Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix представила iHBM — память HBM со встроенным охлаждением ICE для будущих ИИ-чипов
26.05.2026 [11:15],
Павел Котов
SK hynix представила решение под названием iHBM: интегрированные охлаждающие элементы (ICE) встроили в корпус чипов высокоскоростной памяти HBM нового поколения. 
Источник изображения: skhynix.com Управление тепловыделением становится критической проблемой по мере развития технологии HBM и увеличения количества слоёв — оно необходимо для повышения скорости и удовлетворение спроса на обработку данных в области искусственного интеллекта. Эффективное управление плотностью мощности на физическом уровне D2D (Die-to-Die Physical Layer) — интерфейсе, который соединяет память с графическим процессором — выступает ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность HBM нового поколения. В решении iHBM компания применила структурный подход к решению проблемы управления тепловыделением. В существующих продуктах HBM используется косвенный метод охлаждения, предусматривающий отвод тепла через ядро кристалла. Схема iHBM предусматривает размещение ICE непосредственно в области D2D PHY, где концентрация тепла наиболее высока — там создаётся дополнительный путь для его рассеивания. Новое решение помогает снизить тепловое сопротивление на 30 %, обеспечивая стабильную работу чипов даже в условиях высоких температур и давления. Решение адаптировано под нужды массового производства: разработанный в SK hynix процесс Wafer Level Packaging (WLP) на основе технологии Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) способен обеспечить стабильный крупномасштабный выпуск чипов с iHBM. Предусмотрена и высокая совместимость с существующими архитектурами System-in-Package (SiP): клиенты могут внедрять новое решение с минимальными изменениями в конструкции. SK hynix намеревается внедрить iHBM в архитектуру HBM5. Samsung начнёт выпускать в Китае 286-слойную память 3D NAND
25.05.2026 [15:31],
Алексей Разин
С осени 2022 года власти США запретили поставки в Китай оборудования, позволяющего выпускать местным компаниям память 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук. Samsung и SK hynix, которые значительную часть своей памяти выпускают именно в Китае, получили освобождение от этих правил. Первой из них это позволит освоить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND уже в следующем году. 
Источник изображения: Samsung Electronics Разумеется, южнокорейские производители взялись гарантировать властям США, что получаемое ими для своих китайских предприятий оборудование никуда на сторону не попадёт. В конце марта, как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung начала на своём китайском предприятии в Сиане массовый выпуск 236-слойной памяти 3D NAND. Сейчас на этой площадке сворачивается производство устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить массовый выпуск 286-слойной памяти. Какое-то время она будет здесь производиться бок о бок с 236-слойной памятью. В Сиане Samsung производит около 40 % объёмов 3D NAND, поставляемых ею на мировой рынок. На родине в Южной Корее Samsung уже готовится начать выпуск памяти более нового поколения, которое поднимет количество слоёв за пределы 400 штук. Соответствующее производство должно стартовать во второй половине текущего года. Конкурирующая SK hynix в ближайшие два года рассчитывает запустить серийное производство 300-слойной памяти с технологией гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по классическому методу. Китайская YMTC в условиях адресных американских санкций уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ повышения ёмкости твердотельных накопителей без увеличения количества слоёв памяти 3D NAND. Производители HBM планируют физически отделить память от GPU, чтобы активнее наращивать её объём
25.05.2026 [07:46],
Алексей Разин
В своё время память типа HBM, характеризуемая вертикальной компоновкой нескольких кристаллов, была предложена именно ради повышения пропускной способности и ёмкости при ограниченных площадных габаритах. Тем не менее, потребности чипов ускорителей в объёме памяти и её пропускной способности явно превышают возможности производителей HBM, поэтому они задумал «отселить» её с чипа GPU. 
