Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix нужны миллиарды, чтобы не отстать в гонке ИИ-памяти — компания нацелилась на IPO в США в этом году
25.03.2026 [07:03],
Алексей Разин
Пока одни эксперты указывают на формирование неблагоприятных условий для размещений акций, компании с большими потребностями в капитале не стесняются готовить IPO в текущем году. Среди них применительно к американскому фондовому рынку готова оказаться и южнокорейская SK hynix, которой нужны деньги на расширение производства памяти. 
Источник изображения: SK hynix Активность SK hynix в медийной сфере в последнее время подтверждает стремление обозначить свои масштабные планы по развитию производства памяти. Вчера стало известно о намерениях этого производителя потратить почти $8 млрд на закупку оборудования ASML для выпуска памяти. По данным Bloomberg и CNBC, компания SK hynix подала конфиденциальную заявку на размещение в США депозитарных расписок (ADR) в этом году. Данный шаг позволит компании привлечь финансовые ресурсы на американском рынке под обеспечение уже существующих акций без необходимости выпуска новых. SK hynix собирается выйти на американский фондовый рынок до конца текущего года. Дополнительные действия по оформлению заявки компания должна предпринять в ближайшие шесть месяцев. По данным южнокорейских СМИ, в ходе размещения на американском фондовом рынке SK hynix собирается привлечь от $6,7 до $10 млрд. При таких параметрах данное размещение может войти в историю Нью-Йоркской фондовой биржи, как одно из крупнейших среди зарубежных компаний. Руководство SK hynix на ежегодном собрании акционеров накануне заявило, что собирается направить на инвестиции в бизнес почти $67 млрд. Новое предприятие M15X в Южной Корее было возведено с опережением графика, крупный кластер по выпуску памяти в Йонъине за $15 млрд возводится по плану, а ещё SK hynix строит предприятие в американском штате Индиана для тестирования и упаковки памяти. Основные конкуренты тоже не сбавляют обороты: Micron недавно объявила о намерениях потратить $35 млрд на расширение мощностей в следующем фискальном году, а Samsung до конца текущего календарного года на подобные нужды в сочетании с исследованиями выделит более $73 млрд. SK hynix закупит у ASML новейшего EUV-оборудования для выпуска чипов почти на $8 млрд
24.03.2026 [12:47],
Алексей Разин
Нидерландская компания ASML редко открыто обсуждает свои взаимоотношения и договорённости с клиентами, но иногда они становятся достоянием гласности. На этой неделе стало известно, что южнокорейская SK hynix до 2027 года включительно направит $7,9 млрд на приобретение литографических сканеров ASML класса EUV, с помощью которых рассчитывает наладить выпуск чипов по передовым технологиям. 
Источник изображения: ASML Исторически производителям памяти не особо требовалось передовое литографическое оборудование, поскольку они применяли более зрелые техпроцессы по сравнению с производителями логических компонентов. Тем не менее, развитие многокристальной компоновки привело к появлению соответствующих потребностей и у производителей микросхем памяти. Закупаемое SK hynix у ASML оборудование класса EUV найдёт применение на обоих крупнейших предприятиях компании в Южной Корее. Этот заказ стал самым крупным среди раскрытых клиентами ASML. Новому оборудованию предстоит начать работу на предприятии SK hynix в Йонъине, которое сейчас возводится. Оно будет готово к февралю 2027 года. Не исключено, что EUV-сканеры потребуются SK hynix для выпуска более прогрессивных видов памяти типа HBM, которые используют базовые кристаллы с логикой, в настоящее время выпускаемые для SK hynix тайваньской компанией TSMC. Конкурирующая Samsung Electronics может самостоятельно выпускать и базовые кристаллы, и чипы DRAM для формирования стека HBM. По всей видимости, SK hynix в своей деятельности тоже стремится достичь подобной независимости от TSMC. Заметим, что Samsung Electronics при этом уже тестирует и самое передовое оборудование ASML, обладающее высоким значением числовой апертуры (High-NA). Оно будет востребовано при производстве чипов по техпроцессам тоньше 2 нм, им также интересуются TSMC и Intel. В дальнейшем EUV-оборудование пригодится SK hynix для выпуска обычной DRAM, как ожидают некоторые эксперты. Указанной суммы должно хватить на закупку примерно 30 новых EUV-сканеров ASML. Глава SK hynix рассказал, когда дефицит памяти может закончиться
17.03.2026 [12:28],
Алексей Разин
Одним из явных последствий бума систем искусственного интеллекта на данном этапе развития стал усиливающийся дефицит памяти большинства типов, который больно бьёт практически по всем сегментам рынка электроники. По мнению председателя совета директоров SK hynix Чхэ Тхэ Вона (Chey Tae-won), дефицит памяти продлится до 2030 года. 
