Теги → lpddr5
Быстрый переход

Китайская CXMT готовится начать производство DRAM по новому 17-нм техпроцессу

Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ранее известная как Innotron, готовится начать производство динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с использованием технологического процесса 17 нм (10G3). Новая технология использует ряд инноваций и позволит компании как увеличить возможности своей памяти, так и расширить её ассортимент.

CXMT начала производство 4-Гбит и 8-Гбит микросхем памяти типа DDR4 на своей фабрике около города Хэфэй (провинция Аньхой, КНР) в сентябре прошлого года. В настоящее время компания использует технологический процесс 19 нм (10G1), который по многом опирается на технологии и интеллектуальную собственность компании Qimonda. Некоторое время назад, по мере освоения 10G1 и повышения уровня выхода годных чипов, CXMT начала использовать её для производства памяти LPDDR4X.

Согласно сообщению сайта DigiTimes, китайская компания завершила разработку технологического процесса 17 нм (10G3) и готовится начать его использование для изготовления памяти во второй половине этого года. Более того, первые 17-нм микросхемы CXMT также планируется отгрузить в 2020 году. Источник не сообщает, какие микросхемы памяти будут производиться по технологии 17 нм изначально, но из ранних сообщений мы знаем, что 10G3 разрабатывалась с прицелом на DDR4, DDR5, LPDDR4X и LPDDR5.

Новый техпроцесс 10G3 продолжит полагаться на иммерсионную фотолитографию, но будет использовать новые конденсаторы, а также толстый алюминиевый редистрибутивный слой (redistributive layer, RDL), который требуется для создания многослойных 2.5D и 3D микросхем. Последние используются как в мобильных устройствах, так и для серверных модулей памяти. При этом, следующее поколение технологии CXMT, 10G5, задействует HKMG диэлектрики (high-k metal gate), а также воздушные зазоры (air-gap), что благоприятно скажется на частотном потенциале будущих микросхем памяти.

В настоящее время власти Китая вкладывают значительные средства в различные высокотехнологичные компании в рамках проекта «Сделано в Китае 2025». Поскольку Китай потребляет около половины мирового объёма DRAM, развитие собственной индустрии имеет огромный смысл для этой страны. Будучи лишь одним из производителей DRAM в КНР, CXMT является самым успешным китайским изготовителем памяти.

Основанная в 2016 году, компания уже построила свой первый производственный комплекс с площадью «чистой» комнаты 65000 м2, чья производительность к концу 2020 года должна увеличиться до 120 тысяч пластин диаметром 300 мм, что сравнимо с производительностью фабрики SK Hynix около Уси (провинция Цзянсу, КНР).

Motorola Edge+ использует новую быструю память LPDDR5 производства Micron

Компания Motorola представила сегодня новый флагманский смартфон Edge+ стоимостью $1000. Новинка построена на базе процессора Qualcomm Snapdragon 865, оборудована 6,7-дюймовым OLED-экраном с разрешением FHD+, а также 108-мегапиксельной основной камерой. Ещё одной интересной деталью устройства являются 12 Гбайт новой оперативной памяти LPDDR5 производства компании Micron.

Это та же память, которая была заявлена у недавно анонсированного флагманского смартфона Xioami Mi 10.

По словам вице-президента Micron Technology Кристофера Мура (Christopher Moore), новые чипы памяти способны подарить незабываемый опыт использования технологии 5G, а также обеспечить максимально быструю работу устройства в любых приложениях.

Новые чипы Micron LPDDR5 обеспечивают в полтора раза более высокую скорость работы и способны передавать данные на скорости 6,4 Гбит/с. Кроме того, новая память на 20 % энергоэффективнее, чем память стандарта LPDDR4, что в свою очередь положительно отразится на общем времени работы мобильных устройств.

Господин Мур отметил, что лично испытал возможности нового смартфона Motorola Edge+ и остался очень доволен устройством и особенно скоростью работы 108-мегапиксельной основной камеры, отметив полное отсутствие задержки между съёмкой и сохранением полученного изображения на флэш-накопитель смартфона.

«Раньше с памятью LPDDR4 это могло занимать около секунды, с новой же памятью это происходит мгновенно. Люди определённо увидят и почувствуют разницу», — отметил вице-президент Micron.

Он также добавил, что ситуация с пандемией COVID-19 конечно же негативным образом скажется на продажах смартфонов в 2020 году и в том числе на флагманских решениях, предлагающих поддержку технологий беспроводной связи 5G. Он согласен с аналитиками, которые говорят, что сначала данная технология будет доступна в основном для флагманских устройств, однако уже в 2021 году мы сможем увидеть её в большинстве новых аппаратов среднего ценового сегмента.