Источник изображения: Nvidia, ZDNet Как поясняет ZDNet со ссылкой на одного из южнокорейских производителей памяти, инженеры компании думают о перспективе переноса HBM с общей с GPU упаковки на отдельную печатную плату. При этом скоростной обмен данных планируется организовать при помощи оптических интерфейсов, которые будут соединять блок памяти с GPU. Такая компоновка позволит увеличить объём доступной одному GPU памяти типа HBM в несколько раз. Обсуждением этой концепции производители HBM уже занимаются со своими клиентами, как сообщает источник. Прежний метод масштабирования ёмкости HBM за счёт наращивания количества слоёв в стеке рано или поздно себя изживёт. Уже сейчас предлагается память с 16-ярусной компоновкой, в перспективе количество слоёв вырастет до 20 штук, но сложность и стоимость производства такой памяти при этом увеличивается экспоненциально. При этом увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU также проблематично, поскольку они не могут удаляться от него достаточно сильно без потери скорости передачи информации. Остаётся только работать над более скоростным интерфейсом, который позволит увеличить длину соединений без потери для быстродействия. Отдельной проблемой является поиск места для расположения чипов HBM, поскольку печатная плата ускорителя с GPU и без того плотно населена различными элементами. Возможно, чипы памяти будут располагаться на собственной небольшой печатной плате, которая будет монтироваться на основную вторым ярусом с оборотной стороны. Новый подход к размещению HBM также требует согласования с компаниями, специализирующимися на упаковке чипов, поскольку им предстоит внедрить оптический интерфейс. ИИ-бум удесятерил стоимость SK hynix — компания почти стала триллионером вслед за Samsung
14.05.2026 [11:16],
Павел Котов
Корейский производитель чипов памяти SK hynix вплотную подобрался к рыночной капитализации в $1 трлн — совсем недавно этот рубеж преодолел её основной конкурент в лице Samsung Electronics. Южная Корея оказалась крупнейшим в Азии выгодоприобретателем бума технологий искусственного интеллекта. 
Источник изображения: skhynix.com В 2025 году акции SK hynix подорожали на 274 %, а с начала текущего года прибавили ещё 200 % — успеху способствовал спрос со стороны отрасли ИИ на чипы обычной памяти и компоненты высокоскоростной HBM. Если SK hynix вслед за Samsung преодолеет порог рыночной капитализации в $1 трлн, Южная Корея станет второй после США страной, в которой более одной компании с такой стоимостью. Самой дорогой компанией в Азии остаётся тайваньская TSMC с рыночной капитализацией более $1,83 трлн. Вместе с производителями растёт и южнокорейский индекс KOSPI — в местных производителей чипов стали вкладываться как мелкие, так и крупные инвесторы. В 2025 году KOSPI взлетел на 75 %, показав лучший результат с 1999 года и став самым успешным крупным фондовым рынком в мире; в этом году он поднялся дополнительно на 86 %. Всего 16 месяцев назад SK hynix стоила менее $100 млрд, а сейчас она подобралась к величине рыночной капитализации розничного гиганта Walmart и инвестиционного фонда легендарного Уоррена Баффета (Warren Buffett) Berkshire Hathaway. Накануне акции SK hynix упали на 0,48 %, а ценные бумаги Samsung прибавили 3 % и обновили исторический максимум; рынок показывал рост на 0,9 % — недалеко от исторического максимума, достигнутого на этой неделе. По состоянию на среду, 13 мая 2026 года, рыночная капитализация SK hynix состояла около $948 млрд. SK hynix может привлечь Intel вместо TSMC к выпуску памяти HBM4
11.05.2026 [13:48],
Алексей Разин
Если Samsung Electronics располагает вертикально интегрированным бизнесом, в составе которого есть подразделение по контрактному производству чипов, то SK hynix приходится при производстве передовой памяти класса HBM сильно полагаться на партнёров. Одним из них может стать Intel со своей технологией EMIB. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает ZDNet, к этой методике упаковки чипов в исполнении Intel как раз присматривается SK hynix, планируя найти ей применение при производстве памяти поколения HBM4. Намерений одной только SK hynix в этой сфере мало — её заказчики также не должны возражать, чтобы память для них упаковывалась на предприятиях корпорации Intel. До сих пор SK hynix полагалась на TSMC и её метод упаковки CoWoS, но пределы возможностей последнего постепенно достигаются, а потому производители чипов начинают присматриваться к альтернативам, и одной из них может стать EMIB в исполнении Intel. Монолитный кристалл, который в состоянии выпустить TSMC, имеет площадь не более 830 мм2, а многокристальная упаковка типа 2.5D позволяет раздвинуть пределы компоновки. Считается, что будущие поколения HBM будут гораздо сильнее учитывать пожелания конкретных разработчиков ИИ-ускорителей по интеграции памяти, поэтому SK hynix вынуждена расширять круг своих партнёров в сфере передовых методов упаковки чипов. Исследовательская работа в направлении использования EMIB со стороны SK hynix уже ведётся, как сообщают источники. Дефицит довёл до того, что клиенты SK hynix готовы оплачивать создание новых линий по выпуску памяти
08.05.2026 [12:25],
Алексей Разин
Дефицит памяти, сложившийся в условиях бума ИИ, воодушевил производителей не только ростом цен и прибыли, но и появлением возможности заключать долгосрочные контракты с клиентами. Последние во многих случаях даже готовы оплатить строительство новых линий по выпуску продукции для своих нужд. 
