Сегодня 01 августа 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

SK hynix расскажет в феврале о памяти GDDR7 и более скоростной HBM3E

На предстоящей конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в феврале, не только компания Samsung собирается рассказать о новом поколении видеопамяти GDDR7. Аналогичную разработку собирается анонсировать компания SK hynix.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Память GDDR7 от SK hynix предложит скорость 35,4 Гбит/с на контакт. Это меньше, чем у памяти Samsung, для которой заявляется скорость 37 Гбит/с. Однако в обоих случаях чипы будут обладать объёмом 16 Гбит. Благодаря этому при поддержке графическим процессором 256-битной шины памяти на одной стороне видеокарты можно будет разместить до 16 Гбайт памяти.

Далеко не все микросхемы нового поколения памяти GDDR7 предложат скорость 37 Гбит/с. Некоторые чипы будут медленнее, как в случае с SK hynix. Однако своё применение они тоже найдут несомненно. Как и Samsung, компания SK hynix использует в GDDR7 схему амплитудно-импульсную модуляция PAM3, а также собственную энергоэффективную архитектуру. Правда, компания не поясняет, какую именно и похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты, как в чипах Samsung.

Память GDDR7, как ожидается, будет активно использовать в новом поколении графических ускорителей, как в игровом, так и в профессиональном сегментах. Однако рынки ИИ-вычислений и HPC будут по-прежнему в значительной степени полагаться на высокопроизводительную память HBM3E. У SK hynix и здесь есть новинки. Производитель собирается рассказать о новых 16-слойных стеках памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, способных обеспечить скорость 1280 Гбайт/с. Графический процессор, оснащённый четырьмя такими стеками памяти общим объёмом 192 Гбайт, сможет обеспечить пропускную способность на уровне 5,12 Тбайт/с.

В составе нового стека памяти HBM3E от SK hynix реализована новая схема всестороннего питания TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS. Производитель также собирается показать новую память LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких ноутбуков. Эти чипы обеспечивают скорость передачи данных до 10,5 Гбит/с на контакт и работают при напряжении 1,05 В.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Google выпустила Gemini 2.5 Deep Think — рассуждающую ИИ-модель, которая параллельно обдумывает несколько идей 24 мин.
Microsoft решила забросить Windows 11 SE — своего конкурента Chrome OS 39 мин.
В ГАИ рассказали, когда цифровые водительские права станут полноценной заменой аналоговым в России 42 мин.
Внедрение ИИ сработало: Bing отобрал у Google часть поискового трафика 45 мин.
Китай обвинил США в кибератаках через уязвимость Microsoft Exchange 3 ч.
Инвесторы, наконец, увидели отдачу от гигантских вложений ИТ-компаний в ИИ 5 ч.
Хакеры атаковали посольства в Москве, замаскировав вирусы под софт «Лаборатории Касперского» 5 ч.
Кодзима раскритиковал современные блокбастеры и разработчиков военных игр, которые не знают, как разобрать автомат 6 ч.
Intel XeSS теперь сможет генерировать кадры на видеокартах AMD и Nvidia 6 ч.
«Не скажу ничего»: Ubisoft пригрозила звезде Assassin’s Creed IV: Black Flag судом за намёки на ремейк игры 7 ч.