Изначально предполагалось, что в следующем году уже будут построены новые предприятия TSMC и Samsung Electronics на территории США, и выпуск продукции на них успеет начаться до конца 2024 года. Теперь южнокорейские источники со ссылкой на руководство Samsung заявляют, что новое предприятие компании в штате Техас сможет начать массовый выпуск чипов не ранее 2025 года.

Источник изображения: Samsung Electronics

Когда Samsung Electronics после длительной подготовки в 2021 году объявила о намерениях потратить $17 млрд на строительство предприятия по контрактному выпуску полупроводниковых компонентов в техасском Тейлоре, предполагалось, что массовый выпуск продукции оно начнёт во второй половине 2024 года. Теперь южнокорейское издание Seoul Economic Daily, на которое ссылается Bloomberg, упоминает слова президента контрактного подразделения Samsung Чой Си Ёнга (Choi Si-young) в качестве источника информации о переносе запуска работы предприятия на 2025 год.

Ранее конкурирующая тайваньская компания TSMC была вынуждена признать, что сможет начать массовое производство чипов на строящемся в Аризоне предприятии по технологии N4 не ранее 2025 года, хотя изначально также планировала уложиться с этой задачей в рамки 2024 года. Причиной задержки, как считается, стала нехватка квалифицированных специалистов на этапе строительства предприятия и монтажа технологического оборудования. Подобные смещения в графике означают, что американские предприятия TSMC и Samsung могут быть введены в строй только после президентских выборов США, которые состоятся в начале ноября 2024 года. Оба проекта по строительству предприятий сильно зависят от выделения государственных субсидий, которые рассчитаны на пять лет.

Похоже, что сотрудничество Samsung и Naver по выпуску чипов для гипермасштабируемых ИИ-моделей уже приносит свои плоды: компании утверждают, что их решение на базе программируемых пользователем вентильных матриц (FPGA) в восемь раз энергоэффективнее, чем любой продукт NVIDIA. Это смелое заявление, и оно, несомненно, будет проверено, когда независимые стороны получат возможность поближе познакомиться с чипом Naver.

Источник изображения: pixabay.com

По словам представителей компаний-партнёров, высокая энергоэффективность достигается отчасти благодаря тому, что в чип интегрирована память DRAM с пониженным энергопотреблением (LPDDR — точный тип памяти не указывается). Однако подробной информации о том, как LPDDR работает в этом новом чипе и что конкретно может привести к столь значительному повышению производительности, предоставлено немного.

Гипермасштабируемая языковая модель HyperCLOVA, разработанная Naver, также играет ключевую роль в достижении высокой эффективности. Naver заявляет, что продолжает работать над улучшением этой модели, надеясь добиться ещё большей эффективности за счет улучшения алгоритмов сжатия и упрощения модели. В настоящее время HyperCLOVA насчитывает более 200 миллиардов параметров.

Источник изображения: Samsung

Сук Гын Чунг (Suk Geun Chung), глава Naver CLOVA CIC, утверждает: «Объединив наши знания и ноу-хау, полученные в HyperCLOVA, с мастерством Samsung в производстве полупроводников, мы уверены, что сможем создать совершенно новый класс решений, способных лучше справиться с проблемами современных технологий ИИ».

Появление ещё одного игрока на рынке чипов для ИИ неудивительно, ведь NVIDIA продолжает зарабатывать на своих предложениях в этой области. Наличие дополнительных возможностей будет полезно для разработчиков, желающих работать с ИИ.

В зависимости от ситуации на рынке микросхем памяти, Samsung Electronics способна претендовать на звание крупнейшего поставщика полупроводниковых компонентов, но по затратам на исследования и разработки в рейтинге Еврокомиссии за 2022 год она сползла на одну позицию, уступив Volkswagen и заняв только седьмое место.

Источник изображения: Samsung Electronics

Для сравнения, как поясняет Business Korea, в 2018 году Samsung Electronics возглавляла данный рейтинг, и несколько раз добивалась этого ранее. Однако, бурное развитие американских технологических гигантов сделало достижение первой позиции для Samsung весьма проблематичным в последние годы. В 2021 году она занимала шестую позицию, но в прошлом уступила ей немецкому автоконцерну Volkswagen, который огромные средства вкладывает в переход на электротягу.

