Компания SK hynix сообщила о подготовке к выпуску чипов памяти GDDR7 большой ёмкости к концу текущего года. На недавней пресс-конференции, посвящённой финансовым результатам, компания заявила об увеличении максимальной ёмкости стека памяти GDDR7 с 16 Гбайт (2 Гбайт на чип) до 24 Гбайт (3 Гбайт на чип). Хотя заявление производителя касалось графических ускорителей для ИИ, также имеется потенциал использования таких чипов в видеокартах потребительского уровня.

Источник изображения: SK hynix

Больший объём видеопамяти не обязательно означает более высокую производительность. Однако в последние годы стало ясно, что наличие всего 8 или даже 12 Гбайт памяти в видеокарте потребительского уровня недостаточно для многих современных игр, особенно при использовании более высоких разрешений и новых технологий вроде трассировки лучей. Кроме того, инструменты генеративного ИИ становятся всё более распространёнными в творческих и офисных рабочих процессах и значительно выигрывают от увеличения объёма видеопамяти.

С практической точки зрения, использование чипов памяти ёмкостью 3 Гбайт также может снизить стоимость производства видеокарт в целом — и не только решений флагманского уровня, но и моделей среднего ценового сегмента. Более ёмкие чипы памяти GDDR7 способны потенциально упростить сборку видеокарт с общим объёмом памяти 24 Гбайт, ведь для этого потребуется всего 8 чипов памяти вместо 12. В свою очередь это также должно снизить энергопотребление видеокарт, их нагрев и конечную стоимость.

Планы SK hynix по выпуску модулей памяти GDDR7 большей ёмкости совпадают с давно циркулирующими слухами о потенциальном релизе потребительских видеокарт Nvidia GeForce RTX 50 Super. Согласно последним сообщениям различных источников, карты серии RTX 50 Super получат 18 Гбайт (RTX 5070 Super) и 24 Гбайт (RTX 5080 Super) видеопамяти. Новые микросхемы GDDR7 от SK hynix ёмкостью 3 Гбайт могли бы оказаться весьма уместными, особенно если Nvidia захочет избежать установки дополнительных чипов памяти на обратной стороне печатных плат. Примечательно, что память GDDR7 от SK hynix Nvidia начала использовать лишь недавно — в текущем поколении видеокарт серии RTX 50.

Конечно, ничто из описанного выше, за исключением заявления самой SK hynix, не является официальной информацией. Nvidia пока не анонсировала карты Super в рамках поколения потребительских видеокарт серии Blackwell. И даже если это произойдёт, нет гарантии, что компания действительно решит использовать во всех обновлённых моделях чипы памяти большей ёмкости.

Помимо новостей о GDDR7, SK hynix также сообщила о расширении своего портфолио памяти в ответ на растущие требования в области ИИ. Компания готовит чипы LPDDR следующего поколения для серверов, которые обеспечат энергоэффективную передачу данных в ИИ-сценариях и центрах обработки данных. Производитель также продолжает лидировать в сфере выпуска памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и недавно наладил массовое производство 12-слойной памяти HBM3E. До конца года SK hynix планирует представить память HBM4. Кроме того, компания собирается во второй половине этого года выпустить новые твердотельные накопители корпоративного класса на базе 321-слойных чипов флеш-памяти NAND.

По сообщениям сетевых источников, американская компания Micron войдёт в число поставщиков видеопамяти GDDR7 для графических ускорителей Nvidia GeForce RTX 50-й серии наравне с южнокорейскими Samsung и Hynix. Такой подход расширит возможности Nvidia в плане использования памяти на фоне подготовки компании к наращиванию поставок ускорителей RTX 5000.

Источник изображений: videocardz.com

Micron ещё в прошлом году объявила о начале тестирования чипов GDDR7 с пропускной способностью 28 и 32 Гбит/с. В настоящее время модули со скоростью 32 Гбит/с находятся на этапе коммерческого внедрения, а модули со скоростью 28 Гбит/с можно заказать через торговых представителей Micron. Хотя сообщается, что чипы памяти GDDR7 от Micron будут использоваться в графических ускорителях RTX 50-й серии, конкретные модели видеокарт не называются.