«Ожидалось, что внедрение поддержки 5G произойдёт быстрее, но вирус нарушил все планы», — заявил господин Мур.

Напомним также, что в марте Micron начала поставки образцов однокорпусных сборок LPDDR5 рекордной ёмкости для смартфонов среднего класса.

Продавцы DRAM расширяют предложения LPDDR5

Производители памяти расширили свои предложения DRAM для мобильных устройств LPDDR5, что позволит включать такую память в смартфоны среднего класса, обладающие поддержкой 5G. Samsung Electronics первой представила память LPDDR5. После выпуска своих моделей LPDDR5 ёмкостью 8 Гбайт в июле 2018 года компания также выпустила продукты LPDDR5 объёмом 12 Гбайт и 16 Гбайт, произведённые по техпроцессу 1y (10 нм).

Samsung ранее уже сообщала, что будет расширять производство мобильных DRAM LPDDR5 на своём предприятии в Пхёнтэке, и планирует начать во второй половине 2020 года массовый выпуск 16-Гбит кристаллов LPDDR5 с использованием технологии 1z (13–10 нм).

В свою очередь Micron Technology только что рассказала о начале поставок образцов памяти LPDDR5 в упаковках uMCP, предназначенных для смартфонов среднего класса 5G. Ранее в этом году Micron объявила о старте массового производства памяти LPDDR5 для флагманских смартфонов вроде серии Xiaomi Mi 10. Micron добавила, что в её новой упаковке uMCP5 используются чипы, произведённые по техпроцессу 1y (10 нм).

По данным DRAMeXchange, несмотря на текущие тенденции в индустрии, Samsung удалось увеличить свою операционную маржу до 36 % в четвёртом квартале 2019 года с 33 % в предыдущем квартале благодаря снижению затрат, связанных с переходом на технологию 1y (10 нм). SK Hynix и Micron столкнулись в тот же период со снижением операционной прибыли.

По словам DRAMeXchange, на заводе Micron в Таоюане на севере Тайваня (ранее Inotera Memories) производилось около 30 % продукции с использованием технологии 1y (10 нм).

Micron начала поставки образцов однокорпусной сборки LPDDR5 рекордной ёмкости

Компания Micron позаботилась о продлении времени автономной работы смартфонов с поддержкой сотовых сетей 5G. В силах компании выпускать энергоэффективную память, рост объёма которой в смартфонах не привёл бы к пропорциональному росту потребления. Новая многокристальная однокорпусная упаковка Micron обеспечит рекордное сочетание объёмов ОЗУ и флеш-памяти, а также скорости работы и потребления.

Дискретные чипы памяти LPDDR5 компании Micron

Дискретные чипы памяти LPDDR5 компании Micron

По словам Micron, сегодня стартовали поставки образцов памяти в упаковке uMCP с интегрированными кристаллами DRAM, NAND и контроллером. Память выпускается с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1y). В одном миниатюрном корпусе в упаковке BGA с 297 контактами находятся 12 Гбайт DRAM LPDDR5, 256 Гбайт NAND-флеш и управляющий контроллер. Если верить производителю, это самое миниатюрное в индустрии решение, которое позволит освободить ещё немного места в смартфонах не жертвуя, а расширяя возможности мобильных платформ.

Интерфейс упаковки двойной. Встроенная в чип память использует для связи с процессором два канала LPDDR5 (скорость работы кристаллов памяти при этом достигает 6,4 Гбит/с на контакт), а флеш-диск подключается к внешнему миру через шину UFS (без указания версии поддерживаемой спецификации). Такое сочетание, по мнению производителя, обеспечит в будущем новинке место в тонких и компактных смартфонах среднего класса.

По сравнению с двухчиповой конфигурацией (DRAM и NAND отдельно) новый многокристальный чип uMCP Micron на монтажной плате занимает на 40 % меньше места. Переход на память LPDDR5 попутно даёт прирост пропускной способности подсистемы памяти на величину до 50 % при сравнении с памятью предыдущего поколения. Количественной оценки снижения потребления Micron не приводит.

«Наша новая упаковка uMCP5 позволяет смартфонам среднего класса с поддержкой 5G работать со сверхмалым временем отклика и в режимах низкого энергопотребления, что необходимо для поддержки основных функций смартфонов, таких как работа нескольких камер с высоким разрешением, многопользовательские игры и приложения AR/VR», ― заявили в Micron.

