Теги → флеш память
Быстрый переход

Эксперты отметили высокую экологичность флеш-памяти Samsung

Британская организация Carbon Trust, занимающаяся оценкой выбросов углерода и потребления воды при промышленном производстве, провела сертификацию модулей флеш-памяти Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. По словам Samsung, это первые в отрасли мобильные флеш-накопители, прошедшие подобную сертификацию.

По оценке экспертов, на производство одного мобильного модуля памяти eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт необходимо 310 литров воды, а выбросы углерода при этом составляют 13,4 кг. На первый взгляд кажется, что это довольно много, но на самом деле полупроводниковое производство является довольно «чистым». Для сравнения, производство, эксплуатация в течение трёх лет и утилизация iPhone 11 со 128 Гбайт памяти, по оценке самой Apple, обеспечивает 77 кг углеродных выбросов.

Samsung отметила, что продолжит внедрять технологии, обеспечивающие снижение влияния её производства на окружающую среду. Также было отмечено, что своей высокой экологичностью накопители eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт обязаны «уникальной технологии литографии» и компоновке из более чем 90 слоёв.

Кстати, высокой экологичностью обладают не только чипы Samsung eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт. На днях Министерство охраны окружающей среды Кореи присвоило накопителям Samsung eUFS 2.1 объёмом 1 Тбайт и микросхемам флеш-памяти Samsung V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт сертификат Экологической декларации продукции (EPD), который также указывает на низкие выбросы при производстве этих устройств.

Kioxia создала первый UFS-модуль ёмкостью 512 Гбайт для автомобильных систем

Компания Kioxia (ранее — Toshiba Memory) сообщила о разработке первого в отрасли модуля встраиваемой флеш-памяти UFS на 512 Гбайт, предназначенного для использования в автомобильной сфере.

Представленное изделие соответствует спецификации универсальных флеш-накопителей JEDEC версии 2.1. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Важно отметить, что модуль характеризуется повышенной надёжностью, что важно с учётом сферы его применения. Так, технология Thermal Control защищает изделие от перегрева в условиях высоких температур, которые могут возникать в автомобильных системах. Функция Extended Diagnosis помогает центральному процессору легко определять состояние устройства. Наконец, технология Refresh может использоваться для обновления данных, находящихся в UFS-модуле, и помогает увеличить продолжительность их хранения.

При создании модуля компания Kioxia объединила в одном корпусе 3D-флеш-память BiCS Flash собственной разработки и контроллер. Изделие может применяться в составе бортовых информационно-развлекательных комплексов, цифровых приборных кластеров, средств обработки и передачи информации и ADAS-решений.

Добавим, что семейство автомобильных UFS-модулей Kioxia также включает изделия вместимостью 16, 32, 64, 128 и 256 Гбайт. 

Износ флеш-памяти убивает старые электромобили Tesla

Общие проблемы, которые возникают у автомобилей с двигателями внутреннего сгорания в процессе эксплуатации, достаточно хорошо известны. Касаемо электрокаров многие считали, что срок службы такого транспорта будет значительно более продолжительным, поскольку в конструкции используется меньше движущихся частей. Теперь же сетевые источники сообщают, что некоторые электронные устройства внутри электрокаров Tesla создают проблемы владельцам.

В процессе эксплуатации электрокара фиксируются разные данные, которые записываются в журнал, хранящийся в модуле флеш-памяти, расположенном в блоке управления MCU. Вероятно, электрокары фиксируют слишком много информации. Поскольку фиксируемые данные постоянно перезаписываются, это приводит к постепенному износу флеш-памяти.

Кроме того, производитель периодически интегрирует новые функции в авто, что также приводит к уменьшению места для хранения данных журнала. В результате некоторые сектора памяти страдают от большого количества данных, записываемых за короткий промежуток времени, что ещё больше ускоряет процесс износа. Поскольку Tesla сильно зависит от электроники, когда флеш-память в информационно-развлекательной системе выходит из строя, фактически происходит блокировка всей машины.

Несколько месяцев назад, когда о данной проблеме стало известно впервые, Tesla не смогла предложить какое-либо решение владельцам электрокаров. В результате автовладельцам пришлось самостоятельно заниматься заменой модуля памяти. Теперь же производитель готов решить проблему путём замены всего блока управления MCU. Для тех, чьи электрокары находятся на гарантии, замена блока управления будет бесплатной, а устранение проблемы после истечения срока гарантийного обслуживания будет стоить от $1800 до $3000 в зависимости от местоположения авто. Что касается новых электрокаров Tesla, то в них используются современные модули памяти, более устойчивые к износу. Однако это не гарантирует того, что в будущем владельцы электрокаров Tesla не столкнутся с данной проблемой.

