Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Память дорожает всерьёз и надолго: цены DDR4, DDR3 и NOR Flash будут расти не только в этом квартале
19.01.2026 [08:34],
Алексей Разин
Механизмы воздействия бума ИИ на рынок микросхем памяти давно понятны. Производители сосредотачиваются на самых выгодных видах продукции, в результате предложение менее актуальных типов памяти стремительно сокращается, а цены растут. В этом квартале микросхемы DDR4 могут подорожать на 50 %, цены на DDR3 и NOR Flash тоже ползут вверх. 
Источник изображения: Micron Technology По данным Commercial Times, в текущем квартале цены на память типа DDR4 вырастут последовательно на 50 %, и во втором квартале они продолжат расти по инерции. Переход на выпуск DDR5 провоцирует сокращение поставок DDR4, а спрос на память этого поколения не думает снижаться. В частности, интерес к DDR4 почувствовали даже производители материнских плат для ПК, не говоря уже о конечных пользователях. С другой стороны, производство DDR3 сокращается ещё сильнее, хотя память этого типа по-прежнему используется в сетевом и телекоммуникационном оборудовании, и больше всего востребованы микросхемы большой ёмкости. Цены на DDR3 на этом фоне тоже стремительно растут. Как ожидают тайваньские источники, цены на DRAM будут расти на протяжении всего 2026 года. Представители TrendForce прогнозируют, что только в этом квартале контрактные цены вырастут на 55–60 % по сравнению с предыдущим кварталом. В сегменте твердотельной памяти активнее всего дорожает NAND типов SLC и MLC, в текущем квартале на 20 или 30 % вырастут цены на NOR Flash. Впрочем, рост цен открывает определённые возможности для тайваньских производителей памяти, поскольку они стремятся занимать освобождаемые зарубежными конкурентами рыночные ниши. Поставщики памяти начали пересматривать контрактные цены несколько раз за квартал, постоянно их повышая, и очередной раунд переговоров должен пройти с конца января по февраль. Ожидается, что цены вырастут сильнее, чем закладывалось в прогноз покупателями. Как считают в TrendForce, контрактные цены на NAND в этом квартале последовательно вырастут на 33–38 %. В следующем году Kioxia начнёт производство 332-слойной памяти NAND — первым делом её пустят на нужды ИИ
11.12.2025 [10:12],
Алексей Разин
Префектура Иватэ упоминается в новостях второй раз за день, но на этот раз не в контексте возможных последствий недавнего землетрясения, а в связи с намерениями Kioxia наладить на местном предприятии с 2026 года выпуск передовой 332-слойной памяти типа 3D NAND, которая будет востребована в серверном сегменте. 
Источник изображения: Kioxia Соответствующую память Kioxia относит к десятому поколению продукции. По сравнению с восьмым, она позволяет увеличить количество слоёв с 218 до 332 штук, поднять плотность хранения данных на 59 % и увеличить скорость передачи информации на 33 %. Кроме того, в новом поколении памяти снижается уровень энергопотребления. Вопреки ранним прогнозам, выпуск такой памяти Kioxia наладит на предприятии не в Ёккаити, а в Китаками. Для соответствующих нужд на этой площадке ещё в сентябре был введён в строй новый производственный корпус Fab 2. Компания придерживается двойственной производственной политики, стараясь выпускать как скоростную память с минимальными инвестициями на её совершенствование, так и твердотельную память большой ёмкости, которая обзаводится возросшим количеством слоёв. Предприятие в Ёккаити при этом сосредоточится на скоростной памяти, а в Китаками будет выпускаться память большой ёмкости, чьё производство обычно требует существенных капитальных вложений. В Ёккаити компания к апрелю следующего года наладит выпуск твердотельной памяти 3D NAND девятого поколения, которое сохранит то же количество слоёв, что и память восьмого поколения (218 штук), но будет отличаться от него возросшим быстродействием и сниженным энергопотреблением. Такую память целесообразнее использовать в смартфонах. Память десятого поколения с 332 слоями будет применяться в серверных твердотельных накопителях большой ёмкости. Спрос на них сейчас очень высок на фоне бума ИИ, поэтому в скорейшей реализации проекта Kioxia сильно заинтересована. Память девятого поколения подразумевает сращивание двух раздельных кремниевых пластин, на одной из которых располагаются ячейки памяти, а на другой — управляющая логика. До седьмого поколения включительно подобная память выпускалась в монолитной компоновке из одной пластины. Вокруг предприятия Kioxia в Китаками постепенно формируется крупный технологический хаб, привлекающий поставщиков как оборудования для выпуска чипов, так и материалов. Грядёт подорожание SSD: ИИ устроил дефицит NAND, контрактные цены взлетели на 20–60 % за ноябрь
02.12.2025 [07:45],
Алексей Разин
Вслед за оперативной памятью стремительно дорожает и твердотельная, аналитики TrendForce пришли к выводу, что по итогам ноября контрактные цены на NAND выросли последовательно на величину от 20 до 60 %, и практически не осталось тех категорий флеш-памяти, которые не были затронуты этой тенденцией. В декабре положительная динамика контрактных цен сохранится. 