Представлен флагман Vivo NEX 3S 5G: SD865, LPDDR5, UFS 3.1, 64-Мп камера и 44-Вт зарядка

Как и ожидалось, VIVO представила смартфон Vivo NEX 3S 5G, который получил однокристальную систему Snapdragon 865 и двухрежимный модем Snapdragon X55, чего не было в прошлогоднем NEX 3 5G. Телефон получил и некоторые другие привлекательные функции вроде скоростного накопителя последнего стандарта UFS 3.1 и оперативной памяти LPDDR5.

Vivo NEX 3S 5G позаимствовал у прошлогодней модели многие функции: загнутый на края безрамочный дисплей S-AMOLED Waterfall FullView (1080 × 2256, HDR10+, 100 % цветовой охват гаммы P3 и sRGB), переднюю и заднюю камеры у оригинального телефона NEX 3 5G. Новый смартфон с комбинированным корпусом из стекла и металла имеет размеры 167,44 × 76,14 × 9,4 мм и весит 219,5 грамма. На краях нет физических кнопок включения питания и регулировки громкости. Как и NEX 3 5G, аппарат для этих целей оснащён сенсорными кнопками TouchSense с обратной связью.

NEX 3S 5G — первый флагманский телефон Vivo текущего года на базе мобильной платформы Snapdragon 865. Однокристальная система дополняется 8 Гбайт или 12 Гбайт оперативной памяти LPDDR5 и скоростным накопителем стандарта UFS 3.1 на 256 Гбайт. В смартфоне не предусмотрена поддержка карт памяти.

Фронтальная камера выполнена в виде довольно крупного выдвижного модуля. Он содержит 16-мегапиксельный датчик с диафрагмой f/2 и светодиодную вспышку. Встроенная функция Hyper HDR позволяет телефону повысить точность динамического диапазона, оптимизируя яркость лица пользователя.

На тыльной стороне установлена тройная камера. Её основным компонентом является 64-мегапиксельный датчик Samsung ISOCELL Bright GW1 с диафрагмой f/1,8. Также в наличии сверхширокоугольный (120°) 13-Мп модуль с диафрагмой f/2,2 и ещё один 13-Мп телефотомодуль с диафрагмой f/2,48 и 2-кратным оптическим зумом. Среди особенностей тыльных камер можно отметить HDR, Hyper-HDR, электронную стабилизацию Super EIS при съёмке видео, запись роликов в разрешении до 4K (в замедленном режиме — 480p и 1080p).

В дисплей Vivo NEX 3S 5G встроен сканер отпечатков пальцев. В телефоне установлена ​​операционная система Android 10 на базе FunTouch OS 10. Существует технология анализа процессов VPG, которая может интеллектуально диагностировать аномалии сторонних приложений. Наличие SD865 обещает отличное игровое окружение. Имеется продвинутный вибромотор X-Axis Haptic для комфортного тактильного отклика во время игр и набора текста. Смартфон оснащён улучшенной системой отвода тепла.

NEX 3S 5G оснащён батареей на 4350 мА·ч, что немного меньше, чем 4500 мА·ч у Vivo NEX 3. Беспроводная зарядка не поддерживается. Хотя сертификация 3C намекала, что аппарат может получить 55-Вт зарядник, конечный продукт поставляется со скоростным зарядным устройством на 44 Вт.

Поддерживается последняя версия Wi-Fi 6 и одновременное подключение к двум сетям Wi-Fi. Другие функции, доступные в NEX 3S 5G, включают поддержку двух SIM-карт, Bluetooth 5.0, GPS и USB-C. Не хватает разве что 3,5-мм аудиоразъёма.

Представленный в Китае Vivo NEX 3S 5G выпускается в двух вариантах: 8/256 Гбайт 12/256 Гбайт по цене соответственно 4998 юаней (около $619) и 5​​298 юаней ($763). Доступны три цветовых исполнения: чёрный, синий и красный. Продажи в Китае начнутся 14 марта. О доступности NEX 3S 5G за пределами внутреннего рынка ничего не сообщается.

Vivo NEX 3S 5G выйдет 10 марта — ожидаемые цены, наличие LPDDR5 и UFS 3.1

Компания Vivo подтвердила, что 10 марта официально представит свой новый флагман — Vivo NEX 3S 5G во время специальной трансляции. Последние сообщения показали, что смартфон имеет номер модели V1950A, а спецификации Vivo V1950A уже просочились в Сеть благодаря сертификациям TENAA и 3C. Теперь стали известны дополнительные подробности.

