Сегодня 31 мая 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

SK hynix готовится выпустить 400-слойную флеш-память к концу 2025 года

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Илон Маск начал проталкивать в США закон о беспилотном транспорте 21 мин.
1 000 000 Гбит/с на 1800 км: японцы установили рекорд скорости передачи данных по почти обычному оптоволокну 43 мин.
Synopsys уже прекратила обслуживать разработчиков чипов на территории Китая 4 ч.
TSMC рассматривает возможность строительства в ОАЭ предприятия по производству чипов 6 ч.
Microsoft отложила разработку портативной Xbox и сосредоточится на консолях партнёров 13 ч.
Китайская XPeng выпустила электромобиль MONA M03 Max за $20 000 с бесплатными автопилотом 16 ч.
Dreame представила в России флагманские роботы-пылесосы, ручные пылесосы, газонокосилку и очиститель воздуха 16 ч.
Цены на память DRAM подскочили ещё на 20 %, так как производители электроники запасаются впрок 17 ч.
Реинкарнация Optane: InnoGrit показала SSD на чипах 3D XL-Flash с рекордной скоростью в 3,5 млн IOPS 18 ч.
MSI заменит или компенсирует любые комплектующие в ПК, если их сломает её блок питания 19 ч.