Сегодня 29 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Кремний для будущих чипов придётся нарезать в другом направлении, выяснили в IBM

Чем меньше становятся транзисторы, тем больше факторов влияет на их производительность. Как выяснили в компании IBM, производительность будущих транзисторов с круговыми затворами и наностраничными каналами будет заметно меняться в зависимости от ориентации кристаллов кремния, из которых они изготавливаются.

 Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Известно, что кристаллическая решётка — это бесконечно повторяющееся чередование одинаковых комбинаций атомов в структуре вещества. В зависимости от выбора направления и места среза, проходящего через кристалл, на образовавшейся грани выступят те или иные сочетания атомов и связей между ними. Учёные давно выяснили, что каждая грань обладает своей дырочной и электронной проводимостью. Пока транзисторы были большими, это можно было не принимать во внимание. Однако при переходе к 2-нм транзисторам и компонентам меньшего размера ориентация кристаллов кремния уже заметно влияет на их производительность.

 Индексы Миллера. Источник изображения: Википедия

Индексы Миллера. Источник изображения: Википедия

Традиционно в индустрии производства полупроводников кремниевую подложку нарезали в плоскости 001 так называемого индекса Миллера. В этой плоскости электронная проводимость наиболее высокая и она оказывает наибольшее влияние на производительность чипа. Дырочная проводимость существенно меньше, но до сих пор это было не критично. В случае создания транзистора из кремния на срезе 110 дырочная проводимость резко возрастает, а электронная немного снижается. В сумме эффект получается положительным и это будет иметь значение для производительности будущих транзисторов.

 Расположение атомов в ячейке кристаллической решётки кремния

Расположение атомов в ячейке кристаллической решётки кремния

В принципе, транзисторы с вертикально расположенными затворами — FinFET, которые давно выпускаются и стали привычными, располагают каналами именно в срезе 110. Другое дело — будущие транзисторы с круговым затвором и наностраничными каналами — GAA. Наностраничные каналы будут располагаться параллельно плоскости традиционного среза кремния и лишатся выигрыша в виде ускоренной дырочной проводимости.

Исследовательская группа IBM создала целый ряд вариаций пар GAA-транзисторов на кремнии с обеими ориентациями срезов. Транзисторы были с разным количеством каналов, с разными сечениями и с каналами разной длины. Во всех случаях транзисторы с ориентацией кремния 110 превзошли своих собратьев из кремния по срезу 001. Для более толстых каналов разница была меньше, но всё равно оставалась. Также транзисторы с электронной проводимостью (nFET) оказались чуть медленнее на срезе 110, чем на 001. Но заметно возросшая производительность транзисторов pFET (с дырочной проводимостью) на кристалле со срезом 110 это компенсировала.

 представление пары вертикально расположенных друг над другом комплементарных транзисторов. Источник изображения: Intel

Представление пары вертикально расположенных друг над другом комплементарных транзисторов. Источник изображения: Intel

Также в компании IBM собираются найти способ уменьшить негативное влияние альтернативной ориентации на электронную проводимость. Кроме того, учёные изучат использование кремния с ориентацией 110 в транзисторах с 3D-наноструктурой, называемых комплементарными полевыми транзисторами (CFET). В этой архитектуре элементы nFET обычно размещаются поверх pFET, чтобы не увеличивать размеры чипов. Ожидается, что такие многоуровневые устройства появятся в течение 10 лет, и все три производителя микросхем с передовой логикой уже представили прототипы CFET в прошлом месяце на конференции IEDM 2023. В таком случае транзисторы pFET могут изготавливаться из кремния 110, а nFET — из кремния 001.

В любом случае, это не решение завтрашнего дня. Вряд ли производители изменят ориентацию порезки кристаллов кремния до 2030 года. У них есть в запасе технологии, повышающие производительность чипов менее экзотическими способами.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В России подорожали ноутбуки премиум-класса — впереди новый виток роста цен 6 мин.
США откладывают закрытие угольных электростанций из-за спроса на электроэнергию для ИИ ЦОД 50 мин.
Huawei удвоит объёмы выпуска флагманских ИИ-чипов в следующем году, но до Nvidia ещё далеко 2 ч.
315 млн ИИ-ядер и 1,4 квадрлн транзисторов: Cerebras открыла в США 10-МВт ЦОД на царь-чипах WSE-3 2 ч.
Крупнейший разработчик технологий для чипов будущего Imec сменит гендира, чтобы преуспеть в эпоху ИИ 3 ч.
Ciena приобрела разработчика оптических компонентов для высокоскоростного интерконнекта Nubis за $270 млн 4 ч.
Одноплатный компьютер AAEON GENE-ARH6 на базе Intel Arrow Lake обладает ИИ-производительностью до 96 TOPS 4 ч.
Прямое улавливание углекислого газа из воздуха остаётся слишком дорогим для массового внедрения 4 ч.
Россияне стали чаще выбирать бюджетную электронику вместо дорогой при заказе из-за рубежа 5 ч.
Канадский рынок дата-центров вырастет почти на порядок — до 10,3 ГВт 5 ч.