Опрос
|
реклама
Быстрый переход
К концу года SK hynix намерена начать массовое производство 375-слойной памяти 3D NAND
15.06.2026 [15:10],
Алексей Разин
Прогресс в технологиях производства твердотельной памяти важен, поскольку он позволяет увеличивать плотность хранения информации. Южнокорейская SK hynix, как сообщает The Elec, к концу текущего года планирует начать массовое производство передовой 375-слойной памяти типа 3D NAND. 
Источник изображения: SK hynix Верификация соответствующих технологий компанией уже завершена, началась подготовка к их масштабированию в условиях массового производства. Для освоения выпуска 375-слойной 3D NAND этот производитель не собирается строить новое предприятие, вместо этого модернизации будут подвергнуты имеющиеся на территории комплекса M15 в Чхонджу производственные линии, которые сейчас используются для изготовления памяти 3D NAND с 176, 238 и 321 слоями соответственно. В планах SK hynix память с 375 слоями фигурировала, как относящаяся к 400-слойному классу. Количество слоёв по мере приближения к моменту фактической реализации планов было сокращено из-за производственных сложностей, которые неизбежно возникают в этой сфере по мере увеличения количества слоёв в микросхемах памяти. Тем не менее, в дальнейшем SK hynix рассчитывает увеличить количество слоёв до 480 и 604 штук соответственно. Одним из новшеств при производстве 375-слойной памяти станет использование молибденовой плёнки вместо вольфрамовой в электродах металлических затворов. По мере увеличения слоёв возрастает электрическое сопротивление вольфрама, что замедляет передачу сигнала. В подобных условиях молибден демонстрирует более низкое сопротивление, позволяя ускорить передачу сигнала и поднять скорость записи и удаления данных. При нанесении вольфрамового покрытия, к тому же, требуется вспомогательный слой, который увеличивает толщину структуры, тогда как молибден позволяет обойтись без этого и увеличить плотность чипа. Использование молибдена представляет определённые технологические трудности, поскольку в твёрдой форме он существует в качестве сырья при комнатной температуре, а наносить его придётся при нагреве. Конкурирующая Samsung Electronics на использование молибдена перешла ещё в апреле 2024 года при выпуске 286-слойной памяти 3D NAND. Во второй половине текущего года Samsung планирует начать массовый выпуск памяти с более чем 400 слоями. Молибден при этом будет использоваться более активно, чем предусматривалось изначально. Samsung для нанесения молибдена отдаёт предпочтение оборудованию американской Lam Research, а SK hynix собирается применять оборудование японской Tokyo Electron. В первом случае за один подход обрабатывается только одна кремниевая пластина, а японское оборудование позволяет в специальной печи обрабатывать по 100 пластин одновременно. Оно не только более компактное и дешёвое, но позволяет более экономично расходовать молибден. Поставлять сырьё для нужд SK hynix планируют компании Air Liquide, Entegris и Merck KGaA, в числе корейских кандидатов фигурирует SK Specialty. Спрос на молибден в этой сфере будет увеличиваться. SK hynix на первых порах планирует потреблять до 4 тонн сырья в год, тогда как Samsung только в этом году потребуются 10 тонн молибдена. В следующем году потребность второй из компаний увеличится до 25 тонн, а к 2030 году достигнет 80 тонн. Производителям 3D NAND выгоднее наращивать производство более дорогой и ёмкой памяти, чем просто расширять мощности, стратегия SK hynix в этой сфере соответствует данному принципу. SK hynix ускоряет график поставки образцов HBM4E, не желая отставать от Samsung
15.06.2026 [08:50],
Алексей Разин
В конце мая Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, опередив тем самым основного конкурента в лице SK hynix, с которым была не в силах справиться в рамках жизненного цикла HBM3E. Вторую из компаний это явно не устраивает, поэтому свои образцы HBM4E она намеревается начать поставлять с опережением графика. 