В 2022 году, как информировала Еврокомиссия, компания Samsung Electronics потратила на исследования и разработки 18,435 млрд евро. Южнокорейский гигант оказался единственной компанией в первой десятке, которая уступила потеряла позиции с предыдущего года. Автогигант Volkswagen в 2022 году, по данным Еврокомиссии, потратил на исследования и разработки 18,98 млрд евро. Выше этих двух участников в рейтинге Еврокомиссии расположились американские компании Alphabet (Google), Meta✴ Platforms, Microsoft, Apple, а также китайская Huawei.

В статистике Еврокомиссии учитываются затраты на исследования и разработки 2500 крупнейших компаний мира. В прошлом году они в совокупности выросли на 12,8 % до 1,249 трлн евро, обновив исторический максимум. Samsung Electronics свои профильные расходы увеличила только на 10,3 %. Для экономики Южной Кореи характерна высокая концентрация профильных расходов, одна только Samsung Electronics контролировала 49,1 % годовых затрат на НИОКР всех национальных компаний. На пятёрку корейских лидеров пришлось 75,5 % расходов национальных компаний на исследования и разработки.

При этом в первую сотню мировых лидеров по затратам на НИОКР попали только четыре компании из Южной Кореи, причём SK hynix досталось 59-е место, LG Electronics довольствовалась 72-м, а автопроизводитель Hyundai Motor оказался на 91-м. Система субсидирования научно-технической деятельности в Южной Корее поощряет развитие средних и малых компаний, а потому гиганты типа Samsung остаются без государственной поддержки. Страна демонстрирует достаточно высокую концентрацию исследователей на душу населения, но среди них мало обладателей научных степеней по сравнению с прочими экономически развитыми странами. По прогнозам корейских экспертов, их доля к середине этого века сократится в два раза от текущего уровня.

В октябре 2020 года южнокорейская компания Samsung Electronics представила умный браслет Galaxy Fit 2, который неплохо продавался за счёт удачного сочетания функциональных возможностей и цены, но преемник в этом семействе появится лишь в следующем полугодии, как сообщают корейские СМИ. Тем самым заодно опровергаются и слухи о намерениях Samsung упразднить всю линейку умных браслетов.

Samsung Galaxy Fit 2. Источник изображения: Samsung Electronics

Четырёхлетний перерыв для динамично развивающегося рынка носимых устройств — это достаточно много, поэтому нет ничего удивительного в том, что слухам о намерениях Samsung прекратить выпуск браслетов Galaxy Fit 2 поверили многие обыватели, и цены в розничном сегменте рынка на этом фоне на какое-то время взлетели в четыре раза. Теперь Business Korea сообщает, что Samsung собирается представить браслет Galaxy Fit 3 в первой половине следующего года.

Анонс долгожданной новинки будет обособлен от январского мероприятия Galaxy Unpacked, но состоится ближе к началу 2024 года. В течение следующего года компания собирается поставить на рынок около 1 млн браслетов новой модели. О функциональных возможностях Galaxy Fit 3 ничего толком не сообщается, но они наверняка расширятся по сравнению с предшественником. Кроме того, новому браслету полагается и более крупный дисплей. Сейчас на рынке носимых устройств лидирует Apple с долей 45 %, Samsung довольствуется вторым местом с 18 % сегмента, а третье место досталось Huawei с 14 %. Для многих покупателей браслеты Galaxy Fit стали первым шагом в экосистеме носимых устройств Samsung, они помогают компании удерживать рыночные позиции.

Политика американской корпорации Qualcomm подразумевает использование услуг как можно большего количества контрактных производителей чипов, поэтому свои 3-нм мобильные процессоры Snapdragon 8 Gen 4 она рассчитывала получать как от TSMC, так и от Samsung. Впрочем, на практике пришлось временно отказаться от услуг последней, а потому выпускать 3-нм чипы для Qualcomm пока будет только TSMC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом со ссылкой на издание TechNews сообщает TrendForce. По данным источника, к использованию услуг двух подрядчиков в сфере производства 3-нм чипов Qualcomm рассчитывает приступить не ранее 2025 года, а пока будет всецело полагаться на техпроцесс N3E тайваньской компании TSMC. В следующем году Samsung Electronics уже рассчитывает внедрить второе поколение 3-нм техпроцесса (3GAP или SF3) в массовом производстве, но запланированные темпы экспансии оказались ниже требуемых Qualcomm, а потому сотрудничество между компаниями в этой сфере не состоялось. В рамках второго поколения 3-нм технологии Samsung будет использовать ещё более сложную структуру транзисторов MBCFET, поэтому сложности с миграцией не исключены.

