NVIDIA для систем искусственного интеллекта. Свежая статистика говорит о том, что заказами на поставку микросхем HBM3 и HBM3E компания загружена до конца 2024 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом со ссылкой на южнокорейские СМИ сообщило сегодня издание DigiTimes. По данным источника, все производственные квоты на выпуск памяти HBM3 и HBM3E у компании SK hynix уже забронированы клиентами. В ближайшие пять лет корейский производитель рассчитывает увеличивать объёмы её выпуска на 60–80 % ежегодно. При этом количество серверных систем, оснащаемых ускорителями с памятью типа HBM и используемыми для работы с искусственным интеллектом, будет расти ежегодно на 40 %, как ожидают в компании. В этом году около 10 % всех вводимых в эксплуатацию серверных систем будут ориентироваться на искусственный интеллект, по прогнозам SK hynix.

Корейский производитель будет в целом увеличивать долю более доходной продукции в своей программе. Помимо HBM, внимание будет уделяться выпуску микросхем памяти типа DDR5, а вот объёмы выпуска DDR4 компания будет агрессивно уменьшать уже в этом полугодии. В текущем квартале на 10 % будут сокращены объёмы выпуска твердотельной памяти типа NAND, поскольку рынок ещё не избавился от складских излишков по этому типу продукции. Концентрация на доходных видах памяти уже позволила SK hynix в третьем квартале последовательно увеличить среднюю цену реализации DRAM на 10 %, а объёмы поставок — на 20 %. Не менее важно, что данные шаги позволили компании после двух подряд убыточных кварталов вернуться к получению прибыли.

Сектор твердотельных накопителей в течение последнего года переживает спад: спрос на компоненты для устройств хранения данных снизился и в потребительском, и в серверном сегментах, что вынудило трёх крупнейших производителей памяти — SK hynix, Samsung и Micron — сократить производство NAND. Теперь последствия этого спада коснулись поставщиков твердотельных накопителей: Solidigm сообщила, что была вынуждена уволить часть сотрудников.

Источник изображения: solidigm.com

Компания Solidigm, бывшее подразделение Intel по производству твердотельных накопителей, которая входит в SK hynix, подтвердила ресурсу AnandTech, что недавно была вынуждена провести серию увольнений. Произошедшее она охарактеризовала как «умеренное» сокращение персонала, но дальнейшие подробности привести отказалась.

«Из-за длительного спада в полупроводниковой отрасли и его влияния на рыночные условия Solidigm провела сокращение рабочей силы. Компания предлагает поддержку и выходное пособие увольняющимся коллегам. Мы безмерно благодарны членам нашей команды, которые внесли значительный вклад во время работы в Solidigm. Нам будет их очень не хватать», — сообщили в компании.

Новой численности своего персонала Solidigm не раскрывает, но известно, что по состоянию на сентябрь 2022 года в компании работали более 2000 человек в 20 филиалах по всему миру. Был закрыт филиал в Южной Корее, и продажами в стране занялись сторонние подрядчики. Не исключено, что сокращения затронули специалистов по менеджменту, маркетингу и продажам. Кадровые активы Solidigm унаследовала от подразделения Intel NAND — стороны договорились о поглощении в 2020 году, а в конце 2021 года первая часть сделки была закрыта.

Ещё недавно считалось, что о сделке Western Digital и Kioxia будет объявлено в конце октября, но агентство Nikkei вчера вечером сообщило, что переговоры на эту тему прекращены. Как утверждается, главным препятствием к оформлению сделки стало противодействие SK hynix, которая является инвестором в капитал Kioxia с 2018 года.

Источник изображения: Kioxia

По данным первоисточника, американская корпорация Western Digital уведомила Kioxia о своих намерениях прекратить переговорный процесс из-за противодействия SK hynix. Последняя, напомним, вчера подтвердила свою готовность защищать интересы акционеров и противодействовать слиянию активов Western Digital и Kioxia, имеющих отношение к производству твердотельной памяти. Компаниям, как уточняется, также не удалось договориться с основным акционером Kioxia — инвестиционной компанией Bain Capital, которая в 2018 году возглавляла выкуп активов Toshiba Memory Corporation.

