Сегодня 16 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Учёные «вырастили» одномерный субнанометровый транзистор, причём без литографических сканеров

Согласно долгосрочным планам IEEE, полупроводниковая промышленность к 2027 году освоит литографию с шагом (узлом) 0,5 нм при ширине затвора транзистора 12 нм. Учёные из Южной Кореи нашли возможность уже сегодня выращивать более мелкие транзисторы, не ожидая улучшения литографических сканеров. С помощью новой разработки они без сканеров научились создавать электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной 3,9 нм.

 Источник изображений: IBS

Металлические 1D-электроды (жёлтые) растут как грибы после дождя безо всякой литографии. Источник изображений: IBS

В открытии помогло обнаружение дефектов в кристаллической структуре дисульфида молибдена (MoS). При определённых условиях дефекты можно было контролируемо перевести в металлическую фазу. Таким образом, на пластине появлялся металлический электрод шириной 0,4 нм, который никакой сканер не смог бы воспроизвести ни сегодня, ни через 15 лет. Дефект появляется на границе зеркального раздела между участками растущей кристаллической подложки MoS. Контролируя эпитаксиальный рост подложки можно добиться превращения границы раздела в одномерный тонкий металлический электрод.

Учёные из Центра квантовых твёрдых тел Ван-дер-Ваальса при Институте фундаментальных наук (IBS) в Тэджоне не только показали возможность выращивать одномерные металлы, но также создали с их помощью двумерные полевые транзисторы и даже экспериментальные чипы. Выяснилось, что электрод затвора шириной 0,4 нм способен создавать поле (управлять проводимостью затвора) на ширину 3,9 нм. Также, несмотря на атомарную ширину канала, такой транзистор показал превосходную электронную проводимость и, следовательно, будет достаточно производительным для использования в микросхемах.

Поскольку структура предложенного транзистора проста до невообразимости, у него не будет паразитных ёмкостей, которыми особенно страдают новомодные транзисторы с круговым затвором и старые FinFET. Это даст дополнительный выигрыш по скорости переключения и энергоэффективности.

Руководитель проекта Чо Мун-Хо (Jo Moon-Ho) сказал: «Одномерная металлическая фаза, получаемая путем эпитаксиального роста, представляет собой новый процесс получения материала, который может быть применен к ультраминиатюризированным полупроводниковым процессам. Ожидается, что в будущем он станет ключевой технологией для разработки различных маломощных и высокопроизводительных электронных устройств».

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор смартфона Samsung Galaxy S25 FE: корейское искусство балансировать 3 ч.
Компания «Солар» запустила бесплатную защиту от DDoS-атак для сайтов среднего и малого бизнеса 4 ч.
«Аккумулятор вздувается, экран выскакивает», — владельцы Pixel 7 и Pixel 7 Pro столкнулись с серьёзными проблемами 8 ч.
AMD записала Ryzen 9000X3D в «клуб 1000 FPS» — такая скорость обещана в киберспортивных играх 9 ч.
Вместе с iPhone 17 компания Apple выпустила динамическую зарядку с плавающей до 60 Вт мощностью 9 ч.
Cougar выпустила корпус CFV235 с «парящим» отсеком для материнской платы 10 ч.
Следующий флагманский чип Qualcomm получит название Snapdragon 8 Elite Gen 5 — компания пояснила свою логику 11 ч.
Adata представила два суперкулера XPG Maestro Plus c дисплеями и корпус XPG Valor Air Pro 12 ч.
Продажи Ethernet-коммутаторов и маршрутизаторов корпоративного класса растут на фоне бума ИИ 12 ч.
Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD 13 ч.