Источник изображения: SK hynix Этот представитель отрасли вполне имеет право делать подобные прогнозы, поскольку SK hynix остаётся вторым после Samsung Electronics производителем памяти всех типов, а в сегменте HBM она лидирует благодаря своим плотным и давним связям с Nvidia. Как поясняет Nikkei Asian Review, главу южнокорейского гиганта пригласили в Калифорнию на конференцию GTC 2026, которую Nvidia использовала для анонса своей ИИ-платформы Vera Rubin. По мнению Чхэ Тхэ Вона, отрасли потребуется ещё от четырёх до пяти лет, чтобы наладить выпуск памяти в количествах, достаточных для удовлетворения спроса. В отличие от тайваньской TSMC, компания SK hynix пока не намерена активно расширять производство памяти за пределами родной страны. Как пояснил глава SK hynix, при реализации зарубежных проектов основной проблемой является доступ к водным и энергетическим ресурсам, и дело тут вовсе не в наличии государственных субсидий на строительство новых фабрик. Возможности производителей по наращиванию объёмов выпуска памяти ограничены, по словам представителя SK hynix, поэтому участникам рынка прежде всего следует постараться стабилизировать цены. Основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) вчера заявил, что спрос на ИИ-чипы вырос в 10 000 раз, поскольку профильные технологии применяются во многих отраслях экономики и весьма востребованы. Для SK hynix военные действия на Ближнем Востоке стали серьёзной проблемой с точки зрения сохранения доступа к энергетическим ресурсам и цен на них. Компании пришлось искать альтернативные источники энергоносителей для сохранения своей способности работать в обычном режиме. Это не мешает SK hynix задумываться о выходе на американский фондовый рынок через депозитарные расписки. Доступ к крупным рынкам капитала важен для любой компании, находящейся в стадии активного роста, а бум ИИ пока создаёт соответствующие условия для производителей памяти. Samsung опасается падения спроса на память с 2028 года
16.03.2026 [04:54],
Алексей Разин
Южнокорейская Samsung Electronics остаётся крупнейшим производителем памяти в мире, хотя в сегменте HBM эта компания и уступила лидерство SK hynix. Многолетний опыт работы на рынке заставляет Samsung задумываться о неизбежном снижении спроса на память. В компании считают, что после нынешнего ИИ-бума фаза спада начнётся в 2028 году, а потому готовятся к этому.  Прошлый опыт подсказывает Samsung, что чрезмерно вкладываться в расширение производственных мощностей в фазе роста опасно, ибо дальнейший спад спроса приводит к перепроизводству и огромным убыткам. Сейчас компания ставит перед собой задачу минимизации подобного риска с одновременной максимизацией прибыли на этапе активных продаж в условиях бума ИИ. Samsung будет вкладываться в расширение производства нового поколения HBM и освоение передовых техпроцессов, но с оглядкой на ожидаемый спад на рынке. Аналитики жалуются, что с начала ИИ-бума рынок стал более непредсказуемым, изменив продолжительность циклов, и для производителей памяти стало сложнее выстраивать свои инвестиционные стратегии. В этом году, тем не менее, эксперты не сомневаются в целесообразности концентрации на выпуске HBM в увеличенных количествах. Без пропорционального введения в строй новых производственных линий это приводит к дефициту прочих типов памяти, хотя Samsung старается и расширять свою производственную базу. Вводятся в строй новые линии комплекса в Пхёнтхэке, а в Хвасоне компания сосредоточена на освоении новых техпроцессов. Идёт подготовка к выпуску DRAM по шестому поколению 10-нм технологии (1c). SK hynix сильнее ограничена в свободных площадях для строительства, но и она старается вводить в строй новые линии по выпуску перспективных видов DRAM. Под эгидой южнокорейского правительства в Йонъине возводится гигантский комплекс по производству памяти, он может пригодиться обеим компаниям. Первая фаза строительства как раз продемонстрирует результаты к 2028 году, после чего начнётся вторая фаза развития местного комплекса. Американская Micron Technology тоже не сидит без дела. Она расширяет производство DRAM в США, на Тайване и в Сингапуре, наращивая выпуск HBM. Обычно производственные проекты требуют на свою реализацию около двух лет, поэтому к 2028 году все три производителя памяти заметно модернизируют свои возможности. В сегменте NAND, как ожидается, перенасыщение рынка может наступить ещё раньше. В сфере DRAM основными игроками являются три перечисленные выше компании, а на рынке NAND к ним добавляются Kioxia и YMTC, которые также активно наращивают мощности. Близкие к Samsung источники сообщили Chosun Biz, что ещё прошлым летом Samsung и SK hynix не рассчитывали столкнуться с бумом ИИ, а потому им было сложно подстроить свои инвестиционные планы под новую ситуацию на рынке. Выделять средства для расширения производства теперь приходится в срочном порядке. Память для флагманов нового поколения: SK hynix готовит 16-гигабитные чипы LPDDR6 со скоростью 10,7 Гбит/c
