Теги → hynix
Быстрый переход

SK Hynix становится кузницей стартапов

Южнокорейская компания SK Hynix, которая является вторым по величине в мире производителем памяти DRAM и далеко не последним производителем памяти NAND, стала кузницей стартапов. Ещё в августе прошлого года на базе штаб-квартиры в Ичхоне компания начала реализовывать домашнюю программу «HiGarage». Слово «гараж» в названии программы появилось неспроста. Как широко известно, все прорывные IT-технологии были рождены в гаражах тех или иных ныне знаменитых граждан. Согласно задумке, склонный к творчеству персонал SK Hynix должен был представить на конкурс руководству интересные идеи, самые ценные из которых компания обещала поддержать финансированием и довести до коммерческой реализации в виде создания дочерних или венчурных предприятий.

Победители первого конкурса стартапов SK Hynix (пятый слева CEO компании )

Победители первого конкурса стартапов SK Hynix (пятый слева CEO компании Ли Сок Хи)

На днях итоги конкурса были подведены. Из 250 идей достойными финансирования были признаны 6 проектов. Главный победитель конкурса ― проект по разработке оборудования для управления температурными процессами при изготовлении полупроводников с привлечением ИИ. Отмечается, что в Республике Корея отсутствуют необходимые технологии, поэтому производителям приходится закупать оборудование иностранного производства. Данный проект и пять других проектов получит финансирование в объёме около $1 млн (1,2 млрд южнокорейских вон). Параллельно с разработкой технологий до уровня готовности к коммерческому использованию компания пригласит консультантов по стартапам для создания полноценных самостоятельных компаний. Предполагается, что компании по проектам будут созданы в течение двух–трёх лет.

Если на базе интересной идеи стартап не будет создан и изобретение останется для эксплуатации внутри SK Hynix, то часть полученных в виде дополнительного дохода денег будет распределена среди участников проекта и других работников компании. В текущем году будет проведён очередной поиск новых идей, достойных для создания стартапов. Эту же практику компания обещает продолжить в последующие годы.

GIGABYTE готовит новые скоростные модули памяти Aorus RGB

Летом прошлого года компания GIGABYTE дебютировала на рынке модулей оперативной памяти, представив комплекты DDR4 с частотой 2666 и 3200 МГц. А на прошлой неделе в рамках выставки CES 2019 тайваньский производитель объявил о планах расширить ассортимент, добавив в него наборы Aorus RGB с более высокой частотой.

Сообщается, что GIGABYTE в ближайшем будущем выпустит комплекты модулей памяти DDR4 с частотой 3600 и 4000 МГц. Оба новых комплекта Aorus RGB будут включать по два модуля объёмом по 8 Гбайт каждый, а также по два муляжа с подсветкой, предназначенных для заполнения пустых слотов на материнской плате. Оба комплекта будут обладать рабочим напряжением 1,35 В и поддержкой профилей XMP 2.0.

Интересно, что новые модули Aorus RGB будут построены на микросхемах памяти C-die от компании SK Hynix. Данные чипы памяти уже давно используются многими производителями для создания модулей с частотой 3600 МГц и ниже, и GIGABYTE, похоже, станет первым производителем, который предложит модули DDR4-4000 на этих чипах. Также стоит отметить, что представленные ранее модули GIGABYTE построены на чипах Samsung B-die.

GIGABYTE пока что не уточняет даты начала продаж своих новых комплектов памяти Aorus RGB, равно как и их стоимость. Заметим, что аналогичный комплект с частотой 3200 МГц сейчас продаётся в США по цене в $215.

Память дешевеет, производители напуганы и сокращают инвестиции

Ведущие производители памяти, Samsung и SK Hynix, которые в сумме занимают две трети рынка чипов DRAM и чуть менее половины рынка NAND, вынуждены пересмотреть свои планы по наращиванию производственных мощностей. Как сообщают аналитики, корейские производители столкнулись с уменьшением спроса на свою продукцию, и им не остаётся ничего иного, кроме как пересмотреть стратегию развития. Согласно расчётам IC Insights, компания Samsung инвестирует в 2019 году в развитие производства $18 млрд, что на 20 % меньше, чем в завершающемся году, а SK Hynix сократит капитальные вложения в 2019 году на 22 % до суммы в $10 млрд.