Источник изображения: SK hynix По крайней мере, с такой ситуацией столкнулась южнокорейская SK hynix, как отмечает Reuters. Крупные заказчики готовы ради ускорения доступа к желаемым объёмам продукции оплачивать не только строительство новых предприятий и линий, но и закупку необходимого для них технологического оборудования. Разумеется, подобные инвестиции клиенты SK hynix предлагают на условиях исключительного использования полученных дополнительных мощностей для выпуска микросхем памяти под собственные нужды. Подобные предложения SK hynix оценивает критически, как поясняют источники, поскольку особые соглашения с отдельными клиентами могут создать напряжённость из-за неравенства в условиях поставок, включая объёмы партий, порядок приоритета и цены, по которым привилегированные клиенты смогут закупать память. При этом сейчас у SK hynix нет свободных мощностей, и обеспечить кого-либо выделенными производственными линиями она просто не может, даже если бы захотела. Кроме того, производители памяти просто не хотят «сделать ставку не на ту лошадь» в гонке ИИ, оказавшись связанными обязательствами с компанией, сотрудничество с которой для них будет невыгодным. По словам источников, впервые подобное предложение поступило от некоего клиента SK hynix на этапе строительства первой очереди комплекса по производству DRAM в южнокорейском Йонъине. Долгосрочные контракты с клиентами пытаются заключать и другие производители памяти, включая Samsung Electronics и Micron, но их специфические условия не раскрываются. Представители SK hynix лишь отделались комментарием о том, что стараются рассматривать различные условия долгосрочных контрактов, которые могут отличаться от традиционных. Для производителей памяти важно, чтобы клиенты в будущем не отказались от своих обязательств в части выкупаемых объёмов продукции или цены. Пока у первых есть возможность защищать свои интересы, они стараются предусмотреть выгодные для себя условия долгосрочных контрактов. Как правило, в таких соглашениях заранее оговаривается диапазон цен, поскольку исторически рынок памяти был очень волатильным с этой точки зрения на среднесрочных интервалах. Производители памяти также могут сейчас брать от 30 до 40 % предоплаты с клиентов. Переговоры профсоюза и руководства Samsung провалились — сотрудники требуют до 15 % прибыли
07.05.2026 [13:42],
Алексей Разин
Как уже отмечалось ранее, заметно окрепший профсоюз сотрудников Samsung теперь требует не только повышения базовой зарплаты рабочим, но и распределения в качестве премий до 15 % годовой операционной прибыли компании. На прежнем этапе переговоры сторон провалились из-за того, что руководство Samsung не захотело закрепить новый порядок расчёта премии в правилах и сделать её ежегодной. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает издание Financial Times со ссылкой на знакомые с ходом переговоров источники. Руководство Samsung Electronics согласилось было пустить на выплату годовой премии до 13 % операционной прибыли компании, но не было готово закрепить новый порядок расчёта в правилах, по которым он осуществлялся бы на ежегодной основе. Для сравнения, SK hynix взяла на себя обязательство распределять в виде премий между сотрудниками 10 % операционной прибыли на протяжении последующих десяти лет. Если исходить из текущих прогнозов по годовой операционной прибыли SK hynix, то в этом году каждый сотрудник компании сможет получить по $475 000 в виде годовой премии. Профсоюз Samsung настаивает, что базовый уровень оплаты труда нужно поднять на 7 %, а на премирование ежегодно пускать по 15 % операционной прибыли. У конкурирующих южнокорейских производителей памяти иные пропорции базовой зарплаты и годовой премии. В частности, в Samsung последняя не может превышать 50 % от годовой зарплаты, а вот SK hynix готова предлагать своим сотрудникам в шесть или семь раз больше денег в виде годовой премии, чем Samsung. Даже без учёта сверхприбылей в период бума ИИ, рядовой сотрудник SK hynix может рассчитывать на годовую прибыль в размере до $207 000. Сотрудник Samsung в подобных условиях сможет претендовать