Источник изображения: SK hynix По информации южнокорейских СМИ, первоначально SK hynix рассчитывала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, но теперь она прилагает усилия к началу поставок либо в текущем месяце, либо в июле самое позднее. Формально, это подразумевает некоторое ускорение поставок относительно изначального графика. Если учесть, что HBM4E сама по себе подразумевает глубокую адаптацию памяти под нужды конкретных заказчиков, снабжать их образцами памяти нужно начинать заранее, чтобы быстрее выйти на серийные поставки в будущем. Скорее всего, HBM4E будет использоваться в ускорителях Nvidia семейства Rubin Ultra, которые выйдут на рынок в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, поэтому общая потребность в таких чипах увеличится. При производстве своей HBM4E компания SK hynix собирается применять техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы собирается выпускать по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусном исполнении со скоростями передачи данных от 14 до 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. В одном стеке HBM4E может содержаться до 48 Гбайт памяти. Богатеющие сотрудники Samsung и SK hynix разгоняют цены на недвижимость в соседних с фабриками городах
14.06.2026 [07:55],
Алексей Разин
Недавняя забастовка позволила занятым в производстве памяти сотрудникам Samsung Electronics претендовать на годовую премию в размере до $428 000 на человека, но эти деньги они увидят только в следующем году, и главным образом в форме акций компании. В любом случае, растущее благосостояние сотрудников предприятий Samsung и SK hynix вызывает рост цен в тех южнокорейских городах, где они располагаются. 
Источник изображения: Samsung Electronics Публикацию на эту тему сделала Financial Times. По словам агентов в сфере недвижимости, в пригороде Хвасона, где у Samsung Electronics расположено крупное предприятие по выпуску памяти, цены на жилую недвижимость за последние две недели взлетели на $132 000, если рассматривать самые доступные апартаменты, причём желающих продавать их по новым ценам пока не так много — продавцы замерли в ожидании дальнейшего роста цен. В Донгтане живут и сотрудники SK hynix, которые добились более комфортных условий оплаты труда раньше своих коллег из Samsung Electronics. С сентября прошлого года цены на жильё в одном из крупных комплексов Донгтана выросли примерно в полтора раза. Более половины покупателей жилья здесь платят всю сумму наличными. Значительная часть сделок носит инвестиционный характер, хотя находятся и те, кто покупает квартиры для своих близких, уже располагая собственным жильём. Samsung, помимо прочего, готова предоставлять сотрудникам льготные кредиты на покупку жилья, позволяющие покрыть до трети его стоимости. Это дополнительно поднимет цены на жилую недвижимость в регионе, как считают специалисты. Сотрудники Samsung и SK hynix теперь могут претендовать на годовые премии в размере, в 12 раз превышающие среднюю заработную плату в Южной Корее. Выручка крупных магазинов в Донгтане в этом году выросла на 25 % в годовом сравнении, а в сегменте люксовых товаров —на все 40 %, так что богатеющие сотрудники производителей памяти тратятся не только на недвижимость. В соседнем Ичхоне, где располагается штаб-квартира и крупнейший производственный комплекс SK hynix, количество вставших на учёт импортных автомобилей, которые в Южной Корее заметно дороже производимых в стране, с начала этого года более чем удвоилось. Налоговые поступления в местный бюджет при этом тоже возросли. При этом сотрудники смежных подразделений Samsung, которые не вовлечены в производство памяти, продолжают жаловаться на несправедливое распространение прибыли компании. Рядовой рабочий на конвейере по выпуску памяти может получать больше руководителя департамента в контрактном подразделении Samsung. Подобное расслоение начинает психологически давить на тех сотрудников компании, которым не посчастливилось быть причастными к выпуску памяти. Бум ИИ споткнулся о бетономешалки: забастовка водителей грозит сорвать расширение фабрик Samsung и SK hynix
12.06.2026 [10:00],
Алексей Разин
Бум искусственного интеллекта выявляет неожиданные «узкие места» в самых разных отраслях, и человеческий фактор не становится исключением. Samsung Electronics удалось избежать крупнейшей забастовки рабочих, но планы южнокорейских производителей чипов по расширению мощностей рискуют пострадать от забастовки водителей бетономешалок, которые участвуют в строительстве. 