Первое поколение 3-нм техпроцесса (SF3E) с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) было освоено Samsung в массовом производстве ещё в июне 2022 года, но большого количества сторонних клиентов привлечь не позволило. Как сообщается, у второго поколения 3-нм техпроцесса Samsung на данном этапе тоже наблюдаются проблемы с уровнем выхода годной продукции, поэтому в совокупности с ограниченностью производственных мощностей это не позволило южнокорейскому подрядчику получить заказы Qualcomm.

TSMC проблем с темпами экспансии выпуска 3-нм продукции не испытывает, к концу 2024 года она собирается ежемесячно обрабатывать по 100 000 кремниевых пластин с этим видом изделий, а долю 3-нм техпроцесса в совокупной выручке удвоить с нынешних 5 до 10 %.

Южнокорейская компания Samsung Electronics давно является крупнейшим производителем чипов в мире в целом, а также одним из крупнейших контрактных производителей чипов после TSMC. Теперь Samsung поделилась планами по развитию контрактного полупроводникового бизнеса. Компания рассчитывает к 2028 году до 32 % выручки на этом направлении получать от выпуска чипов для серверных решений, включая и системы искусственного интеллекта.

Источник изображения: Samsung Electronics

Сейчас, как поясняет Business Korea, структура выручки профильного подразделения Samsung демонстрирует заметный перевес в сторону мобильных чипов, на долю которых приходится 54 % выручки. Высокопроизводительные компоненты для серверных систем и центров обработки данных обеспечивают не более 19 % контрактной выручки Samsung, а автомобильный сегмент даёт ещё 11 %. К последнему относятся и выпускаемые Samsung по заказу сторонних клиентов чипы для систем активной помощи водителям.

К 2028 году, если верить знакомым с намерениями Samsung источникам, компания рассчитывает как минимум удвоить количество сторонних клиентов на контрактном направлении. К тому времени доля мобильных компонентов в структуре выручки контрактного подразделения должна снизиться до уровня чуть выше 30 %, а доля высокопроизводительных решений должна вырасти до 32 %. Автомобильный сегмент подрастёт до 14 %.

Сейчас крупнейшими клиентами контрактного подразделения Samsung как раз являются Samsung LSI и Qualcomm, и они в совокупности с рядом более мелких клиентов в целом обеспечивают 54 % выручки именно за счёт заказов на выпуск мобильных компонентов. Ситуация начинает меняться, как поясняют тайваньские СМИ. Компания AMD якобы готова доверить Samsung выпуск 4-нм компонентов для своих центральных серверных процессоров EPYC следующего поколения. В рамках этих технологических норм уровень выхода годной продукции Samsung достиг вполне конкурентоспособных 70 %. Корейский гигант теперь может побороться за клиентов с TSMC.

Microsoft свои первые процессоры для облачных систем будет получать от TSMC, которая будет использовать для их выпуска 5-нм технологию, но в дальнейшем и она может заинтересоваться услугами Samsung. Наличие альтернативного подрядчика всегда позволяет разработчикам рассчитывать на снижение цен на их услуги. К 2026 году Samsung собирается выпускать автомобильные и высокопроизводительные компоненты по 2-нм технологии, а к 2027 году освоить 1,4-нм техпроцесс.

Министерство торговли Южной Кореи опубликовало октябрьскую статистику, которая указывает на рост выручки от экспорта микросхем памяти на 1 % по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года. Ещё в сентябре экспортная выручка на этом направлении снижалась на 18 %, а теперь она перешла к росту впервые за предыдущие 16 месяцев.

