Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Память для флагманов нового поколения: SK hynix готовит 16-гигабитные чипы LPDDR6 со скоростью 10,7 Гбит/c
10.03.2026 [17:20],
Николай Хижняк
SK hynix объявила о разработке 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR6 на основе техпроцесса 10-нм класса шестого поколения (1c). По словам производителя, он недавно завершил первую в отрасли проверку 1c LPDDR6, впервые продемонстрировав продукт на выставке CES 2026. 
Источник изображений: SK hynix Новая память предназначена для смартфонов и планшетов, способных выполнять задачи, связанные с технологиями искусственного интеллекта непосредственно на устройстве. По данным SK hynix, новая память LPDDR6 обеспечивает увеличение скорости обработки данных на 33 % по сравнению с LPDDR5X, и обладает базовой рабочей скоростью более 10,7 Гбит/с, что превышает максимальную скорость LPDDR5X текущего поколения. SK hynix также заявляет, что новая память обладает на 20 % более высокой энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Компания объясняет это субканальной структурой и динамическим масштабированием напряжения и частоты (DVFS). Конструкция с субканалами позволяет работать только необходимым каналам передачи данных, в то время как DVFS регулирует напряжение и частоту в зависимости от рабочей нагрузки и условий работы устройства.  По словам SK hynix, эти изменения призваны улучшить время автономной работы и производительность многозадачности мобильных устройств. При более высоких нагрузках, таких как игры, память может повысить уровень производительности для увеличения пропускной способности. При более низком уровне использования она может снизить частоту и напряжение для уменьшения энергопотребления. SK hynix планирует завершить подготовку к серийному производству 1c LPDDR6 в первой половине 2026 года и начать поставки во второй половине года. По словам компании, этот продукт расширит линейку DRAM для мобильных устройств, ориентированных на искусственный интеллект, поскольку производители продолжают внедрять всё больше вычислений ИИ непосредственно в телефоны и планшеты. Samsung рассчитывает увеличить долю рынка HBM до 28 % благодаря HBM4
09.03.2026 [08:19],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics поспешила заявить о начале поставок микросхем памяти типа HBM4 некоему крупному клиенту, в котором угадывается Nvidia с её ИИ-ускорителями семейства Vera Rubin. По некоторым оценкам, в сегменте HBM4 именно Samsung останется крупнейшим поставщиком Nvidia, и это позволит ей увеличить свою долю на мировом рынке HBM с 20 до 28 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, на это рассчитывают представители TrendForce, которые попутно отмечают, что уже в этом месяце к поставкам HBM4 должны приступить оба ведущих производителя в лице Samsung и SK hynix. Первая из компаний, по прогнозам Hankyung, сохранит доминирование в поставках HBM4 для нужд Nvidia, но SK hynix всё равно будет лидировать на мировом рынке с учётом HBM3E, занимая на нём более половины. В прошлом году SK hynix могла похвастать долей в 59 %, но теперь Samsung должна укрепить свои позиции с 20 до 28 % за счёт активных действий на направлении HBM4. По имеющимся данным, памяти HBM4 производства Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia, которая требует от неё соответствия скоростям передачи информации свыше 10 Гбит/с, значительно превышающих стандартные для JEDEC 8 Гбит/с. Продукция Samsung способна стабильно передавать информацию на скоростях 10 Гбит/с и 11 Гбит/с, а вот SK hynix свою память под скорость 11 Гбит/с до сих пор оптимизирует. В ускорителях Nvidia Vera Rubin будут использоваться 16-ярусные стеки памяти типа HBM4. Micron, которая являлась вторым по величине поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, не будет отсечена от поставок HBM4, поскольку сохранит способность снабжать Nvidia соответствующей памятью для решений, оснащаемых менее быстрыми микросхемами этого типа. Конъюнктура рынка DRAM сейчас такова, что Samsung даже выгоднее выпускать модули оперативной памяти SOCAMM2 для серверных систем, а не более сложную в производстве HBM4. Кроме того, Nvidia не желает в сфере HBM4 зависеть от единственного поставщика, а потому у Samsung неизбежно появятся конкуренты в лице SK hynix и Micron. Samsung и SK Hynix снова повысят контрактные цены на память во втором квартале — спрос не ослабевает
01.03.2026 [16:31],
Владимир Мироненко
Samsung Electronics и SK Hynix, два крупнейших в мире производителя DRAM, известили клиентов о повышении цен на память во втором квартале и уже ведут переговоры с ними по этому поводу, сообщил ресурс Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. 