Карты памяти Lexar CFexpress Type B передают данные со скоростью до 1750 Мбайт/с

Компания Lexar анонсировала карты памяти Professional CFexpress Type B, предназначенные для использования в профессиональных фото- и видеокамерах высокого разрешения.

Представленные изделия используют интерфейс PCI Express Gen3 х2 и протокол NVMe. Это обеспечивает высокие показатели производительности.

В частности, считывание информации, как утверждается, может осуществляться со скоростью до 1750 Мбайт/с. Установившаяся скорость записи достигает 1000 Мбайт/с.

Изделия обратно совместимы с некоторыми камерами с поддержкой формата XQD. Карты Lexar Professional CFexpress Type B имеют размеры 29,6 × 38,5 × 3,8 мм и весят 7,65 г.

Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 10 до плюс 70 градусов Цельсия. На новинки предоставляется пожизненная гарантия.

Сейчас для предварительного заказа доступны карты Lexar Professional CFexpress Type B вместимостью 128 Гбайт и 256 Гбайт: их цена составляет соответственно 200 долларов и 400 долларов США. Позднее будут выпущены изделия ёмкостью 64 Гбайт и 512 Гбайт. 

Yangtze Memory организовала массовый выпуск 64-слойной памяти 3D NAND

Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) приступила к массовому производству 64-слойных микрочипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Об этом сообщает ресурс Digitimes, ссылаясь на отраслевые источники.

Речь идёт об изделиях ёмкостью 256 Гбит. Упомянутая технология TLC предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Используется фирменная архитектура Xtacking. Об этом технологическом решении можно подробно узнать в нашем материале. Суть методики заключается в том, что массив памяти выпускается на своём кристалле, а цепи управления — на другом. Кристалл полностью отдаётся под ячейки памяти, а цепи управления на завершающем этапе сборки чипа присоединяются к кристаллу с памятью. Это позволяет повысить быстродействие. Кроме того, за счёт модульности ускоряется вывод новых продуктов на рынок.

Итак, сообщается, что YMTC наладит выпуск 64-слойной памяти TLC 3D NAND на предприятии в городе Ухане. В следующем году объём выпуска будет доведён до 100–150 тыс. пластин в месяц.

Кроме того, отмечается, что компания уже разрабатывает 128-слойные чипы памяти 3D NAND. Поколение памяти с 96 слоями в YMTC решили пропустить. 

Toshiba XFMExpress: новый стандарт твердотельных накопителей для компактных устройств

Компания Toshiba представила новый стандарт твердотельных накопителей XFMExpress, которые смогут применяться в самых различных устройствах, где важны компактные габариты накопителя, в том числе планшетах, тонких ноутбуках и устройствах Интернета вещей (IoT).

На данный момент компактные твердотельные накопители доступны в формате модулей M.2 и однокорпусных SSD в BGA-упаковке. Первые являются сменными накопителями, однако отличаются бо́льшими габаритами, поэтому в более компактных устройствах применяются однокорпусные SSD, которые распаиваются прямо на материнской плате. Соответственно, заменить их довольно сложно, что снижает ремонтопригодность многих компактных устройств.

Решить эту проблему как раз и призван новый стандарт XFMExpress. Он сочетает в себе компактность однокорпусных SSD, но при этом его можно легко заменить, как M.2-накопитель. Для новых накопителей был разработан специальный разъём с массивом контактов и металлической прижимной скобой для надёжной фиксации. Высота разъёма с установленным в него SSD составляет 2,2 мм.

По внешнему виду новые накопители XFMExpress похожи на карты памяти SD и даже имеют схожие габариты в 14 × 18 × 1,4 мм. Однако новинка является внутренним устройством хранения данных, а не сменным внешним накопителем, и соответственно не будет конкурировать с SD Express.

С точки зрения производительности модули XFMExpress будут схожи с накопителями M.2 NVMe, поскольку они также используют интерфейс PCIe x4 и протокол NVMe. Это также обеспечит им лучшую совместимость — достаточно лишь обеспечить поддержку NVMe в драйверах. На данный момент спецификации предусматривают использование двух или четырёх линий PCIe 3.0, однако в ближайшем будущем они будут обновлены для PCIe 4.0. С точки зрения компоновки XFMExpress схожи с SSD формата BGA: один модуль включает контроллер, кеш DRAM и твердотельную память NAND.

