Теги → hynix
Быстрый переход

Huawei предложила Samsung и Hynix гарантировать поставки чипов, несмотря на возможные ограничения США

Huawei Technologies обратилась к южнокорейским компаниям Samsung Electronics Co. и SK Hynix Inc. с просьбой предоставить гарантии на высоком уровне по поводу того, что они продолжат поставлять микросхемы памяти, несмотря на усиливающееся давление со стороны США.

thestar.com

thestar.com

Как сообщает ресурс Korea Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники, Huawei призвала топ-менеджеров китайских подразделений двух южнокорейских производителей микросхем обеспечить стабильные поставки полупроводников, невзирая на недавно введенные правительством США ограничения.

В свою очередь, представители южнокорейских компаний опровергли публикацию ресурса. Представитель Samsung заявил, что никаких переговоров по этому поводу с Huawei не было, в то время как представитель Hynix не стал вдаваться в детали.

По данным Korea Economic Daily, компания Huawei входит в пятёрку крупнейших клиентов Samsung и SK Hynix, затрачивая ежегодно около 10 трлн вон ($8,1 млрд) на приобретение чипов флеш-памяти DRAM и NAND у южнокорейских компаний.

Публикация Korea Economic Daily вышла на фоне растущего давления на глобальных поставщиков со стороны Вашингтона, запретившего производителями чипов, использующим американское оборудование и технологии, поставлять свою продукцию Huawei без одобрения правительства США. И хотя производство модулей памяти не подпадает под ограничения, китайская компания, по всей видимости, не исключает такой вариант развития событий.

По словам ресурса, две южнокорейские компании поставляют более 70 % чипов DRAM по всему миру, и включение их в любые санкции США может поставить под угрозу выживание Huawei.

До конца квартала SK Hynix начнёт выпускать 128-слойную 3D NAND

Из-за пандемии коронавируса мировая экономика висит на волоске. Несмотря на беспрецедентную неопределённость, производитель памяти компания SK Hynix решила сохранить ранее запланированный на этот год объём капитальных затрат. Новый завод по выпуску памяти будет завершён, производство третьего поколения 10-нм памяти DRAM будет внедрено и расширено, а в текущем квартале компания начнёт выпуск 128-слойной 3D NAND.

Все вышеперечисленные планы и другие решения компания SK Hynix озвучила сегодня утром на отчётной квартальной конференции, посвящённой работе в первом квартале 2020 календарного года. В целом первые три месяца нового года стали для компании благоприятным временем для работы, хотя последствия вспышки коронавируса себя уже проявили в полный рост. Выручка компании за отчётный квартал достигла 7,2 трлн вон ($5,84 млрд), операционная прибыль составила 800 млрд вон ($648,73 млн), а чистая прибыль равнялась 649 млрд вон ($526,28 млн).

Несмотря на разыгравшуюся в мире пандемию коронавируса SARS-CoV-2, выручка и операционная прибыль за первый квартал в последовательном поквартальном сравнении увеличились на 4 % и 239 % соответственно. Положительную роль в этом сыграл взметнувшийся ввысь спрос на серверную память DRAM и серверные SSD-накопители. Карантин и самоизоляция граждан во всём мире потребовали увеличения мощностей для удовлетворения возросшего спроса на удалённые ресурсы и, следовательно, породили спрос на память и накопители.

Возросший спрос на серверные модули памяти компенсировал слабый спрос на память для мобильных устройств. Компенсация оказалась настолько серьёзной, что в её свете померк даже традиционно вялый сезонный спрос в этот период. Так, за квартал поставки DRAM в пересчёте на ёмкость сократились на 4 %, а средняя цена продажи выросла на 3 %. С флеш-памятью ещё лучше: поставки в битах выросли на 12 %, как и выросла на 7 % средняя цена продажи.

Впрочем, перспективы пугают даже SK Hynix. Компания предупредила, что ожидает сильнейшую неопределённость в экономике, если пандемия коронавируса затянется. Может произойти что угодно вплоть до нарушения производственной деятельности компании.

В то же время SK Hynix намерена придерживаться ранее утверждённого инвестиционного плана на текущий год. Чистая комната на новом заводе M16 для выпуска памяти будет подготовлена в конце текущего года. Также компания продолжит перевод части производственных линий по выпуску DRAM на выпуск датчиков изображения CMOS. Выпуск планарной NAND-флеш продолжит снижаться, а её место будет занимать память 3D NAND.