Источник изображения: Seoul Economic Daily Масштабы повышения цен варьируются в зависимости от клиента, и, как сообщают источники, небольшим компаниям придётся согласиться на существенное повышение цен, чтобы зарезервировать поставки DRAM. «Текущие производственные мощности Samsung Electronics позволяют удовлетворить лишь около 60 % постоянно растущего спроса на DRAM», — говорит представитель отрасли, поэтому, в стремлении обеспечить себе необходимые объёмы поставок, клиенты не решатся выступить против значительного роста цен, даже если они в некоторых случаях вдвое превысят стоимость согласно предыдущим контрактам. Крупные компании, такие как Nvidia и Apple, обычно заключают контракты на квартал или полугодие. Более мелкие компании традиционно заключали контракты на основе ежемесячных рыночных цен. Сообщается, что с IV квартала 2025 года, когда цены на DRAM начали резко расти, средние и мелкие компании перешли на квартальные контракты, устанавливающие объёмы поставок, выгодные для Samsung и SK hynix. Аналитики ожидают, что цены на DRAM могут более чем удвоиться в этом году. Например, согласно прогнозу исследовательской компании Gartner, цены на память, включая DRAM и твердотельные накопители, вырастут к концу года на 130 %. По данным исследовательской компании DRAMeXchange, цена чипа DDR4 8 ёмкостью 8 Гбит в марте прошлого года составляла около $1,30, к концу года она подскочила до $9,30, а к февралю этого года — ещё на 40 % до $13. Эксперты рассматривают резкий рост цен на память не как временный дисбаланс спроса и предложения, а как структурную проблему, когда предложение не может угнаться за долгосрочным спросом. Это связано с переходом индустрии ИИ к агентному ИИ, по мере внедрения которого спрос на DRAM, поддерживающую инференс и вычисления, продолжает стремительно расти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшем будущем, поскольку производственные мощности трёх крупнейших производителей памяти DRAM в этом году останутся почти на прежнем уровне — лишь у SK hynix ожидается рост год к году на 7 %. «Поскольку компании внедряют не один, а два или три ИИ для разных целей, спрос на DRAM продолжает расти, — отметил представитель отрасли. — Так как объёмы поставок на следующий год уже распроданы, ожидается, что тенденция к росту цен сохранится». Япония зовёт SK hynix и Samsung строить заводы памяти и предлагает щедрые субсидии — пока безуспешно
24.02.2026 [08:44],
Алексей Разин
Первое предприятие TSMC в Японии стало примером весьма успешного сотрудничества её руководства с местными властями, поскольку те не только непривычно щедро поддержали проект субсидиями, но и способствовали быстрому решению всех административных вопросов. Интерес существует и к строительству предприятий по производству памяти в Японии, но только не со стороны южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics. 
Источник изображения: TSMC Нельзя утверждать, что на территории Японии микросхемы памяти не производятся, ведь американская Micron Technology владеет местными предприятиями обанкротившейся в 2012 году Elpida, на которых производится DRAM, а местная Kioxia в больших количествах выпускает NAND на заводах, которые исторически принадлежали Toshiba. Тем не менее, как сообщает издание Chosun Biz, на протяжении последних нескольких лет японские власти то и дело намекали южнокорейским SK hynix и Samsung Electronics, что хотели бы видеть на своих островах их профильные предприятия. Напомним, крупнейшие заводы по выпуску памяти SK hynix и Samsung Electronics расположены в Китае, а не в самой Южной Корее. При этом обе компании являются крупнейшими производителями памяти в мире, и если по каким-то причинам работа китайских предприятий будет блокирована, то это грозит колоссальными проблемами всей полупроводниковой отрасли. SK hynix пришлось опровергать опубликованные недавно японскими СМИ слухи о намерениях компании направить на строительство собственного предприятия в Японии более $12 млрд. Предложения о локализации производства памяти южнокорейскими гигантами уже не раз поступали от японских властей, но первые свой отказ мотивируют причинами политического характера. С экономической точки зрения всё как раз весьма выгодно, поскольку организация производства памяти в Японии потребовала бы в два раза меньше средств, чем в Южной Корее. Тем более, что местные власти предлагают серьёзную инфраструктурную и административную поддержку, не говоря уже о материальных субсидиях. Последние предоставляются TSMC, Micron и Kioxia, поэтому южнокорейские производители памяти точно не были бы обделены поддержкой японских властей. В этой сфере главенствуют политические причины, поэтому Samsung и SK hynix не готовы строить свои предприятия по выпуску памяти в Японии. Глава SK Group заявил, что из-за дефицита памяти некоторые производители ПК и смартфонов могут не выжить
23.02.2026 [06:26],
Алексей Разин
Председатель правления SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) на деловом форуме в Вашингтоне заявил, что дефицит памяти меняет мировую полупроводниковую отрасль коренным образом. За пределами сегмента ИИ, по его словам, производители ПК и смартфонов не могут выпускать необходимое количество продукции, и некоторые из них будут вынуждены прекратить работу. 