Как сообщает надёжный в прошлом информатор из Китая, Vivo NEX 3S 5G будет поставляться с оперативной памятью новейшего стандарта LPDDR5 и передовым скоростным накопителем UFS 3.1 (одним из первых на рынке). Для сравнения: Vivo NEX 3 5G укомплектован оперативной памятью LPDDR4x и накопителем UFS 3.0. Кроме того, сообщается, что батарея на 4250 мА·ч будет поддерживать скоростную 55-Вт зарядку, хотя компания может продавать телефон с зарядником на 44 Вт.

Утверждается, что улучшенные характеристики достанутся недёшево: стоимость Vivo NEX 3S 5G может легко перевалить в Китае за 5000 юаней (около $717). Впрочем, в этом нет ничего нового: Vivo NEX 3 5G вышел на родном для компании китайском рынке по цене в 5698 юаней ($816).

Напомним ключевые характеристики оригинальной версии аппарата. Это процессор Snapdragon 855 Plus, 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера, тройная основная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 млн пикселей, до 12 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопитель вместимостью до 256 Гбайт.

Vivo NEX 3S 5G получит однокристальную систему Snapdragon 865, включающую 8 ядер Kryo 585 с тактовой частотой до 2,84 ГГц и графический ускоритель Adreno 650. 6,89-дюймовый экран Super AMOLED с разрешением 2256 × 1080 точек, выдвижная 16-Мп камера фронтальная камера; тройная тыльная камера в конфигурации 64 млн + 13 млн + 13 Мп останутся прежними. Минимальный объём ОЗУ составит 8 Гбайт, а флеш-накопителя — 128 Гбайт.

Samsung начала массовый выпуск 16-Гбайт памяти LPDDR5 для смартфонов

Смартфоны уже не первый год опережают ноутбуки и настольные ПК по объёму оперативной памяти на борту. Компания Samsung решила ещё сильнее увеличить этот разрыв. Для будущих аппаратов премиального класса она начала масштабный выпуск 16-Гбайт чипов DRAM LPDDR5.

Новые микросхемы памяти Samsung рекордной ёмкости состоят из 12 сложенных в столбик кристаллов. Восемь из них имеют объём по 12 Гбит, а четыре ― по 8 Гбит. В сумме выходит одна микросхема памяти объёмом 16 Гбайт. Очевидно, что если бы все кристаллы в стеке были бы по 12 Гбит, то Samsung представила бы 18-Гбайт чип, что, вероятно, она сделает в обозримом будущем.

Микросхема Samsung ёмкостью 16 Гбайт выполнена в стандарте LPDDR5 с пропускной способностью 5500 Мбит/с по каждому контакту шины данных. Это примерно в 1,3 раза быстрее, чем в случае мобильной памяти LPDDR4X (4266 Мбит/с). Если сравнивать с 8-Гбайт чипом LPDDR4X (упаковкой), то новая 16-Гбайт микросхема LPDDR5 на фоне двукратного удвоения объёма и роста скорости обеспечивает 20-процентную экономию по потреблению.

Отметим, 16-Гбайт чип LPDDR5 собран из кристаллов памяти, выпущенных с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Во второй половине этого года на предприятии в Южной Корее Samsung обещает приступить к массовому выпуску 16-Гбит кристаллов LPDDR5 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм. Эти кристаллы будут не только самыми ёмкими, но также будут более быстрыми с пропускной способностью 6400 Мбит/с на контакт.

Современные премиальные смартфоны и смартфоны ближайшего будущего, уверены в Samsung, не смогут обойтись без внушительного объёма оперативной памяти. «Умная» фотография с расширением динамического диапазона и другими «фишками», мобильные игры с потрясающей графикой, виртуальная и дополненная реальности ― всё это с подкреплением сетями 5G с увеличенной пропускной способностью и, что более важно, с уменьшенными задержками потребует более быстрого роста памяти в смартфонах, а не в ПК.

Xiaomi Mi 10 получат 8 Гбайт LPDDR5 и 128 Гбайт SSD в минимальной конфигурации

Компания Micron Technology объявила, что её первый в мире серийный энергоэффективный чип оперативной памяти LPDDR5 появится в новой флагманской серии смартфонов Xiaomi Mi 10 и 10 Pro, которая будет представлена через несколько дней. По словам исполнительного директора Лэя Цзюня (Lei Jun), Xiaomi сосредоточена на создании лучших продуктов, а Redmi может справиться с запросами пользователей на оптимальное соотношение цены и качества.