Аналитик корейского института развития (KDI), Квон Кью-хо (Kwon Kyu-ho) предупреждает, что «у компаний нет иного выхода и им придётся корректировать темпы расширения производства, потому что невозможно рассчитывать на то, что бум на рынке памяти, наблюдавшийся в 2017 и 2018 годах, продолжится и в следующем году». Собственно, падение спроса на полупроводниковую продукцию корейских гигантов прослеживается уже сейчас. В ноябре суммарные поставки чипов Samsung и SK Hynix снизились на 16,3 % относительно показателей октября. А объёмы производства за тот же срок уменьшились на 5,2 %.

До недавних пор производители памяти получали сверхдоходы на фоне бурного развития всей IT-индустрии и роста «экономики данных», в рамках которой глобальные компании вроде Google и Amazon стали основными покупателями чипов памяти для ввода в эксплуатацию разнообразных облачных сервисов и сервисов обработки «больших данных». Однако в настоящее время интенсивный рост этой отрасли заканчивается, а торговые конфликты между США и Китаем вносят дополнительную неопределённость в будущее. Стагнирует и рынок смартфонов, который раньше тоже выступал крупным потребителем микросхем памяти.

В результате, глобальные рынки чипов DRAM и NAND, где Samsung и SK Hynix занимают доминирующее положение, входят в период нисходящих трендов. В частности, стоимость чипов DRAM в период с августа по октябрь снизилась на 11 %, а в период с октября по настоящее время упала ещё на 1 %. Похожая тенденция наблюдается и с чипами флеш-памяти. С августа по октябрь они подешевели на 10 %, а с октября по декабрь – ещё на 2 %.

Как поясняют отраслевые эксперты, такого резкого падения цен не ожидал никто. Но ещё хуже, что нет ни одной причины, по которой ситуация может поменяться. Впереди — затяжной период превышения предложения над спросом со всеми вытекающими последствиями. И здесь ведущих производителей памяти поджидает ещё один удар: в 2019 году массовый выпуск DRAM и NAND-продукции должны начать китайские компании.

SK Hynix предложит недорогую встраиваемую флеш-память

Как мы не раз сообщали, в июле 2017 года компания SK Hynix создала подразделение SK Hynix System IC для работ по выпуску полупроводников по сторонним контрактам. В распоряжение SK Hynix System IC была отдана 200-мм фабрика M8 в городе Чхонджу (Cheongju). Ассортимент контрактного подразделения SK Hynix относительно скуден и представлен драйверами для мониторов, датчиками изображений КМОП, а также силовыми дискретными элементами. Всё это доступно в техпроцессах от 500 нм до 57 нм. Но даже несмотря на ограниченное предложение, подразделение SHSI смогло в 2017 году принести SK Hynix $260 млн выручки. В будущем, как представляют себе в компании, контрактная деятельность снизит зависимость SK Hynix от переменчивого рынка памяти.

В то же время в компании понимают, что для достижения желанной цели производителю необходимо расширять ассортимент. Чем? А давайте посмотрим в сторону вещей подключения к Интернету, — решили в SK Hynix. Модная тема, и наверняка потребует решений с памятью, на чём специализируется компания. Но для контроллеров IoT необходима память с потреблением ниже обычного и желательно как можно дешевле. К тому же она должна быть встраиваемой, а не в виде отдельных микросхем. Такая технология, например, много лет используется тайваньской компанией Silicon Storage Technology (SST) в виде памяти SuperFlash.