SK hynix в то время вложила в общей сложности $2,67 млрд в капитал Kioxia, часть этой суммы ($856 млн) была потрачена на конвертируемые облигации, погашение которых позволило бы корейскому производителю памяти получить контроль над 15 % акций японского конкурента. Kioxia сейчас довольствуется четвёртым местом на рынке твердотельной памяти, а SK hynix занимает второе, но если бы первая объединилась с Western Digital, то сообща они бы обошли даже лидирующую в этом сегменте рынка Samsung Electronics. У южнокорейской компании SK hynix имелись свои планы по сотрудничеству с Kioxia, которым могла помешать сделка с Western Digital. Развал этой сделки не помешает Western Digital и Kioxia и дальше выпускать память на совместном предприятии в Японии.

С 2021 года ходят слухи о намерениях Western Digital объединить свои активы, связанные с выпуском твердотельной памяти, с японской компанией Kioxia. Косвенно являющаяся инвестором Kioxia южнокорейская компания SK hynix до сих пор хранила молчание по этому вопросу, но на этой неделе её финансовый директор Ким Ву Хён (Kim Woohyun) открыто заявил, что производитель возражает против вероятной сделки.

Источник изображения: SK hynix

По его словам, которые приводит Bloomberg, сделка между Western Digital и Kioxia негативно скажется на прошлых инвестициях SK hynix в капитал последней из компаний. Напомним, что в 2018 году инвестиционный консорциум во главе с Bain Capital потратил на выкуп активов бывшей Toshiba Memory Corporation около $18 млрд. Южнокорейская SK hynix на финансирование этой сделки выделила $856 млн, получив в итоге конвертируемые облигации, которые в перспективе может обменять на примерно 15 % акций Kioxia.

На прошлой неделе также стало известно, что к финансированию потенциальной сделки между Western Digital и Kioxia привлечена группа японских банков, готовых выделить в общей сложности более $13 млрд. Такая сделка создаст крупнейшего поставщика твердотельной памяти в мире, и SK hynix явно не заинтересована в появлении сильного конкурента, на развитие которого она в своё время опосредованно потратила собственные средства.

По информации Bloomberg, компании Kioxia и Western Digital сейчас обсуждают последние штрихи, которые можно изменить в договорённостях по предстоящей сделке, и о своём решении объединить профильные активы они планируют объявить на следующей неделе, поскольку 30 октября Western Digital должна выступить с квартальной отчётностью. Некоторые источники ожидают, что смягчить позицию SK hynix поможет тот самый фонд Bain Capital, который участвовал в сделке, породившей в дальнейшем Kioxia. Эксперты считают, что без согласия SK hynix сторонам будет сложно реализовать слияние активов Western Digital и Kioxia, хотя прямой возможности блокировать сделку у корейской компании нет.

Входящая в тройку крупнейших производителей памяти южнокорейская компания SK hynix свой квартальный отчёт опубликовала на этой неделе, заложив в сознание инвесторов ещё одно зерно надежды на восстановление рынка в обозримом будущем. По крайней мере, выручка компании за период сократилась на 17 % против 47 % кварталом ранее.

Источник изображения: SK hynix

В первом квартале текущего года, как напоминает Bloomberg, выручка SK hynix падала на все 58 %, поэтому нормализация ситуации на рынке памяти всё же отслеживается. В третьем квартале выручка компании сократилась на 17 % до $6,7 млрд год к году. Аналитики в среднем рассчитывали на $6 млрд выручки, поэтому компания в их восприятии выступила чуть лучше. Впрочем, операционные убытки SK hynix по итогам квартала достигли $1,32 млрд против ожидаемых $1,25 млрд, поэтому надежды инвесторов оправдались не во всём. Опять же, в сегменте памяти типа DRAM компания в третьем квартале вернулась к прибыльности после двух убыточных кварталов подряд. Бизнес по выпуску NAND хоть и остаётся убыточным, демонстрирует признаки улучшения ситуации. Сокращения объёмов выпуска памяти, предпринятые участниками рынка на фоне кризиса перепроизводства, уже начали приносить плоды: клиенты возвращаются к покупкам новых партий памяти, а цены начали стабилизироваться.