10.03.2026 [17:20],
Николай Хижняк
SK hynix объявила о разработке 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR6 на основе техпроцесса 10-нм класса шестого поколения (1c). По словам производителя, он недавно завершил первую в отрасли проверку 1c LPDDR6, впервые продемонстрировав продукт на выставке CES 2026. 
Источник изображений: SK hynix Новая память предназначена для смартфонов и планшетов, способных выполнять задачи, связанные с технологиями искусственного интеллекта непосредственно на устройстве. По данным SK hynix, новая память LPDDR6 обеспечивает увеличение скорости обработки данных на 33 % по сравнению с LPDDR5X, и обладает базовой рабочей скоростью более 10,7 Гбит/с, что превышает максимальную скорость LPDDR5X текущего поколения. SK hynix также заявляет, что новая память обладает на 20 % более высокой энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Компания объясняет это субканальной структурой и динамическим масштабированием напряжения и частоты (DVFS). Конструкция с субканалами позволяет работать только необходимым каналам передачи данных, в то время как DVFS регулирует напряжение и частоту в зависимости от рабочей нагрузки и условий работы устройства.  По словам SK hynix, эти изменения призваны улучшить время автономной работы и производительность многозадачности мобильных устройств. При более высоких нагрузках, таких как игры, память может повысить уровень производительности для увеличения пропускной способности. При более низком уровне использования она может снизить частоту и напряжение для уменьшения энергопотребления. SK hynix планирует завершить подготовку к серийному производству 1c LPDDR6 в первой половине 2026 года и начать поставки во второй половине года. По словам компании, этот продукт расширит линейку DRAM для мобильных устройств, ориентированных на искусственный интеллект, поскольку производители продолжают внедрять всё больше вычислений ИИ непосредственно в телефоны и планшеты. Samsung рассчитывает увеличить долю рынка HBM до 28 % благодаря HBM4
09.03.2026 [08:19],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics поспешила заявить о начале поставок микросхем памяти типа HBM4 некоему крупному клиенту, в котором угадывается Nvidia с её ИИ-ускорителями семейства Vera Rubin. По некоторым оценкам, в сегменте HBM4 именно Samsung останется крупнейшим поставщиком Nvidia, и это позволит ей увеличить свою долю на мировом рынке HBM с 20 до 28 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, на это рассчитывают представители TrendForce, которые попутно отмечают, что уже в этом месяце к поставкам HBM4 должны приступить оба ведущих производителя в лице Samsung и SK hynix. Первая из компаний, по прогнозам Hankyung, сохранит доминирование в поставках HBM4 для нужд Nvidia, но SK hynix всё равно будет лидировать на мировом рынке с учётом HBM3E, занимая на нём более половины. В прошлом году SK hynix могла похвастать долей в 59 %, но теперь Samsung должна укрепить свои позиции с 20 до 28 % за счёт активных действий на направлении HBM4. По имеющимся данным, памяти HBM4 производства Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia, которая требует от неё соответствия скоростям передачи информации свыше 10 Гбит/с, значительно превышающих стандартные для JEDEC 8 Гбит/с. Продукция Samsung способна стабильно передавать информацию на скоростях 10 Гбит/с и 11 Гбит/с, а вот SK hynix свою память под скорость 11 Гбит/с до сих пор оптимизирует. В ускорителях Nvidia Vera Rubin будут использоваться 16-ярусные стеки памяти типа HBM4. Micron, которая являлась вторым по величине поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, не будет отсечена от поставок HBM4, поскольку сохранит способность снабжать Nvidia соответствующей памятью для решений, оснащаемых менее быстрыми микросхемами этого типа. Конъюнктура рынка DRAM сейчас такова, что Samsung даже выгоднее выпускать модули оперативной памяти SOCAMM2 для серверных систем, а не более сложную в производстве HBM4. Кроме того, Nvidia не желает в сфере HBM4 зависеть от единственного поставщика, а потому у Samsung неизбежно появятся конкуренты в лице SK hynix и Micron. Samsung и SK Hynix снова повысят контрактные цены на память во втором квартале — спрос не ослабевает
01.03.2026 [16:31],
Владимир Мироненко
Samsung Electronics и SK Hynix, два крупнейших в мире производителя DRAM, известили клиентов о повышении цен на память во втором квартале и уже ведут переговоры с ними по этому поводу, сообщил ресурс Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. 
