Сегодня 25 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

SK hynix готовится выпустить 400-слойную флеш-память к концу 2025 года

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Intel задумалась о продаже земельных участков в США ради экономии средств 12 мин.
Человекоподобный робот Figure AI научился выполнять задачи в 4 раза быстрее и в 7 раз точнее 36 мин.
Роботы захватывают производственные цеха: более 10 % рабочей силы Южной Кореи теперь составляют машины 5 ч.
Новая статья: Обзор материнской платы MSI MPG Z890 Carbon WiFi: встречаем Arrow Lake во всеоружии 6 ч.
В Европе появится конкурент SpaceX по доставке грузов на МКС 6 ч.
AirPods Max не пользуются достаточной популярностью, чтобы вышли AirPods Max 2 9 ч.
Настольные чипы AMD Ryzen Threadripper 9000 предложат от 16 до 96 ядер Zen 5 с потреблением 350 Вт 12 ч.
Справится даже ребёнок: роботы на базе ИИ оказались совершенно неустойчивы ко взлому 17 ч.
LG поможет Samsung с нуля создать «настоящий ИИ-смартфон» — он выйдет в 2025 году и вы не сможете его купить 18 ч.
AIC и ScaleFlux представили JBOF-массив на основе NVIDIA BlueField-3 20 ч.