В сфере выпуска памяти DRAM компания намерена удовлетворять спрос на серверные модули памяти объёмом свыше 64 Гбайт. Продажи мобильной памяти поколения 1Ynm будут расширяться (второе поколение 10-нм техпроцесса). Во второй половине года будет начато производство третьего поколения 10-нм памяти DRAM для ПК и серверов. Планируется масштабный выпуск памяти GDDR6 и HBM2E.

Финансовые показатели SK Hynix в первом квартале 2020 года

Финансовые показатели SK Hynix в первом квартале 2020 года

В сфере выпуска NAND-продукции ожидается рост объёмов производства 96-слойной 3D NAND. В течение второго квартала компания начнёт массовое производство 128-слойной 3D NAND. Доля от продаж SSD компании продолжит расти и уже достигла в первом квартале 40 % среди продаж всей её флеш-продукции.

Планов много. Компания как может, организует работу в условиях пандемии. Восстанавливаются и корректируются цепочки поставок. Будущее не сулит много хорошего, но к его встрече SK Hynix готова.

SK Hynix ожидает дефицита памяти DRAM и планирует ускорить ввод нового завода

Пандемия коронавируса SARS-CoV-2 и вызванная ею изоляция граждан увеличили нагрузки на центры по обработке данных и удалённые сервисы. Возникла насущная потребность в расширении мощностей и в комплектации серверов. В частности, ожидается рост спроса на память DRAM. Замершие было инвестиции в отрасль вновь готовы политься рекой и встретить дефицит памяти достойным предложением.

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

Глава SK Group Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

По данным южнокорейских источников, компания SK Hynix рассматривает два шага для увеличения объёмов выпуска памяти DRAM в ближайшем будущем. Во-первых, завод компании в Китае в городе Уси может быть оснащён новыми производственными линиями для выпуска чипов DRAM. Во-вторых, ввод в строй новейшего и огромного предприятия M16 в южнокорейском городе Ичхон может быть ускорен. Тем самым суммарный объём ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин с памятью DRAM на заводах SK Hynix может быть увеличен ещё на 40–50 тыс. подложек. Это примерно 5 % от общемирового рынка памяти.

Первоначально завод M16 планировалось ввести в эксплуатацию в октябре 2020 года. Но в 2019 году в связи с продолжительным снижением цен на память инвестиции в отрасль были снижены и процесс строительства оказался растянутым во времени. Согласно последним планам, предприятие M16 должно начать работу в 2021 году. В связи с возможным ростом спроса на память из-за пандемии компания начала рассматривать вариант ускоренного ввода завода M16 в эксплуатацию. Это будет выражено в том, что закупки производственного оборудования могут начаться раньше. Не в январе или феврале 2021 года, как было запланировано, а уже нынешней осенью.

Что касается завода компании в Уси, то на этом предприятии есть свободные помещения, в которых можно развернуть дополнительные производственные мощности. Если руководство SK Hynix придёт к договорённости, то завоз новых линий на китайское предприятие компании может начаться летом. На эти цели потребуется $2,65 млрд.

Строительная площадка завода M16

Строительная площадка завода M16

Общие инвестиции в завод M16 в Ичхоне составят свыше $13 млрд. На этом предприятии будет выпускаться самая передовая память DRAM с техпроцессом класса 10 нм с использованием сканеров EUV. Сейчас SK Hynix спешит закупить производственное оборудование, поскольку карантинные меры могут привести к проблемам в цепочках поставок. Одновременно это даст возможность ускорить его развёртывание, если вдруг на горизонте замаячит угроза дефицита памяти.

SK Hynix начинает выпуск памяти нового типа, DDR5-8400 на горизонте

Поскольку конкуренты и партнёры всё чаще подталкивают к производству микросхем памяти типа DDR5, южнокорейская компания SK Hynix не смогла долго молчать о своих инициативах в этой сфере. Она начинает серийный выпуск DDR5 в этом году, а в перспективе рассчитывает покорить рубеж DDR5-8400.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

SK Hynix на страницах корпоративного сайта не без гордости напомнила, что ещё в ноябре 2018 года разработала микросхему DDR5 на 16 Гбит, и её позже сертифицировал комитет JEDEC. В свежей публикации компания поведала о преимуществах и некоторых характеристиках памяти типа DDR5, которую она начнёт серийно выпускать в текущем году.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

При проектировании SK Hynix закладывала достижение режима DDR5-4800, как минимум, но сам стандарт позволит компании создавать память до DDR5-8400 включительно. Существенное увеличение пропускной способности станет не единственным преимуществом памяти типа DDR5. Количество банков памяти будет увеличено с 16 до 32 штук. За одну передачу будет осуществляться до шестнадцати операций чтения-записи вместо прежних восьми. Функция Same Bank Refresh позволит системе сохранять доступ к остальным банкам памяти в момент, когда один из них обновляет содержимое. Наконец, будет внедрена функция коррекции ошибок непосредственно на уровне кристалла, а также функция подавления помех.