только на $31 000, но профсоюз намерен добиться увеличения этой суммы сразу на порядок. При этом выборочное поощрение сотрудников в структуре многопрофильного холдинга Samsung Electronics может вызвать недовольство у рабочих, занятых в других подразделениях, которые не связаны с выпуском микросхем памяти. Представители структуры Samsung, которая занимается выпуском смартфонов и телевизоров, от участия в намеченной на 18 мая всеобщей забастовке отказались. Выплата крупных премий занятым в производстве чипов сотрудникам Samsung вызовет справедливое недовольство всех остальных. Эксперты считают, что для нормализации ситуации полупроводниковый бизнес в составе Samsung должен будет обрести своего рода самостоятельность. Это позволит более свободно назначать премиальные выплаты. Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10 нм
27.04.2026 [07:21],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм. 
Источник изображения: Samsung Electronics Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec. Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F2 и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает. Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F2 подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры. В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F2 и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F2 и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a. 40 000 сотрудников Samsung вышли на протест, требуя премии до $400 000 в год
23.04.2026 [13:21],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта, характеризующийся высоким спросом на память и резким ростом цен, позволил производителям этого вида продукции резко увеличить выручку и прибыль. Сотрудники Samsung Electronics в таких условиях хотели бы рассчитывать на увеличение размеров премий, которые в среднем в три раза ниже, чем у коллег из SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как уже отмечалось, окрепший профсоюз Samsung Electronics, который охватывает примерно 70 % сотрудников компании, выступил с требованием увеличить долю операционной прибыли, распределяемой между работниками компании, до 15 %. При нынешнем уровне доходов это означало, что каждому из сотрудников причиталось бы в среднем по $400 000 в год, и это без учёта основной заработной платы. Члены профсоюза ссылались на конкурирующую SK hynix, работники которой получают в три раза больше премиальных выплат. Кроме того, профсоюз Samsung требует увеличения на 7 % базовой заработной платы сотрудников. Руководство компании пока готово направлять на премирование не более 10 % операционной прибыли Samsung. При этом сотрудникам подразделения, которое занято выпуском памяти, будут увеличены прочие выплаты в текущем году, которые призваны удержать их от перехода к конкурентам. Профсоюзу удалось на этой неделе вывести на улицу перед производственным комплексом Samsung в Сеуле около 40 000 сотрудников, которые несли в руках плакаты с требованиями повысить оплату труда и скандировали лозунги. Это крупнейшая акция, организованная профсоюзом Samsung. Если руководство компании не пойдёт на его требования, массовая забастовка сотрудников может начаться 21 мая и продлиться 18 дней. Помимо ущерба имиджу Samsung, это повлечёт многомиллиардные потери и усугубит ситуацию на рынке памяти, где и так наблюдается дефицит. По данным профсоюза Samsung, если в прошлом году сотрудник компании в среднем получал $51 280 базовой зарплаты и примерно половину этой суммы в качестве премии, то сотрудник SK hynix мог претендовать на премию, которая была в три с лишним раза выше. Многие сотрудники Samsung в итоге переходят на работу в SK hynix. Последняя раньше также имела ограничение на размер премиальных выплат, но позже его устранила, тогда как у Samsung он остался на уровне 50 % от основной зарплаты. SK hynix готова распределять в виде премий сотрудникам до 10 % своей годовой операционной прибыли. SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль в пять раз на фоне бума ИИ
23.04.2026 [04:54],
Алексей Разин
Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз. 
