Память типа HBM4 окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы

Спрос на увеличение пропускной способности памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, подталкивает производителей быстрее осваивать выпуск HBM4. Между тем, эксперты TrendForce установили, что HBM4 в производстве окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы, поскольку имеет более сложную компоновку.

Источник изображения: SK hynix

Во-первых, разрядность шины памяти при переходе от HBM3E к HBM4 удваивается с 1024 до 2048 бит. Соответственно, это приведёт к увеличению площади кристалла и расхода материала (кремния). Во-вторых, базовый кристалл HBM4 в отдельных вариантах исполнения будет содержать некоторые логические структуры, что тоже увеличит его стоимость. Подобная интеграция позволит повысить эффективность обмена данными и адаптировать микросхемы HBM4 к нуждам конкретных крупных клиентов.

Для HBM в целом планомерное увеличение сложности и себестоимости характерно, как поясняет TrendForce. Если HBM3E превзошла предшественницу на 20 %, то HBM4 светит прирост на все 30 %. Характерно, что скорость передачи информации у HBM4 увеличится главным образом за счёт удвоения пропускной способности шины, тогда как частота останется прежней и будет соответствовать режиму 8 Гбит/с. Количество ярусов в стеке тоже не изменится, оно будет достигать 12 или 16 штук.

Уже во второй половине 2026 года, по мнению аналитиков TrendForce, память типа HBM4 сможет обойти по своей популярности HBM3E. При этом южнокорейская компания SK hynix продолжит контролировать более 50 % рынка, а Samsung и Micron придётся выступать в роли догоняющих.