Номинальное напряжение будет снижено с 1,2 В до 1,1 В, что ожидаемо позволит снизить удельное энергопотребление на величину до 20 % в пересчёте на пропускную способность по сравнению с DDR4. Компания SK Hynix начнёт выпуск микросхем DDR5 ёмкостью 16 Гбит по литографической технологии 10-нм класса. Со временем она предложит монолитные кристаллы DDR5 на 24 Гбит. По прогнозам IDC, уже в 2021 году 22 % спроса будут приходиться на память типа DDR5, а через год показатель вырастет до 43 %.

Корейские производители сократят объёмы выпуска памяти на 2,7 %

За пределами КНР случаи заражения коронавирусом были зарегистрированы в Южной Корее в числе первых, поэтому отраслевые эксперты выразили озабоченность влиянием этой ситуации на производство памяти. В первом квартале объёмы выпуска микросхем памяти в этой стране последовательно сократятся на 2,7 %.

Источник изображения: AnandTech, SK Hynix

Источник изображения: AnandTech, SK Hynix

Подобными оценками делятся аналитики DigiTimes Research со страниц популярного тайваньского издания. Озабоченность клиентов влиянием коронавируса на выпуск памяти в Южной Корее уже заставила их увеличить закупки продукции SK Hynix и Samsung. Обе компании с осторожностью оценивают перспективы расширения производства в текущем году, предпочитая сосредоточиться на повышении эффективности производства и переходе на более прогрессивные литографические нормы.

Влияние вспышки коронавируса на спрос на микросхемы памяти для смартфонов пока ещё трудно оценить количественно. С одной стороны, непосредственно объёмы поставок смартфонов должны сократиться в первом квартале на 34 % в последовательном сравнении, как считают эксперты DigiTimes Research. С другой стороны, никто не отменял тенденцию к росту среднего объёма памяти в смартфоне, особенно на фоне экспансии сетей 5G. Тайваньские эксперты отмечают, что на производство памяти для серверов и твердотельных накопителей текущая ситуация с коронавирусом пока заметного влияния оказать не смогла.

Невиноватая я: SK Hynix дистанцируется от утечки про AMD Navi и HBM2e

Вчерашнее упоминание о возможных характеристиках памяти будущей флагманской видеокарты AMD выглядело вполне правдоподобно — изображение документа имитировало признаки официального источника, хотя и сочетало на одной странице разнородную информацию. SK Hynix от этой истории предпочла откреститься.

Самые разные источники давно приписывают AMD намерения создать видеокарту с архитектурой RDNA или RDNA 2, использующую память типа HBM2 или HBM2e. По крайней мере, для ускорения вычислений такой продукт бы сгодился, даже если был бы слишком дорог для розницы. «Долгожительство» Radeon VII во всех презентационных материалах AMD кажется искусственным, поэтому глава компании Лиза Су (Lisa Su) не скрывает, что флагманское графическое решение нового поколения будет представлено в текущем году.

Напомним, что на этой неделе один из анонимных источников опубликовал изображение документа, который вполне достоверно передавал фирменную стилистику SK Hynix. На одной странице причудливым образом соседствовали финансовая статистика, описание характеристик микросхем памяти типа HBM2e совокупным объёмом 24 Гбайт, а также словесное упоминание о сотрудничестве AMD и SK Hynix в сфере создания печатной платы для таинственной видеокарты Radeon RX 5950XT. Такая формулировка потом даже породила домыслы о намерениях AMD привлечь SK Hynix к выпуску печатных плат для нового флагмана на территории Южной Кореи из-за вспышки коронавируса в КНР.

Сама компания SK Hynix сегодня выступила с опровержением своей причастности к распространению и созданию указанного документа. Более того, она выразила решимость в защите своих юридических интересов при появлении подобной ложной информации в будущем, призвав средства массовой информации не способствовать её распространению. Интересы своих деловых партнёров и клиентов она готова отстаивать не менее ревностно.

Документация SK Hynix упоминает возможные характеристики флагманского AMD Navi

С начала года глава AMD Лиза Су (Lisa Su) не раз обещала представить графические решения нового поколения, и флагманский продукт семейства Navi среди них тоже упоминался. Нельзя исключать, что в подготовке к анонсу этого графического процессора участвует компания SK Hynix, предлагающая память типа HBM2e.