Источник изображения: Samsung Electronics Поставщики NAND сейчас концентрируются на наиболее доходном серверном сегменте, поэтому поставки памяти в прочих сегментах сокращаются, что также вызывает рост цен. В частности, микросхемы типа TLC на 1 Тбит в ноябре оставались в наиболее сильном дефиците, поскольку они востребованы производителями SSD корпоративного класса. Средние цены на память этой категории заметно выросли. Вывод из строя мощностей, которые специализировались на более старой памяти, в ноябре спровоцировал максимальный рост цен на микросхемы типа TLC на 512 Гбит, который в отдельных случаях достигал 65 % по сравнению с октябрём этого года. В подобном русле двигались и цены на микросхемы TLC плотностью 256 Гбит. В сегменте QLC рост цен также был обусловлен высоким спросом на память данного типа в серверном сегменте, особенно для микросхем плотностью 1 Тбит. Даже более древняя память типа MLC не смогла избежать удорожания, поскольку спрос на неё подогревается со стороны рынка промышленной и потребительской электроники соответственно. Пока сохраняется дефицит кремниевых пластин с чипами NAND, поставщики сохраняют возможность повышать цены, что они наверняка продолжат делать и в декабре, как резюмируют представители TrendForce. Власти США обсуждают планы организации производства на территории страны при участии Kioxia и SanDisk
28.11.2025 [08:48],
Алексей Разин
О росте цен на память в последнее время принято много говорить, но он наиболее отчётливо проявляется именно в сегменте DRAM, тогда как NAND плетётся в хвосте и только начинает отходить от затяжного кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. В любом случае, источники приписывают властям США обсуждение плана по локализации производства NAND при участии Kioxia и SanDisk. 
Источник изображения: Kioxia С учётом наличия у американской Micron Technology предприятий по производству твердотельной памяти NAND, инициатива может показаться избыточной, но на фоне сохраняющегося бума ИИ наличие альтернативных производителей в пределах страны будет не лишним. Тем более, что цены на NAND тоже начали расти, привлекая к профильной деятельности имеющие соответствующий опыт компании. В следующем году, например, сотрудничающие более 20 лет компании Kioxia и SanDisk намерены увеличить свои капитальные затраты на 41 % до $4,5 млрд, сосредоточившись на расширении производства чипов поколения BiCS8 и разработке BiCS9. С другой стороны, в период с июля по сентябрь включительно Kioxia столкнулась со снижением чистой прибыли на 62 %, поскольку структура поставок её продукции сильно зависела от сегмента смартфонов (на 35 %), а сезонный спрос в этой рыночной нише не был впечатляющим. Японские источники, на которые ссылается TrendForce, сообщили о подготовке властями США плана по строительству на территории страны предприятия по выпуску NAND, с привлечением Kioxia и SanDisk в качестве лидирующих инвесторов. Пока обсуждение плана идёт с трудом, поскольку производители не могут договориться о размере инвестиций, а ещё их смущает потенциальное регуляторное противодействие Китая. На рынке есть и те игроки, которые одновременно выпускают DRAM и NAND. Лидеры сегмента в лице Samsung, SK hynix и Micron, по данным южнокорейских СМИ, придерживаются сдержанного подхода к расширению производства NAND в следующем году. Фактически, в текущем полугодии они даже сократили выпуск флеш-памяти, что способствовало дополнительному росту цен. Samsung на этапе обсуждения контрактов на поставку NAND в следующем году собирается увеличить цены на 20–30 %. При этом SK hynix на 10 % сократила объёмы выпуска твердотельной памяти, а Micron на своём предприятии в Сингапуре придерживается схожей тактики. SanDisk предрекла дефицит флеш-памяти на весь следующий год — SSD и не только подорожают
07.11.2025 [12:55],
Алексей Разин
До сих пор нам чаще приходилось слышать о том, что производители памяти типа HBM распределили весь объём поставок на год вперёд на фоне сохраняющегося бума ИИ. Подобным положением дел теперь могут «похвастать» и производители твердотельных накопителей, если верить ссылающемуся на Yahoo! Finance ресурсу TrendForce. Компания SanDisk считает, что память NAND останется в дефиците до конца следующего года. 