Источник изображения: Unspalsh, meow suk У представителей данной сферы деятельности в Южной Корее есть свой профсоюз, и он с понедельника инициировал приостановку доставки готового бетона в Сеуле и окрестностях. В забастовке приняли участие 8000 членов этого профессионального объединения водителей строительной техники. По данным южнокорейских СМИ, с четверга прекратилась поставка бетона на строительную площадку в Пхёнтхэке, где Samsung расширяет комплекс по производству микросхем памяти. У конкурирующей SK hynix возникли аналогичные проблемы в Йонъине, где она тоже расширяет свои производственные мощности. Компания попыталась минимизировать краткосрочный ущерб, пересмотрев последовательность возведения своих строительных объектов. Как и в случае с несостоявшейся забастовкой сотрудников Samsung, водители бетономешалок требуют повышения зарплат и пересмотра условий труда. Руководство профсоюза уже провело переговоры с работодателями, достигнув предварительного соглашения, но по итогам голосования в среду оно не было принято членами профсоюза. В этих условиях забастовка продолжилась. Строители успели немного ускорить поставки бетона в ожидании этой акции, поэтому в краткосрочной перспективе ущерб от забастовки не будет серьёзным. Если же поставки бетона на строительные площадки не будут возобновлены позднее, это окажет серьёзное негативное влияние на сроки реализации проектов местных производителей чипов. К 2034 году SK hynix утроит объёмы выпуска памяти, но даже этого не хватит
11.06.2026 [06:51],
Алексей Разин
Глава совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) уже заявлял в начале этого месяца, что в течение ближайших пяти лет дочерняя SK hynix сможет удвоить мощности по производству микросхем памяти. Как выясняется, в перспективе до 2034 года они могут быть утроены, так что текущим десятилетием экспансия производства не ограничится. 
Источник изображения: SK hynix В этом глава SK Group признался на текущей неделе представителям ресурса Nikkei Asian Review на специализированном форуме в Токио: «Поскольку мы следуем плану максимального расширения, расчёты показывают, что наши производственные мощности по обработке кремниевых пластин удвоятся за ближайшие пять лет. Честно говоря, когда все эти предприятия будут построены, они не только удвоятся, но и утроятся примерно к 2034 году. Люди уже говорят, что и этого будет недостаточно». Сейчас SK hynix возводит четыре новых предприятия по производству памяти в Южной Корее, первое из них будет построено к началу следующего года. Первоначально данный проект был рассчитан до 2045 года, но компания решила ускорить его примерно на десять лет. Быстрее этого двигаться в данном направлении сейчас просто не получится, как пояснил председатель совета директоров SK Group. После завершения строительства нового комплекса в Южной Корее, компания может задуматься о возведении дополнительных мощностей за пределами страны — в той же Японии, где для реализации подобных проектов есть все необходимые ресурсы и условия, включая квалифицированный персонал. Япония является «более чем адекватным кандидатом» для строительства предприятий SK hynix за пределами Южной Кореи, как добавил Вон. Для реализации такого проекта нужна готовая инфраструктура, строить предприятия просто в «чистом поле» нецелесообразно и дорого, по его словам. Количество игроков рынка решений для инфраструктуры ИИ будет только расти, как считают в SK Group. Распространение ИИ не ограничится корпоративным сектором, постепенно он всё же внедрится в потребительском сегменте через агентов. С точки зрения динамики фондового рынка избежать волатильности при этом не удастся, по словам Вона. Сейчас капитализация SK hynix превышает $1 трлн, она утроилась с начала года, но на рынке возможны и резкие падения, как признаёт глава SK Group. Акции TSMC и других азиатских техногигантов массово дешевеют вслед за американскими
08.06.2026 [17:20],
Владимир Мироненко
Акции технологических компаний в Азии продолжили в понедельник падение, начавшееся с американского рынка на прошлой неделе. Южнокорейские производители памяти Samsung Electronics и SK Hynix, завершили торговую сессию снижением на 10,18 % и 7,68 % соответственно. Индекс Kospi упал на 8,29 %, до 7484,4 пункта поскольку на долю этих двух компаний приходится более 40 % индекса. 