Источник изображения: NVIDIA

Источник изображения: NVIDIA

Один из блогеров на страницах Twitter разместил изображение, которое якобы запечатлело фрагмент официального документа SK Hynix, описывающего вероятные характеристики нового графического процессора с артикулом D32310 или D32315. Соответствующие изделия уже прошли сертификацию в Южной Корее, что только добавляет правдоподобности данной утечке.

Источник изображения: Twitter, CyberPunkCat

Источник изображения: Twitter, CyberPunkCat

Если изучить правую часть снимка внимательнее, то можно встретить упоминание о Radeon RX 5950XT — утверждается, что в разработке печатной платы для одноимённой видеокарты принимали участие специалисты SK Hynix. По всей видимости, они помогали интегрировать микросхемы памяти типа HBM2e, которые будут использоваться данным графическим решением. Объём памяти достигнет 24 Гбайт, она будет использовать 4096-разрядную шину и пропускную способность 2048 Гбайт/с.

Самое интересное, что источник описывает и конфигурацию графического процессора AMD, который будет использовать память типа HBM2e. Количество шейдерных процессоров достигнет 5120 штук, блоков выборки текстур — 320 штук, блоков растеризации — 96 штук, а количество вычислительных блоков будет ограничено 80 штуками. Кроме того, предусмотрена кеш-память второго уровня объёмом 12 Мбайт. Следует ли доверять этой информации, сказать сложно, но принять её к сведению определённо не помешает.

Коронавирус вплотную подобрался к южнокорейскому заводу SK Hynix

Коронавирус вышел за пределы Китая. Более того, он близко подобрался к одному из южнокорейских заводов компании SK Hynix по выпуску микросхем оперативной памяти DRAM. Во избежание риска распространения инфекции компания вынуждена была ввести карантин в учебных корпусах при заводе в Ичхоне.

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Как сообщает интернет-ресурс ZDNet, компания SK Hynix закрыла ряд своих учреждений и попросила работников этих заведений оставаться дома на карантине. Сделано это по той причине, что один из сотрудников находился в тесном контакте с пациентом, у которого выявлен коронавирус. Первые тесты показали заражение этого сотрудника, и сейчас он проходит второй раунд тестирования для подтверждения инфицирования.

На карантин отправлены 800 сотрудников SK Hynix. К счастью, это пока не повлияло на работу завода компании в Ичхоне, рядом с которым произошло заражение. Все сотрудники, отправленные на карантин, это либо новые работники на стадии обучения, либо обучающий персонал, а также работники больницы на территории кампуса. Закрыты только больница, там был выявлен ещё один сотрудник компании с признаками пневмонии, и учебные корпуса. Производственные цеха с 18 000 постоянными работниками SK Hynix, где выпускается память типа DRAM, продолжают работать в обычном режиме.

В Южной Корее коронавирус резко ускорил распространение во вторник, когда было объявлено о 31 подтверждённом случае заражения. Число заразившихся новой инфекцией в стране достигло 82 человек. Это тревожная тенденция. Корея ― это критически важное государство для мира компьютеров и не только. В ней сосредоточено почти 80 % производства памяти. С учётом высочайшей автоматизации вряд ли это производство будет остановлено полностью. Слабым звеном, скорее всего, могут стать каналы поставок сырья и транспорт. Очень хотелось бы этого избежать.

Свыше половины кремниевых пластин в мире потребляют пять полупроводниковых компаний

Производство полупроводников сосредотачивается в руках избранных. Десять лет назад пятёрка лидеров потребляла 36 % кремниевых пластин в мире, а сегодня пять крупнейших компаний поглощают 53 % от общемирового производства кремниевых подложек.

Данные по потреблению кремниевых пластин по итогам 2019 года опубликовала компания IC Insights. В свежем докладе Global Wafer Capacity 2020-2024 представлен обзор и прогноз по 25 крупнейшим компаниям полупроводникового сектора. Все представленные данные приведены к 200-мм эквиваленту, поскольку большинство предприятий обрабатывает пластины именно такого диаметра и 300-мм подложки проще привести к общему знаменателю.

Выводы аналитиков на декабрь 2019 года показывают, в пятёрке лидеров, в которую вошли производители памяти и компания TSMC (один чистый контрактный производитель чипов), каждая компания потребляет более 1 млн пластин в месяц. За предыдущие 10 лет, кстати, из пятёрки лидеров быстро вышли компании Intel (817 тыс. пластин в месяц), UMC (753 тыс. пластин в месяц), GlobalFoundries, Texas Instruments и STMicro.