Источник изображения: SK hynix

Многокристальные решения увеличили выручку на 12,2 %, выступив лучше всех прочих категорий памяти, а поставки DRAM в денежном выражении сократились до однозначных величин в процентах впервые более чем за год (8,1 %). Выручка от реализации микросхем типа NAND сократилась в годовом сравнении на 0,6 %, в этом отношении говорить о стабилизации рынка преждевременно. Так или иначе, совокупный рост выручки от экспорта памяти позволил южнокорейским властям скорректировать прогноз по росту ВВП в следующем году с 1,4 до 2,2 %.

Экспорт товаров из Южной Кореи в целом вырос впервые с конца прошлого года. Дисплеи и сопутствующие компоненты увеличили по итогам октября экспортную выручку на 13,1 % в годовом сравнении, а выручка от реализации смартфонов сократилась на 3,3 %. В сентябре на последнем направлении падение экспортной выручки достигало 5,2 %. В Южной Корее находятся штаб-квартиры двух крупнейших производителей памяти в мире — компаний Samsung Electronics и SK hynix, их деятельность сильно влияет на всю национальную экономику.

Южнокорейская компания Samsung Electronics является крупнейшим в мире производителем памяти, и она одной из последних приступила к сокращению объёмов выпуска микросхем типа NAND, чтобы спровоцировать рост цен после затяжного падения. В этом квартале она решилась на прямое повышение цен на величину до 20 %, и продолжит предпринимать аналогичные меры вплоть до середины следующего года.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом, как сообщает TrendForce, стало известно на этой неделе с подачи южнокорейских СМИ. В текущем квартале контрактные цены на кремниевые пластины с микросхемами NAND компания повысила на величину от 10 до 20 %, но сразу же решила, что будет повышать их на 20 % как в первом квартале следующего года, так и во втором. Цены на флеш-память повышаются с августа этого года, как отмечает TrendForce, и это уже привело к тому, что в текущем квартале контрактные цены на твердотельные накопители корпоративного класса выросли на 5–10 %. Для поставщиков наступают выгодные времена, поскольку у них появляется возможность настаивать на собственных ценах в переговорах с покупателями. Контрактные цены на SSD в сегменте ПК в текущем квартале должны вырасти на 8–13 %, по мнению аналитиков TrendForce.

В текущем квартале вырастут цены и на другие виды памяти. Например, мобильная DRAM подорожает на контрактном рынке на 13–18 %, а используемая в картах памяти NAND вырастет в цене на 10–15 %. В прочих сегментах рынка цены на микросхемы DRAM будут расти не так заметно. В случае с Samsung память типа NAND и DRAM различного назначения формирует около половины выручки от реализации компанией полупроводниковой продукции. Наращивать объёмы выпуска памяти Samsung в текущих условиях не торопится, но выручка может вернуться к росту после повышения цен уже в этом квартале. Переизбыток памяти сейчас больше ощущается в сегменте NAND, как дали понять представители южнокорейского гиганта на отчётном мероприятии в прошлом месяце.

Представители Phison тоже убеждены, что коррекция складских запасов на рынке памяти подходит к концу. Руководство ADATA убеждено, что цены на память будут расти с этого квартала и до конца следующего полугодия. В последующие два года нехватка микросхем памяти на рынке будет способствовать процветанию производителей, пока очередной цикл не сменится. Считается, что заданная Samsung тенденция к повышению цен на память типа NAND будет в ближайшие месяцы подхвачена всем остальным рынком.

На этой неделе южнокорейская компания Samsung Electronics посвятила инвесторов в ближайшие планы по переходу к выпуску продукции по новым ступеням своих литографических технологий. Во второй половине следующего года она рассчитывает выпускать изделия с использованием второго поколения 3-нм техпроцесса (SF3), а также производительного варианта 4-нм технологии (SF4X).

Источник изображения: Samsung Electronics

Во второй половине следующего года, как отмечает AnandTech, южнокорейский гигант пообещал наладить массовый выпуск продукции с использованием второго поколения 3-нм технологии и четвёртого поколения 4-нм техпроцесса для высокопроизводительных компонентов (HPC). Рынок должен вернуться к росту, поскольку в мобильном сегменте наблюдается оживление, а также растёт спрос на компоненты для высокопроизводительных вычислений.

Техпроцесс SF3 станет важным обновлением по сравнению с уже существующим SF3E, который применяется для выпуска ограниченного ассортимента продукции вроде ускорителей майнинга криптовалют с достаточно простой архитектурой. Техпроцесс SF3, по словам представителей Samsung, предоставит возможность создавать более разнообразные компоненты, поскольку ширина канала транзисторов с окружающим затвором (GAA) будет варьироваться.