Источник изображения: SK hynix Определённое представление о происходящем в сфере производства памяти председатель правления SK Group имеет, поскольку входящая в этот промышленный конгломерат южнокорейская компания SK hynix в прошлом году обошла по величине операционной прибыли Samsung Electronics — многолетнего лидера в сегменте. Как подчеркнул глава SK Group, при выпуске HBM норма прибыли превышает 60 %, но это не значит, что прочие виды памяти производить менее выгодно — напротив, из-за перекосов на рынке на других направлениях доходность может достигать 80 %. Чхэ Тхэ Вон пояснил, что ещё в декабре руководство SK hynix рассчитывало получить операционную прибыль в размере $50 млрд по итогам 2026 года, но в январе прогноз подняли до $70 млрд, а теперь он и вовсе превышает $100 млрд. «Это может показаться хорошей новостью, но в то же время, всё может обернуться убытками в размере $100 млрд. Волатильность очень высока, новая технология может стать выгодным решением, но из-за неё одновременно можно и всё потерять», — охарактеризовал специфику бизнеса в сегменте выпуска памяти представитель компании. Память для инфраструктуры ИИ остаётся в дефиците, его величина в этом году может превысить 30 %, сегмент буквально высасывает всё предложение на рынке. Инфраструктуре требуются и новые генерирующие мощности для энергоснабжения, и всё это провоцирует резкий рост расходов на строительство ЦОД. В США, например, для строительства вычислительных центров мощностью около 100 ГВт придётся потратить около $5 трлн, и это не считая расходов на развитие энергетической инфраструктуры. Развитие ИИ, по словам председателя правления SK Group, никому не удастся остановить, и обладающие ресурсами и капиталами компании окажутся в числе лидеров в этой гонке. Проходящий ежегодно форум TPD в Вашингтоне глава SK Group использовал для встречи с руководством крупнейших американских клиентов: Nvidia, Broadcom, Microsoft, Meta✴✴ Platforms и Google. С основателем первой из компаний Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), например, он провёл встречу в одном из заведений корейского общепита в Калифорнии. Возможность встретиться с американскими клиентами Чхэ Тхэ Вон использовал для принесения извинений по поводу отсутствия у SK hynix способности удовлетворить спрос на память в полной мере. «Чип, который поразит мир» пообещал показать на GTC 2026 глава Nvidia
19.02.2026 [14:40],
Николай Хижняк
Глава Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) в интервью южнокорейскому изданию The Korea Economic Daily сообщил, что его компания представит на конференции GTC 2026 в следующем месяце «чип, который поразит мир». Отмечается, что данный комментарий прозвучал на незапланированной встрече с журналистом издания во время ужина в ресторане, куда были приглашены инженеры Nvidia и SK hynix. 
Источник изображения: Nvidia Конференция GTC 2026 запланирована на 16–19 марта в Сан-Хосе, а выступление Дженсена Хуанга состоится 16 марта, согласно информации на страницах мероприятия Nvidia. Хуанг не уточнил, о каком именно продукте идёт речь и связан ли он с ускорителями для центров обработки данных, сетевыми решениями или другими категориями микросхем. В том же сообщении The Korea Economic Daily также цитируются слова Хуанга о том, что Nvidia подготовила «несколько новых чипов, которых мир ещё никогда не видел». При этом он подчеркнул, что дальнейшее повышение производительности микросхем становится всё сложнее по мере приближения технологий к физическим пределам. Хуанг также заявил, что SK hynix и Nvidia очень тесно сотрудничают и у них отличное партнёрство, добавив, что «обе компании разделяют общую судьбу» и являются «одной большой командой». «Эта команда невероятно усердно работала над решением сложной задачи, связанной с [ИИ-ускорителем] Vera Rubin и [памятью] HBM4, и они заслуживают прекрасного вечера с соджу и курицей», — заявил глава Nvidia. Заявления Хуанга не раскрывают какой-то дополнительной информации о запланированных анонсах на GTC 2026, но они подтверждают, что поставки и проверка HBM4 имеют центральное значение для предстоящей платформы Vera Rubin. В отдельном отчёте издания Reuters говорится о росте соперничества на рынке HBM4, поскольку производители стремятся ускорить её разработку и начать массовые поставки, потенциально обеспечив себе позицию ключевого поставщика памяти для ускорителей Vera Rubin. В частности, на днях сообщалось, что компания Samsung первой запустила HBM4 в серию. SK hynix предложила неоригинальный костыль для ускорения ИИ-моделей — гибридную архитектуру памяти HBM/HBF
17.02.2026 [19:52],
Геннадий Детинич
Светлая мысль разместить больше памяти рядом с процессором пришла не в одну голову. Год назад о разработке концепции замены памяти HBM (DRAM) памятью HBF (флеш) сообщила компания SanDisk. На днях работу о таком подходе опубликовала компания SK Hynix. Флеш-память NAND попросту плотнее памяти DRAM, и с позиции увеличения места под токены для ИИ замена одной на другую даст впечатляющий результат в виде роста скорости принятия решений. 