Лэй Цзюнь также отреагировал на недавний опрос в Weibo, продемонстрировавший мнение пользователей о конфигурации смартфонов Xiaomi Mi 10. Подавляющее большинство опрошенных покупателей флагманских устройств теперь рассчитывают не менее чем на 8 Гбайт оперативной памяти. Поэтому смартфоны Xiaomi Mi 10 не получат конфигурацию с 6 Гбайт памяти. Все модели будут иметь не менее 8 Гбайт, причём стандарта LPDDR5. Что касается хранилища, то его минимальный объём составит 128 Гбайт. Лей Цзюнь попросил пользователей забыть о варианте 8 + 64 Гбайт.

Результаты опроса

Результаты опроса

Согласно фактическим результатам тестирования LPDDR5 и LPDDR4X на примере смартфона Xiaomi Mi 10, новое поколение памяти увеличило время автономной работы примерно на 10 %. А в игровых сценариях, экономия может достигать и 20 %.

Mi 10 и Mi 10 Pro должны быть представлены 13 февраля. О предполагаемых характеристиках Xiaomi Mi 10 Pro со 108-Мп камерой мы сообщали на прошлой неделе. На данный момент неизвестна дата появления этих устройств на полках магазинов. Обычно это занимает пару недель.

Micron начала поставки оперативной памяти LPDDR5

Компания Micron объявила, что первая партия оперативной памяти LPDDR5 для смартфонов находится в массовом производстве и уже поставляется клиентам. Новые чипы значительно быстрее и эффективнее, чем LPDDR4x.

LPDDR5 от Micron доступна в упаковках по 6, 8 и 12 Гбайт и предлагает скорость в 5,5 Гбит/с и 6,4 Гбит/с на контакт. Последний показатель на 50 % выше, чем у самых быстрых чипов LPDDR4x (4266 Мбит/с на контакт). Micron также заявила о снижении энергопотребления на 20 % по сравнению с LPDDR4x.

Компания обещает вскоре предложить многочиповые упаковки объединяющие кристаллы LPDDR5 и скоростные накопители UFS на основе флеш-памяти — эти продукты будут доступны в течение первой половины года и, видимо, позволят производителям экономить не только средства, но и внутреннее пространство смартфонов.

Наиболее заметными направлениями использования чипов LPDDR5 станут, безусловно, флагманские смартфоны этого года. Однако Micron также нацеливается на автомобильную электронику и сетевое оборудование — распространение 5G и технологий машинного обучения стимулирует спрос на более быструю память.

Одним из первых продуктов, который будет использовать новый тип оперативной памяти LPDDR5, станет новый флагманский смартфон Xiaomi Mi 10. Впрочем, ZTE тоже объявила об использовании такой памяти в грядущем аппарате Axon 10s Pro на базе Qualcomm Snapdragon 865.

Мобильные процессоры Tiger Lake-U будут поддерживать память LPDDR5

В таможенной базе данных Евразийской экономической комиссии (ЕЭК) были зарегистрированы наборы для разработчиков с ещё не вышедшими процессорами Tiger Lake-U. И благодаря этому выяснилось, что данные мобильные процессоры будут поддерживать работу с памятью типов LPDDR4X и LPDDR5.

Если актуальная память LPDDR4X способна работать с эффективной частотой до 4266 МГц, то предел новой памяти LPDDR5 достигает 6400 МГц. Получается, частота, а соответственно и пропускная способность LPDDR5 выше до 50 %. Не менее важно, что память нового типа потребляет до 30 % меньше энергии по сравнению с LPDDR4X, что явно будет полезно для тонких мобильных систем, в которых, в первую очередь, и будут использоваться чипы U- и Y-серий.

Крупные производители оперативной памяти, Samsung и SK Hynix, планируют начать массовое производство микросхем памяти типа DDR5 к концу текущего года. Поэтому нет ничего удивительного, что мобильные процессоры Tiger Lake, выход которых запланирован на будущий год, получат поддержку памяти LPDDR5.

Согласно последним данным, процессоры Tiger Lake могут дебютировать уже во втором квартале 2020 года. Эти чипы станут преемниками нынешних Ice Lake и также будут производиться по 10-нм техпроцессу, однако будут иметь ряд важных отличий. Это и увеличенный объём кеша, и новая встроенная графика 12-го поколения, и поддержка интерфейса PCIe 4.0.