Источник изображения: Seoul Economic Daily Масштабы повышения цен варьируются в зависимости от клиента, и, как сообщают источники, небольшим компаниям придётся согласиться на существенное повышение цен, чтобы зарезервировать поставки DRAM. «Текущие производственные мощности Samsung Electronics позволяют удовлетворить лишь около 60 % постоянно растущего спроса на DRAM», — говорит представитель отрасли, поэтому, в стремлении обеспечить себе необходимые объёмы поставок, клиенты не решатся выступить против значительного роста цен, даже если они в некоторых случаях вдвое превысят стоимость согласно предыдущим контрактам. Крупные компании, такие как Nvidia и Apple, обычно заключают контракты на квартал или полугодие. Более мелкие компании традиционно заключали контракты на основе ежемесячных рыночных цен. Сообщается, что с IV квартала 2025 года, когда цены на DRAM начали резко расти, средние и мелкие компании перешли на квартальные контракты, устанавливающие объёмы поставок, выгодные для Samsung и SK hynix. Аналитики ожидают, что цены на DRAM могут более чем удвоиться в этом году. Например, согласно прогнозу исследовательской компании Gartner, цены на память, включая DRAM и твердотельные накопители, вырастут к концу года на 130 %. По данным исследовательской компании DRAMeXchange, цена чипа DDR4 8 ёмкостью 8 Гбит в марте прошлого года составляла около $1,30, к концу года она подскочила до $9,30, а к февралю этого года — ещё на 40 % до $13. Эксперты рассматривают резкий рост цен на память не как временный дисбаланс спроса и предложения, а как структурную проблему, когда предложение не может угнаться за долгосрочным спросом. Это связано с переходом индустрии ИИ к агентному ИИ, по мере внедрения которого спрос на DRAM, поддерживающую инференс и вычисления, продолжает стремительно расти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшем будущем, поскольку производственные мощности трёх крупнейших производителей памяти DRAM в этом году останутся почти на прежнем уровне — лишь у SK hynix ожидается рост год к году на 7 %. «Поскольку компании внедряют не один, а два или три ИИ для разных целей, спрос на DRAM продолжает расти, — отметил представитель отрасли. — Так как объёмы поставок на следующий год уже распроданы, ожидается, что тенденция к росту цен сохранится». Япония зовёт SK hynix и Samsung строить заводы памяти и предлагает щедрые субсидии — пока безуспешно
24.02.2026 [08:44],
Алексей Разин
Первое предприятие TSMC в Японии стало примером весьма успешного сотрудничества её руководства с местными властями, поскольку те не только непривычно щедро поддержали проект субсидиями, но и способствовали быстрому решению всех административных вопросов. Интерес существует и к строительству предприятий по производству памяти в Японии, но только не со стороны южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics. 