Источник изображения: SK Hynix Не секрет, что современные платформы на базе центральных, графических и тензорных процессоров сталкиваются с серьёзным ограничением по объёму приданной им памяти High Bandwidth Memory (HBM), что сплошь и рядом происходит при работе с большими языковыми моделями. Например, модели вроде Llama 4 поддерживают до 10 млн токенов, что требует кэш объёмом до 5,4 Тбайт. Стандартные решения, такие как частичный сброс кэша на локальные SSD, приводят к значительным задержкам из-за низкой пропускной способности шины и медленного доступа к накопителям. В результате образуется узкое место по пропускной способности, что можно обойти только наращиванием массива ускорителей, а это — лишние деньги и энергопотребление. Предложенная компанией SK hynix гибридная иерархия памяти или архитектура H³ (Hybrid³), объединяющая HBM и новый пока тип памяти High Bandwidth Flash (HBF) на одном интерпозере вместе с процессором, решает проблему нехватки памяти для токенов ИИ. Память HBM продолжит использоваться так же, как и раньше — для данных с высокой частотой записи и чтения (динамически генерируемый кэш), а HBF — для данных с интенсивным чтением. Использование флеш-памяти HBF обеспечит до 16 раз большую ёмкость при пропускной способности, близкой к HBM, хотя задержка доступа останется выше на один или даже два порядка, износостойкость будет ниже, а энергопотребление может быть в 4 раза больше. В то же время массив гибридной памяти окажется единым для процессора, а грамотная маршрутизация запросов сведёт на нет все негативные последствия «тормозов» флеш-памяти. Результаты моделирования на конфигурации Nvidia Blackwell GPU с 8 стеками HBM3E и 8 стеками HBF на интерпозере демонстрируют впечатляющие улучшения. При 1 млн токенов контекста производительность в токенах в секунду вырастает в 1,25 раза, при 10 млн токенов — уже в 6,14 раза по сравнению с чисто HBM-системой, а энергоэффективность становится выше в 2,69 раза. И если раньше для обработки запросов такого масштаба требовалось 32 GPU, то теперь работа может быть выполнена всего на 2 GPU с существенным снижением энергозатрат и общей стоимости системы. Ради такого стоит рискнуть и создать коммерческие решения, считают в компании. Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
13.02.2026 [08:40],
Алексей Разин
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia. ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin. Samsung начнёт коммерческие поставки памяти HBM4 уже в феврале, опередив конкурентов
09.02.2026 [04:27],
Анжелла Марина
Samsung Electronics станет первым производителем памяти, который начнёт коммерческие поставки чипов HBM4. Компания планирует отгрузить первые партии уже в середине февраля. Основным заказчиком выступит Nvidia, которая будет использовать HBM4 в своей вычислительной платформе следующего поколения Vera Rubin для ИИ-суперкомпьютеров. Ожидается, что Nvidia представит ускорители на базе этой памяти на конференции GTC 2026 в марте. 