В конце заметим, что процессоры Tiger Lake в мобильном сегменте будут соперничать с чипами AMD Renoir. И относительно недавно из одного патча ядра Linux стало известно, что процессоры Renoir будут поддерживать память LPDDR4X-4266. Так что у Tiger Lake может быть несомненное преимущество в плане поддержки более скоростной памяти.

Началось производство 12-Гбит чипов Samsung — как раз к Galaxy Note 10

По традиции Samsung стала постепенно делать намёки на характеристики своего будущего флагмана, например, на возможность появления камеры в цифровом пере S Pen. И хотя очередная новость от корейского гиганта напрямую не связана с Galaxy Note 10, она, по крайней мере, даёт надежду, что следующий смартфон не разочарует, когда речь зайдёт о наличии быстрой оперативной памяти.

В прошлом году компания Samsung похвасталась выпуском первых в отрасли чипов оперативной памяти LPDDR5, но их ёмкость была лишь 8 Гбит. На этот раз компания добилась большей вместимости при той же физической площади кристаллов, выпустив 12-гигабитные чипы. Этот продукт позиционируется в том числе для мобильных телефонов — прежде всего, нового поколения с поддержкой сетей 5G. Samsung упомянула, что в этом месяце также планирует начать массовый выпуск 12-Гбайт упаковок, объединяющих 8 кристаллов LPDDR5 — так что, возможно, Galaxy Note 10 действительно получит такую память.

Как отмечает Samsung, использование кристаллов LPDDR5 обещает теоретическую скорость передачи данных до 5500 Мбит/с — выше, чем у предыдущего поколения LPDDR4X с их 4266 Мбит/с. На практике это означает, что за одну секунду можно передать 44 Гбайт данных или 12 фильмов в разрешении Full HD (при среднем размере 3,7 Гбайт). Конечно, всё в оперативной памяти, а не между накопителями NAND. Производитель отмечает, что новые 12-Гбит чипы LPDDR5 производятся с соблюдением 10-нм техпроцесса и используют на 30 % меньше энергии, чем предыдущее поколение.

Samsung также планирует в следующем году представить 16-Гбит кристаллы LPDDR5.

JEDEC опубликовал стандарт LPDDR5, ждём новую память в смартфонах

Комитет JEDEC выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о публикации финальной версии стандарта LPDDR5. Отсутствие чистовой версии стандарта не помешало производителям памяти, в частности ― компании Samsung, завершить разработку микросхем LPDDR5 ещё в середине прошлого года. Тем не менее, публикация стандарта JESD209-5 Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) стала отмашкой для подготовки к выпуску смартфонов с новой версией мобильной памяти.

На старте память LPDDR5 представлена со скоростью обмена по интерфейсу с производительностью 6400 МТ/с (примерно 6400 Мбит/с). Это в два раза выше, чем в первой версии спецификации LPDDR4, опубликованной в 2014 году, и в полтора раза больше по сравнению с современной LPDDR4X с пропускной способностью I/O 4266 Мбит/с. Увеличение скорости передачи данных окажется востребовано как в мобильных устройствах ― смартфонах, планшетах и сверхтонких ноутбуках, так и в новых областях применения, например, в «умной» автомобильной электронике.

Для автомобильной электроники, например, память LPDDR5 опционально поддерживает линию Link Error Correcting Code (ECC) между DRAM и SoC для постоянной коррекции ошибок. Сбой в автомобильной системе чреват тяжкими последствиями, поэтому надёжности данных уделяется повышенное внимание. Не меньшее внимание уделено энергоэффективности новой версии памяти. Введён новый режим «глубокого сна» с двукратным снижением потребления в режиме простоя по сравнению с аналогичным режимом памяти LPDDR4. В общем случае можно говорить примерно о 30 % снижении потребления памяти LPDDR5 в сравнении с памятью LPDDR4X.

Рост пропускной способности LPDDR5, кстати, достигнут не только за счёт повышения рабочих частот, но также за счёт новой организации банков памяти. Число банков может быть 8, как раньше, так и 16. Кстати, тактовые частоты в архитектуре  LPDDR5 могут отличаться друг от друга, как и вводится зональная регенерация памяти, что также добавляет эффективности в работе. Добавим, память LPDDR5 с пропускной способностью 6400 Мбит/с работает с напряжением 1,1 В. Будет также выпускаться память с пропускной способностью 5500 Мбит/с с напряжением 1,05 В.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