Источник изображения: SanDisk Об этом стало известно после публикации квартального отчёта этого производителя NAND и SSD. Спрос будет превышать предложение на протяжении всего следующего года, как минимум, а характер переговоров с клиентами позволяет руководству SanDisk думать, что такое положение дел сохранится и в какой-то части 2027 года. Нехватка памяти типа NAND, по мнению генерального директора Дэвида Гёкелера (David Goeckeler), обусловлена долгосрочными тенденциями роста спроса, принятыми ранее решениями о величине капитальных вложений, а также миграцией на новые технологические процессы по всей отрасли. Впервые в 2026 году, как ожидает глава SanDisk, выручка от реализации NAND в серверном сегменте превысит мобильную, поскольку она растёт более активно и сочетается с более разнообразной клиентской базой. Предприятия по выпуску твердотельной памяти SanDisk сейчас загружены на полную и работают на пределе своих возможностей, а складские запасы готовой продукции резко сократились. Готовит SanDisk и специальное решение для рынка ИИ — скоростную флеш-память HBF, которую можно будет применять как в серверной инфраструктуре, так и в сфере периферийных вычислений. Она в полной мере проявит себя в приложениях, связанных с так называемым инференсом. Дефицит флеш-памяти NAND станет нормой в ближайшие десять лет, как считает глава Phison
06.10.2025 [07:09],
Алексей Разин
Рынок твердотельной памяти исторически был подвержен цикличности, из-за чего рост цен сменялся их падением, и сейчас наблюдается восходящий тренд. Руководитель разработчика контроллеров для SSD — компании Phison, вообще убеждён, что в следующем году будет наблюдаться дефицит NAND, и он в той или иной мере сохранится в последующие десять лет. 
Источник изображения: Samsung Electronics Своими соображениями генеральный директор Phison Пуа Кхейн Сенг (Pua Khein-Seng) поделился в интервью одному тайваньскому изданию, на которое ссылается ресурс Tom’s Hardware. Как считает представитель компании, рынок твердотельной памяти неизбежно столкнётся с суперциклом, который вызван бумом систем искусственного интеллекта. Потребности рынка в твердотельной памяти будут уверенными темпами расти на протяжении ближайших десяти лет, и производители даже могут не успевать за ними. Уже в следующем году рынок NAND столкнётся с существенной нехваткой продукции. Проблема также заключается в том, по мнению главы Phison, что в последние годы производители NAND привыкли ограничивать свои капитальные затраты, чтобы не слишком быстро обрушивать цены после наращивания объёмов выпуска продукции. Кроме того, с 2023 года основной объём средств производители памяти направляли на выпуск HBM, а остальные направления финансировались в усечённом формате. Как считает Пуа Кхейн Сенг, сегмент искусственного интеллекта начнёт менять структуру спроса на компоненты. Закупка GPU и памяти HBM для них постепенно начнёт уступать место приобретению NAND, поскольку она нужна для производства твердотельных накопителей. Они обеспечивают высокое быстродействие при работе с данными, а отрасль скоро перейдёт от этапа интенсивного обучения больших языковых моделей к так называемому инференсу. Для хранения и обработки данных потребуются накопители, и SSD при нынешнем соотношении стоимости и быстродействия подойдут для этого лучшим образом. Всё это будет способствовать росту спроса на NAND в течение ближайших десяти лет. Жёсткие диски в серверных системах постепенно будут сдавать позиции SSD, как убеждён глава Phison. Если в 2020 году доля SSD в структуре серверных хранилищ измерялась единицами процентов, а HDD занимали более 90 %, то уже сейчас пропорция изменилась на 20:80. В дальнейшем SSD вполне способны занять 80 %, именно по этой причине спрос на NAND будет устойчиво расти в ближайшие десять лет. Kioxia: спрос на NAND будет расти на 20 % в год благодаря ИИ
30.09.2025 [09:42],
Алексей Разин
Не секрет, что ранее благоволивший главным образом производителям ускорителей вычислений и памяти типа HBM бум систем искусственного интеллекта начал увеличивать спрос и на ёмкие накопители, будь то HDD или SSD. Компания Kioxia убеждена, что в ближайшие несколько лет спрос на память типа NAND будет расти на 20 % ежегодно. 