Источник изображения: SK hynix Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип. Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %. Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти. SK hynix построит фабрики по упаковке памяти HBM в США и Южной Корее
22.04.2026 [11:48],
Алексей Разин
Южнокорейская компания закрепила за собой статус лидера рынка HBM3E, хотя с учётом других типов памяти мировым лидером остаётся Samsung Electronics. Чтобы не уступать конкуренту прибыльный сегмент, SK hynix намерена в ближайшее время приступить к строительству двух новых предприятий по тестированию и упаковке памяти для сегмента ИИ в США и Южной Корее. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Reuters, в этом месяце SK hynix начнёт возводить предприятие такого профиля в родной Южной Корее, рассчитывая в общей сложности направить на эти цели около $12,85 млрд. Предприятие должно быть построено к концу следующего года, как ожидают источники. Во-вторых, в американском штате Индиана SK hynix приступила к формированию фундамента подобного предприятия, построить которое решила ещё в 2024 году. К полномасштабной деятельности по тестированию и упаковке памяти американское предприятие SK hynix в Индиане должно приступить во второй половине 2028 года. К тому времени оно уже сможет заниматься тестированием и упаковкой микросхем памяти типа HBM4E и HBM5. Подрядчики SK hynix уже начали забивать сваи на участке, где расположится американское предприятие компании. Местные власти были уведомлены о начале строительства ещё в конце прошлой недели. Как ожидается, на подготовку фундамента уйдёт несколько месяцев, и уже во второй половине текущего года начнут возводиться стены и кровля будущего предприятия. Общий бюджет проекта достигнет $3,87 млрд, если не возникнут дополнительные расходы или потребность в срочном расширении. Параллельно SK hynix будет расширять свои мощности по выпуску DRAM в Южной Корее. Предприятие Fab M15X недавно было расширено, и в новом корпусе уже начинается монтаж оборудования, чтобы в мае приступить к опытном производству продукции. Первое предприятие в новом комплексе в Йонъине будет построено в феврале следующего года, после чего начнётся монтаж оборудования для производства памяти. SK hynix на данном этапе развития планирует активно внедрять EUV-литографию при выпуске памяти, в обозримом будущем по всем производственным линиям в общей сложности будет распределено 20 соответствующих литографических систем. SK hynix начала массовое производство модулей памяти SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт для Nvidia Vera Rubin
20.04.2026 [14:37],
Алексей Разин
Микросхемы памяти LPDDR5X нашли применение в серверном сегменте, хотя изначально предназначались для мобильного, а по мере распространения на рынке систем поколения Vera Rubin тенденция будет выражена ещё сильнее. SK hynix сегодня сообщила о начале массового производства модулей памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт на чипах LPDDR5X. 
Источник изображения: SK hynix Соответствующую память SK hynix выпускает по 10-нм технологии нового поколения (1c), которая относится к шестому поколению соответствующих литографических норм. По информации SK hynix, такая память в исполнении SOCAMM2 обеспечивает вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с обычными модулями RDIMM, а энергетическая эффективность выше на 75 %. Память в исполнении SOCAMM2 одинаково эффективна как при обучении ИИ-моделей, так и в инференсе, когда используются большие языковые модели с сотнями миллиардов параметров. Использование LPDDR5X позволяет снизить энергопотребление, что благоприятно сказывается на затратах на эксплуатацию всей вычислительной инфраструктуры. По словам SK hynix, она уже готова снабжать облачных провайдеров памятью SOCAMM2 в модулях объёмом по 192 Гбайт в серьёзных количествах. Nvidia не будет единственным провайдером платформ, поддерживающим память в исполнении SOCAMM2, поскольку AMD в следующем году должна представить платформу Verano, которая также обеспечивает совместимость с такими модулями памяти. Помимо SK hynix, модули SOCAMM2 такого объёма поставляют Micron и Samsung Electronics. SK hynix начала поставки первых SSD на основе 321-слойной памяти 3D QLC NAND
08.04.2026 [12:26],
Алексей Разин
Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно. 