Источник изображения: Jason Briscoe/unsplash.com До этого, на прошлой неделе американский индекс Nasdaq, в котором преобладают технологические компании, упал более чем на 4,5 %, сообщил CNBC. «Обвал, вызванный технологическим сектором, привел к потере примерно $1,8 трлн рыночной капитализации S&P 500», — говорится в записке банка United Overseas Bank (UOB), опубликованной в пятницу. Акции TSMC опустились в понедельник на 2,96 %, Hon Hai Precision (Foxconn) — на 5,27 %. Ценные бумаги японского технологического конгломерата SoftBank Group подешевели на 6,1 %, а Tokyo Electron и Advantest — на 7,45 и 5,72 % соответственно. Акции производителей микросхем в Европе последовали за азиатскими аналогами, снизившись в начале торговой сессии, но затем восстановились и вышли в положительную зону к середине дня. Акции BE Semiconductor выросли на 1,4 %, ASML — на 0,2 %, Infineon — на 0,9 %, а STMicroelectronics — на 0,3 %. Акции ASM International снизились на 0,7 %. Падение рынка было спровоцировано публикацией отчёта Broadcom за второй финансовый квартал на прошлой неделе. Прогноз роста её выручки не оправдал ожиданий Уолл-стрит, что привело к резкому падению акций компании и вызвало цепную реакцию в технологическом секторе. Как отметил ресурс CNBC, инвесторы предпочитают не рисковать на фоне ожиданий того, что процентные ставки в США могут оставаться высокими в течение длительного времени после публикации на прошлой неделе данных по рынку труда, которые значительно превзошли прогнозы. «Мы переносим последние два снижения ставок в нашем прогнозе ФРС на июнь и декабрь 2027 года. Рынок труда оказался сильнее, чем мы ожидали», — сообщается в записке Goldman Sachs, опубликованной в пятницу. Nvidia и SK hynix подписали соглашение о долгосрочном сотрудничестве в «широком спектре технологий»
08.06.2026 [04:46],
Алексей Разин
Основатель и бессменный лидер Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) во время своего визита в Южную Корею не стал ограничиваться заявлениями о том, что все три крупнейших поставщика HBM4 прошли сертификацию и будут снабжать ускорители Vera Rubin эти типом памяти. Компания SK hynix была выделена из числа партнёров Nvidia, поскольку именно с ней было заключено долгосрочное соглашение о сотрудничестве. 
Источник изображения: Nvidia Стороны будут на протяжении нескольких лет сотрудничать в сфере разработки и производства чипов, как можно понять из публикации Bloomberg. По всей видимости, данное соглашение усиливает роль SK hynix в создании новых поколений HBM и других видов памяти, которые Nvidia сочтёт привлекательными для применения. К слову, данные новости не уберегли акции SK hynix от снижения в цене на 10 % на торгах в понедельник, поскольку коррекция на фондовом рынке, которая в США наблюдалась в пятницу, эхом отразилась на азиатских площадках в первый рабочий день новой недели. По словам Хуанга, сотрудничество между Nvidia и SK hynix будет охватывать широкий спектр технологий, от передовых ИИ-моделей до агентских решений и физического воплощения ИИ. Все эти задачи потребуют использования памяти, причём разных типов. Центральные процессоры Vera, как добавил глава Nvidia, также будут использовать память DRAM производства SK hynix. Второе полугодие и весь следующий год, по словам Хуанга, будут очень насыщенными с точки зрения взаимодействия Nvidia и SK hynix. Все три крупнейших поставщика памяти получили одобрение Nvidia на поставки HBM4
05.06.2026 [14:26],
Алексей Разин
Уже в следующем квартале должны начаться поставки серверных систем поколения Vera Rubin, которые будут оснащаться одноимёнными ускорителями Nvidia с памятью типа HBM4. Как признался на этой неделе глава и основатель компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang), все три крупнейших поставщика HBM4 прошли процедуру сертификации своей продукции под требования Nvidia. 