Источник изображения: Anandtech, Samsung Electronics

Прямого сравнения техпроцессов SF3E и SF3 компания избегает, но отмечает, что последний по сравнению с SF4 он обеспечивает увеличение скорости переключения транзисторов на 22 % при неизменных энергопотреблении и плотности размещения элементов, либо снижения энергопотребления на 34 % при неизменных частотах и плотности транзисторов, а также позволяет в случае необходимости увеличить плотность размещения транзисторов на 21 %. В общем, техпроцесс SF3 позволит создавать компоненты с более сложной структурой, а потому ассортимент чипов, выпускаемых по второму поколению 3-нм техпроцесса Samsung, должен будет расшириться по сравнению с первым поколением.

Попутно продолжается развитие семейства 4-нм технологий Samsung. Версия SF4X подойдёт для выпуска высокопроизводительных компонентов типа центральных и графических процессоров, используемых в серверной среде. Подобное решение в ассортименте техпроцессов Samsung появится впервые за долгие годы. Скорость переключения транзисторов в рамках SF4X повысится на 10 %, а уровень энергопотребления снизится на 23 %. База для сравнения в данном случае не упоминается, но ею вполне может являться техпроцесс SF4 (4LPP). Прогресс достигнут за счёт оптимизаций на уровне структуры транзисторов и применению новой архитектуры MOL. Последняя позволяет опустить минимальное напряжение до 60 мВ, ограничить колебания силы тока в выключенном состоянии пределами 10 %, а также обеспечить стабильность работы компонентов при напряжениях свыше 1 В. Использование этой архитектуры при выпуске ячеек памяти типа SRAM позволяет повысить норму прибыли. Обычно новые техпроцессы как раз обкатываются микросхемах на памяти.

На днях вице-президент подразделения Samsung по контрактному производству чипов Чон Ги Тхэ (Jeong Gi-Tae) в интервью изданию The Elec сообщил, что в будущем техпроцессе SF1.4 (класс 1,4 нм) количество каналов в транзисторах будет увеличено с трёх до четырех, что принесёт с собой ощутимые преимущества в плане производительности и энергопотребления. Это произойдёт на три года позже выпуска аналогичных по строению транзисторов Intel, что заставит Samsung догонять конкурента.

Источник изображения: Samsung

Компания Samsung первой начала выпускать транзисторы с затвором, полностью окружающим каналы в транзисторах (SF3E). Это произошло больше года назад и используется довольно избирательно. Например, такого рода 3-нм техпроцесс задействован для выпуска чипов для майнеров криптовалюты. Каналы в транзисторах в новом техпроцессе представляют собой тонкие нанолисты, размещённые друг над другом. В транзисторах Samsung три таких канала, которые со всех четырёх сторон окружены затвором и поэтому ток через них течёт под точным контролем с минимальными утечками.

Планы Samsung по введению новых техпроцессов

Компания Intel, напротив, свои первые транзисторы с каналами-нанолистами начнёт выпускать в 2024 году с использованием 2-нм техпроцесса RibbonFET Gate-All-Around (GAA). С самого начала они будут иметь по четыре нанолистовых канала в каждом. Это означает, что GateGAA-транзисторы Intel будут более производительные, чем аналогичные по строению транзисторы Samsung, смогут пропускать больший ток и окажутся более энергоэффективными, чем транзисторы южнокорейского конкурента. Это будет длиться около трёх лет, пока Samsung не начнёт выпускать чипы на техпроцессе SF1.4, что ожидается в 2027 году. Как теперь стало известно, они тоже станут «четырёхлистовыми» — получат по четыре канала каждый вместо сегодняшних трёх.

Архитектура будущих 2-нм транзисторов Intel с нанолистовыми каналами, полностью окружёнными затвором. Источник изображения: Intel

Другое дело, будет ли Samsung на самом деле отставать от Intel в плане технологичности? К тому времени у южнокорейской компании будет пять лет опыта по массовому выпуску GAA-транзисторов, тогда как Intel будет оставаться новичком. А с производством таких транзисторов вряд ли всё просто, раз Samsung использует этот техпроцесс очень и очень избирательно. В любом случае, переход на новую архитектуру транзисторов станет для отрасли полупроводников заметным прорывом и позволит ещё на несколько лет отодвинуть барьер, за которым традиционное производство полупроводников перестанет находиться на острие прогресса.