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Microchip Technology через дочернюю компанию Silicon Storage Technology заключила многолетний договор с SK Hynix System IC на адаптацию технологии производства встраиваемой памяти SuperFlash к техпроцессам южнокорейского производителя. Разработка адаптированного техпроцесса стартовала в этом году и будет завершена в начале 2019 года. Технология SuperFlash будет реализована на 110-нм КМОП техпроцессе SK Hynix System IC и будет доступна для сторонних разработчиков в виде IP-блоков.

Память SuperFlash, уверены в SK Hynix, станет идеальным решением для устройств Интернета вещей, смарт-карт и широкого спектра микроконтроллеров. Технология SuperFlash отличается высокой энергоэффективностью и, например, хорошо зарекомендовала себя в картах и устройствах для бесконтактной оплаты.

SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

В среду 19 декабря компания SK Hynix провела церемонию закладки нового полупроводникового завода вблизи города Ичхон. О запланированном строительстве компания сообщила ещё в июле. Предприятие получит название M16 и будет введено в строй в октябре 2020 года. Это третий крупномасштабный проект SK Hynix за последние три года. В 2015 году компания объявила о планах построить несколько новых заводов для обеспечения своего будущего процветания.

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16

Проект «Future Vision Investment Plan» предусматривает финансирование в объёме $40 млрд. В рамках проекта построены заводы M14 в Ичхоне по выпуску DRAM и NAND и M15 по выпуску NAND в городе Чхонджу. Дополнительно компания вложилась в расширение контрактного производства чипов в Уси (КНР) и там же начала расширять чистую комнату на заводе C2 по выпуску DRAM. Кроме этого буквально на днях стало известно, что SK Hynix вовлечена в государственно-коммерческий проект по созданию современного производственного полупроводникового суперкластера из четырёх заводов, в который она до 2028 года планирует вложить $106 млрд.

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

В предприятие M16, строительство которого стартовало 19 декабря, планируется вложить около 15 трлн вон ($13,3 млрд). Площадь завода будет достигать 53 000 м2, а чистая комната будет больше, чем обычно. Это означает, и компания сегодня это подтвердила, что на предприятии M16 будут установлены литографические сканеры диапазона EUV. По словам руководства SK Hynix, завод M16 станет прыжком в новое десятилетие.

Открытие стройки 19 декабря 2019 года

Открытие стройки 19 декабря 2018 года

Предварительно решено, что завод M16 будут выпускать память. Пока не уточняется, будет ли это DRAM или NAND, что, в общем-то, неважно. Линии легко перестроить с выпуска одной продукции на другую и обратно. Завод M16 станет жемчужиной в короне заводов SK Hynix M10 (DRAM), M14 (DRAM, NAND), M11, M12, M15 (NAND) и C2 (DRAM, КНР).

В Южной Корее построят гигантский полупроводниковый кластер

Даже в условиях глобальной экономики власти любой страны обязаны защищать и защищают местного производителя. В своё время, например, власти Южной Кореи помогли субсидиями компании Hynix, когда остальные производители памяти не только требовали её крови (признать банкротом), но также руками национальных регуляторов выставляли заградительные пошлины на память DRAM её производства. Тогда Hynix выстояла, хотя вскоре двое из нападавших обанкротились сами и исчезли на свалке истории. Немецкая Qimonda и японская Elpida не нашли поддержки у национальных властей и больше их нет. Но на этом вызовы не закончились. В полупроводниковой отрасли, как и во всей мировой экономике, возникают турбулентности, которые грозятся поставить на грань выживания если не всех, то многих.

Судя по всему, в правительстве Южной Кореи хорошо понимают, что даже такие крупные компании, как Samsung и SK Hynix не смогут самостоятельно вытащить всю полупроводниковую отрасль страны. Но даже если они сами выстоят, остаётся множество средних и мелких компаний, которые гарантированно пострадают без государственной поддержки. Поэтому в недрах правительства Республики Корея родился план создать гигантский полупроводниковый кластер, который стал бы гарантией сохранения и поддержки бизнеса множества национальных компаний. И, конечно же, такой кластер сможет рассчитывать на государственные субсидии, если в этом возникнет необходимость.