Источник изображения: Samsung Electronics Напомним, для Samsung Electronics данный вопрос остаётся болезненным, поскольку оставаясь крупнейшим производителем памяти в целом, она уступила более мелкой SK hynix пальму первенства в сегменте HBM3E, поскольку её собственная память данного поколения долгое время не могла пройти сертификационные испытания Nvidia. Фактически, прогресс в этой сфере был достигнут к моменту, когда уже пришло время налаживать поставки HBM4. Память последнего типа Samsung начала отгружать клиентам самой первой, как она поспешила заявить ещё в середине февраля, а недавно она призналась, что начала снабжать клиентов и образцами более современной HBM4E. Возвращаясь к комментариям генерального директора Nvidia, можно отметить, что сертификацию HBM4 под её требования прошли компании Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology. Только они приступили к производству HBM4, поэтому список и ограничивается тремя поставщиками. Наличие у Nvidia трёх поставщиков позволяет снизить риски, связанные с чрезмерной зависимости от одного партнёра в данной сфере. Кроме того, это даёт Nvidia больше возможностей для торга при закупке HBM4. «Все три вендора прошли квалификацию. Все три вендора сейчас занимаются производством, и все они торопятся обеспечить поддержку Vera Rubin», — заявил Дженсен Хуанг во время своего визита в Сеул. Ускорители данного семейства уже выпускаются в массовых количествах, на рынок они поступят в третьем квартале текущего года. В Южной Корее у главы Nvidia запланированы встречи с руководством различных местных компаний, предсказуемо включая Samsung и SK hynix, а также посещение бейсбольного матча в выходные. По его словам, Nvidia активно нанимает персонал для своего нового южнокорейского исследовательского центра. SK hynix за ближайшие пять лет удвоит производственные мощности по выпуску памяти
02.06.2026 [11:18],
Алексей Разин
Значимость производителей памяти подчёркивается хотя бы тем фактом, что председатель совета директоров южнокорейской SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) оказался приглашён на отраслевую выставку Computex 2026 на Тайване, где сделал несколько важных заявлений. В частности, он пообещал удвоить мощности SK hynix по производству памяти за последующие пять лет. 
Источник изображения: SK hynix Он же в марте этого года, как напоминает Reuters, сообщил о возможности сохранения дефицита памяти на мировом рынке до 2030 года. SK hynix, которая в составе упоминаемого южнокорейского конгломерата занимается выпуском памяти, нуждается в расширении круга своих партнёров на Тайване, и дело не должно ограничиваться одной лишь TSMC, как отметил глава холдинга. Чхэ Тхэ Вон выразил надежду, что SK hynix сможет остаться крупнейшим поставщиком HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Как известно, на этот статус претендует конкурирующая Samsung Electronics, но SK hynix явно не собирается сдаваться без боя. На прошлой неделе капитализация SK hynix впервые в истории превысила $1 трлн, что говорит об уверенности инвесторов в способности этого производителя памяти развивать бизнес в условиях бума ИИ. По данным Counterpoint Research, в первом квартале текущего года SK hynix сохраняла за собой 58 % мирового рынка HBM, а Samsung и Micron досталось по 21 %. Пожар на заводе памяти SK hynix привёл к утечке опасного газа и эвакуации 3600 человек — производство не пострадало
01.06.2026 [17:57],
Сергей Сурабекянц
1 июня 2026 года на территории кампуса SK hynix в Чхонджу, Южная Корея, произошёл пожар, вызвавший утечку фтороводорода (HF). Была проведена экстренная эвакуация всех 3600 сотрудников заводов M15 и M15X. Представитель SK hynix сообщил, что в момент происшествия на месте аварии находились 10 работников. Семь человек были госпитализированы для тщательного обследования, поскольку они оказались в зоне утечки газа. 