В настоящее время Samsung является основным поставщиком чипов памяти GDDR7 для топовых и наиболее производительных видеокарт RTX 50-й серии. Чипы от Hynix в основном используются в ускорителях высокого и среднего уровня, при этом некоторые производители указывают на более скромные характеристики этой памяти по сравнению с модулями Samsung.

При этом Samsung уже поставляет модули ёмкостью до 3 Гбайт со скоростью до 32 Гбит/с. По данным источника, производители планируют использовать в видеокартах RTX 5000 Super модули именно по 3 Гбайт вместо более привычных 2-гигабайтных. Такой подход позволит увеличить объём доступной видеопамяти без расширения шины. Планирует ли Micron поставлять на рынок чипы памяти ёмкостью 3 Гбайт, пока неизвестно.

Директор по связям с общественностью Nvidia GeForce Бен Берраондо (Ben Berraondo) выступил в защиту использования памяти GDDR7 в составе мобильной версии видеокарты начального уровня GeForce RTX 5050. Десктопный же вариант этой карты оснащён более медленной памятью GDDR6 предыдущего поколения.

Источник изображения: Nvidia

В беседе с пользователями социальной сети X Берраондо заявил, что выбор памяти GDDR7 для мобильной версии RTX 5050 обусловлен её более высокой энергоэффективностью и низкими рабочими температурами. По его словам, эти две характеристики имеют ключевое значение для мобильного сегмента, тогда как для десктопных решений они не столь критичны.

«Мобильная RTX 5050 была оптимизирована для большей энергоэффективности в составе портативных ноутбуков с длительным временем автономной работы. Поэтому G6 – лучший выбор для настольных систем, а более энергоэффективная G7 – оптимальный вариант для ноутбуков», — заявил представитель Nvidia.

Он добавил, что энергоэффективность и температурные показатели важны для производителей ноутбуков. При этом он никак не объяснил, в чём заключаются преимущества использования GDDR6 в настольной версии карты с точки зрения производительности — если таковые вообще имеются. Отметим, что все остальные настольные модели карт серии RTX 50 используют память GDDR7. Даже самые медленные чипы GDDR7 в составе видеокарт GeForce RTX 50-й серии обеспечивают скорость 28 Гбит/с на контакт. А, к примеру, модель RTX 5080 оснащается памятью GDDR7 со скоростью до 30 Гбит/с. Для сравнения: самая быстрая память GDDR6 предлагает скорость до 20 Гбит/с — именно такую используют в настольной RTX 5050.

В остальном обе версии RTX 5050 идентичны по характеристикам: они оснащаются графическим процессором с 2560 ядрами CUDA и 8 Гбайт памяти с 128-битной шиной. Однако благодаря более быстрой памяти GDDR7 мобильная версия карты обеспечивает пропускную способность на уровне 384 Гбайт/с, тогда как десктопная с чипами GDDR6 — лишь 320 Гбайт/с.

Возможно, выбор в пользу GDDR6 для настольной версии RTX 5050 связан с желанием Nvidia избежать дефицита чипов GDDR7, которые активно используются в старших моделях RTX 50-й серии. Также не исключено, что это решение было принято в целях снижения стоимости конечного продукта.

Как уже не раз отмечалось, новые экспортные ограничения на поставку в Китай ускорителей вычислений не позволяют Nvidia использовать в этом контексте представителей архитектуры Hopper, а при переходе на Blackwell вынуждают отказаться от HBM3E в пользу памяти типа GDDR7. Новое решение Nvidia для китайского рынка будет основано на RTX Pro 6000.

Источник изображения: Nvidia

Уже в следующем полугодии Nvidia, как отмечает TrendForce, намеревается начать поставки в Китай ускорителей с условным обозначением B40, которые будут получены из RTX Pro 6000 путём ухудшения некоторых характеристик. Замены памяти типа HBM3E на GDDR7, как таковой, не произойдёт, потому что она изначально предусмотрена для RTX Pro 6000, но появление последней в сегменте ускорителей вычислений само по себе станет знаковым событием для Nvidia. По уровню быстродействия они расположатся между доступными ранее китайским клиентам L40S и L20. Если учесть, что ускорители L20 весьма популярны среди китайских провайдеров, новинка Nvidia сможет претендовать на относительно высокий спрос хотя бы на первых порах.