Samsung поднимет цены на флеш-память NAND

Не исключено, что в ближайшее время ряд ведущих производителей флеш-памяти NAND поднимут цены на свою продукцию. По крайней мере, об этом сообщает BusinessKorea.

Отмечается, что складские запасы чипов NAND сокращаются. При этом спрос на флеш-память увеличивается, что связано в том числе с ростом популярности твердотельных накопителей различных типов.

По имеющимся данным, компания Samsung Electronics в ближайшее время может поднять цены на изделия NAND приблизительно на 10 %. Более того, примеру южнокорейского гиганта якобы последует Micron Technology. Не исключено, что на этом фоне увеличится стоимость продукции и других поставщиков NAND.

Впрочем, как сообщается, повышение цен на память NAND не будет слишком затяжным. Уже в первой половине следующего года ситуация на рынке должна стабилизироваться.

Добавим, что сейчас стоимость чипов памяти MLC NAND ёмкостью 128 Гбит составляет примерно $3,93. Это самый низкий показатель с сентября 2016 года.

Спрос на твердотельные накопители на основе памяти NAND продолжает устойчиво расти. По итогам текущего года проникновение этих устройств хранения данных на компьютерном рынке, как ожидается, превысит 60 %. 

Катастрофа на рынке 3D NAND: завод Western Digital и Toshiba обесточен вторую неделю

Вот оно, случилось! То, о чём регулярно вспоминали в комментариях к новостям об ожидаемом снижении цен на флеш-память, стало реальностью. На одном из крупнейших предприятий по производству 3D NAND ― на совместном заводе компаний Western Digital и Toshiba в Японском городе Йоккаити — в один из июньских дней внезапно пропало электричество. Вернее, сбой в электроснабжении произошёл во всём районе, что вызвало локальный коллапс.

Как сообщила сегодня компания, произошло незапланированное обесточивание как производственного оборудования, так и всего завода. Самое неприятное, что всё случилось две недели назад в субботу 15 июня, а сообщили нам об этом только сегодня. Компании пришлось это сделать, поскольку на носу квартальный отчёт, а завод так и не вернулся к нормальной работе. В Western Digital сообщают, что они вместе с партнёром компанией Toshiba делают всё возможное, чтобы вернуть производство к нормальной работе.

Нет нужды напоминать, что Toshiba вместе с Western Digital являются крупнейшими производителями флеш-памяти. Остановка производства микросхем этими компаниями грозит вызвать дефицит продукции. Кстати, Western Digital ещё не готова назвать величину ущерба. Этот вопрос ещё изучается. Предварительно она оценивает потери в третьем календарном квартале от недопоставок пластин с 3D NAND на уровне 6 эксабайт. По нашим прикидкам, это не менее 10 % от ежемесячного объёма производства Western Digital. Поскольку он получает половину микросхем от выпущенных на совместном с Toshiba заводе, то аналогичный объём потерь может быть у компании Toshiba. Реальные цифры потерь могут быть ещё выше. Ждём подробностей.

Toshiba Memory решила вернуть в Японию распроданные активы, связанные с производством памяти

«Пляски инвесторов» вокруг активов Toshiba Memory были одним из самых затянутых сюжетов в полупроводниковой отрасли, поскольку найти инвесторов с целью покрытия возникающих на других направлениях деятельности убытков материнская корпорация решила ещё в марте 2017 года, а точку в этой сделке после всех согласований поставили уже весной 2018 года. За активы Toshiba Memory долгое время боролась Western Digital Corporation, у которой до сих пор действует совместное с японской компанией предприятие по выпуску памяти, унаследованное после покупки SanDisk. Продажа активов инвестиционному консорциуму во главе с Bain Capital была организована так, что были учтены интересы и WDC, и самой Toshiba, которая хотела сохранить операционный контроль над производством памяти. Инвесторы вскладчину заплатили за пакет акций Toshiba Memory около $18 млрд, которых материнской корпорации хватило для решения насущных проблем, а главное — акции компании смогли остаться в котировочном списке Токийской фондовой биржи.