Источник изображения: SK hynix По сообщениям СМИ, пожар в четвёртом кампусе SK hynix в Чхонджу начался около 10:32 утра по местному времени (04:32 мск) в газовом помещении на шестом этаже между зданиями M15 и M15X. Из-за утечки токсичного газа, сопровождавшей пожар, компания в качестве меры предосторожности эвакуировала всех 3600 сотрудников с этих заводов. По предварительным оценкам причиной пожара стала проблема с газопроводом. SK hynix пообещала выяснить точную причину и последовательность событий. Хотя распространение огня было пресечено системой пожаротушения, токсичный для человека фтороводород распространился внутри помещения, поэтому семь сотрудников были доставлены в больницу. Пять человек сообщили о раздражении глаз, у двух других не было особых симптомов, но их доставили в больницу для тщательного обследования, поскольку они находились в зоне утечки газа. SK hynix в настоящее время проводит работы по ликвидации последствий аварии с использованием оборудования для очистки окружающей среды и разрешит сотрудникам вернуться на рабочие места после завершения проверок безопасности, включая анализы качества воздуха. Компания добавила, что производство не будет прервано, поскольку пожар не затронул оборудование. 27 мая 2026 года около 10:30 утра (04:30 мск) на заводе SK hynix в Чхонджу (M11) также произошло возгорание оборудования для обработки полупроводников. Внутренняя система пожаротушения справилась с инцидентом, но рабочие были эвакуированы примерно на час. Представитель SK hynix заверил, что производство полупроводников не пострадало, а компания ведёт расследование происшествия. Тот факт, что на территории кампуса SK hynix в Чхонджу менее чем за неделю произошло два инцидента, связанных с возгораниями, привлёк пристальное внимание отрасли. Память стала новой нефтью эпохи ИИ — производители нашли, как не допустить обвала рынка в будущем
30.05.2026 [17:48],
Павел Котов
Производители памяти Micron, Samsung и SK hynix впервые оказались дороже крупнейших нефтяных компаний мира. Однако, как считает Wall Street Journal, их акции по-прежнему выглядят недооценёнными благодаря буму искусственного интеллекта и переходу отрасли на долгосрочные контракты. 
Источник изображений: micron.com Рыночная капитализация трёх крупнейших в мире производителей памяти Micron, Samsung и SK hynix сейчас превышает $1 трлн каждой, и в сумме это на 22 % выше аналогичного показателя трёх самых дорогих нефтяных компаний мира, даже с учётом $1,8 трлн у одной только Saudi Aramco. С учётом цепочки производства памяти стоимость ещё выше: капитализация Sandisk с марта почти утроилась и почти сравнялась с показателем PetroChina — крупнейшего производителя нефти в Азии. Столь стремительные успехи вызывают опасения, что акции производителей памяти вот-вот рухнут, особенно с учётом высокой цикличности в этой отрасли. Но недавние изменения в деловой практике говорят об обратном: они скорее недооценены. Память, как и нефть, считается товаром, который подвержен резким колебаниям цен. Но спрос на эти чипы сейчас определяет отрасль искусственного интеллекта, поэтому цены продолжают расти. А производители используют рычаги влияния, чтобы заставить клиентов подписывать долгосрочные соглашения — при достаточном количестве таких сделок волатильность цен удастся обуздать.  Micron объявила о заключении первого пятилетнего соглашения в марте; Sandisk доложила, что заключила долгосрочные соглашения уже с пятью клиентами; SK hynix подобных сведений не привела, но и она явно обсуждала с клиентами их будущие потребности, потому что отметила, что в ближайшие три года спрос «значительно превышает» её производственные мощности. В следующем году на долю таких контрактов придутся до 30 % поставок, гласят оценки аналитиков — они также считают, что технологические гиганты Microsoft, Google (Alphabet) и Amazon обеспечили себе около двух третей мирового производства чипов памяти для серверов. Долгосрочные контракты делают будущую прибыль производителей памяти более предсказуемой. И она существенна. Скорректированная прибыль Micron на акцию за завершившийся в феврале квартал выросла до $12,20 с $1,56 за аналогичный период годом ранее. По итогам финансового года, который закончится в августе, этот показатель достигнет $60, а в следующий финансовый год составит около $106. При текущей рыночной капитализации более $1 трлн акции Micron торгуются по цене, менее чем десятикратно превышающей прогнозируемую прибыль компании за следующие четыре квартала — то есть компания входит в 10 % самых недооценённых из индекса S&P 500. Sandisk имеет капитализацию примерно в 10,5 раза выше прогнозируемой прибыли; у Samsung и SK hynix этот показатель составляет от шести до семи. Для сравнения, средний мультипликатор тридцати компаний в индексе PHLX Semiconductor составляет около 26. Иными словами, память всё больше напоминает новую нефть эпохи ИИ, однако рынок пока оценивает её производителей заметно дешевле большинства крупных полупроводниковых компаний. ИИ-пузырь раздувается: SK hynix вслед за Micron подорожала до $1 триллиона
