Samsung для выпуска 400-слойной 3D NAND не сможет обойтись без технологий китайской YMTC

В этом месяце Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, поэтому корейская SK hynix не может претендовать на рекорд, хотя в ноябре уже наладила выпуск 321-слойной памяти, не говоря уже о китайской YMTC с её 294 слоями. Теперь стало известно, что как Samsung, так и SK hynix для производства 400-слойной памяти 3D NAND придётся лицензировать технологии YMTC.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, так утверждает ресурс ZDNet Korea, который сообщил об удачном завершении переговоров между Samsung Electronics и YMTC. Китайский производитель обеспечит корейского лицензионными правами на производство памяти 3D NAND десятого поколения с применением технологии гибридного сращивания, которая в терминологии YMTC именуется Xtacking и была запатентована ранее. Точнее говоря, сама YMTC получила лицензию на использование данного метода объединения двух кремниевых пластин от компании Xperi ещё в 2021 году, и первой среди производителей флеш-памяти начала её применять на практике.

Samsung Electronics рассчитывает использовать данную технологию при производстве собственных микросхем памяти 3D NAND с количеством слоёв более 400 штук со второй половины текущего года, поэтому соответствующее лицензионное соглашение с YMTC и было подписано заранее.

Конкурирующая SK hynix наладить выпуск 400-слойной памяти собирается не ранее следующего года, но она уже в ноябре прошлого года приступила к выпуску 321-слойных чипов, так что в данный момент она опережает Samsung с её 286-слойной памятью. Как ожидается, корейским производителям для увеличения количества слоёв до более чем 400 штук потребуется лицензирование технологий у YMTC.