Ожидания инвесторов, связанные с реструктуризацией Intel, которую затеял в 2022 году теперь уже бывший генеральный директор Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger), до сих пор себя не оправдали. Это заставило некоторых инвесторов подать групповой иск против Intel, в котором действующее и бывшее руководство обвиняется в неудачах производственного бизнеса и сокрытии информации о его бедственном положении.

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Источник изображения: Intel

Истцами выступают акционеры Intel, которые обвиняют Патрика Гелсингера и его временного преемника Дэвида Зинснера (David Zinsner), а также различных членов совета директоров в пренебрежении своими должностными обязанностями, незаконном обогащении и нерациональном расходовании корпоративных средств. Возмещение ущерба по иску, если таковое будет санкционировано судом, должно быть сделано в пользу компании Intel, а не индивидуальных акционеров. Только Гелсингеру в течение трёх лет с 2021 года удалось получить компенсацию за свою работу в размере $207 млн, и справедливость этого вознаграждения иск как раз и оспаривает.

В апреле 2024 года Intel за счёт изменений в структуре финансовой отчётности раскрыла, что в 2023 году производственное подразделение Intel Foundry Services (IFS) выручило $18,9 млрд, но понесло при этом убытки в размере $7 млрд. По итогам второго квартала текущего года операционные убытки IFS увеличились с $1,87 до $2,83 млрд. По мнению истцов, руководство Intel ранее не демонстрировало признаков обеспокоенности подобными финансовыми перспективами и скрывало правду от акционеров о бедственном положении производственного подразделения.

По мнению стороны обвинения, рост показателей IFS, который предъявлялся акционерам, не сопровождался ростом выручки на данном направлении. Во-вторых, в 2023 году оно понесло существенные операционные убытки. В-третьих, прибыль от реализации продукции IFS снизилась в результате снижения всей выручки. Соответственно, IFS не может считаться фактором, оправдывающим изменения в стратегии Intel. Руководство компании, по мнению истцов, не обеспечила достаточно эффективный корпоративный контроль на данном этапе развития бизнеса.

На страницах корпоративного блога Intel на этой неделе появилась публикация со встроенной презентацией, которую производственное подразделение компании подготовило к мероприятию VLSI Symposium. Среди весьма специфичной информации, которая представляет интерес для узких специалистов, было рассказано о тех преимуществах, которые принесут различные версии техпроцесса Intel 3.

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Источник изображений: Intel

С докладом на эту тему выступил вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения Валид Хафез (Walid Hafez), отметивший, что освоение техпроцессов семейства Intel 3 является для компанией важным этапом реализации плана 5N4Y, подразумевающего внедрение пяти новых техпроцессов за четыре года, начиная с 2021 года.

Ещё в конце прошлого года первая версия техпроцесса Intel 3 достигла стадии готовности к серийному производству, а в настоящее время он используется для выпуска продукции на экспериментальной линии в штате Орегон, а также на предприятии Intel в Ирландии. С помощью техпроцесса Intel 3 компания будет изготавливать не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы по заказам сторонних клиентов.

Внутри семейства Intel 3 предусмотрено сразу четыре варианта техпроцесса, которые найдут применение на разных этапах для производства компонентов различного назначения. Intel 3-T от базового Intel 3 будет отличаться применением межслойных соединений, позволяющих использовать сложную пространственную компоновку чипов, включая и варианты с размещением микросхем памяти поверх кристалла с вычислительными ядрами. Техпроцессы Intel 3 и Intel 3-T будут использоваться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также изготовления подложек многокристальных чипов. По сравнению с техпроцессом Intel 4, они обеспечат улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра, а также повышение плотности размещения транзисторов на 10 %.

Техпроцесс Intel 3-E обеспечит дополнительные возможности по интеграции с разнородными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он будет применяться для выпуска чипсетов и компонентов систем хранения данных. Наконец, разновидность Intel 3-PT объединит преимущества трёх предыдущих в рамках одних технологических норм. Шаг межслойных соединений удастся уменьшить до 9 мкм, а для объединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит дополнительно увеличить плотность компоновки чипов в одной трёхмерной упаковке. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT будет использовать FinFET-структуру транзисторов. С его помощью будут изготавливаться как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с самой сложной структурой и высокой производительностью. Средства разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, подразумевают использование библиотек с нормами 240 нм, ориентированных на создание высокопроизводительных чипов, а также библиотек с нормами проектирования 210 нм, используемыми для повышения плотности размещения транзисторов.

В рамках техпроцесса Intel 20A позже компания собирается внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подвода питания с обратной стороны кремниевой пластины PowerVia. Об этих нововведениях Intel подробно расскажет отдельно в будущем.