Источник изображения: Kioxia Подобные темпы будут обеспечиваться сохраняющейся потребностью владельцев центров обработки данных в расширении вычислительных мощностей для инфраструктуры искусственного интеллекта. Исходя из такого прогноза, Kioxia на ежемесячной основе планирует свои расходы на строительство новых производственных линий и предприятий. В этом признался Bloomberg исполнительный вице-президент Kioxia Томохару Ватанабэ (Tomoharu Watanabe). «Спрос высок, особенно со стороны гиперскейлеров, которым нужны чипы для нужд систем генеративного искусственного интеллекта», — заявил представитель компании. Он также добавил, что в модернизации нуждаются центры обработки данных, которые были введены в эксплуатацию пять или шесть лет назад. Некоторым из операторов ЦОД не хватает жёстких дисков, как заявил Ватанабэ. Kioxia на этой неделе запустила вторую очередь своего завода по производству флеш-памяти в префектуре Иватэ, а поставки его продукции в виде передовых чипов памяти она собирается начать в следующем полугодии. В ближайшие пять лет Kioxia намеревается удвоить объёмы выпуска памяти на своих предприятиях в префектурах Иватэ и Миэ. Спрос на NAND со стороны операторов облачной инфраструктуры должен уже в четвёртом квартале текущего года поднять цены на память данного класса на 5–10 % в последовательном сравнении, как считают эксперты TrendForce. Китайская YMTC расширит производство 267-слойной флеш-памяти 3D NAND
26.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность совершенствовать технологии производства твердотельной памяти типа 3D NAND. Ещё в январе независимыми экспертами было установлено, что YMTC начала выпускать память с почти 270 активными слоями. Теперь компания готова расширить производство таких чипов 3D NAND. 
Источник изображения: YMTC Об этом со ссылкой на DigiTimes сообщает ComputeBase.de. В прошлом месяце YMTC получила на отраслевом мероприятии FMS 2025 премию за свою технологию изготовления памяти 3D NAND, именуемую Xtacking 4.0. Последняя позволила компании создавать не только высокопроизводительную, но и экономичную, и при этом ёмкую твердотельную память. Накопители на основе этой памяти применяются как в серверном, так и в потребительском сегментах. Технологию Xtacking 4.0 уже используют накопители X4-9070 на основе 1-терабитных чипов памяти типа TLC, а также X4-6080 на базе 2-терабитной памяти типа QLC. Они обеспечивают высокое быстродействие и впечатляющую ёмкость хранения данных. Надо сказать, что YMTC в числе первых производителей твердотельной памяти начала сращивать кремниевые пластины друг с другом, ещё в 2018 году, но делала это во многом из-за отсутствия доступа к передовым технологиям, позволяющим увеличить количество слоёв в пределах одной пластины. В дальнейшем такой подход взяли на вооружение Kioxia и SanDisk, поскольку он показал себя с лучшей стороны. Заметим, что ранее в этом году SK hynix объявила о запуске массового производства 321-слойной флеш-памяти. Samsung сейчас выпускает 3D NAND с 286 слоями и разрабатывает чипы с более чем 400 слоями. В свою очередь Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, а Micron сейчас выпускает 276-слойные чипы. Сейчас YMTC контролирует около 8 % мирового рынка NAND, но к концу следующего года рассчитывает увеличить эту долю до 15 %. В принципе, это легко будет сделать исключительно за счёт рынка Китая, поскольку он достаточно велик для пропорционального влияния на мировую статистику. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