Зарубежные инвесторы, которым достались акции Toshiba Memory, неоднократно упоминались в профильных новостях — помимо Bain Capital, в их число вошли Apple, Dell, Seagate Technology, Kingston Technology и SK Hynix. Последняя получила пакет акций в размере 15 %, но без права его увеличения на протяжении ближайших десяти лет от момента заключения сделки. Более того, доставшиеся зарубежным инвесторам акции не получили права голоса, а контрольный пакет остался в руках японских инвесторов, в число которых вошли инвестиционные банки. Всё было организовано так, чтобы и деньги от инвесторов получить, и при этом не очень рисковать с точки зрения «разбазаривания национального достояния».

Источник изображения: Nikkei Asian Review

Источник изображения: Nikkei Asian Review

Теперь издание Nikkei Asian Review сообщает, что Toshiba Memory начала готовиться к очередному «инвестиционному манёвру». На этот раз второй по величине производитель твердотельной памяти в мире готовится к марту следующего года выйти на публичное размещение акций на Токийской фондовой бирже. Чтобы сделать свои активы более привлекательными, Toshiba Memory пытается снизить степень зависимости от зарубежных мажоритарных акционеров, а потому в текущем году готовится выкупить 38 % привилегированных акций у ряда компаний типа Apple и Dell. Общая сумма выкупа составит $4,7 млрд, при этом у японских банков Toshiba Memory собирается одолжить денег почти с двукратным запасом. Оставшиеся деньги пойдут на погашение старых долгов.

Вопрос теперь заключается в том, захотят ли зарубежные инвесторы, оказавшие компании поддержку в прошлом году, избавляться от акций Toshiba Memory сейчас, когда активы стали дешевле, а перспективы всей полупроводниковой отрасли не так уж радужны. Сама информация о намерениях обратного выкупа способна подтолкнуть курс акций Toshiba Memory к росту. Ясно одно — в будущем финансировать свою деятельность компания собирается через размещение акций на Токийской фондовой бирже, где определять их стоимость будут рыночные механизмы.

Toshiba и Western Digital совместно инвестируют в завод по выпуску флеш-памяти

Toshiba Memory и Western Digital заключили соглашение о совместном инвестировании в завод K1, который Toshiba Memory в настоящее время строит в Китаками (префектура Ивате, Япония).

Завод K1 будет производить 3D флеш-память для удовлетворения растущего спроса на решения для хранения данных для таких отраслей, как центры обработки данных, смартфоны и автономные автомобили.

Ожидается, что строительство завода K1 будет завершено осенью 2019 года. Совместные капитальные вложения компаний в оборудование для завода позволят приступить к производству 96-слойной трёхмерной флеш-памяти в 2020 году.

«Соглашение о совместном инвестировании в объект K1 знаменует собой продолжение нашего весьма успешного сотрудничества с Toshiba Memory, которое способствовало росту и инновациям в технологии флеш-памяти NAND в течение двух десятилетий», — отметил Стив Миллиган (SteveMilligan), исполнительный директор Western Digital.

SK Hynix начала производство микросхем 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит

Компания SK Hynix приступила к производству 96-слойных микросхем памяти 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит. На данный момент начаты поставки образцов этих микросхем крупным разработчикам контроллеров для твердотельных накопителей. А это означает, что до массового производства этих микросхем, а также накопителей на их основе, остаётся уже не так много времени.

Для начала напомним, что 4D NAND — это маркетинговое название несколько видоизменённой памяти 3D NAND. Компания SK Hynix решила использовать такое название, потому как в её микросхемах периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, располагаются не рядом с ячейками, а перенесены под них (Periphery Under Cell, PUC). Интересно, что подобные решения есть и у других производителей, но они не используют громкое название «4D NAND», а скромно продолжают называть свою память «3D NAND».

По словам производителя, перенос периферии под ячейки позволил уменьшить площадь микросхем более чем на 10 % по сравнению с классическими микросхемами 3D QLC NAND. Это в сочетании с 96-слойной компоновкой ещё больше повышает плотность хранения данных. Хотя, как известно, память QLC и так отличается высокой плотностью за счёт хранения четырёх бит информации в ячейке.

Сейчас SK Hynix начала поставлять микросхемы 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит различным производителям для тестирования и последующего создания накопителей на их основе. Но вместе с этим она сама также работает над SSD на базе этих микросхем памяти. Компания трудится над собственным контроллером, а также разрабатывает программную основу для своих решений, которые планируется поставлять на потребительский рынок. SK Hynix планирует выпустить собственные SSD на базе 4D QLC NAND в следующем году.