27.05.2026 [11:44],
Павел Котов
Сегодня, 27 мая 2026 года, акции SK hynix прибавили в цене 11 %, и рыночная капитализация корейского производителя чипов памяти поднялась выше $1 трлн. За достижение ей следует благодарить инвесторов, которые активно вкладывают средства в связанных с отраслью искусственного интеллекта производителей полупроводников. 
Источник изображения: skhynix.com С начала года рост акций SK hynix составил около 250 % — этому способствовал растущий спрос на высокоскоростные компоненты памяти, которые используются в серверах и ускорителях ИИ. Компания выступает крупнейшим поставщиком памяти для Nvidia — мирового лидера в области оборудования для ИИ. Перед закрытием торгов акции SK hynix сократили рост и окончательный показатель составил 9,21 %; для сравнения, акции Samsung Electronics подорожали на 2,68 %. Американский производитель чипов памяти Micron также взял отметку в $1 трлн. Samsung преодолела отметку в $1 трлн в начале месяца. На долю двух производителей чипов приходятся более 40 % южнокорейского индекса Kospi, то есть его динамика тесно связана с мировым спросом на полупроводники и чипы памяти для ИИ-оборудования. С начала года этот индекс вырос более чем вдвое. Такая концентрация грозит усилением волатильности рынка, а индекс может стать уязвимым к рискам, таким как сбои в цепочках поставок и охлаждение инвесторов к сегменту центров обработки данных. Рост акций SK hynix ещё может продолжиться — прогнозы по прибыли компании опережают даже её стремительный рост акций, указывают эксперты. SK hynix представила iHBM — память HBM со встроенным охлаждением ICE для будущих ИИ-чипов
26.05.2026 [11:15],
Павел Котов
SK hynix представила решение под названием iHBM: интегрированные охлаждающие элементы (ICE) встроили в корпус чипов высокоскоростной памяти HBM нового поколения. 
Источник изображения: skhynix.com Управление тепловыделением становится критической проблемой по мере развития технологии HBM и увеличения количества слоёв — оно необходимо для повышения скорости и удовлетворение спроса на обработку данных в области искусственного интеллекта. Эффективное управление плотностью мощности на физическом уровне D2D (Die-to-Die Physical Layer) — интерфейсе, который соединяет память с графическим процессором — выступает ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность HBM нового поколения. В решении iHBM компания применила структурный подход к решению проблемы управления тепловыделением. В существующих продуктах HBM используется косвенный метод охлаждения, предусматривающий отвод тепла через ядро кристалла. Схема iHBM предусматривает размещение ICE непосредственно в области D2D PHY, где концентрация тепла наиболее высока — там создаётся дополнительный путь для его рассеивания. Новое решение помогает снизить тепловое сопротивление на 30 %, обеспечивая стабильную работу чипов даже в условиях высоких температур и давления. Решение адаптировано под нужды массового производства: разработанный в SK hynix процесс Wafer Level Packaging (WLP) на основе технологии Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) способен обеспечить стабильный крупномасштабный выпуск чипов с iHBM. Предусмотрена и высокая совместимость с существующими архитектурами System-in-Package (SiP): клиенты могут внедрять новое решение с минимальными изменениями в конструкции. SK hynix намеревается внедрить iHBM в архитектуру HBM5. Samsung начнёт выпускать в Китае 286-слойную память 3D NAND
25.05.2026 [15:31],
Алексей Разин
С осени 2022 года власти США запретили поставки в Китай оборудования, позволяющего выпускать местным компаниям память 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук. Samsung и SK hynix, которые значительную часть своей памяти выпускают именно в Китае, получили освобождение от этих правил. Первой из них это позволит освоить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND уже в следующем году. 