Источник изображения: Samsung Electronics По сообщению южнокорейского издания The Korea Herald со ссылкой на отраслевые источники, новая память HBM4 от Samsung с самого начала проектировалась с превышением базовых отраслевых стандартов, установленных организацией JEDEC. Чип работает на скорости до 11,7 Гбит в секунду, что на 37 % превышает стандарт JEDEC в 8 Гбит в секунду и на 22 % выше показателя предыдущего поколения HBM3E. Пропускная способность одного стека достигает 3 Тбайт в секунду, а ёмкость составляет 36 Гбайт при двенадцатислойной компоновке. В перспективе шестнадцатислойная компоновка позволит увеличить объём до 48 Гбайт. Для производства памяти применены DRAM-техпроцесс шестого поколения 10-нм класса (1c) и собственный четырёхнанометровый логический кристалл. 
Источник изображения: Nvidia Для удовлетворения прогнозируемого спроса Samsung расширяет производственные линии на заводе Pyeongtaek Campus Line 4. После модернизации общий объём выпуска пластин с памятью 1c DRAM, предназначенных для HBM4, составит около 200 тысяч единиц в месяц. Это количество покрывает примерно четверть всех мощностей компании по производству DRAM. По оценкам аналитиков SemiAnalysis, рынок HBM4 будет поделен между двумя игроками: SK hynix займет около 70 % рынка, а Samsung получит оставшиеся 30 %, тогда как компания Micron фактически выбыла из конкурентной гонки. В предыдущих поколениях HBM Samsung сталкивалась с кризисом своей конкурентоспособности, уступая лидерство SK hynix. С помощью HBM4 разрыв может быть не только сокращён, но возможно и опережение конкурента, который получил раннее преимущество на фоне растущего спроса со стороны центров обработки данных для задач искусственного интеллекта. Samsung, SK hynix и Micron стали перепроверять все заказы на поставку памяти, чтобы исключить закупки впрок
01.02.2026 [16:26],
Николай Хижняк
По данным Nikkei Asia, три крупнейших производителя микросхем памяти — Micron, SK hynix и Samsung Electronics — усилили контроль за заказами клиентов, чтобы предотвратить преднамеренное накопление запасов. Источники издания сообщают, что производители чипов памяти теперь требуют от клиентов раскрывать информацию о конечных потребителях и объёмах заказов, чтобы убедиться в подлинности спроса и предотвратить перебронирование или чрезмерное накопление запасов, которые могут ещё больше дестабилизировать рынок. 
Источник изображения: Micron Продолжающийся дефицит чипов памяти сильнее всего ударит по потребительской электронике начального и среднего уровня такой, как телевизоры, телеприставки, домашние маршрутизаторы, бюджетные планшеты, смартфоны и ПК. Автомобильный сектор также может столкнуться со значительным давлением из-за более длительных циклов сертификации. Последствия повышения цен на память уже начинают проявляться во всех сегментах потребительской электроники. По данным TrendForce, до дефицита на чипы DRAM приходилось всего 2,5–3 % от общей себестоимости компонентов при сборке тех же телевизоров. С тех пор эта доля быстро выросла до 6–7 %, что оказало значительное давление на прибыльность брендов. Менее крупные бренды с меньшим масштабом производства и ресурсами, вероятно, будут нести более тяжёлое бремя, чем гиганты рынка. На фоне роста затрат и ужесточения поставок производители ПК также могут сократить объёмы выпускаемых продуктов. Аналитики TrendForce снизили свой прогноз по поставкам ноутбуков на 2026 год, пересмотрев его снижение с 5,4 % в годовом исчислении до более резкого падения на 9,4 %. Как пишет Nikkei Asia, в ответ на дефицит некоторые производители даже начали скупать старые запасы продуктов, хранящихся на складах заказчиков. Извлечение микросхем памяти из этих устройств и их повторная установка на другие печатные платы, нередко в рамках продуктов совершенно другого сегмента, позволяет повторно использовать компоненты и обеспечить дополнительные поставки. Однако такой подход, как сообщается, ограничен вторичными рынками, которые могут мириться с потенциальными проблемами качества. Издание добавляет, что некоторые производители ПК также разрабатывают модели устройств начального уровня с дополнительными слотами для памяти, что позволит пользователям при необходимости увеличить объём памяти позже. Гиганты в сфере производства памяти недавно отреагировали на сохраняющийся дефицит. SK hynix сообщила, что её запасы DRAM резко сократились в годовом исчислении в четвёртом квартале прошлого года и, как ожидается, продолжат сокращаться во второй половине этого года, что говорит о том, что ситуация с поставками для клиентов, вероятно, останется напряженной ещё некоторое время. Что касается флеш-памяти NAND, SK hynix отметила, что её запасы — в первую очередь для SSD — сокращаются со второй половины прошлого года и сейчас находятся на уровне, сопоставимом с запасами DRAM. По информации Hankyung, запасы DRAM у Samsung сократились примерно до шести недель, что составляет примерно половину от типичных 10–12 недель. Обладая крупнейшими производственными мощностями среди большой тройки производителей памяти, Samsung имеет все шансы извлечь максимальную выгоду из сложившейся ситуации на рынке. SK hynix на фоне бума ИИ впервые обошла Samsung по величине годовой прибыли
01.02.2026 [11:45],
Алексей Разин
Исторически именно Samsung Electronics на протяжении многих лет то и дело становилась крупнейшим поставщиком полупроводниковых компонентов в мире в показателях выручки. SK hynix, которая контролирует более 60 % рынка HBM, уже обходила Samsung по квартальной прибыли, но по итогам прошлого года впервые сделала это с учётом 12-месячного периода в целом. 