Снижение стоимости флеш-памяти NAND замедляется

По сообщениям сетевых источников, в текущем квартале стоимость флеш-памяти NAND снизится менее чем на 10 %. Прогнозируется также, что во второй половине года снижение цен резко затормозится.

Специалисты отмечают, что в первом квартале цена на флеш-память NAND снижалась быстрее, чем в конце прошлого года. Это связывают с тем, что компания Samsung, которая является одним из крупнейших производителей в данном направлении, снижала цены, стараясь быстрее избавиться от скопившихся запасов. Из-за этого другие поставщики были вынуждены постепенно уменьшать цены на свою продукцию. По мнению аналитиков, во втором квартале Samsung продолжит политику снижения цен, но делать это южнокорейский технологический гигант будет более умеренно. Другим производителям придётся отказаться от снижения цен, поскольку такая политика в перспективе может привести к серьёзным убыткам.

Начиная с третьего квартала прошлого года на складах производителей флеш-памяти NAND скапливалась нереализованная продукция. В первую очередь это связывают с падением интереса к SSD-накопителям для центров обработки данных. Отмечается, что уменьшающаяся стоимость чипов NAND стимулирует процесс внедрения твердотельных накопителей в персональные компьютеры, ноутбуки, смартфоны и другие пользовательские устройства. Специалисты считают, что в третьем квартале 2019 года уровень спроса на флеш-память NAND увеличится, что в итоге приведёт к стабилизации цен.   

Intel выпускает накопитель Optane H10, объединяющий 3D XPoint и флеш-память

Ещё в январе этого года компания Intel анонсировала весьма необычный твердотельный накопитель Optane H10, который выделяется тем, что объединяет в себе 3D XPoint и память 3D QLC NAND. Теперь же Intel объявила о выпуске данного устройства, а также поделилась подробностями о нём.

Модуль Optane H10 использует твердотельную память QLC 3D NAND в качестве ёмкого хранилища, а память 3D XPoint — в качестве скоростного кеша. Новинка обладает отдельными контроллерами для каждого типа памяти, и, по сути, является двумя отдельными твердотельными накопителями в одном корпусе.

Система же «видит» эти накопители как одно устройство благодаря программному обеспечению Intel Rapid Storage Technology (нужен драйвер RST версии или выше 17.2). Оно и распределяет данные на накопителе Optane H10: те, к которым нужен быстрый доступ, помещаются в память 3D XPoint, а всё остальное хранится в памяти QLC NAND. Из-за использования технологии RST новые накопители смогут работать только с процессорами Intel восьмого поколения и новее.

Каждая из частей накопителя Optane H10 использует по две линии PCIe 3.0 с пиковой пропускной способностью около 1970 Мбайт/с. Несмотря на это, для новинки заявлена скорость последовательного чтения/записи до 2400/1800 Мбайт/с. Данное несоответствие объясняется тем, что в некоторых условиях технология RST способна читать и записывать данные на обе части накопителя одновременно.

Что касается производительности в случайных операциях ввода/вывода, то здесь Intel заявляет довольно неожиданные показатели: всего 32 и 30 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно. При этом для некоторых обычных флагманских SSD производители заявляют показатели в районе 400 тыс. IOPS. Всё дело в том, как измерять данные показатели. Intel замеряла их при наиболее вероятных для рядовых пользователях условиях: при глубине очереди QD1 и QD2. Другие же производители зачастую меряют производительность при таких условиях, которые не встречаются в потребительских задачах, например, для QD256.

В целом же Intel заявляет, что сочетание флеш-памяти со скоростным буфером из 3D XPoint обеспечивает ускорение времени загрузки документов в два раза, запуск игр происходит на 60 % быстрее, а открытие медиафайлов ускоряется на 90 %. И всё это даже в условиях многозадачности. Отмечается, что платформы Intel с памятью Intel Optane адаптируются к повседневному использованию ПК и оптимизируют производительность системы для выполнения наиболее распространённых задач и часто запускаемых приложений.

Накопители Intel Optane H10 будут представлены в трёх конфигурациях: 16 Гбайт памяти Optane вместе с 256 Гбайт флеш, 32 Гбайт Optane и 512 Гбайт флеш, а также 32 Гбайт Optane с 1 Тбайт флеш-памяти. Во всех случаях, система будет «видеть» у накопителя лишь объём флеш-памяти. Изначально накопители Optane H10 появятся в составе ноутбуков и компьютеров от различных OEM-производителей, включая Dell, HP, ASUS и Acer. Спустя какое-то время они поступят в продажу и как самостоятельные продукты.