Крупнейшим потребителем кремниевых подложек является компания Samsung. Каждый месяц она использует 2,9 млн 200-мм пластин. Это 15 % от общемирового потребления. Из этого объёма для выпуска памяти DRAM и NAND уходит свыше 60 % подложек. Дальше это число будет увеличиваться. Samsung строит в Южной Корее два новых завода и один возводит в Китае.

Тайваньская компания TSMC каждый месяц потребляет около 2,5 млн пластин или 12,8 % общей массы этой продукции. В 2019 году мощности TSMC пополнились цехом на Fab 15 и заводом Fab 18. Третье месть принадлежит компании Micron. Она потребляет чуть более 1,8 млн пластин или 9,4 % от мирового объёма. В 2019 году компания запустила новый завод в Сингапуре и выкупила у Intel завод в штате Юта (бывшее СП IM Flash). В 2020 году Micron откроет второй завод в Манассасе, штат Вирджиния.

На четвёртом месте расположилась SK Hynix с ежемесячным потреблением 1,8 млн подложек. Это 8,9 % от общемирового производства. Свыше 80 % пластин идёт на изготовление памяти DRAM и NAND. В 2019 году SK Hynix завершила строительство своего нового завода M15 в Чхонджу (Корея), и нового завода (C2F) на своем участке в Уси (Китай). В Корее компания готовится построить новый завод M16, но это будет нескоро.

Пятое место занимает пара Kioxia и Western Digital. Обе они потребляют 1,4 млн подложек или 7,2 % от общемирового потребления. В основном всё идёт на выпуск памяти NAND. Производство логики силами компании Toshiba в данной статистике не учитывается.

В число 12 лидеров по потреблению кремниевых пластин вошли 5 контрактных производителей компании TSMC, GlobalFoundries, UMC, SMIC и Powerchip (включая Nexchip). Вместе они каждый месяц потребляют 4,8 млн подложек или 24 % от общемирового потребления этой продукции.

SK Hynix будет по-новому строить чипы с вертикальным расположением кристаллов

Многокристальные упаковки чипов доказали свою перспективность и намерены развиваться дальше. Одним из таких путей развития станет увеличение числа контактов между уровнями в многокристальном стеке. Это увеличит скорость обмена, функциональность и гибкость «многоэтажных» сборок, на что решил сделать ставку производитель памяти, компания SK Hynix.

Как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, компания SK Hynix подписала широкое лицензионное соглашение с компанией Xperi. В числе прочего SK Hynix лицензировала технологию межкристальных соединений 2.5D/3D для пространственной сборки кристаллов в единую конструкцию. Это технология DBI Ultra, созданная внутри дочернего подразделения Xperi группы Invensas.

3D-стек матрицы Sony CIS на логику в сборке IMX260 с помощью DBI

3D-стек матрицы Sony CIS на логику в сборке IMX260 с помощью DBI

От себя добавим, что технологию DBI (Direct Bond Interconnect) в 2000 году предложил профессор Токийского Университета Тадамото Суга (Tadatomo Suga). Впоследствии она кочевала от собственника к собственнику и осела в руках компании Xperi с улучшениями, внесёнными командой Invensas. Технологию DBI, например, использует Sony для прямого монтажа на кристалл логики кристалла матрицы изображения (пример см. выше). На изображении вы можете видеть совмещение медных контактов после температурной обработки, в ходе которой верхний и нижний кристаллы были соединены механически и электрически без дополнительных элементов припоя и других соединительных элементов.

Технология межкристального соединения DBI Ultra позволяет создать на одном мм2 до 1 млн соединений, тогда как связь обычными контактами даёт только до 625 соединений на мм2. При этом толщину каждого слоя можно уменьшить в два раза. Это означает, что стек из 16 кристаллов, соединённых с помощью технологии DBI Ultra, будет такой же толщины, как стек из 8 кристаллов, соединённых обычной технологией связи.

Очевидно, компания SK Hynix с использованием технологии DBI Ultra будет выпускать новые поколения памяти HBM или даже оперативной памяти с лучшими характеристиками. Этот производитель также нацелен на выпуск матриц изображения, которым для дальнейшей интеграции тоже понадобится технология с более плотным размещением межчиповых связей. Наконец, область ИИ привлекает SK Hynix не меньше остальных, а это — гибридные многокристальные сборки, включая выпуск решений с процессорами, графическими ядрами, ASIC, SoC и ПЛИС. Для всего этого технология DBI Ultra подходит очень хорошо.