Источник изображения: SK hynix За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix. Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году. JEDEC разрешит памяти HBM4E подрасти — ради упрощения производства и снижения цены
03.04.2026 [16:01],
Алексей Разин
Формируемая несколькими слоями память типа HBM считается одной из самых быстрых на рынке, но она остаётся дорогой и сложной в производстве. По некоторым данным, стандартизирующий орган JEDEC готовит послабления в части требований к высоте стека HBM4E, чтобы облегчить жизнь и работу производителям памяти не только одноимённого поколения, но и последующих. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает издание Business Korea, которое заодно напоминает, что действующим стандартом JEDEC определена максимальная высота стека HBM3E в размере 720 мкм, а для HBM4 задан предел в размере 775 мкм. Как ожидается, для HBM4E шаг увеличения размера окажется заметно больше, поскольку максимальная высота стека ограничится 900 мкм. Предполагается, что за счёт этого в стеке можно будет разместить больше ярусов и тем самым увеличить ёмкость одного стека памяти. Современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, но производители памяти уже располагают образцами 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4. Кроме того, подобные послабления влекут целый ряд преимуществ. Во-первых, при производстве HBM следующих поколений можно будет сохранить технологию упаковки чипов в стеке — сейчас для этого применяется метод термокомпрессионного формирования связей, а перспективная технология гибридных связей пока не может применяться в массовом производстве из-за нестабильности качества продукции. Сохранив прежнее оборудование для производства новых типов памяти, можно будет не только сэкономить, но и не ограничивать объёмы выпуска продукции из-за нехватки новых типов оборудования. Во-вторых, поскольку требования к сложности выпускаемых чипов HBM будут снижены, снизится уровень брака и объёмы годной продукции удастся увеличить, а затраты снизятся. Правда, у возможных послаблений находятся и свои противники. Южнокорейские производители типа Samsung и SK hynix уже сейчас выпускают продукцию, которая превосходит требования стандартов JEDEC. Если эти требования станут мягче, это позволит конкурентам проще проникать на рынок, особенно китайским. Удобно устроились: долгосрочные контракты позволят Samsung и SK hynix расширять производство памяти на деньги клиентов
02.04.2026 [14:29],
Алексей Разин
Долгосрочные контракты в сфере поставок микросхем памяти теперь становятся нормой, период их действия нередко достигает пяти лет, а охватываемая номенклатура продукции оказывается довольно разнообразной. Как поясняет Business Korea, такие контракты в сочетании с авансовыми платежами упрощают производителям памяти задачу поиска средств на расширение своих мощностей и их модернизацию. 
Источник изображения: MediaTek По данным источника, производители памяти в условиях высокого спроса и дефицита продукции проявляют завидную изобретательность, составляя контракты с клиентами таким образом, чтобы максимально себя защитить от превратностей рыночной конъюнктуры в будущем. Исторически цены на память менялись циклически, в результате их падения производители на протяжении приличных по продолжительности периодов несли убытки. Заключая сейчас долгосрочные контракты с клиентами, производители памяти стараются не только предусмотреть крупные авансовые платежи, но и гарантировать предел цен, ниже которого они не опустятся на протяжении всего действия контракта. Корейские источники отмечают, что Samsung Electronics и SK hynix сейчас заключают контракты на поставку памяти сроком от трёх до пяти лет с облачными гигантами, которые строят свои крупные центры обработки данных, а с разработчиками GPU типа Nvidia сроки контрактов увеличены до трёх лет. Ранее контракты заключались на срок в один год, а цены могли пересматриваться ежеквартально. На таких условиях реализуется и обычная DRAM или NAND, а не только дорогая и востребованная HBM. Имея возможность получать от клиентов крупные авансовые платежи, производители памяти свободнее инвестируют в модернизацию и расширение предприятий, не нуждаясь в коммерческих кредитах. По крайней мере, самих производителей памяти подобные перемены на рынке радуют. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