Источник изображения: TSMC Нельзя утверждать, что на территории Японии микросхемы памяти не производятся, ведь американская Micron Technology владеет местными предприятиями обанкротившейся в 2012 году Elpida, на которых производится DRAM, а местная Kioxia в больших количествах выпускает NAND на заводах, которые исторически принадлежали Toshiba. Тем не менее, как сообщает издание Chosun Biz, на протяжении последних нескольких лет японские власти то и дело намекали южнокорейским SK hynix и Samsung Electronics, что хотели бы видеть на своих островах их профильные предприятия. Напомним, крупнейшие заводы по выпуску памяти SK hynix и Samsung Electronics расположены в Китае, а не в самой Южной Корее. При этом обе компании являются крупнейшими производителями памяти в мире, и если по каким-то причинам работа китайских предприятий будет блокирована, то это грозит колоссальными проблемами всей полупроводниковой отрасли. SK hynix пришлось опровергать опубликованные недавно японскими СМИ слухи о намерениях компании направить на строительство собственного предприятия в Японии более $12 млрд. Предложения о локализации производства памяти южнокорейскими гигантами уже не раз поступали от японских властей, но первые свой отказ мотивируют причинами политического характера. С экономической точки зрения всё как раз весьма выгодно, поскольку организация производства памяти в Японии потребовала бы в два раза меньше средств, чем в Южной Корее. Тем более, что местные власти предлагают серьёзную инфраструктурную и административную поддержку, не говоря уже о материальных субсидиях. Последние предоставляются TSMC, Micron и Kioxia, поэтому южнокорейские производители памяти точно не были бы обделены поддержкой японских властей. В этой сфере главенствуют политические причины, поэтому Samsung и SK hynix не готовы строить свои предприятия по выпуску памяти в Японии. Глава SK Group заявил, что из-за дефицита памяти некоторые производители ПК и смартфонов могут не выжить
23.02.2026 [06:26],
Алексей Разин
Председатель правления SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) на деловом форуме в Вашингтоне заявил, что дефицит памяти меняет мировую полупроводниковую отрасль коренным образом. За пределами сегмента ИИ, по его словам, производители ПК и смартфонов не могут выпускать необходимое количество продукции, и некоторые из них будут вынуждены прекратить работу. 
Источник изображения: SK hynix Определённое представление о происходящем в сфере производства памяти председатель правления SK Group имеет, поскольку входящая в этот промышленный конгломерат южнокорейская компания SK hynix в прошлом году обошла по величине операционной прибыли Samsung Electronics — многолетнего лидера в сегменте. Как подчеркнул глава SK Group, при выпуске HBM норма прибыли превышает 60 %, но это не значит, что прочие виды памяти производить менее выгодно — напротив, из-за перекосов на рынке на других направлениях доходность может достигать 80 %. Чхэ Тхэ Вон пояснил, что ещё в декабре руководство SK hynix рассчитывало получить операционную прибыль в размере $50 млрд по итогам 2026 года, но в январе прогноз подняли до $70 млрд, а теперь он и вовсе превышает $100 млрд. «Это может показаться хорошей новостью, но в то же время, всё может обернуться убытками в размере $100 млрд. Волатильность очень высока, новая технология может стать выгодным решением, но из-за неё одновременно можно и всё потерять», — охарактеризовал специфику бизнеса в сегменте выпуска памяти представитель компании. Память для инфраструктуры ИИ остаётся в дефиците, его величина в этом году может превысить 30 %, сегмент буквально высасывает всё предложение на рынке. Инфраструктуре требуются и новые генерирующие мощности для энергоснабжения, и всё это провоцирует резкий рост расходов на строительство ЦОД. В США, например, для строительства вычислительных центров мощностью около 100 ГВт придётся потратить около $5 трлн, и это не считая расходов на развитие энергетической инфраструктуры. Развитие ИИ, по словам председателя правления SK Group, никому не удастся остановить, и обладающие ресурсами и капиталами компании окажутся в числе лидеров в этой гонке. Проходящий ежегодно форум TPD в Вашингтоне глава SK Group использовал для встречи с руководством крупнейших американских клиентов: Nvidia, Broadcom, Microsoft, Meta✴✴ Platforms и Google. С основателем первой из компаний Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), например, он провёл встречу в одном из заведений корейского общепита в Калифорнии. Возможность встретиться с американскими клиентами Чхэ Тхэ Вон использовал для принесения извинений по поводу отсутствия у SK hynix способности удовлетворить спрос на память в полной мере. «Чип, который поразит мир» пообещал показать на GTC 2026 глава Nvidia
19.02.2026 [14:40],
Николай Хижняк
Глава Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) в интервью южнокорейскому изданию The Korea Economic Daily сообщил, что его компания представит на конференции GTC 2026 в следующем месяце «чип, который поразит мир». Отмечается, что данный комментарий прозвучал на незапланированной встрече с журналистом издания во время ужина в ресторане, куда были приглашены инженеры Nvidia и SK hynix. 
