Опрос
|
реклама
Быстрый переход
На Пэта Гелсингера и других руководителей Intel подали в суд из-за провала производственного бизнеса
20.12.2024 [04:58],
Алексей Разин
Ожидания инвесторов, связанные с реструктуризацией Intel, которую затеял в 2022 году теперь уже бывший генеральный директор Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger), до сих пор себя не оправдали. Это заставило некоторых инвесторов подать групповой иск против Intel, в котором действующее и бывшее руководство обвиняется в неудачах производственного бизнеса и сокрытии информации о его бедственном положении. 
Источник изображения: Intel Истцами выступают акционеры Intel, которые обвиняют Патрика Гелсингера и его временного преемника Дэвида Зинснера (David Zinsner), а также различных членов совета директоров в пренебрежении своими должностными обязанностями, незаконном обогащении и нерациональном расходовании корпоративных средств. Возмещение ущерба по иску, если таковое будет санкционировано судом, должно быть сделано в пользу компании Intel, а не индивидуальных акционеров. Только Гелсингеру в течение трёх лет с 2021 года удалось получить компенсацию за свою работу в размере $207 млн, и справедливость этого вознаграждения иск как раз и оспаривает. В апреле 2024 года Intel за счёт изменений в структуре финансовой отчётности раскрыла, что в 2023 году производственное подразделение Intel Foundry Services (IFS) выручило $18,9 млрд, но понесло при этом убытки в размере $7 млрд. По итогам второго квартала текущего года операционные убытки IFS увеличились с $1,87 до $2,83 млрд. По мнению истцов, руководство Intel ранее не демонстрировало признаков обеспокоенности подобными финансовыми перспективами и скрывало правду от акционеров о бедственном положении производственного подразделения. По мнению стороны обвинения, рост показателей IFS, который предъявлялся акционерам, не сопровождался ростом выручки на данном направлении. Во-вторых, в 2023 году оно понесло существенные операционные убытки. В-третьих, прибыль от реализации продукции IFS снизилась в результате снижения всей выручки. Соответственно, IFS не может считаться фактором, оправдывающим изменения в стратегии Intel. Руководство компании, по мнению истцов, не обеспечила достаточно эффективный корпоративный контроль на данном этапе развития бизнеса. Intel назначила Наги Чандрасекарана новым руководителем контрактного производства чипов
25.07.2024 [23:03],
Николай Хижняк
Компания Intel объявила о назначении нового главы подразделения контрактного производства чипов — им стал Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran), который пришел в Intel из Micron, где занимал должность старшего вице-президента по развитию технологий. Теперь он будет напрямую подчиняться генеральному директору Intel Пэту Гелсингеру (Pat Gelsinger). 
Источник изображения: Intel Чандрасекаран назначен на должность директора по глобальным операциям, исполнительного вице-президента и генерального менеджера подразделения контрактного производства чипов Intel Foundry Manufacturing and Supply Chain. На этом посту он сменит Кейвана Эсфарджани (Keyvan Esfarjani), который решил покинуть Intel после почти 30 лет службы. В Intel отмечают, что выдающаяся карьера Эсфарджани заложила прочную основу для Intel Foundry, а его лидерство в обеспечении устойчивости глобальной цепочки поставок и передовой опыт производства помогли компании обеспечить долгосрочный успех. Он останется в Intel до конца текущего года, чтобы обеспечить плавный переход Чандрасекарана на новую должность. Чандрасекаран присоединится к Intel 12 августа. Он будет отвечать за производственные операции Intel Foundry по всему миру, включая фабрично-сортировочное производство, сборочно-испытательное производство, стратегическое планирование Intel Foundry, корпоративное обеспечение качества и цепочки поставок. «Нага — высококвалифицированный руководитель, чей глубокий опыт в области производства полупроводников и разработки технологий станет огромным дополнением к нашей команде», — прокомментировал назначение Гелсингер. «Поскольку мы продолжаем строить глобально устойчивую цепочку поставок полупроводников и создаём первую в мире экосистему фабрик для эпохи искусственного интеллекта, лидерство Наги поможет нам ускорить наш прогресс и извлечь выгоду из значительных возможностей долгосрочного роста в будущем», — добавил глава Intel. В течение более 20 лет службы в Micron Чандрасекаран занимал различные руководящие должности. Совсем недавно он руководил глобальными и инженерными разработками Micron, связанными с масштабированием современных технологий памяти и передовых технологий упаковки, а также инновационными технологическими решениями. Ранее он занимал должность старшего вице-президента Micron по исследованиям, разработкам и операциям. Он имеет опыт в производстве полупроводников, а