Сегодня 10 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Учёные изучили дефекты в 2D-материалах для производства транзисторов атомарного размера

Близится то время, когда привычные кремниевые транзисторы больше нельзя будет уменьшать в размерах. Поэтому в запасе должна быть технология производства транзисторов атомарного масштаба, с чём обещают помочь так называемые 2D-материалы. Они настолько тонкие, что за тип проводимости в них начинают отвечать дефекты — отдельные атомы или их вакансии. Это уменьшает размеры транзисторов до считанных атомов и оставляет простор для развития электроники.

 Источник изображения: PPPL

Дефект в кристаллической структуре служит основой для атомарно тонкого транзистора. Источник изображения: PPPL

Свой посильный вклад в изучение перспективных материалов для электроники будущего внесли учёные Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL). Плазма или четвёртое состояние вещества позволяет дозировано воздействовать на материалы, придавая им те или иные требуемые свойства. В новой работе исследователи попытались дать расширенную характеристику такому ряду 2D-материалов, как дихалькогенид переходного металла (TMD или, по-русски, ДПМ). К дихалькогенидам относятся такие вещества, как кислород, сера, селен или теллур. А переходные металлы — это любой металл из групп с 3 по 12 в периодической таблице Менделеева.

Соединения ДПМ представляют собой своего рода сэндвичи из чередующихся слоистых материалов, где слой переходного металла обкладывается с двух сторон дихалькогенидами. Учёные давно заметили, что в ряде случаев отдельные участки таких соединений демонстрируют разную проводимость: n- или p-типа (электронную или дырочную). Исследователи PPPL всерьёз взялись изучить вопрос, от чего это зависит, и как влияют на проводимость дефекты — вакансии атомов или присутствие лишних атомов в материале, а также какие из веществ (дихалькогенидов) вызывают появление избытка электронов или дырок.

В частности, исследователи выяснили, что присутствие атомов водорода в ДПМ однозначно ведёт к появлению избыточности по электронам. Это пригодится для создания условно точечных транзисторов n-типа. Для других материалов также были определены свои характеристики, что достигалось как измерениями, например, поглощением света, так и расчётами. Другим важным аспектом работы стало изучение условий для появления дефектов с минимальным расходом энергии, потому что именно у таких дефектов выше всего вероятность возникнуть в процессе обработки. Одним словом, учёные создали базу, от которой можно реально отталкиваться в процессе поиска перспективных 2D-материалов для производства атомарно малых транзисторов, о чём они сообщили в соответствующей статье.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Apple выпустит macOS Tahoe с интерфейсом Liquid Glass 15 сентября 3 ч.
«До сих пор отходим от похмелья»: разработчики Ghost of Yotei с размахом отпраздновали перенос GTA VI 11 ч.
Нейросеть Google Veo 3 научилась создавать вертикальные видео для соцсетей 12 ч.
По мотивам «Повести временных лет» выпустят MMORPG на стыке научной фантастики и фэнтези с «эпической историей» и геймплеем «нового уровня» 14 ч.
Антиспам-сервис Microsoft начал блокировать безопасные ссылки в Teams и Exchange Online, и отправлять письма в карантин 14 ч.
Пароли «admin» и другие дыры в кибербезопасности сети ресторанов Burger King выявили белые хакеры 15 ч.
Из Meta продолжается массовый исход специалистов в сфере ИИ — Цукерберг пытается его остановить, но безуспешно 15 ч.
Microsoft тестирует новые ИИ-функции в «Проводнике» Windows 11 15 ч.
Бывший сотрудник подал на WhatsApp в суд из-за игнорирования проблем с кибербезопасностью 17 ч.
Соцсети заполонили боты: Сэм Альтман пожаловался, что интернет стал искусственным из-за ИИ 19 ч.