Источник изображения: Nvidia Конференция GTC 2026 запланирована на 16–19 марта в Сан-Хосе, а выступление Дженсена Хуанга состоится 16 марта, согласно информации на страницах мероприятия Nvidia. Хуанг не уточнил, о каком именно продукте идёт речь и связан ли он с ускорителями для центров обработки данных, сетевыми решениями или другими категориями микросхем. В том же сообщении The Korea Economic Daily также цитируются слова Хуанга о том, что Nvidia подготовила «несколько новых чипов, которых мир ещё никогда не видел». При этом он подчеркнул, что дальнейшее повышение производительности микросхем становится всё сложнее по мере приближения технологий к физическим пределам. Хуанг также заявил, что SK hynix и Nvidia очень тесно сотрудничают и у них отличное партнёрство, добавив, что «обе компании разделяют общую судьбу» и являются «одной большой командой». «Эта команда невероятно усердно работала над решением сложной задачи, связанной с [ИИ-ускорителем] Vera Rubin и [памятью] HBM4, и они заслуживают прекрасного вечера с соджу и курицей», — заявил глава Nvidia. Заявления Хуанга не раскрывают какой-то дополнительной информации о запланированных анонсах на GTC 2026, но они подтверждают, что поставки и проверка HBM4 имеют центральное значение для предстоящей платформы Vera Rubin. В отдельном отчёте издания Reuters говорится о росте соперничества на рынке HBM4, поскольку производители стремятся ускорить её разработку и начать массовые поставки, потенциально обеспечив себе позицию ключевого поставщика памяти для ускорителей Vera Rubin. В частности, на днях сообщалось, что компания Samsung первой запустила HBM4 в серию. SK hynix предложила неоригинальный костыль для ускорения ИИ-моделей — гибридную архитектуру памяти HBM/HBF
17.02.2026 [19:52],
Геннадий Детинич
Светлая мысль разместить больше памяти рядом с процессором пришла не в одну голову. Год назад о разработке концепции замены памяти HBM (DRAM) памятью HBF (флеш) сообщила компания SanDisk. На днях работу о таком подходе опубликовала компания SK Hynix. Флеш-память NAND попросту плотнее памяти DRAM, и с позиции увеличения места под токены для ИИ замена одной на другую даст впечатляющий результат в виде роста скорости принятия решений. 
Источник изображения: SK Hynix Не секрет, что современные платформы на базе центральных, графических и тензорных процессоров сталкиваются с серьёзным ограничением по объёму приданной им памяти High Bandwidth Memory (HBM), что сплошь и рядом происходит при работе с большими языковыми моделями. Например, модели вроде Llama 4 поддерживают до 10 млн токенов, что требует кэш объёмом до 5,4 Тбайт. Стандартные решения, такие как частичный сброс кэша на локальные SSD, приводят к значительным задержкам из-за низкой пропускной способности шины и медленного доступа к накопителям. В результате образуется узкое место по пропускной способности, что можно обойти только наращиванием массива ускорителей, а это — лишние деньги и энергопотребление. Предложенная компанией SK hynix гибридная иерархия памяти или архитектура H³ (Hybrid³), объединяющая HBM и новый пока тип памяти High Bandwidth Flash (HBF) на одном интерпозере вместе с процессором, решает проблему нехватки памяти для токенов ИИ. Память HBM продолжит использоваться так же, как и раньше — для данных с высокой частотой записи и чтения (динамически генерируемый кэш), а HBF — для данных с интенсивным чтением. Использование флеш-памяти HBF обеспечит до 16 раз большую ёмкость при пропускной способности, близкой к HBM, хотя задержка доступа останется выше на один или даже два порядка, износостойкость будет ниже, а энергопотребление может быть в 4 раза больше. В то же время массив гибридной памяти окажется единым для процессора, а грамотная маршрутизация запросов сведёт на нет все негативные последствия «тормозов» флеш-памяти. Результаты моделирования на конфигурации Nvidia Blackwell GPU с 8 стеками HBM3E и 8 стеками HBF на интерпозере демонстрируют впечатляющие улучшения. При 1 млн токенов контекста производительность в токенах в секунду вырастает в 1,25 раза, при 10 млн токенов — уже в 6,14 раза по сравнению с чисто HBM-системой, а энергоэффективность становится выше в 2,69 раза. И если раньше для обработки запросов такого масштаба требовалось 32 GPU, то теперь работа может быть выполнена всего на 2 GPU с существенным снижением энергозатрат и общей стоимости системы. Ради такого стоит рискнуть и создать коммерческие решения, считают в компании. Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
13.02.2026 [08:40],
Алексей Разин
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia. ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin. Samsung начнёт коммерческие поставки памяти HBM4 уже в феврале, опередив конкурентов
09.02.2026 [04:27],
Анжелла Марина
Samsung Electronics станет первым производителем памяти, который начнёт коммерческие поставки чипов HBM4. Компания планирует отгрузить первые партии уже в середине февраля. Основным заказчиком выступит Nvidia, которая будет использовать HBM4 в своей вычислительной платформе следующего поколения Vera Rubin для ИИ-суперкомпьютеров. Ожидается, что Nvidia представит ускорители на базе этой памяти на конференции GTC 2026 в марте. 