Реализация плана намечается в первой половине 2019 года. Предварительно в проекте участвуют 50 компаний. Детали проекта будут утрясены позже, как и нет пока определённого места для строительства заводов. Всего в рамках кластера будут построены четыре производственных полупроводниковых фабрики, а также корпуса для разработчиков и филиалов компаний. Проект включает участие проектировщиков чипов, исследовательских групп по материалам и техпроцессам. Из гигантов в проекте пока засветилась одна компания SK Hynix. О масштабах проекта можно судить хотя бы по тому, что SK Hynix обещает в следующие 10 лет потратить на кластер 120 трлн вон — это $106 млрд! На закладку первых цехов и разработку проекта компания потратит 1,6 трлн вон или около $1,4 млрд.

Данный кластер рассматривается властями как стройка 21 века. Это будет самое передовое предприятие в мировой практике и, пожалуй, одно из самых крупных, хотя мы пока не знаем запланированной мощности заводов. Введение в строй кластера власти Республики Корея считают гарантией дальнейшего отрыва хай-тека страны от зарубежных конкурентов и, конечно же, основой дальнейшего благополучия отрасли и местной экономики. Работой в кластере собираются занять 10 000 человек, что также станет решением проблем с утечками мозгов за границу. Глобализация всё?

TrendForce: цены на DRAM продолжают падать, в начале 2019 года тенденция сохранится

Как сообщает DRAMeXchange, подразделение TrendForce, контрактные цены на продукцию DRAM начали снижаться начиная с последнего квартала текущего года. Для некоторых контрактов стоимость чипов была снижена вдвое, что очень редко наблюдается на рынке. Ситуация указывает на то, что OEM-производители в настоящее время прогнозируют дальнейшие проблемы рынка, так что снижение цен на память в первом квартале 2019 года должно продолжиться.

В ноябре этого года средние цены на модули DRAM низкого и среднего класса объёмом 4 и 8 Гбайт начали падать, в то время как цены модулей высокого класса остались на прежнем уровне. Средняя контрактная цена 4-Гбайт модулей DRAM за ноябрь снизилась на 3,2 % с $31 до $30. В то же время средняя контрактная цена модулей DRAM на 8 Гбайт уменьшилась на 1,6 % с $61 до $60.

DRAMeXchange считает, что средние отпускные цены на DRAM снизятся почти на 8 % в четвёртом квартале года по сравнению с третьим. В частности, память DRAM для ПК, серверов и специализированных решений продемонстрирует падение, близкое к 10 %. Для сравнения: средняя стоимость мобильной DRAM опустится лишь на 5 %, потому что ранее рост цен на этот вид памяти был более умеренным.

Если же говорить о первом квартале 2019 года, то ожидается дальнейшее увеличение предложения за счёт наращивания доли продуктов, выпускаемых по 1Y-нм нормам, повышения доли выхода годных чипов и дальнейшего расширения производственных мощностей на фабрике Samsung в Пхёнтхэке в последней четверти этого года. В то же время традиционно первый квартал года отличается пониженным спросом, к тому же рост рынка смартфонов почти остановился по сравнению с предыдущими годами. В результате снижение цен мобильной DRAM в начале 2019 года может усилиться, да и в целом ожидается более сильное падение стоимости DRAM, чем в последней четверти 2018 года.

На снижение цен также будут оказывать последствия торговые споры в США и Китая. В частности, продукты DDR4 могут продемонстрировать более резкое падение цен по сравнению с DDR3 из-за слабого спроса со стороны ПК и серверов.

