Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Власти США обсуждают планы организации производства на территории страны при участии Kioxia и SanDisk
28.11.2025 [08:48],
Алексей Разин
О росте цен на память в последнее время принято много говорить, но он наиболее отчётливо проявляется именно в сегменте DRAM, тогда как NAND плетётся в хвосте и только начинает отходить от затяжного кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. В любом случае, источники приписывают властям США обсуждение плана по локализации производства NAND при участии Kioxia и SanDisk. 
Источник изображения: Kioxia С учётом наличия у американской Micron Technology предприятий по производству твердотельной памяти NAND, инициатива может показаться избыточной, но на фоне сохраняющегося бума ИИ наличие альтернативных производителей в пределах страны будет не лишним. Тем более, что цены на NAND тоже начали расти, привлекая к профильной деятельности имеющие соответствующий опыт компании. В следующем году, например, сотрудничающие более 20 лет компании Kioxia и SanDisk намерены увеличить свои капитальные затраты на 41 % до $4,5 млрд, сосредоточившись на расширении производства чипов поколения BiCS8 и разработке BiCS9. С другой стороны, в период с июля по сентябрь включительно Kioxia столкнулась со снижением чистой прибыли на 62 %, поскольку структура поставок её продукции сильно зависела от сегмента смартфонов (на 35 %), а сезонный спрос в этой рыночной нише не был впечатляющим. Японские источники, на которые ссылается TrendForce, сообщили о подготовке властями США плана по строительству на территории страны предприятия по выпуску NAND, с привлечением Kioxia и SanDisk в качестве лидирующих инвесторов. Пока обсуждение плана идёт с трудом, поскольку производители не могут договориться о размере инвестиций, а ещё их смущает потенциальное регуляторное противодействие Китая. На рынке есть и те игроки, которые одновременно выпускают DRAM и NAND. Лидеры сегмента в лице Samsung, SK hynix и Micron, по данным южнокорейских СМИ, придерживаются сдержанного подхода к расширению производства NAND в следующем году. Фактически, в текущем полугодии они даже сократили выпуск флеш-памяти, что способствовало дополнительному росту цен. Samsung на этапе обсуждения контрактов на поставку NAND в следующем году собирается увеличить цены на 20–30 %. При этом SK hynix на 10 % сократила объёмы выпуска твердотельной памяти, а Micron на своём предприятии в Сингапуре придерживается схожей тактики. SanDisk предрекла дефицит флеш-памяти на весь следующий год — SSD и не только подорожают
07.11.2025 [12:55],
Алексей Разин
До сих пор нам чаще приходилось слышать о том, что производители памяти типа HBM распределили весь объём поставок на год вперёд на фоне сохраняющегося бума ИИ. Подобным положением дел теперь могут «похвастать» и производители твердотельных накопителей, если верить ссылающемуся на Yahoo! Finance ресурсу TrendForce. Компания SanDisk считает, что память NAND останется в дефиците до конца следующего года. 
Источник изображения: SanDisk Об этом стало известно после публикации квартального отчёта этого производителя NAND и SSD. Спрос будет превышать предложение на протяжении всего следующего года, как минимум, а характер переговоров с клиентами позволяет руководству SanDisk думать, что такое положение дел сохранится и в какой-то части 2027 года. Нехватка памяти типа NAND, по мнению генерального директора Дэвида Гёкелера (David Goeckeler), обусловлена долгосрочными тенденциями роста спроса, принятыми ранее решениями о величине капитальных вложений, а также миграцией на новые технологические процессы по всей отрасли. Впервые в 2026 году, как ожидает глава SanDisk, выручка от реализации NAND в серверном сегменте превысит мобильную, поскольку она растёт более активно и сочетается с более разнообразной клиентской базой. Предприятия по выпуску твердотельной памяти SanDisk сейчас загружены на полную и работают на пределе своих возможностей, а складские запасы готовой продукции резко сократились. Готовит SanDisk и специальное решение для рынка ИИ — скоростную флеш-память HBF, которую можно будет применять как в серверной инфраструктуре, так и в сфере периферийных вычислений. Она в полной мере проявит себя в приложениях, связанных с так называемым инференсом. Дефицит флеш-памяти NAND станет нормой в ближайшие десять лет, как считает глава Phison
06.10.2025 [07:09],
Алексей Разин
Рынок твердотельной памяти исторически был подвержен цикличности, из-за чего рост цен сменялся их падением, и сейчас наблюдается восходящий тренд. Руководитель разработчика контроллеров для SSD — компании Phison, вообще убеждён, что в следующем году будет наблюдаться дефицит NAND, и он в той или иной мере сохранится в последующие десять лет. 