Источник изображения: SK hynix Об этом позволяет судить опубликованная на уходящей неделе финансовая статистика Samsung Electronics и SK hynix, на которую ссылается издание CNBC. Именно высокая степень присутствия SK hynix в прибыльном сегменте HBM позволила компании в прошлом году получить операционную прибыль, превосходящую достижения Samsung Electronics — в целом более крупной компании. По версии Gartner, крупнейшим поставщиком полупроводниковой продукции в мире теперь является Nvidia, за ней следует Samsung, а SK hynix именно по итогам прошлого года поднялась с четвёртого места на третье, выгнав Intel из первой тройки. В национальной южнокорейской валюте операционная прибыль SK hynix за прошлый год достигла 47,2 трлн вон ($32,5 млрд), тогда как Samsung Electronics довольствовалась 43,6 трлн вон ($30 млрд). Кстати, если выделить операционную прибыль Samsung именно в сфере производства памяти, то она окажется заметно меньше предыдущей суммы — всего 24,9 трлн вон ($17,2 млрд). При этом SK hynix практически полностью концентрируется на производстве памяти, тогда как Samsung является многопрофильным холдингом. Впрочем, последняя из компаний тоже не обошлась без прогресса, ведь по итогам четвёртого квартала прошлого года в отдельности ей снова удалось стать лидером по выручке от реализации памяти. Аналитики также ожидают, что Samsung удастся укрепить свои позиции в сегменте памяти для систем ИИ после начала поставок HBM4, хотя SK hynix и сохранит за собой лидерство в этой сфере. Как ожидается, заказы Nvidia на оснащение ускорителей Vera Rubin памятью HBM4 примерно на две трети будут выполняться силами SK hynix. В третьем квартале SK hynix контролировала около 57 % выручки в сегменте HBM, на долю Samsung приходилось не более 22 %. Позиции SK hynix сильны и в более широком сегменте DRAM, который сейчас также переживает трансформацию в связи с бурным развитием инфраструктуры ИИ. Samsung и SK hynix пообещали больше тратить на выпуск памяти, но это не поможет быстро победить дефицит
29.01.2026 [15:33],
Алексей Разин
Руководство TSMC считает, что именно возможности их компании по выпуску чипов ограничивают темпы развития сегмента ИИ, но не следует забывать и про производителей памяти, которая тоже оказалась в серьёзнейшем дефиците. При этом квартальные конференции крупнейших игроков рынка в лице Samsung и SK hynix не позволяют рассчитывать на скорое расширение производственных мощностей. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как уже отмечалось сегодня, SK hynix по итогам 2025 года в целом смогла обойти Samsung Electronics по величине операционной прибыли. Во-первых, она остаётся крупнейшим поставщиком памяти типа HBM и не собирается уступать позиции амбициозному конкуренту. Во-вторых, на фоне роста цен на прочие типы памяти выручка производителей такой продукции активно росла даже за пределами сегмента ИИ. Комментарии руководства Samsung и SK hynix на отчётных конференциях объединяет то, что обе компании призывают клиентов готовиться к затяжному дефициту памяти, поскольку не смогут быстро нарастить производственные мощности. По информации Financial Times, Ким Чжэ Чжун (Kim Jae-june) — исполнительный вице-президент подразделения Samsung Electronics, отвечающий за производство памяти, на сегодняшней отчётной конференции пообещал «существенно увеличить» капитальные затраты компании в этом году. При этом он признался: «Нехватка поставок будет усугубляться, поскольку расширение мощностей будет ограниченным на протяжении этого и следующего годов». Компания собирается увеличить капитальные затраты на выпуск памяти по сравнению с прошлым годом, когда на это ушло $33 млрд. Но проблема в том, что расширение производства — процесс не быстрый сам по себе, так что вложенные сейчас деньги превратятся в готовое производство лишь через несколько лет. В краткосрочной перспективе наращивать объёмы выпуска удастся за счёт оптимизации использования имеющихся площадей, и только в будущем появятся и дополнительные. SK hynix подчеркнула, что в обозримом будущем дефицит памяти сохранится. Она собирается сохранить пропорцию капитальных затрат по отношению к выручке на уровне около 35 %. В принципе, если выручка будет расти, то и капитальные затраты пропорционально увеличатся. Президент