SK Hynix инвестирует в расширение своего контрактного производства в Китае

Весной прошлого года южнокорейская компания SK Hynix сформировала внутри компании подразделение по выпуску полупроводников под заказ. Подразделение SK Hynix System IC (SHSI) должно было снизить зависимость южнокорейского полупроводникового гиганта от рынка памяти. Последних два года растущие на память цены радовали SK Hynix и других лидеров отрасли, но в 2019 году цены на память обещают покатиться вниз. Для мягкой посадки производителям нужен парашют. На такой случай компания SK Hynix рассчитывает иметь контрактное производство.

wsj.com

wsj.com

Изначально за контрактное производство SK Hynix отвечал завод M8 в городе Чхонджу (Cheongju, 130 км от Сеула). В июле этого года компания решила построить завод для контрактного производства в Китае вблизи города Уси (Wuxi), где уже расположен производственный кластер SK Hynix по выпуску памяти DRAM. Компания, кстати, активно инвестирует в близлежащую городскую инфраструктуру. Например, она пообещала вложить $300 млн в местную городскую поликлинику. Что касается завода для контрактного производства, то он строится под управлением СП с местной компанией Wuxi Industrial Development Group. Компании SK Hynix в новом предприятии принадлежит контрольный пакет акций в объёме 50,1 %. Добавим, инвестиции SK Hynix в проект составили $350 млн.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Производственный комплекс SK Hynix M14

Легко сообразить, что даже с учётом инвестиций со стороны китайцев собирается не очень большая сумма для постройки нового завода. Секрет сделки в том, что на это предприятие в Китае будет завезено демонтированное бывшее в употреблении оборудование с того самого завода M8 в городе Чхонджу. Это оборудование для обработки 200-мм кремниевых подложек. Но для запланированной к выпуску на заводе в Уси продукции этого достаточно. Предприятие будет выпускать аналоговые чипы, датчики и другую мелочёвку. Запуск предприятия в строй ожидается в 2019 году. Однако, как докладывают источники, компания уже корректирует планы в сторону расширения производства и дополнительно вложит в завод ещё $10 млн.

Немного? Масштабы соответствуют работе. Так, в 2017 году SHSI принесла материнской компании $260 млн выручки. Это всего 0,4 % от мирового рынка полупроводников. Тем самым SK Hynix System IC заняла 24 строчку в мировом рейтинге производителей чипов, но она обещает улучшить свои рыночные позиции на этом направлении.

Производители памяти сосредоточены на освоении новых технологических норм

По словам аналитиков из DRAMeXchange, ведущие поставщики оперативной памяти DRAM смогли добиться роста операционной прибыли до рекордных уровней в третьем квартале 2018 года, хотя рост средней стоимости их продукции начал замедляться. Компании сейчас сосредоточены на повышении своих результатов с использованием более совершенных технологических процессов для оптимизации структуры затрат.

Операционная маржа (отношение операционной прибыли к объёму продаж) бизнеса DRAM у Samsung, согласно оценкам аналитиков, достигла 70 % в III квартале 2018 года. Samsung уже использует 1x-нм технологический процесс в массовом производстве и приступила в третьем квартале к развёртыванию более продвинутых 1y-нм норм.

В свою очередь, у SK Hynix, согласно выкладкам DRAMeXchange, операционная маржа бизнеса DRAM выросла в прошлом квартале с 63 % до 66 %, также благодаря значительному увеличению доли выхода годной 1x-нм продукции. SK Hynix начала печать чипов с использованием 1x-нм норм в конце 2017 года и сосредоточилась на повышении показателя годных кристаллов. Кроме того, SK Hynix планирует завершить до конца текущего года строительство своей второй 300-мм фабрики в китайском городе Уси. Новый объект начнёт вносить свой вклад в общий объем продукции DRAM в первой половине 2019 года, но наращивание объёмов производства будет происходить относительно медленно из-за неопределённости в мировой экономике.

Наконец, в третьем квартале операционная маржа Micron Technology увеличилась до 62 % c 60 % во втором, что DRAMeXchange также связывает с увеличением доли выпуска чипов, производимых с соблюдением 1х-нм норм в общем объёме производства. Тайваньская дочерняя компания Micron Memory Taiwan вскоре переведёт все свои производственные мощности на 1x-нм техпроцесс и приступит к освоению более совершенных 1z-нм норм. Тем не менее, последние вряд ли будут готовы к массовой печати до 2020 года. Другая тайваньская дочерняя компания, Micron Technology Taiwan, перешла на массовое 1x-нм производство и в конце 2018 года начнёт развивать свои 1y-нм нормы.