Источник изображения: Samsung Electronics По сообщению южнокорейского издания The Korea Herald со ссылкой на отраслевые источники, новая память HBM4 от Samsung с самого начала проектировалась с превышением базовых отраслевых стандартов, установленных организацией JEDEC. Чип работает на скорости до 11,7 Гбит в секунду, что на 37 % превышает стандарт JEDEC в 8 Гбит в секунду и на 22 % выше показателя предыдущего поколения HBM3E. Пропускная способность одного стека достигает 3 Тбайт в секунду, а ёмкость составляет 36 Гбайт при двенадцатислойной компоновке. В перспективе шестнадцатислойная компоновка позволит увеличить объём до 48 Гбайт. Для производства памяти применены DRAM-техпроцесс шестого поколения 10-нм класса (1c) и собственный четырёхнанометровый логический кристалл. 
Источник изображения: Nvidia Для удовлетворения прогнозируемого спроса Samsung расширяет производственные линии на заводе Pyeongtaek Campus Line 4. После модернизации общий объём выпуска пластин с памятью 1c DRAM, предназначенных для HBM4, составит около 200 тысяч единиц в месяц. Это количество покрывает примерно четверть всех мощностей компании по производству DRAM. По оценкам аналитиков SemiAnalysis, рынок HBM4 будет поделен между двумя игроками: SK hynix займет около 70 % рынка, а Samsung получит оставшиеся 30 %, тогда как компания Micron фактически выбыла из конкурентной гонки. В предыдущих поколениях HBM Samsung сталкивалась с кризисом своей конкурентоспособности, уступая лидерство SK hynix. С помощью HBM4 разрыв может быть не только сокращён, но возможно и опережение конкурента, который получил раннее преимущество на фоне растущего спроса со стороны центров обработки данных для задач искусственного интеллекта. Samsung, SK hynix и Micron стали перепроверять все заказы на поставку памяти, чтобы исключить закупки впрок
01.02.2026 [16:26],
Николай Хижняк
По данным Nikkei Asia, три крупнейших производителя микросхем памяти — Micron, SK hynix и Samsung Electronics — усилили контроль за заказами клиентов, чтобы предотвратить преднамеренное накопление запасов. Источники издания сообщают, что производители чипов памяти теперь требуют от клиентов раскрывать информацию о конечных потребителях и объёмах заказов, чтобы убедиться в подлинности спроса и предотвратить перебронирование или чрезмерное накопление запасов, которые могут ещё больше дестабилизировать рынок. 