компании Сон Хён Чжон (Song Hyun-jong) заявил: «Спрос растёт резко, но для расширения производства требуется время, поэтому несоответствие спроса и предложения ухудшается, толкая цены вверх». Так или иначе, в текущем году SK hynix намерена существенно увеличить капитальные затраты, но пропорция изменений и абсолютная сумма не называются. Консерватизм производителей памяти в вопросах расширения мощностей легко понять, ведь исторически этот рынок демонстрировал цикличность. Как только предложение начинало превышать спрос, цены на память падали и ухудшали финансовое положение производителей, вынуждая их буквально по несколько кварталов работать в убыток. По словам представителей Citigroup, рынок памяти переходит к схеме, когда заказчику необходимо за год до начала поставок продукции оговаривать условия. В этом году цены на DRAM (включая HBM), по мнению источника, должны вырасти на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %. Как отмечают сами производители, дефицит памяти сохранится до конца следующего года, а все квоты поставок на текущий год уже распределены. SK hynix превратит бывший флеш-бизнес Intel в ИИ-гиганта: в новое подразделение в США вложат $10 млрд
29.01.2026 [04:50],
Алексей Разин
С 2021 года у SK hynix в Калифорнии имеется дочернее предприятие Solidigm, под контроль которого отошли купленные у Intel активы по производству флеш-памяти, включая китайскую производственную площадку в Даляне. Теперь SK hynix намеревается создать в США новую дочернюю компанию, ориентированную на сегмент ИИ. 
Источник изображения: SK hynix Как поясняет Hot Hardware, новая структура с предварительным названием AI Company будет сформирована путём преобразования Solidigm. Новая компания сосредоточится на поиске новых возможностей в сфере расширяющегося сегмента ИИ, как размыто отмечается в заявлениях материнской SK Hynix. На нужды формирования AI Company будет направлено $10 млрд. Скорее всего, этот жест со стороны южнокорейского производителя памяти направлен на получение благосклонности американских властей, которые принуждают зарубежных производителей чипов расширять своё присутствие в США. С высокой вероятностью, AI Company сосредоточится на финансировании сегмента центров обработки данных. Опыт Solidigm в этом отношении пригодится новой структуре, поскольку последняя как раз специализируется на выпуске твердотельных накопителей для серверных систем. AI Company, как отмечает SK hynix, будет использовать и технологии типа HBM для создания оптимизированных под нужды сегмента ИИ систем в сегменте центров обработки данных. Будет расширяться сотрудничество с компаниями, работающими на рынке ИИ, с упором на создание перспективных типов памяти. AI Company, помимо прочего, будет инвестировать в американские ИИ-стартапы и сотрудничать с глобальными партнёрами. Непосредственно Solidigm в процессе реструктуризации будет переименована в Solidigm Inc. Окончательный вариант названия AI Company будет предложен до конца текущего года. Король HBM: SK hynix отчиталась о рекордной прибыли и обогнала Samsung, но последняя готовит контратаку
28.01.2026 [13:34],
Алексей Разин
Южнокорейская SK hynix долгое время оставалась основным поставщиком памяти типа HBM3E для весьма востребованных рынком ускорителей Nvidia. Это позволило ей обойти по прибыли более крупную Samsung Electronics и в целом неплохо зарабатывать. Четвёртый квартал прошлого года стал рекордным для SK hynix с точки зрения финансовых результатов, операционная прибыль компании более чем удвоилась. 
Источник изображения: SK hynix Она достигла $13,5 млрд в пересчёте по курсу и заметно превысила ожидания аналитиков, увеличившись на 137 %. Выручка SK hynix в годовом сравнении выросла сразу на 66 % до $23 млрд, но в данном случае ожидания аналитиков были превышены только незначительно. И выручка, и операционная прибыль этого производителя памяти в четвёртом квартале оказались рекордными. Реализация HBM принесла SK hynix в прошлом квартале более чем в два раза больше выручки, чем годом ранее. По независимым оценкам, SK hynix сейчас занимает 61 % мирового рынка HBM. Если Samsung добьётся успеха в сегменте HBM4, то в этом году доля SK hynix сократится до 53 %. Сегмент HBM должен до 2030 года расти на 25 % в среднем, по прогнозам экспертов. 