По мнению DRAMeXchange, у всех трёх ведущих производителей DRAM операционная маржа не возрастёт в последней четверти текущего года, поскольку их усилия по сокращению затрат вряд ли компенсируют влияние наметившегося постепенного падения цен на чипы памяти.

Китай может оштрафовать производителей памяти на $2,5 млрд за сговор

Китай усилил давление на трёх крупнейших мировых поставщиков памяти DRAM. По сообщению Financial Times, глава китайского антимонопольного бюро Ву Чжэнго (Wu Zhenguo) заявил о значительном прогрессе в расследовании против Samsung, SK Hynix и Micron: собран массивный объём доказательств. К сожалению, пока не сообщается, что именно китайское правительство нашло против этих компаний и какие дальнейшие шаги собирается предпринять?

Преимущественно это дело касается роста цен, вызванного глобальным дефицитом чипов DRAM, и призвано помочь китайским компаниям лучше конкурировать со своими международными коллегами. Расследование, как сообщается, началось в июне после того, как взлетели цены на DRAM. Аналитики DRAMeXchange заявили в сентябре, что в течение года возможно снижение цен на 5 процентов. Однако Samsung замедлила производство, чтобы уменьшить предложение и сохранить цены на прежнем уровне.

Аналитик SK Securities Ким Янг-ву (Kim Young-woo) сообщил Financial Times, что в результате этого расследования Китай может наложить штраф в размере до $2,5 млрд на Samsung, SK Hynix и Micron. Рынок DRAM стал одним из полей сражения в надвигающейся торговой войне между США и Китаем. Антимонопольное расследование против американской Micron очевидно является частью этого процесса.

В начале года Китай наложил запрет на продажу определённых продуктов Micron на своей территории, а в октябре США заблокировали американский экспорт для Fujian Jinhua Integrated Circuit Company. Эта китайская компания развернула своё производство памяти DRAM с объёмом капиталовложений в $8 млрд. Технологический процесс налажен с помощью тайваньского контрактного производителя UMC. Однако Micron обвинила UMC в краже интеллектуальной собственности. Ответные иски не заставили себя долго ждать. Недавно Министерство юстиции США выдвинуло обеим компаниям, UMC и Jinhua, обвинения в краже коммерческих секретов Micron.

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Компания SK Hynix — второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM — сообщила о разработке 16-Гбит кристаллов DRAM DDR5 с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Ynm). Это тот же самый новейший техпроцесс компании, с помощью которого она начинает производство 8-Гбит кристаллов DDR4. Забегая вперёд, отметим, что к производству памяти DDR5 компания SK Hynix приступит только в 2020 году, поскольку данный стандарт DRAM пока ещё не принят комитетом JEDEC и не поддерживается разработчиками контроллеров и процессоров. Это лишь заготовка на будущее, которая ждёт своего часа.

Согласно прогнозу аналитиков компании IDC, например, спрос на DDR5 начнёт появляться только в 2020 году, что обещает довести в 2021 году долю DDR5 в мировом объёме производства памяти до 25 % и до 44 % в 2022 году. Поэтому компании SK Hynix, как и остальным лидерам рынка DRAM, не нужно спешить с внедрением в производство этого поколения памяти. Но начнётся всё с завоевания серверного рынка, для которого DDR5 преподнесёт возможность расширить банки памяти и увеличить скорость передачи данных от модулей к процессорам и обратно.

Согласно требованиям черновой редакции стандарта DDR5, питание чипов снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обещает снизить потребление памяти на 30 % по сравнению с памятью DDR4. При этом скорость обмена выросла на 60 % или до 5200 Мбит/с, если сравнивать с одной из быстрейших сегодня памятью DDR4-3200. Совокупно скорость обмена с модулем памяти DDR5 вырастет до 41,6 Гбайт/с — это 11 фильмов с качеством Full HD, переданных за 1 секунду, каждый из которых будет «весить» 3,7 Гбайт. Традиционно нелепый пример, да, но даёт представление о масштабах изменений. Столь быстрая память, уверены в компании, придаст новый импульс развитию платформ ИИ, машинного обучения и работам с массивами данных.