Вкратце о технологии DBI Ultra можно сказать следующее. Медные контакты для связи уровней формируются на этапе, близком к завершению обработки слоёв с помощью активации кристаллов плазмой. Затем после порезки на кристаллы происходит склейка кристаллов контактами друг к другу. При этом кристаллы разделены тончайшей диэлектрической плёнкой. На этом этапе происходит спекание кремниевых подложек при относительно низкой температуре до 250 °C. На следующем этапе при температуре до 400 °C происходит спекание медных контактов. Собственно, поэтому данная технология также называется гибридной (соединяются металл-металл и полупроводник-полупрводник).

Samsung начнёт выпускать самую быструю память HBM2E в текущем полугодии

Продукты с памятью типа HBM2E ещё не представлены, но SK Hynix и Samsung уже вовсю соревнуются в скоростях. Первая в том году пообещала выпустить память со скоростью передачи информации 460 Гбайт/с, вторая обещает начать выпуск памяти со скоростью передачи информации 538 Гбайт/с. Одновременно обновился стандарт JEDEC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Самое интересное, что в терминологии JEDEC обозначение «HBM2E» так и не прижилось, хотя Samsung в своём пресс-релизе эту память относит к третьему поколению. Формально, стандарт признаёт только существование памяти типа HBM2, которая с момента утверждения этого обозначения серьёзно эволюционировала. Например, в одном стеке могут располагаться в двенадцать ярусов микросхемы памяти объёмом по 2 Гбайт, в совокупности это позволяет разместить в одном стеке до 24 Гбайт памяти. Если вокруг специализированного процессора разместить четыре стека, совокупный объём памяти достигнет 96 Гбайт. Высоту этого стека обновлённый стандарт никак не регламентирует.

В текущем полугодии Samsung обещает наладить серийный выпуск микросхем памяти HBM2E с использованием техпроцесса 10-нм класса. Условное обозначение этой памяти — Flashbolt, это уже третье поколение HBM в производственной программе корейской компании. На начальном этапе будут производиться микросхемы, сформированные из восьми ярусов, совокупным объёмом 16 Гбайт. Штатная скорость передачи данных в пересчёте на один контакт соответствует стандартной — 3,2 Гбит/с, что в итоге даёт 410 Гбайт/с при использовании 1024-разрядной шины.

Желая потешить самолюбие, Samsung отдельно упоминает в пресс-релизе, что её память типа HBM2E способна передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с (4,2 Гбит/с на контакт). Это выше тех 460 Гбайт/с, которые в прошлом году обещала осилить SK Hynix. В любом случае, спецификациями подобные режимы не предусмотрены, а это значит, что эксплуатация на таких скоростях не гарантируется в ста процентах случаев.

В четвёртом квартале SK Hynix впервые за долгое время понесла убытки

Год 2019-й оказался для производителей памяти временем испытаний. Память подешевела так сильно, что приходится говорить об убытках, а не о прибыли. Так, несмотря на все ухищрения, впервые за долгое время о получении квартальных убытков сообщила компания SK Hynix.

Из опубликованного сегодня квартального отчёта южнокорейской компании SK Hynix следует, что за весь прошедший 2019 год выручка достигла 26,99 трлн южнокорейских вон ($22,72 млрд). При этом операционная прибыль компании составила 2,71 трлн вон ($2,28 млрд), а чистая прибыль равнялась 2,02 трлн вон ($1,7 млрд). Операционная рентабельность за этот период была 10 %, а чистая рентабельность ― 7 %.

Если мы сравним полученные в 2019 году показателями с результатами 2018 года, когда память была ещё в цене, то увидим катастрофическое снижение по всем пунктам. Так, операционная рентабельность в 2018 году составляла 52 %, что тогда привело к получению значительных сумм по выручке и прибыли (см. таблицу ниже). Снижение спроса и цен на память привело к тому, что в 2019 году выручка SK Hynix за год сократилась на 33 %, операционная прибыль упала на 87 %, и на 87 % снизилась чистая прибыль.

Экономическая ситуация в мире в 2019 году оказалась хуже прогнозируемой, сообщает нам компания. В течение этого года SK Hynix снижала объёмы производства и экономила на капитальных затратах, но это не помогло. Спрос со стороны клиентов был на крайне низком уровне, хотя цены на память продолжали снижаться.