Фактически, новое поколение «китайских» ускорителей Nvidia окажется похожим на прокаченные варианты игровых видеокарт GeForce RTX 5090, оснащённые увеличенным объёмом памяти. К слову, оригинальные карты RTX 5090 в Китай тоже не поставляются, а урезанные RTX 5090D отличаются пониженной производительностью тензорных ядер, отвечающих за задачи, связанные с искусственным интеллектом (ИИ).

До того, как вступили в силу новые ограничения США, компания рассчитывала предложить китайским клиентам ускорители модели B30 с памятью типа HBM3E, но её пропускная способность больше не укладывается в допустимый американскими правилами диапазон, а потому Nvidia будет вынуждена перейти на память типа GDDR7. Последняя применяется также при производстве игровых видеокарт GeForce RTX 50, поэтому до середины следующего года основными покупателями микросхем GDDR7 будут оставаться Nvidia и её партнёры. Samsung останется главным поставщиком GDDR7 в текущем году, претендуя на 70 % рынка. В таких условиях цены на память данного типа останутся довольно стабильными, они могут лишь незначительно подрасти в случае изменения конъюнктуры.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.

Видеопамять GDDR6 показала беспрецедентное снижение цен. Стоимость чипа GDDR6 объёмом 8 Гбит упала на 33 % по сравнению с ценой, зафиксированной в начале июня текущего года. Эта тенденция может кардинально повлиять на ценообразование и доступность графических ускорителей нового поколения.

Источник изображения: MSI

По данным ресурса DRAMeXchange от 30 сентября 2024 года, цена на модули памяти GDDR6 снизилась до $2,289 за модуль на 8 Гбит (1 Гбайт). Это эквивалентно стоимости $18 за 8 Гбайт памяти GDDR6, что на треть меньше цены, зафиксированной в июне. Столь резкое падение цены GDDR6 связано с последствиями перехода Ethereum на алгоритм Proof of Stake в сентябре 2022 года, что спровоцировало избыток видеокарт на рынке и массовую ликвидацию GPU, ранее задействованных в майнинг-фермах Ethereum.

Текущее 33-% снижение цен особенно примечательно на фоне относительной стабилизации рынка GPU во второй половине 2023 года. Несмотря на то что рынок справился с избытком предложения новых и бывших в употреблении видеокарт предыдущего поколения, цены на GDDR6 продолжили падение. Эта тенденция согласуется с общим удешевлением оперативной памяти и накопителей (SSD и HDD), наблюдаемым с 2020 года. Однако без дополнительных исследований невозможно точно определить, является ли это результатом прогресса в технологиях производства, падения спроса после пандемии или комбинацией этих факторов.

Анализ динамики цен GDDR6 выявляет парадоксальную ситуацию на рынке, когда более низкие цены не ассоциируются с меньшей волатильностью. С февраля 2022 по июнь 2023 года средняя цена модулей памяти GDDR6 ёмкостью 8 Гбит упала с $12,96 до $3,36, демонстрируя долгосрочную тенденцию на снижение. Однако свежие данные показывают усиление краткосрочной волатильности: в рамках недельных торгов цены колеблются от $1,3 до $2,95 при среднем значении $2,289. Отношение максимума к минимуму достигло 2,27, что значительно превышает ранее наблюдаемые диапазоны в 1,3–1,6 раза. Это противоречит обычной рыночной логике и может распространиться на грядущую память GDDR7.

Анализируя ценовые тренды, важно отметить, что на момент начала продаж GDDR6 была на 70 % дороже GDDR5, а DDR5 при выходе на рынок стоила примерно вдвое больше DDR4. Учитывая эти данные, можно предположить, что цена GDDR7 вряд ли превысит $5–6 за 1 Гбайт. Это резко контрастирует с ситуацией в сфере логических микросхем, где стоимость транзистора практически перестала снижаться после достижения 7-нм техпроцесса, что указывает на замедление действия закона Мура для логических чипов.