Преобладание негативных тенденций в финансовой отчётности Samsung, сильно зависящей от состояния рынка памяти, не помешало инвесторам найти поводы для оптимизма. По крайней мере, операционная прибыль компании в прошлом квартале превзошла ожидания аналитиков, в два раза они ошиблись и с прогнозом по степени снижения чистой прибыли.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, аналитики в среднем ожидали получения компанией Samsung Electronics чистой прибыли в $1,86 млрд по итогам минувшего квартала, но фактически она достигла $4,1 млрд, хотя при этом и снизилась на 40 % в годовом сравнении. В прошлом квартале чистая прибыль компании сокращалась на 86 %, поэтому снижение темпов падения показателя можно считать определённым успехом.

Операционная прибыль сократилась за год на 77,6 % до $1,8 млрд, но всё равно оказалась выше ожиданий рынка. Зато в последовательном сравнении операционная прибыль компании выросла на 262,6 %. Совокупная выручка Samsung в прошлом квартале приблизилась к $50 млрд, лишь чуть-чуть не оправдав прогнозов аналитиков. В годовом сравнении выручка компании упала на 12,2 %. Собственные прогнозы по выручке и операционной прибыли, которые были названы в текущем месяце, Samsung Electronics даже слегка превзошла.

В текущем квартале уверенности Samsung в дальнейшем улучшении ситуации на рынке памяти добавляют стабилизация спроса и снижение темпов инфляции, а также выход новых продуктов в исполнении её клиентов, особенно в сегменте ПК и смартфонов. Помимо выхода новинок, спрос на память в этом квартале должны подогревать системы искусственного интеллекта.

Располагая самыми крупными производственными мощностями в мире, Samsung рассчитывает заработать на увеличении объёмов выпуска памяти типа HBM3 и HBM3E, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. По прогнозам сторонних аналитиков, в текущем квартале Samsung всё же будет допущена к поставкам памяти типа HBM3 для нужд компании NVIDIA, тогда как до этого потребности последней тщетно пыталась удовлетворить лишь SK hynix. С середины следующего года, по некоторым оценкам, Samsung начнёт снабжать памятью типа HBM3P ускорители вычислений следующего поколения. В четвёртом квартале, как ожидает Samsung, цены на память будут расти, а спрос на неё будет восстанавливаться ещё быстрее, чем в предыдущем. По мнению руководства корейской компании, отрасль достигла дна, и спрос на память начинает восстанавливаться в сегменте ПК и смартфонов. При этом в текущем году придётся и дальше сокращать объёмы выпуска памяти, но это в большей степени относится к микросхемам типа NAND. Помимо HBM3, компания будет увеличивать объёмы производства памяти типа DDR5.

На полупроводниковом направлении Samsung последовательно сократила операционные убытки с 3,26 до 2,8 млрд долларов. Начало выпуска смартфонов Apple iPhone 15, как предполагается, существенно увеличило доходы Samsung в сегменте панелей для экранов мобильных устройств.

Прибыль Samsung от реализации мобильных устройств выросла до $2,4 млрд, но по сравнению с прошлым годом изменилась незначительно. Особой популярностью пользовались флагманские модели серии Galaxy S23 и складные смартфоны марки. В мобильном сегменте спрос должен стабилизироваться в следующем году, по прогнозам руководства Samsung, объёмы поставок вырастут на двузначное количество процентов.

В текущем году Samsung увеличит капитальные расходы незначительно, до $39,7 млрд, но и эта сумма будет для компании рекордной. Из них примерно $35,1 млрд будут предназначены полупроводниковому сектору бизнеса. Приоритет будет отдан наращиванию производства микросхем памяти с высокой плотностью типа той же HBM3. В следующем году профильные производственные мощности планируется увеличить в два с половиной раза, как минимум. Представители Samsung на отчётном мероприятии выразили надежду, что NVIDIA не будет в дальнейшем полагаться на единственного поставщика памяти типа HBM3, коим остаётся конкурирующая SK hynix. После публикации отчётности акции Samsung начали было расти в цене, но потом упали на 0,3 %.