Источник изображения: Bloomberg Что характерно, руководство SK hynix осознаёт, какое негативное влияние на рынок оказывает ИИ-бум. Из-за роста цен на память для смартфонов и ПК, по мнению представителей компании, а также её дефицита, темпы роста заказов в указанных сегментах будут отставать от остального рынка. Акции SK hynix выросли в цене на 6 % после публикации квартальной отчётности. Дефицит памяти на этапе наращивания объёмов выпуска HBM4 будет усиливаться, по мнению аналитиков. Представители Citigroup ожидают, что средние цены на DRAM в этом году вырастут на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %. По итогам года в целом SK hynix выручили рекордные $68 млрд, операционная прибыль достигла $33 млрд, а чистая — $30 млрд, при этом норма прибыли выросла до 44 %. В сегменте DRAM выручка от реализации HBM более чем удвоилась. Классическую DRAM компания начала выпускать по шестому поколению техпроцесса 10-нм класса (1c). В серверном сегменте SK hynix начала предлагать модули DDR5 в исполнении RDIMM объёмом 256 Гбайт. В текущем году компания надеется ускорить переход на техпроцесс 1c при производстве DRAM, а также предлагать на рынке ИИ актуальные решения типа модулей SOCAMM2 и микросхем GDDR7. В сегменте NAND компания завершила разработку 321-слойной памяти типа QLC, а также добилась рекордной выручки от реализации флеш-памяти. США пригрозили Samsung и SK hynix 100-процентными пошлинами за отказ локализовать производство
19.01.2026 [12:08],
Алексей Разин
Обсуждая соглашение с Тайванем в сфере внешней торговли, профильный американский министр Говард Лютник (Howard Lutnick) уже признался, что если тайваньские производители не пожелают локализовать выпуск чипов в США, то могут столкнуться с повышением импортных пошлин до 100 %. Как оказывается, это условие распространяется не только на производителей с Тайваня. 
Источник изображения: Micron Technology Напомним, компания TSMC благодаря своему участию в локализации производства в Аризоне сможет не только претендовать на получение части из $250 млрд заёмных средств, предоставляемых под гарантии американского правительства, но и в период строительства локальных предприятий ввозить без уплаты пошлин объёмы продукции, в 2,5 раза превышающие объёмы выпуска будущего предприятия. После завершения строительства квота беспошлинного ввоза сокращается до полуторакратной, но все объёмы свыше этого уровня TSMC всё равно будет проводить через американскую таможню по ставке 15 %. Выступая на церемонии закладки фундамента крупного комплекса Micron Technology по выпуску памяти в штате Нью-Йорк, министр Лютник заявил следующее: «Любой, кто хочет выпускать память, имеет два варианта: либо платить пошлину в размере 100 %, либо строить в Америке. Это промышленная политика». Заметим, что крупнейшими поставщиками памяти являются южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix, американская Micron Technology занимает третье место по общим объёмам производства такой продукции. Соответственно, слова американского министра можно истолковать таким образом, что таможенные пошлины в размере 100 % будут применяться и к продукции Samsung, и SK hynix, ввозимой на территории США, если обе компании не пожелают расширить свою производственную базу в этой стране. Говард Лютник при этом не стал называть имена конкретных компаний или страны, к которым относятся новые требования по локализации производства памяти в США. Их представляется возможным определить, используя простую логику. Samsung Electronics ещё в 2024 году объявила о намерениях вложить в локализацию производства в США более $40 млрд, причём $17 млрд из этой суммы будет направлено на передовое предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти в Техасе. Соответственно, Samsung номинально соответствует новым требованиям властей США к организации если не производства, то хотя бы упаковки памяти на территории страны. Осталось только убедиться, что предполагаемые объёмы обработки продукции в Техасе удовлетворят запросы американских властей. SK hynix в общей сложности собирается направить в американскую экономику $15 млрд, из них $4 млрд будут направлены на передовое предприятие по упаковке и тестированию памяти в штате Индиана. На фоне планов Micron, которая собирается за двадцать лет потратить в США около $200 млрд, эти суммы меркнут, но южнокорейские производители при этом оперируют более сжатыми сроками. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