Снижение цен на GDDR6 и потенциально доступные цены на GDDR7 могут привести к следующим изменениям на рынке GPU:

• Видеокарты следующего поколения будут иметь много видеопамяти GDDR7 без чрезмерного удорожания.
• Ребрендинг или непрерывные поставки видеокарт последнего поколения позволят сохранить агрессивное ценообразование.
• Бюджетные GPU следующего поколения с GDDR6 будут иметь хорошие цены при увеличенном объёме видеопамяти.

Появление недорогих чипов памяти GDDR7 объёмом 16, 24 и, в перспективе, 32 Гбит может ускорить эти тенденции и трансформировать индустрию GPU. Потенциальное удешевление видеопамяти способно привести к появлению более доступных и мощных графических решений, что может стимулировать инновации и расширить возможности как для производителей, так и для потребителей.

Важно отметить, что эти данные отражают текущую ситуацию и не могут полностью описывать долгосрочные тенденции рынка. Предполагается, что цены на модули объёмом 16 Гбит (используемые в картах GeForce RTX 40-й серии) и 8 Гбит следуют схожим тенденциям, однако для подтверждения этой гипотезы требуется дополнительный анализ данных.

SK hynix сообщила, что до конца текущего квартала запустит массовое производство графической памяти нового поколения GDDR7. Компания вела разработку новой памяти на фоне роста спроса на компоненты для систем ИИ со стороны клиентов по всему миру.

Источник изображений: skhynix.com

Первые микросхемы GDDR7 от SK hynix предложат рабочую скорость 32 Гбит/с на контакт, что на 60 % выше, чем у памяти предыдущего поколения GDDR6. В будущем компания планирует добиться от микросхем GDDR7 повышения скорости до 40 Гбит/с. Подсистемы памяти высокопроизводительных видеокарт на новых чипах смогут обеспечивать общую пропускную способность выше 1,5 Тбайт/с.

Энергоэффективность памяти нового поколения выросла более чем на 50 %, утверждает производитель — этого удалось достичь благодаря новой технологии упаковки, которая помогла решить проблему нагрева при быстрой обработке данных. Число слоёв теплорассеивающих подложек было увеличено с четырёх до шести, а эпоксидный формовочный компаунд (EMC) в упаковке помог снизить тепловое сопротивление на 74 % по сравнению с предыдущим поколением — при этом размеры микросхемы не изменились, что облегчит внедрение.

Глава отдела планирования и внедрения продукции DRAM в SK hynix Сангквон Ли (Sangkwon Lee) заявил, что GDDR7 будет использоваться в широком спектре оборудования, включая 3D-графику, ИИ, высокопроизводительные вычисления и автономное вождение. «Мы продолжим работу по усилению нашего статуса как самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ, укрепив линейку премиальной памяти», — заявил господин Ли.

В настоящее время в цепочке поставок памяти DRAM происходят события, которые, как ожидается, приведут к росту цен на различные продукты. В отчёте аналитиков TrendForce подчёркивается, что рост цен на память сохранится и в третьем квартале этого года, частично из-за повышенного спроса на серверы. Повышение цен на DRAM может существенно повлиять на стоимость новых поколений видеокарт, таких как серия NVIDIA GeForce RTX 50 и серия AMD Radeon RX 8000.

Источник изображения: AMD

Аналитики TrendForce полагают, что «восстановление спроса на серверы общего назначения в сочетании с увеличением доли производства HBM поставщиками DRAM заставило поставщиков сохранить тенденцию в отношении повышения цен». В результате ожидается, что средняя цена продажи (average selling price, ASP) DRAM в третьем квартале может вырасти на 8–13%. Наибольший рост цен ожидается для серверной DDR5 (8–13 %) и DDR4 (5–10 %), в то время как потребительские модули DDR5 и DDR4 подорожают лишь на 3–8 %.

Спрос на видеопамять на данный момент остаётся неизменным, но он резко возрастёт, когда производители видеокарт приступят к выпуску графических процессоров следующего поколения. Сейчас новые линейки графических процессоров вступают в стадию тестирования и производители постепенно наращивают производство GDDR7, которая на 20–30 % дороже GDDR6. Ожидается, что цены на видеопамять дополнительно увеличатся на 3–8 % в третьем квартале.

