Сегодня 29 марта 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Учёные изучили дефекты в 2D-материалах для производства транзисторов атомарного размера

Близится то время, когда привычные кремниевые транзисторы больше нельзя будет уменьшать в размерах. Поэтому в запасе должна быть технология производства транзисторов атомарного масштаба, с чём обещают помочь так называемые 2D-материалы. Они настолько тонкие, что за тип проводимости в них начинают отвечать дефекты — отдельные атомы или их вакансии. Это уменьшает размеры транзисторов до считанных атомов и оставляет простор для развития электроники.

 Источник изображения: PPPL

Дефект в кристаллической структуре служит основой для атомарно тонкого транзистора. Источник изображения: PPPL

Свой посильный вклад в изучение перспективных материалов для электроники будущего внесли учёные Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL). Плазма или четвёртое состояние вещества позволяет дозировано воздействовать на материалы, придавая им те или иные требуемые свойства. В новой работе исследователи попытались дать расширенную характеристику такому ряду 2D-материалов, как дихалькогенид переходного металла (TMD или, по-русски, ДПМ). К дихалькогенидам относятся такие вещества, как кислород, сера, селен или теллур. А переходные металлы — это любой металл из групп с 3 по 12 в периодической таблице Менделеева.

Соединения ДПМ представляют собой своего рода сэндвичи из чередующихся слоистых материалов, где слой переходного металла обкладывается с двух сторон дихалькогенидами. Учёные давно заметили, что в ряде случаев отдельные участки таких соединений демонстрируют разную проводимость: n- или p-типа (электронную или дырочную). Исследователи PPPL всерьёз взялись изучить вопрос, от чего это зависит, и как влияют на проводимость дефекты — вакансии атомов или присутствие лишних атомов в материале, а также какие из веществ (дихалькогенидов) вызывают появление избытка электронов или дырок.

В частности, исследователи выяснили, что присутствие атомов водорода в ДПМ однозначно ведёт к появлению избыточности по электронам. Это пригодится для создания условно точечных транзисторов n-типа. Для других материалов также были определены свои характеристики, что достигалось как измерениями, например, поглощением света, так и расчётами. Другим важным аспектом работы стало изучение условий для появления дефектов с минимальным расходом энергии, потому что именно у таких дефектов выше всего вероятность возникнуть в процессе обработки. Одним словом, учёные создали базу, от которой можно реально отталкиваться в процессе поиска перспективных 2D-материалов для производства атомарно малых транзисторов, о чём они сообщили в соответствующей статье.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В Турции заблокировали Rutube, но сам видеосервис это отрицает 2 ч.
Представлен формат изображений Spectral JPEG XL, который эффективно сохранит данные даже о невидимом свете 2 ч.
Google выплатит $100 млн по иску рекламодателей 14-летней давности 7 ч.
ИИ-стартап xAI Илона Маска внезапно поглотил соцсеть X Илона Маска 10 ч.
Новая статья: Selaco — неоновый кураж. Предварительный обзор 15 ч.
«Яндекс» впервые отчиталась о результатах работы Yandex B2B Tech 15 ч.
Prince of Persia: The Lost Crown выйдет на новых платформах, причём совсем скоро 17 ч.
Сюжетный боевик MindsEye от студии экс-продюсера GTA получил дату выхода и взрывной трейлер — в российском Steam доступен предзаказ 18 ч.
38 миллиардов потерянных рун и 58 тысяч побед над финальным боссом: опубликована статистика игроков с тестирования Elden Ring Nightreign 20 ч.
Тестовая версия Windows 11 получила расширенную поддержку файловой системы ReFS — она сменит NTFS, но потом 21 ч.