Выручка компании в четвёртом квартале составила 6,93 трлн вон ($5,83 млрд). Компании удалось увеличить рост выручки за квартал на 1 %. Тем не менее, операционная рентабельность в четвёртом квартале упала до 3 %. От этого операционная прибыль снизилась до 236 млрд вон ($198,7 млн), а чистая квартальная прибыль и вовсе ушла в минус на 118 млрд вон ($99,35 млн). По сравнению с аналогичным кварталом 2018 года квартальная операционная прибыль упала на 95 %, а выручка снизилась на 30 %.

В течение четвёртого квартала SK Hynix нарастила выпуск памяти DRAM на 8 % в пересчёте на ёмкость. Но за это же время средняя цена продажи микросхем упала на 7 %. Объёмы поставок NAND компании за квартал увеличились на 10 % и, к счастью для SK Hynix, за это время средняя цена продаж чипов не изменилась.

Чтобы в дальнейшем улучшить свои финансовые показатели, компания обещает осторожно планировать объёмы производства и инвестиции в новые технологии. Впрочем, совершенствование техпроцессов продолжится, что обещает со временем снизить производственные издержки. В частности, SK Hynix планирует нарастить долю выпуска памяти DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса (1Ynm) и начать выпуск памяти с использованием третьего поколения техпроцесса (1Znm). Также она сосредоточится на перспективных типах памяти, например, на выпуске микросхем LPDDR5.

В сфере производства 3D NAND компания будет наращивать долю выпуска 96-слойных микросхем и приступит к массовому производству 128-слойной 3D NAND. Помимо этого SK Hynix собирается увеличить объёмы производства SSD-накопителей на своей памяти, чему мы будем только рады.

И золото, и платина: SK Hynix готовит NVMe SSD на 128-слойной 3D NAND

Южнокорейская компания SK Hynix десятилетиями поставляла компоненты для выпуска SSD сторонним производителям накопителей. На рынок накопителей SSD с фирменными моделями она начала выходить сравнительно недавно ― в 2012 году. К преимуществам таких SSD компания относит то, что они создаются на её собственной платформе, памяти, контроллерах и прошивке. Несмотря на это, SK Hynix является малоизвестным на Западе производителем SSD.

В августе этого года SK Hynix сделала очередную попытку выйти в свет с фирменными моделями твердотельных накопителей. Компания выпустила SATA SSD серии Gold S31, с которыми она также рассчитывала выйти на потребительский рынок в США, как утверждает автор сайта Tom's Hardware. Через неделю, на выставке CES 2020 в Лас-Вегасе, SK Hynix ещё раз подтвердит планы расширить своё присутствие на рынке потребительских продуктов SSD. Это выльется в анонс двух серий NVMe-накопителей: Gold P31 и Platinum P31.

Спецификации новых моделей не указаны. Сообщается только, что новинки будут использовать новейшие 1-Тбит микросхемы 4D NAND со 128 слоями. В декабре SK Hynix уже приступила к поставкам ознакомительных образцов SSD на этой памяти. Массовые поставки накопителей для OEM-сборщиков ПК и ноутбуков стартуют в первой половине 2020 года. Очевидно, что модели SSD SK Hynix для розничного рынка выйдут в те же сроки. До середины лета в магазинах появятся модели SSD SK Hynix объёмом до 2 Тбайт, а насколько они будут интересны, зависит от цен на новинки.

Чтобы снова стать крупнейшим поставщиком полупроводников, Intel просто топталась на месте

Специалисты IC Insights опубликовали уточнённый прогноз по выручке пятнадцати крупнейших поставщиков полупроводниковых изделий в начале этой недели, и давно обсуждаемый реванш Intel стал ещё более очевидным. Рост цен на память в начале 2017 года позволил Samsung сместить с трона Intel, которая занимала его с 1993 года, но в текущем году цены пошли вниз, увлекая за собой выручку всех производителей памяти. Samsung Electronics, надо сказать, ещё легко отделалась, поскольку её выручка по сравнению с прошлым годом должна снизиться на 29 %, тогда как у конкурентов дела обстояли хуже: Micron сократил выручку на 35 %, а SK Hynix — на все 38 %. Меньше всего пострадала Toshiba/Kioxia, выручка которой по итогам года должна сократиться на 18 %.