Источник изображения: TrendForce

«Поскольку производители твёрдо вступают в цикл повышения цен, а темпы роста не ослабевают, покупатели принимают стратегию постоянных запасов, что делает их более восприимчивыми к повышению цен, предлагаемому продавцами», — говорится в отчёте TrendForce.

Рост цен может оказать влияние на объёмы видеопамяти в новых видеокартах. В недалёком прошлом геймеры высказывали претензии Nvidia за явную экономию на видеопамяти, что дало конкурентное преимущество AMD.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Американский производитель микросхем памяти Micron Technology выбрал период проведения выставки Computex 2024 на Тайване для своего заявления о начале поставок образцов микросхем GDDR7. Серийные чипы памяти этого поколения будут доступны клиентам компании во второй половине текущего года, причём интерес к ним уже проявила AMD.

Источник изображения: Micron Technology

Учитывая актуальность сферы искусственного интеллекта, Micron изначально подчёркивает, что память типа GDDR7 может найти применение не только в игровых видеокартах, но и в ускорителях вычислений. В последнем случае пригодится и поддержка ECC, и возросшая до 32 Гбит/с пропускная способность. Память GDDR7 поддерживает до четырёх каналов передачи информации на одну упаковку, что в два раза больше по сравнению с GDDR6. Напряжение питания снижено с 1,35 до 1,2 В, что в совокупности с выпуском GDDR7 по техпроцессу 10-нм класса категории 1β позволяет Micron заявить об улучшении соотношения производительности и энергопотребления на 50 %.

В задачах искусственного интеллекта GDDR7 сокращает задержки на 20 % при создании картинок по текстовому описанию, а пропускная способность по сравнению с GDDR6 увеличивается на 60 % при использовании 384-разрядной шины памяти. В игровых приложениях скорость отрисовки сцены вырастает минимум на 30 % при работе с растровой графикой или методом трассировки лучей, если рассматривать разрешения 1080p, 1440 и 4K.

Компоновочно микросхемы GDDR7 также усовершенствовались по сравнению с GDDR6. По крайней мере, их высота сократилась с 1,2 до 1,1 мм, а переход на более мелкий шаг контактов позволяет увеличить их количество с 180 до 266 штук, хотя GDDR7 может выпускаться и в 180-контактном исполнении. Представители AMD подтвердили, что ведут совместную работу с Micron в сфере игровых решений, но конкретных сроков выхода собственных продуктов с поддержкой GDDR7 называть не стали. Высока вероятность того, что GDDR7 будет активно применяться в системах активной помощи водителю, поскольку они требуют работы с искусственным интеллектом, а эта память для него приспособлена лучше предшественниц.

На мероприятии Nvidia GTC 2024 компания Samsung представила чипы GDDR7, но оказалась не единственной с этой новинкой — собственные чипы видеопамяти продемонстрировала и SK hynix, заявив о более продвинутых в сравнении с продукцией конкурента технических характеристиках, обратил внимание ресурс Hardwareluxx.

Источник изображения: hardwareluxx.de

Модули памяти Samsung, предназначенные для игровых видеокарт нового поколения, поддерживают скорость до 32 Гбит/с, но на практике они будут ограничены показателем 28 Гбит/с. Компания SK hynix сделала шаг вперёд и подтвердила разработку модулей, поддерживающих ещё более высокие скорости. Если ранее Samsung говорила о 37 Гбит/с, то SK hynix, как стало известно, готова добиться показателя в 40 Гбит/с — такова установленная компанией целевая производительность для семейства GDDR7.

Кроме того, SK hynix рассказала о планах наладить выпуск чипов объёмом 16 и 24 Гбит — это позволит AMD и Nvidia внедрять новые конфигурации памяти, сохраняя при этом число чипов на борту. Память стандарта GDDR7 дебютирует на видеокартах Nvidia GeForce RTX 50-й серии, которые, как ожидается, выйдут на рынок к концу текущего года. Скорость чипов памяти в этих видеокартах составит 28 Гбит/с, а показатели в 32 Гбит/с и выше, вероятно, будут достигнуты в будущих поколениях. Скорость в 40 Гбит/с едва ли можно будет увидеть в потребительской продукции, но она может быть снижена на 10 %, и это, пожалуй, более реалистичный сценарий.