Для снижения ошибок чтения разработчикам пришлось внести много изменений в схемотехнику памяти. Кстати, сигнальные интерфейсы пришлось доработать также по той причине, что модули памяти DDR5 будут использовать вдвое больше банков (32 вместо 16), чем память DDR4. Это также потребовало вести согласованные работы с производителями модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) для серверных платформ. Также компания заявляет, что механизмы коррекции ECC теперь встроены в чипы памяти. Всё надёжнее и надёжнее, что вызвано также увеличением скорости обмена.

Улучшенный техпроцесс на 20 % увеличит выход памяти DDR4 компании SK Hynix

На один год позже компании Samsung второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM компания SK Hynix сообщила о завершении разработки микросхем DDR4 для производства с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Как и её конкуренты, компания SK Hynix не приводит точную цифру технологических норм, с помощью которых она предполагает выпускать новую память. Техпроцесс скрывается под кодовым именем «1Ynm» и может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.

Для нас главное не «шашечки», а «ехать». Переход от техпроцесса класса 10 нм первого поколения ко второму обеспечивает возросший на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Проще говоря, себестоимость производства DDR4 ещё немного снизится, а модули памяти могут стать немного дешевле. Не на 20 %, но на единицы процентов — это вполне реальный сценарий. Но произойдёт это уже в новом году. Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года.

Первыми в производство попадут 8-Гбит чипы DDR4-3200. По словам производителя, это самая быстрая в настоящий момент память. Потребление памяти, тем не менее, за счёт уменьшения масштаба технологических норм последовательно снижено более чем на 15 %. Первыми новую память получат производители модулей памяти для серверов и персональных компьютеров. Впоследствии второе поколение производства 10-нм класса осчастливит другие области применения памяти, в частности — область мобильных устройств.

Уменьшение масштаба технологических норм заставило разработчика внести ощутимые изменения как в схемотехнику цепей питания и управления памятью, так и в структуру «помельчавших» транзисторов. Это неудивительно, каналы транзисторов становятся меньше, что снижает токовые характеристики этих полупроводниковых приборов.

Для снижения вероятности появления ошибок чтения и для поддержки стабильной работы памяти инженеры SK Hynix предложили 4-фазную схему тактового генератора и разработали новые и более чувствительные усилители для сигнальных цепей памяти. Собственно, эти улучшения позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Мбит/с с одновременным снижением потребления до 15 % и более.

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

Cypress и SK Hynix создали совместное предприятие по производству SLC NAND

Cypress Semiconductor и SK Hynix объявили о создании совместного предприятия, которое займётся выпуском и продажей SLC NAND флеш-памяти Cypress текущего поколения, а также разработкой будущих продуктов. Следствием создания СП станет уход Cypress от производства и продажи NAND-памяти и возможности сконцентрироваться на более прибыльных направлениях деятельности. В свою очередь, SK Hynix получит возможность задействовать устаревшие производственные мощности, а также лояльных клиентов.

Согласно условиям соглашения о совместном предприятии, SK Hynix инвестирует в него $3,6 млн наличными и получит 60 % предприятия, тогда как Cypress вложит $2,4 млн (а также определённое оборудование) и приобретет долю в 40 %. Кроме того, Cypress также «уступит» совместному предприятию до 15 сотрудников, предоставить услуги в области транзита производства и разработки совместному предприятию, а также поспособствует переходу имеющихся клиентов Cypress к СП. При этом до конца января 2021 года компании будут делить прибыль от деятельности совместного предприятия 50 на 50. Срок текущего договора — пять лет. По их прошествии условия участия сторон могут быть пересмотрены, или же SK Hynix выкупит долю Cypress. При этом у SK Hynix есть право приобрести дополнительную долю в 10 % в случае если её поставки превысят 15 000 пластин с памятью в месяц.