Источник данных: IC Insights

Источник данных: IC Insights

В непростых рыночных условиях 2019 года, который тревожил участников и попытками развязать «торговую войну», и снижением спроса на серверные компоненты, и падением цен на память, выручку на один процент смогли увеличить компании TSMC и MediaTek. Как поясняют авторы отчёта, если из рейтинга исключить TSMC, которая единственная в списке не имеет отношения к разработке полупроводниковых продуктов, то на пятнадцатую позицию рейтинга переехало бы подразделение HiSilicon, входящее в состав Huawei. Более того, эта китайская компания продемонстрировала рост выручки на 24 %, и это в условиях колоссального давления со стороны США. Аналогичную динамику финансовых показателей смогла продемонстрировать только Sony, которая выигрывает от растущего спроса на датчики изображения для цифровых камер. Японская компания переместилась с пятнадцатого на одиннадцатое место.

Компания Intel по итогам года должна опередить Samsung по размеру выручки на добрые 26 %. Тем интереснее отметить, что фактический размер выручки Intel по сравнению с прошлым годом не только не вырастет, но и слегка уменьшится. То есть, чтобы вернуть себе лидерскую позицию, Intel нужно было просто не терять в выручке, оставаясь на одном месте с точки зрения динамики финансовых показателей.

Десятое место прочно удерживает NVIDIA, но её величина годовой выручки должна уменьшиться на 12 % по сравнению с прошлым годом. Примерно половину соответствующего отчётного периода выручку NVIDIA подогревал спрос на видеокарты со стороны участников криптовалютного рынка. Компании до сих пор сложно говорить о росте финансовых показателей в годовом сравнении во время квартальных отчётов, хотя «внутри года» выручка начала расти.

SK Hynix готова к поставкам инженерных образцов 1-Тбит 128-слойных чипов памяти 3D NAND TLC

В июне компания SK Hynix сообщила о завершении разработки первых в мире 128-слойных 1-Тбит чипов памяти 3D NAND TLC и о начале массового производства этих микросхем памяти. К сегодняшнему дню компания подготовилась к поставкам инженерных образцов новейшей продукции как в виде отдельных микросхем для сторонних производителей твердотельных накопителей, так и в виде готовых к использованию фирменных накопителей для смартфонов, компьютеров и серверов. Поставки всего перечисленного SK Hynix начнёт до конца текущего месяца, что будет происходить с опережением графика.

Производители смартфонов получат от SK Hynix однокорпусные SSD с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом 1 Тбайт. Толщина сборки составит всего 1 мм, что будет с энтузиазмом воспринято производителями тонких флагманских смартфонов. Ранее 1-Тбайт сборки создавались из 512-Гбит кристаллов, теперь их понадобится в два раза меньше. Без этого, уверены в компании, невозможно было создать однокорпусный накопитель рекордно небольшой толщины.

В коммерческой продукции 1-Тбайт UFS 3.1 накопители SK Hynix появятся во второй половине нового года. Это будут одни из самых энергоэффективных и быстрых решений. Например, адаптация технологии Write Booster в два раза ускорит последовательную запись на накопители SK Hynix. Фильм объёмом 15 Гбайт будет загружен всего за 20 секунд. Это станет важным подспорьем для работы в сетях 5G.

Для OEM-производителей мобильных ПК на основе 128-слойной 1-Тбит 3D NAND TLC будет создан 2-Тбайт SSD с высочайшей в индустрии энергоэффективностью. Так, если 2-Тбайт модель на 96-слойной памяти потребляла 6 Вт, то потребление 2-Тбайт модели SSD на новой 1-Тбит 128-слойной памяти составляет всего 3 Вт. Коммерческие поставки таких накопителей на фирменном контроллере SK Hynix и с фирменной прошивкой начнутся в первой половине нового года. Эти SSD будут вооружены шиной PCIe 3.0 и обеспечат последовательную скорость передачи данных на уровне 1200 Мбайт/с с питанием 1,2 В.

Серийные поставки серверных SSD в формфакторе E1.L объёмом 16 Тбайт на новых 1-Тбайт 128-слойных микросхемах компания начнёт во второй половине нового года. Данные накопители также будут опираться на фирменные контроллер и прошивку SK Hynix. Заявленные устоявшиеся скорости чтения будут достигать 3400 Мбайт/с, а скорости записи ― 3000 Мбайт/с. Обещана поддержка протокола NVMe 1.4.

В заключение добавим, что рекорд плотности записи 3D NAND по-прежнему принадлежит компании Toshiba (1,33 Тбит в 96-слойном исполнении), но он достигнут за счёт записи четырёх бит в каждую ячейку. В этом плане 1-Тбит 128-слойный чип SK Hynix проигрывает конкуренту, но обещает ощутимо большую устойчивость к износу.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