также в разработке и исследованиях технологических процессов и оборудования, технологиях устройств, технологиях масок и многих других направлениях. Чандрасекаран получил степень бакалавра машиностроения в Мадрасском университете (Индия), степень магистра и доктора машиностроения Университета штата Оклахома (США), степень магистра в области информатики и обработки данных Калифорнийского университета в Беркли (США), а также дипломы MBA для руководителей Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (Высшая школа менеджмента при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе) и Национального университета Сингапура. Направление Intel Foundry включает в себя разработку технологий производства чипов (техпроцессов), глобальное производство, обслуживание клиентов (в том числе и саму Intel) и работу экосистемы компании. Оно объединяет все критически важные компоненты, необходимые клиентам, не имеющим собственных производственных мощностей, для разработки и производства чипов. Доктор Чандрасекаран будет тесно сотрудничать с другими руководителями подразделения Intel Foundry: доктором Энн Келлехер (Ann Kelleher), исполнительным вице-президентом и генеральным директором подразделения Foundry Technology Development; Кевином О'Бакли (Kevin O'Buckley), старшим вице-президентом и генеральным менеджером Foundry Services, а также Лоренцо Флоресом (Lorenzo Flores), финансовым директором Intel Foundry. Intel раскрыла подробности о четырёх разновидностях техпроцесса Intel 3 — +18 % к производительности на ватт и не только
19.06.2024 [11:56],
Алексей Разин
На страницах корпоративного блога Intel на этой неделе появилась публикация со встроенной презентацией, которую производственное подразделение компании подготовило к мероприятию VLSI Symposium. Среди весьма специфичной информации, которая представляет интерес для узких специалистов, было рассказано о тех преимуществах, которые принесут различные версии техпроцесса Intel 3. 
Источник изображений: Intel С докладом на эту тему выступил вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения Валид Хафез (Walid Hafez), отметивший, что освоение техпроцессов семейства Intel 3 является для компанией важным этапом реализации плана 5N4Y, подразумевающего внедрение пяти новых техпроцессов за четыре года, начиная с 2021 года.  Ещё в конце прошлого года первая версия техпроцесса Intel 3 достигла стадии готовности к серийному производству, а в настоящее время он используется для выпуска продукции на экспериментальной линии в штате Орегон, а также на предприятии Intel в Ирландии. С помощью техпроцесса Intel 3 компания будет изготавливать не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы по заказам сторонних клиентов.  Внутри семейства Intel 3 предусмотрено сразу четыре варианта техпроцесса, которые найдут применение на разных этапах для производства компонентов различного назначения. Intel 3-T от базового Intel 3 будет отличаться применением межслойных соединений, позволяющих использовать сложную пространственную компоновку чипов, включая и варианты с размещением микросхем памяти поверх кристалла с вычислительными ядрами. Техпроцессы Intel 3 и Intel 3-T будут использоваться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также изготовления подложек многокристальных чипов. По сравнению с техпроцессом Intel 4, они обеспечат улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра, а также повышение плотности размещения транзисторов на 10 %.  Техпроцесс Intel 3-E обеспечит дополнительные возможности по интеграции с разнородными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он будет применяться для выпуска чипсетов и компонентов систем хранения данных. Наконец, разновидность Intel 3-PT объединит преимущества трёх предыдущих в рамках одних технологических норм. Шаг межслойных соединений удастся уменьшить до 9 мкм, а для объединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит дополнительно увеличить плотность компоновки чипов в одной трёхмерной упаковке. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT будет использовать FinFET-структуру транзисторов. С его помощью будут изготавливаться как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с самой сложной структурой и высокой производительностью. Средства разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, подразумевают использование библиотек с нормами 240 нм, ориентированных на создание высокопроизводительных чипов, а также библиотек с нормами проектирования 210 нм, используемыми для повышения плотности размещения транзисторов.  В рамках техпроцесса Intel 20A позже компания собирается внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подвода питания с обратной стороны кремниевой пластины PowerVia. Об этих нововведениях Intel подробно расскажет отдельно в будущем. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