Источник изображения: Micron Продолжающийся дефицит чипов памяти сильнее всего ударит по потребительской электронике начального и среднего уровня такой, как телевизоры, телеприставки, домашние маршрутизаторы, бюджетные планшеты, смартфоны и ПК. Автомобильный сектор также может столкнуться со значительным давлением из-за более длительных циклов сертификации. Последствия повышения цен на память уже начинают проявляться во всех сегментах потребительской электроники. По данным TrendForce, до дефицита на чипы DRAM приходилось всего 2,5–3 % от общей себестоимости компонентов при сборке тех же телевизоров. С тех пор эта доля быстро выросла до 6–7 %, что оказало значительное давление на прибыльность брендов. Менее крупные бренды с меньшим масштабом производства и ресурсами, вероятно, будут нести более тяжёлое бремя, чем гиганты рынка. На фоне роста затрат и ужесточения поставок производители ПК также могут сократить объёмы выпускаемых продуктов. Аналитики TrendForce снизили свой прогноз по поставкам ноутбуков на 2026 год, пересмотрев его снижение с 5,4 % в годовом исчислении до более резкого падения на 9,4 %. Как пишет Nikkei Asia, в ответ на дефицит некоторые производители даже начали скупать старые запасы продуктов, хранящихся на складах заказчиков. Извлечение микросхем памяти из этих устройств и их повторная установка на другие печатные платы, нередко в рамках продуктов совершенно другого сегмента, позволяет повторно использовать компоненты и обеспечить дополнительные поставки. Однако такой подход, как сообщается, ограничен вторичными рынками, которые могут мириться с потенциальными проблемами качества. Издание добавляет, что некоторые производители ПК также разрабатывают модели устройств начального уровня с дополнительными слотами для памяти, что позволит пользователям при необходимости увеличить объём памяти позже. Гиганты в сфере производства памяти недавно отреагировали на сохраняющийся дефицит. SK hynix сообщила, что её запасы DRAM резко сократились в годовом исчислении в четвёртом квартале прошлого года и, как ожидается, продолжат сокращаться во второй половине этого года, что говорит о том, что ситуация с поставками для клиентов, вероятно, останется напряженной ещё некоторое время. Что касается флеш-памяти NAND, SK hynix отметила, что её запасы — в первую очередь для SSD — сокращаются со второй половины прошлого года и сейчас находятся на уровне, сопоставимом с запасами DRAM. По информации Hankyung, запасы DRAM у Samsung сократились примерно до шести недель, что составляет примерно половину от типичных 10–12 недель. Обладая крупнейшими производственными мощностями среди большой тройки производителей памяти, Samsung имеет все шансы извлечь максимальную выгоду из сложившейся ситуации на рынке. SK hynix на фоне бума ИИ впервые обошла Samsung по величине годовой прибыли
01.02.2026 [11:45],
Алексей Разин
Исторически именно Samsung Electronics на протяжении многих лет то и дело становилась крупнейшим поставщиком полупроводниковых компонентов в мире в показателях выручки. SK hynix, которая контролирует более 60 % рынка HBM, уже обходила Samsung по квартальной прибыли, но по итогам прошлого года впервые сделала это с учётом 12-месячного периода в целом. 
Источник изображения: SK hynix Об этом позволяет судить опубликованная на уходящей неделе финансовая статистика Samsung Electronics и SK hynix, на которую ссылается издание CNBC. Именно высокая степень присутствия SK hynix в прибыльном сегменте HBM позволила компании в прошлом году получить операционную прибыль, превосходящую достижения Samsung Electronics — в целом более крупной компании. По версии Gartner, крупнейшим поставщиком полупроводниковой продукции в мире теперь является Nvidia, за ней следует Samsung, а SK hynix именно по итогам прошлого года поднялась с четвёртого места на третье, выгнав Intel из первой тройки. В национальной южнокорейской валюте операционная прибыль SK hynix за прошлый год достигла 47,2 трлн вон ($32,5 млрд), тогда как Samsung Electronics довольствовалась 43,6 трлн вон ($30 млрд). Кстати, если выделить операционную прибыль Samsung именно в сфере производства памяти, то она окажется заметно меньше предыдущей суммы — всего 24,9 трлн вон ($17,2 млрд). При этом SK hynix практически полностью концентрируется на производстве памяти, тогда как Samsung является многопрофильным холдингом. Впрочем, последняя из компаний тоже не обошлась без прогресса, ведь по итогам четвёртого квартала прошлого года в отдельности ей снова удалось стать лидером по выручке от реализации памяти. Аналитики также ожидают, что Samsung удастся укрепить свои позиции в сегменте памяти для систем ИИ после начала поставок HBM4, хотя SK hynix и сохранит за собой лидерство в этой сфере. Как ожидается, заказы Nvidia на оснащение ускорителей Vera Rubin памятью HBM4 примерно на две трети будут выполняться силами SK hynix. В третьем квартале SK hynix контролировала около 57 % выручки в сегменте HBM, на долю Samsung приходилось не более 22 %. Позиции SK hynix сильны и в более широком сегменте DRAM, который сейчас также переживает трансформацию в связи с бурным развитием инфраструктуры ИИ. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