С началом торговой сессии курс акций SK hynix просел на 4,7 %, что стало максимальным дневным снижением за более чем 30 последних сессий. В целом с начала года акции SK hynix выросли в цене на 70 % против 23 % у Samsung Electronics, поскольку инвесторы видят в первой из компаний крупнейшего на данный момент поставщика памяти типа HBM3 для ускорителей вычислений, востребованных при создании систем искусственного интеллекта.

В 2024 году SK hynix намеревается поднять капитальные расходы, но делать это обещает по принципу разумной достаточности. Выпуск памяти семейства HBM как раз относится к числу приоритетных направлений с точки зрения капитальных расходов. В третьем квартале подразделение компании, отвечающее за выпуск оперативной памяти (DRAM) в целом, продемонстрировало рост средней цены реализации на 10 % в последовательном сравнении. Данный тип памяти обеспечил компанию двумя третями выручки в минувшем квартале. На долю NAND пришлось около четверти выручки SK hynix в третьем квартале.

Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

Источник изображения: Micron

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

Источник изображения: SK hynix

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.

В начале прошлого месяца появились слухи о возможности заключения между Samsung и NVIDIA контракта на поставку памяти типа HBM3 для создания ускорителей вычислений. До сих пор такую память для нужд NVIDIA поставляла только конкурирующая SK hynix. Однако, теперь Bloomberg сообщает о наличии проблем у Samsung с заключением такого контракта, и подчёркивает отставание акций корейского гиганта по динамике роста курса от SK hynix в этом году.

Источник изображения: NVIDIA

Если акции Samsung Electronics в текущем году выросли на 24 %, то у SK hynix наблюдался рост котировок на 67 %. По сути, разрыв между ними достиг максимального значения за прошедшие десять лет. Общая ситуация на рынке микросхем памяти в этом году не может считаться благополучной, поэтому инвесторы обратили внимание на сегмент памяти типа HBM, которая востребована в сегменте ускорителей вычислений, лидирующие позиции в котором сейчас занимает NVIDIA. Поскольку спрос на продукцию последней значительно опережает возможности производителей, объёмы выпуска памяти типа HBM3 тоже растут стремительно, и от этой тенденции в большей степени выигрывает SK hynix, у которой есть контракт с NVIDIA.

Впрочем, как поясняет Bloomberg, аналитики начинают готовить аудиторию к полноценному выходу на этот рынок продукции Samsung. В течение следующих 12 месяцев, как ожидается, акции компании могут вырасти в цене на 30 %, тогда как у SK hynix потенциал дальнейшего роста ограничивается 20 %. Эксперты Eugene Investment & Securities, например, убеждены, что если Samsung начнёт поставлять новую версию HBM3 в этом году, то отставание от SK hynix сократится до четырёх или пяти месяцев. В следующем году Samsung дополнительно сократит разрыв с SK hynix, хотя последняя и сохраняет шансы остаться лидером в этом сегменте рынка. В 2025 году, как известно, Samsung намеревается предложить память типа HBM4, поэтому довольствоваться ролью догоняющего она будет не так долго.

Сентябрь для рынка флеш-памяти стал переломным моментом, поскольку впервые с начала года по итогам данного месяца объёмы экспорта микросхем типа NAND из Южной Кореи выросли на 5,6 % в годовом сравнении, тогда как в предыдущие месяцы этого года они снижались. В этой стране работают два крупнейших производителя памяти, поэтому такой отскок внушает надежду на преодоление дна всей отраслью.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом позволяет судить отчёт Министерства торговли Южной Кореи, как поясняет Bloomberg. По итогам августа экспорт микросхем типа NAND из этой страны сократился в годовом сравнении на 8,9 %, поэтому сентябрьский рост позволяет рассчитывать на перелом тренда. В то же время, поставки памяти типа DRAM из Южной Кореи в сентябре снизились на 24,6 % по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года, но это всё равно было ниже августовского снижения на 35,2 %.

В географическом выражении поставки полупроводниковой продукции из Южной Кореи сильнее всего в сентябре увеличились на европейском направлении (56,5 %), тогда как в США и Китай было поставлено меньше полупроводниковых изделий, чем годом ранее, на 30,5 и 22,7 % соответственно. Компании Samsung Electronics и SK hynix значительную часть своей продукции производят на территории Китая, поэтому полученные недавно льготы в части поставок оборудования на местные предприятия позволяют им рассчитывать на стабильную работу в условиях ужесточения санкций США против КНР.