Компания Samsung Electronics представила новую серию планшетов Galaxy Tab A9, включающую модели Galaxy Tab A9 и Galaxy Tab A9+. Новинки оснащены самыми большими экранами в серии Galaxy A: у Galaxy Tab A9 диагональ ЖК-экрана составляет 8,7 дюйма, у Galaxy Tab A9+ — 11 дюймов.

Источник изображения: Samsung Electronics

У Galaxy Tab A9 разрешение экрана равно 1340×800 пикселей, соотношение сторон составляет 5:3, частота обновления — 60 Гц. У модели Galaxy Tab A9+ эти показатели равны 1920×1200, 16:10 и 90 Гц соответственно.

В пресс-релизе сообщается, что планшеты базируются на восьмиядерном процессоре, наименование которого не указано. Объём оперативной памяти устройств равен 4 или 8 Гбайт, ёмкость флеш-памяти составляет 64/128 Гбайт. Также есть слот для карт памяти microSD объёмом до 1 Тбайт.

Galaxy Tab A9 оснащён модулем Bluetooth 5.3, Galaxy Tab A9+ — адаптером Bluetooth 5.1. Обе модели поддерживают беспроводные сети Wi-Fi 5. Планшет Galaxy Tab A9 получил поддержку 4G LTE, Galaxy Tab A9+ поддерживает сети 5G.

Обе модели обладают тыльной 8-Мп камерой, разрешение фронтальной камеры у Galaxy Tab A9 равно 2 Мп, у Galaxy Tab A9+ — 5 Мп. Ёмкость батареи у младшей модели составляет 5100 мА·ч, у старшей — 7040 мА·ч. Высокое качество звука у Galaxy Tab A9+ обеспечивают четыре динамика с поддержкой Dolby Atmos, у Galaxy Tab A9 два динамика с поддержкой Dolby Atmos. Защиту пользовательских данных гарантирует фирменная платформа Samsung Knox.

Сообщается, что планшеты уже доступны для покупки в некоторых странах в трёх цветах: графитовом, серебристом и темно-синем. Цена устройств будет известна немного позже.

Президент и глава подразделения памяти Samsung Electronics Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) сообщил в своём блоге, что в начале 2024 года компания начнёт массовое производство памяти 3D NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями. Это позволяет ожидать появления до конца 2024 года новых и более ёмких SSD Samsung, плотность записи у которых будет оставаться самой высокой в отрасли.

Источник изображения: Samsung

Интересно отметить, что первой о намерении преодолеть рубеж в 300 слоёв в составе памяти 3D NAND сообщила компания SK Hynix. В августе этого года на мероприятии Flash Memory Summit (FMS) 2023 она показала образец 321-слойной 3D NAND. Компания Samsung не раскрывает детали о своей разработке, но обещает, что это будет самая многослойная память в индустрии. Она даже может быть с меньшим чему у SK Hynix количеством слоёв, ведь свою передовую память конкурент Samsung начнёт выпускать лишь к середине 2025 года.

Ещё одним различием 300-слойной памяти Samsung и SK Hynix станет их компоновка. Если SK Hynix намерена выпускать 321-слойные чипы в виде стека из трёх установленных друг на друга блоков, то Samsung обещает запустить в производство двухстековые структуры. Каждый из блоков изготавливается на кремниевой подложке в собственном цикле и после порезки из них монтируются готовые чипы в виде стековых конструкций. Очевидно, что двухстековые структуры Samsung будут проще, надёжнее и, возможно, дешевле трёхстековых структур SK Hynix. Но есть нюанс: в каждом блоке памяти Samsung будет больше слоёв, что делает их сложнее и дороже в изготовлении.

Также глава подразделения памяти Samsung сообщил, что специалисты компании работают над повышением производительности будущей памяти, а не только над увеличением её ёмкости. Прогресс не стоит на месте, и в совокупности с новым интерфейсом PCIe 5.0 мы можем достаточно скоро увидеть в продаже более совершенные SSD Samsung.