SLC NAND память производства Cypress/Spansion

SLC NAND-память производства Cypress/Spansion

Cypress получила бизнес по производству и продаже специализированной NAND и NOR флеш-памяти при покупке Spansion в 2015 году. В конце 2016 года Cypress передала производство микросхем SLC (однобитовой) NAND флеш-памяти ёмкостью 1–16 Гбит компании SK Hynix на условиях «бери или плати» 15 000 пластин с памятью в квартал. Совместное предприятие формально начнёт работу в первом квартале 2019 года, что сделает недействительным договор об аутсорсинге.

SLC NAND флеш-память Cypress ёмкостью 1–16 Гбит в настоящее время применяется для различных приложений в сферах автомобилестроения, коммуникаций, потребительской электроники, промышленного оборудования и других. Продукция сертифицирована под требования AEC-Q100 и может работать при температуре до 105 °C. Подобная память не является массовой, её применяют лишь ряд клиентов Cypress, а потому у данного бизнеса весьма ограниченные возможности роста, вследствие чего в Cypress не видят смысла производить подобные микросхемы на своих производственных мощностях.

Фабрика SK Hynix

Фабрика SK Hynix

Принимая во внимание, что всё больше специализированных систем на кристалле и микроконтроллеров применяют встроенную флеш-память, нетрудно догадаться, что развивать производство памяти едва ли является выгодным предприятием для Cypress, которая заказывает производство продвинутых SoC и MCU у третьих компаний.

SK Hynix продаёт всё больше фирменных SSD

Свой отчёт о работе в третьем квартале календарного 2018 года опубликовала компания SK Hynix. Консолидированная выручка компании за отчётный период составила 11,42 трлн вон ($10 млрд), операционная прибыль достигла значения 6,47 трлн вон ($5,7 млрд), а чистая прибыль равнялась 4,69 трлн вон ($4,1 млрд). Несмотря на стабилизацию цен на микросхемы DRAM и на падение цен на NAND, за квартал выручка и операционная прибыль SK Hynix выросла соответственно на 10 % и на 16 %. Тем самым все три ключевых финансовых показателя компании снова достигли новых рекордов: и выручка, и операционная прибыль, и чистая прибыль.

Поставки памяти DRAM в пересчёте на ёмкость за квартал выросли на 5 %. За это компания благодарит сезонный эффект увеличения спроса на смартфоны, а также стабильно высокий спрос на память серверного назначения. Средняя цена продаж памяти DRAM, тем не менее, выросла всего на 1 %. Увеличение спроса на память, как признаются в SK Hynix, обещает удержать цены на память от резкого снижения как в этом году, так и в следующем.

Поставки памяти NAND за квартал в пересчёте на биты выросли на 19 %, а средняя цена продажи микросхем флеш-памяти уменьшилась на 10 %. Этот негативный для производителя эффект компания компенсировала как наращиванием выпуска более плотной NAND-флеш, так и расширением ассортимента фирменных SSD. В третьем квартале выручка от поставок SSD компании значительно превысила 20 % от выручки всего флеш-бизнеса SK Hynix. Также более 20 % от продаж SSD компания получила на направлении производства твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Дальнейшее развитие производства DRAM и NAND компания видит в совершенствовании техпроцессов и в стабильном массовом производстве новинок. В частности, второе поколение техпроцесса класса 10 нм (1Ynm) для выпуска DRAM будет разработано до конца текущего года. До конца года также завершатся разработки 96-слойной 3D NAND.

Что касается заводов, то к концу года завершится ввод в эксплуатацию расширенной «чистой» комнаты на китайском заводе SK Hynix в городе Уси (Wuxi FAB). Массовое производство памяти DRAM на этом предприятии стартует в первой половине 2019 года. Завод M15 FAB в Южной Корее, формальный ввод в эксплуатацию которого состоялся ранее в этом месяце, начнёт поставлять продукцию в виде 3D NAND также в первой половине будущего года.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