На мероприятии GTC 2024 компания Nvidia показала чипы памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 Гбит/с и объёмом 2 Гбайт от компании Samsung. Новая память на 33 % быстрее актуальных решений GDDR6 и GDDR6X. Благодаря этому будущие видеокарты с такими чипами памяти смогут обеспечить гораздо более высокий показатель пропускной способности.

Источник изображения: Overclock3d

Первые чипы памяти GDDR7 в составе будущих видеокарт по причинам энергоэффективности будут обеспечивать скорость передачи данных, ограниченную до 28 Гбит/с. Они будут на 17 % медленнее максимального показателя их возможной скорости, но в то же время значительно быстрее актуальных чипов памяти GDDR6 и GDDR6X, которые используются в современных графических ускорителях.

Источник изображения: HardwareLuxx

Напомним, что в рамках GTC 2024 компания Nvidia также представила новое поколение специализированных графических процессоров Blackwell для ИИ. Правда, они будут оснащаться не памятью GDDR7, а набортной высокоскоростной памятью HBM3E.

Весьма вероятно, Nvidia будет использовать микросхемы памяти GDDR7 в составе своих будущих игровых видеокарт GeForce RTX 50-й серии. По слухам, именно флагманская модель будущей серии предложит скорость памяти на уровне 28 Гбит/с на контакт.

Последние слухи также говорят в пользу того, что условная GeForce RTX 5090 получит 512-битную шину памяти. Таким образом, новинка не только предложит на 33 % более скоростную память, чем у GeForce RTX 4090, но также получит на 33 % более широкую шину памяти. Всё это совокупно может увеличить пропускную способность памяти будущей флагманской видеокарты на 77 % по сравнению с флагманом текущего поколения.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

• независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
• удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
• поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
• удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

На предстоящей конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в феврале, не только компания Samsung собирается рассказать о новом поколении видеопамяти GDDR7. Аналогичную разработку собирается анонсировать компания SK hynix.

Источник изображения: SK hynix

Память GDDR7 от SK hynix предложит скорость 35,4 Гбит/с на контакт. Это меньше, чем у памяти Samsung, для которой заявляется скорость 37 Гбит/с. Однако в обоих случаях чипы будут обладать объёмом 16 Гбит. Благодаря этому при поддержке графическим процессором 256-битной шины памяти на одной стороне видеокарты можно будет разместить до 16 Гбайт памяти.

Далеко не все микросхемы нового поколения памяти GDDR7 предложат скорость 37 Гбит/с. Некоторые чипы будут медленнее, как в случае с SK hynix. Однако своё применение они тоже найдут несомненно. Как и Samsung, компания SK hynix использует в GDDR7 схему амплитудно-импульсную модуляция PAM3, а также собственную энергоэффективную архитектуру. Правда, компания не поясняет, какую именно и похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты, как в чипах Samsung.

Память GDDR7, как ожидается, будет активно использовать в новом поколении графических ускорителей, как в игровом, так и в профессиональном сегментах. Однако рынки ИИ-вычислений и HPC будут по-прежнему в значительной степени полагаться на высокопроизводительную память HBM3E. У SK hynix и здесь есть новинки. Производитель собирается рассказать о новых 16-слойных стеках памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, способных обеспечить скорость 1280 Гбайт/с. Графический процессор, оснащённый четырьмя такими стеками памяти общим объёмом 192 Гбайт, сможет обеспечить пропускную способность на уровне 5,12 Тбайт/с.

В составе нового стека памяти HBM3E от SK hynix реализована новая схема всестороннего питания TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS. Производитель также собирается показать новую память LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких ноутбуков. Эти чипы обеспечивают скорость передачи данных до 10,5 Гбит/с на контакт и работают при напряжении 1,05 В.