Источник изображения: Samsung Electronics Разумеется, южнокорейские производители взялись гарантировать властям США, что получаемое ими для своих китайских предприятий оборудование никуда на сторону не попадёт. В конце марта, как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung начала на своём китайском предприятии в Сиане массовый выпуск 236-слойной памяти 3D NAND. Сейчас на этой площадке сворачивается производство устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить массовый выпуск 286-слойной памяти. Какое-то время она будет здесь производиться бок о бок с 236-слойной памятью. В Сиане Samsung производит около 40 % объёмов 3D NAND, поставляемых ею на мировой рынок. На родине в Южной Корее Samsung уже готовится начать выпуск памяти более нового поколения, которое поднимет количество слоёв за пределы 400 штук. Соответствующее производство должно стартовать во второй половине текущего года. Конкурирующая SK hynix в ближайшие два года рассчитывает запустить серийное производство 300-слойной памяти с технологией гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по классическому методу. Китайская YMTC в условиях адресных американских санкций уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ повышения ёмкости твердотельных накопителей без увеличения количества слоёв памяти 3D NAND. Производители HBM планируют физически отделить память от GPU, чтобы активнее наращивать её объём
25.05.2026 [07:46],
Алексей Разин
В своё время память типа HBM, характеризуемая вертикальной компоновкой нескольких кристаллов, была предложена именно ради повышения пропускной способности и ёмкости при ограниченных площадных габаритах. Тем не менее, потребности чипов ускорителей в объёме памяти и её пропускной способности явно превышают возможности производителей HBM, поэтому они задумал «отселить» её с чипа GPU. 
Источник изображения: Nvidia, ZDNet Как поясняет ZDNet со ссылкой на одного из южнокорейских производителей памяти, инженеры компании думают о перспективе переноса HBM с общей с GPU упаковки на отдельную печатную плату. При этом скоростной обмен данных планируется организовать при помощи оптических интерфейсов, которые будут соединять блок памяти с GPU. Такая компоновка позволит увеличить объём доступной одному GPU памяти типа HBM в несколько раз. Обсуждением этой концепции производители HBM уже занимаются со своими клиентами, как сообщает источник. Прежний метод масштабирования ёмкости HBM за счёт наращивания количества слоёв в стеке рано или поздно себя изживёт. Уже сейчас предлагается память с 16-ярусной компоновкой, в перспективе количество слоёв вырастет до 20 штук, но сложность и стоимость производства такой памяти при этом увеличивается экспоненциально. При этом увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU также проблематично, поскольку они не могут удаляться от него достаточно сильно без потери скорости передачи информации. Остаётся только работать над более скоростным интерфейсом, который позволит увеличить длину соединений без потери для быстродействия. Отдельной проблемой является поиск места для расположения чипов HBM, поскольку печатная плата ускорителя с GPU и без того плотно населена различными элементами. Возможно, чипы памяти будут располагаться на собственной небольшой печатной плате, которая будет монтироваться на основную вторым ярусом с оборотной стороны. Новый подход к размещению HBM также требует согласования с компаниями, специализирующимися на упаковке чипов, поскольку им предстоит внедрить оптический интерфейс. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
