Сегодня 12 ноября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → lpddr5

Китайской CXMT удалось запустить массовое производство памяти LPDDR5X

Импортозамещение в китайской полупроводниковой промышленности наиболее явно отслеживается в сфере производства микросхем памяти, поэтому начало массового выпуска LPDDR5X компанией CXMT не могло остаться незамеченным — тем более, что она сама об этом сообщила не без гордости.

 Источник изображения: CXMT

Источник изображения: CXMT

Память такого типа традиционно применяется в мобильных устройствах, потому что оптимизирована с точки зрения энергопотребления. В Китае много национальных производителей смартфонов, которые зародились сперва на внутреннем рынке, и только потом вышли на внешние, поэтому появление у них теоретической возможности приобретать передовую память LPDDR5X местного производства имеет большое значение для всей отрасли. В особенности — для находящейся несколько лет под американскими санкциями Huawei Technologies, которая до сих пор зависела от зарубежных поставщиков в сфере закупок LPDDR5X.

Микросхемы CXMT этого семейства способны достигать скоростей передачи информации от 8533 Мбит/с до 10677 Мбит/с, промежуточная версия имеет скорость 9600 Мбит/с. Два первых по скорости номинала LPDDR5X компания начала выпускать ещё в мае этого года, а вот старшая с точки зрения быстродействия версия пока существует только в виде образцов, поставляемых клиентам CXMT. Производство LPDDR5 было освоено компанией пару лет назад, она поставляет микросхемы объёмом 6 и 12 Гбайт соответственно.

Заметим, что южнокорейская Samsung Electronics поставки LPDDR5X-10667 начала в августе прошлого года, и на этом фоне отставание CXMT не кажется существенным. По данным TrendForce, во втором квартале выручка производителей DRAM в совокупности выросла на 17,1 % в последовательном сравнении до $31,63 млрд, чему способствовал рост цен на фоне бума систем искусственного интеллекта.

Для CXMT данный анонс важен ещё и с точки зрения подготовки к намеченному на следующий квартал первичному размещению акций. Компания хочет разместиться на китайских фондовых площадках, оценив свою капитализацию примерно в $41 млрд. Заявка на IPO была подана ею в Китае в июле этого года. Основанная в 2016 году CXMT, если опираться на оценки канадской TechInsights, сейчас способна выпускать микросхемы DDR5 с использованием 16-нм технологии. Более продвинутые техпроцессы на территории Китая в этой сфере пока недоступны из-за американских санкций.

Samsung сертифицировала свою память LPDDR4X для автомобильной платформы Qualcomm

К автомобильной электронике, которая в наши дни проникает в самые разные системы в составе транспортных средств, предъявляются особые требования по надёжности и устойчивости к экстремальным температурам, а также вибрации. Компания Samsung недавно сообщила, что смогла сертифицировать свою память LPDDR4X на соответствие требованиям Snapdragon Digital Chassis компании Qualcomm.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

По сути, это означает, что Qualcomm доверяет Samsung с точки зрения использования микросхем LPDDR4X в составе мультимедийных систем автомобилей и систем активной помощи водителю, которые оснащает собственными процессорами семейства Snapdragon. Как отмечается, Samsung также разрабатывает память LPDDR5 для использования в автомобильном сегменте, образцы соответствующих микросхем она начнёт поставлять клиентам в четвёртом квартале текущего года. Эти чипы обеспечат высочайшую скоростью передачи информации до 9,6 гигабит в секунду даже в условиях экстремальных температур.

Соответствующая требованиям стандарта AEC-Q100 память LPDDR4X компании Samsung способна работать стабильно при температурах от минус 40 до плюс 105 градусов по шкале Цельсия. Для использования в составе автомобильных мультимедийных систем предназначены микросхемы памяти объёмом до 32 Гбайт. Свою первую память для автомобильной отрасли Samsung выпустила в 2017 году, предложив микросхемы eUFS раньше, чем это сделали конкуренты. В прошлом году был освоен выпуск памяти UFS 3.1 для автомобильного сегмента. По данным HIS, компания Samsung удерживает 32 % рынка памяти для автомобильных систем, уступая только Micron с её 44 %. Как считают эксперты Omdia, мировой рынок автомобильной электроники в период с 2023 по 2028 годы будет в среднем расти на 8 % ежегодно, а сегмент специализированной DRAM будет прибавлять по 16 % в год. К 2027 году его оборот превысит $100 млрд.

Электроника будет дорожать из-за роста цен на DRAM и NAND в этом и следующем году

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор GIGABYTE GAMING A16 3VH: мне нужен стабильный игровой ноутбук, недорого 48 мин.
Nebius заключила сделку с Meta на $3 млрд, распродав все свои вычислительные мощности и нарастив выручку на 355 % 3 ч.
AMD раскрыла первые подробности о Zen 7 — представлен свежий план выпуска CPU-архитектур 3 ч.
Новая статья: Обзор умных часов HUAWEI WATCH Ultimate 2: теперь по-настоящему флагман 3 ч.
Пищу для астронавтов будут делать из мочи — жителям Земли от этого тоже не скрыться 7 ч.
Бывшая Yandex N.V. взлетела — выручка Nebius подскочила на 355 % после сделки с Meta 9 ч.
Экзоскелет из Death Stranding 2 стал реальностью и скоро поступит в продажу — Кодзима приложил руку 9 ч.
По телевизорам Samsung начал расселяться ИИ-помощник Bixby на базе Microsoft Copilot и Perplexity 9 ч.
Ветеран разработки Windows протестировал 25 своих ПК с 1976 года — современный быстрее как минимум в 200 000 раз 9 ч.
Быстро, но недалеко: Kyocera объявила о прорыве в беспроводной связи под водой — 5,2 Гбит/с по лазеру 10 ч.