Kingston High Endurance: флеш-карты microSD повышенной надёжности

Компания Kingston Digital анонсировала флеш-карты High Endurance стандарта microSD, рассчитанные на использование в устройствах с интенсивной записью информации.

Новинки могут похвастаться повышенной надёжностью. Карты подходят для применения в камерах видеонаблюдения, видеорегистраторах, а также экшен-камерах.

«Карты памяти Kingston High Endurance разработаны и протестированы для использования в суровых условиях, достаточно надёжны и защищены от экстремальных температур, ударов, воздействия воды и рентгеновских лучей. При необходимости microSD-карта High Endurance станет оптимальным решением для длительной записи видео в критических ситуациях без риска потерять данные», — заявляет разработчик.

В семейство Kingston High Endurance вошли три модели — вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт. Старшая версия обеспечивает скорость чтения информации до 95 Мбайт/с и скорость записи до 45 Мбайт/с. У двух других моделей эти показатели равны соответственно 95 Мбайт/с и 30 Мбайт/с.

Габариты карт памяти составляют 11 × 15 × 1 мм. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

На новые флеш-карты распространяется двухлетняя гарантия и бесплатная техническая поддержка. Сведений об ориентировочной цене на данный момент нет. 

Во втором квартале ожидается замедление темпов снижения цен на NAND

Первый квартал 2019 календарного года подходит к концу и он отмечен сильнейшим за многие кварталы снижением контрактных цен на флеш-память NAND. По наблюдениям аналитиков подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce, оптовые цены на NAND за первый квартал снизились на 20 %, что стало сильнейшим снижением с начала 2018 года, когда флеш-память начала дешеветь после полутора лет безудержного подорожания. К снижению цен привёл целый комплекс причин от низкого спроса на смартфоны Apple до вялого спроса на SSD со стороны владельцев ЦОД, но дальше этот комплекс негативных факторов будет ослаблять своё воздействие на рынок NAND.

Как представляется аналитикам DRAMeXchange, во втором квартале произойдёт замедление темпов снижения цен на NAND и на продукты на основе флеш-памяти. Во-первых, спрос на флеш-продукцию для смартфонов, ПК, серверов и другой электроники будет понемногу возрастать. Во-вторых, производители памяти сокращают инвестиции в расширение заводов и линий, а также замедляют переход на более совершенные технологические процессы. Более того, ряд компаний идут на прямую остановку производственных линий, чтобы хоть как-то сдержать перепроизводство. Эти действия не окажут радикального одномоментного влияния на баланс между спросом и предложением, но определённо замедлят скорость сползания цен на NAND в пропасть низкой рентабельности. Тем самым, считают специалисты, во втором квартале снижение контрактных цен на флеш-память снизится до 10–15 % за квартал.

Сильнее всего с ноября 2017 года упали цены на 256-Гбит NAND TLC. За прошедшее с тех пор время такие чипы подешевели на 70 % до 0,08 центов за Гбайт. Фактически эти микросхемы продаются по себестоимости, и производители будут снимать их с производства. Взамен поставщики памяти намереваются предложить базовую память большей ёмкости, что приведёт к росту цен на карточки памяти и накопители USB. Это же заставит производителей устройств пересмотреть наполнение складов и начать закупку более ёмких чипов, что тоже будет симулировать рост спроса на NAND. Впрочем, к росту цен это не приведёт, просто цены начнут снижаться медленнее.

На рынке NAND памяти для смартфонов ожидается оживление. Компании Samsung и Western Digital будут активно предлагать накопители UFS 3.0 повышенной ёмкости, стараясь выставлять цену меньше, чем у конкурента. Модули uMCP поднимутся в объёме до 256 Гбайт, а массовые 32-Гбайт модули начнут вытесняться 64-Гбайт. Цена на модули как бы не упадёт и даже вырастет, но за счёт появления более ёмких накопителей в устройствах. Аналогичная ситуация ожидается на рынке ПК. Поставщики будут убеждать в необходимости покупать 512-Гбайт и 1-Тбайт SSD, за счёт чего надеются зарабатывать на жизнь. Однако чашей Грааля для рынка NAND будет оставаться исключительно корпоративный сегмент с переносом акцента на PCIe-накопители. А цены будут продолжать падать...

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