С 2014 года компания Samsung Electronics развивает свою производственную площадку в китайском городе Сиань, и в настоящее время она обеспечивает до 40 % объёмов выпуска микросхем памяти типа 3D NAND этой марки, но лишь в 128-слойном исполнении. Послабления в сфере экспортного контроля США позволят Samsung в следующем году наладить в Китае выпуск более современных 236-слойных микросхем.

Источник изображения: Samsung Electronics

Перед этим компании предстоит до конца текущего года поставить на предприятие в Сиане необходимое для производства такой памяти технологическое оборудование, и в данном контексте снятие экспортных ограничений со стороны США на бессрочной основе пришлось весьма кстати, хотя подобными послаблениями компания уже пользовалась с октября прошлого года, но первично только в рамках двенадцатимесячного периода. Теперь же в политике властей США появилось больше ясности, и Samsung может приступить к программе модернизации своей китайской производственной площадки, которая является крупнейшей в мире по выпуску памяти типа 3D NAND.

Выпуск 128-слойной памяти в дальнейшем будет не так выгоден, и возникший на рынке избыток микросхем этого поколения Samsung сейчас может использовать для модернизации предприятия в Китае без ущерба для объёмов поставок. Тем более, что сам по себе переход от выпуска памяти шестого поколения (128 слоёв) к восьмому (236 слоёв) снижает производительность предприятия примерно на 30 % из-за возросшей продолжительности производственного цикла. В любом случае, из-за перепроизводства памяти китайское предприятие Samsung сейчас всё равно загружено примерно на 20 % от своих номинальных возможностей.

Переход на выпуск более современной 236-слойной памяти позволит Samsung в конечном итоге снизить себестоимость продукции и сохранить конкурентоспособность бизнеса в глобальных масштабах. Компания является крупнейшим производителем памяти в мире, для неё важно своевременно проводить модернизацию предприятий для поддержания этого статуса, и текущие правила экспортного контроля США ей в этом не препятствуют.

Чисто формально Samsung Electronics не только опередила TSMC по срокам внедрения 3-нм техпроцесса на несколько месяцев, но и существенно обогнала конкурентов по срокам перехода на использование транзисторов с круговым затвором (GAAFET). Южнокорейский производитель теперь надеется опередить соперников в сфере освоения 2-нм техпроцесса, пусть и в ущерб экспансии уже запущенной 3-нм технологии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщает DigiTimes со ссылкой на корейское издание Money Today, которое ссылается на посвящённые в планы Samsung источники, контрактное подразделение корейского гиганта сейчас сосредотачивает свои ресурсы и усилия на ускорении освоения 2-нм технологии, даже если ради этого придётся пожертвовать масштабами внедрения 3-нм техпроцесса. Использовать его в массовом производстве Samsung начала ещё с конца июня 2022 года, но отставшая где-то на полгода TSMC всё равно заполучила большее количество заказчиков на эту ступень литографии.

Отраслевые эксперты ожидают, что 2-нм техпроцесс и его аналоги получат существенное распространение только в 2025 году. Если Samsung Electronics рассчитывает стать серьёзным игроком на рынке контрактного производства чипов с использованием передовой литографии, ей нужно активно осваивать 2-нм нормы уже сейчас. По данным TrendForce, в первом квартале этого года TSMC контролировала почти 60 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов. Руководство Samsung хотело бы видеть компанию в статусе технологического лидера в этой сфере максимум через пять лет. Способность успешно освоить 2-нм техпроцесс будет во многом определять достижимость этой цели.

В рамках 3-нм технологии, как отмечают южнокорейские СМИ, компании TSMC и Samsung располагают сопоставимым уровнем выхода годной продукции, от 50 до 60 %, но если первая сосредоточилась на расширении производственных мощностей данного профиля, то вторая уже размышляет о переходе на 2-нм технологию. Ведётся заблаговременная работа с потенциальными клиентами, которые в будущем могли бы заказывать у неё выпуск 2-нм продукции по собственным проектам. В отличие от TSMC, компании Samsung в рамках 2-нм технологии не нужно впервые применять структуру транзисторов GAAFET, поскольку она была внедрена ещё на этапе 3-нм техпроцесса. При этом TSMC может начать тестовое производство 2-нм чипов уже в этом году, а ещё угрозу обеим старожилам рынка представляет быстрый прогресс Intel в этой сфере.