Источник изображения: Samsung Electronics Своими соображениями генеральный директор Phison Пуа Кхейн Сенг (Pua Khein-Seng) поделился в интервью одному тайваньскому изданию, на которое ссылается ресурс Tom’s Hardware. Как считает представитель компании, рынок твердотельной памяти неизбежно столкнётся с суперциклом, который вызван бумом систем искусственного интеллекта. Потребности рынка в твердотельной памяти будут уверенными темпами расти на протяжении ближайших десяти лет, и производители даже могут не успевать за ними. Уже в следующем году рынок NAND столкнётся с существенной нехваткой продукции. Проблема также заключается в том, по мнению главы Phison, что в последние годы производители NAND привыкли ограничивать свои капитальные затраты, чтобы не слишком быстро обрушивать цены после наращивания объёмов выпуска продукции. Кроме того, с 2023 года основной объём средств производители памяти направляли на выпуск HBM, а остальные направления финансировались в усечённом формате. Как считает Пуа Кхейн Сенг, сегмент искусственного интеллекта начнёт менять структуру спроса на компоненты. Закупка GPU и памяти HBM для них постепенно начнёт уступать место приобретению NAND, поскольку она нужна для производства твердотельных накопителей. Они обеспечивают высокое быстродействие при работе с данными, а отрасль скоро перейдёт от этапа интенсивного обучения больших языковых моделей к так называемому инференсу. Для хранения и обработки данных потребуются накопители, и SSD при нынешнем соотношении стоимости и быстродействия подойдут для этого лучшим образом. Всё это будет способствовать росту спроса на NAND в течение ближайших десяти лет. Жёсткие диски в серверных системах постепенно будут сдавать позиции SSD, как убеждён глава Phison. Если в 2020 году доля SSD в структуре серверных хранилищ измерялась единицами процентов, а HDD занимали более 90 %, то уже сейчас пропорция изменилась на 20:80. В дальнейшем SSD вполне способны занять 80 %, именно по этой причине спрос на NAND будет устойчиво расти в ближайшие десять лет. Kioxia: спрос на NAND будет расти на 20 % в год благодаря ИИ
30.09.2025 [09:42],
Алексей Разин
Не секрет, что ранее благоволивший главным образом производителям ускорителей вычислений и памяти типа HBM бум систем искусственного интеллекта начал увеличивать спрос и на ёмкие накопители, будь то HDD или SSD. Компания Kioxia убеждена, что в ближайшие несколько лет спрос на память типа NAND будет расти на 20 % ежегодно. 
Источник изображения: Kioxia Подобные темпы будут обеспечиваться сохраняющейся потребностью владельцев центров обработки данных в расширении вычислительных мощностей для инфраструктуры искусственного интеллекта. Исходя из такого прогноза, Kioxia на ежемесячной основе планирует свои расходы на строительство новых производственных линий и предприятий. В этом признался Bloomberg исполнительный вице-президент Kioxia Томохару Ватанабэ (Tomoharu Watanabe). «Спрос высок, особенно со стороны гиперскейлеров, которым нужны чипы для нужд систем генеративного искусственного интеллекта», — заявил представитель компании. Он также добавил, что в модернизации нуждаются центры обработки данных, которые были введены в эксплуатацию пять или шесть лет назад. Некоторым из операторов ЦОД не хватает жёстких дисков, как заявил Ватанабэ. Kioxia на этой неделе запустила вторую очередь своего завода по производству флеш-памяти в префектуре Иватэ, а поставки его продукции в виде передовых чипов памяти она собирается начать в следующем полугодии. В ближайшие пять лет Kioxia намеревается удвоить объёмы выпуска памяти на своих предприятиях в префектурах Иватэ и Миэ. Спрос на NAND со стороны операторов облачной инфраструктуры должен уже в четвёртом квартале текущего года поднять цены на память данного класса на 5–10 % в последовательном сравнении, как считают эксперты TrendForce. Китайская YMTC расширит производство 267-слойной флеш-памяти 3D NAND
26.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность совершенствовать технологии производства твердотельной памяти типа 3D NAND. Ещё в январе независимыми экспертами было установлено, что YMTC начала выпускать память с почти 270 активными слоями. Теперь компания готова расширить производство таких чипов 3D NAND. 
Источник изображения: YMTC Об этом со ссылкой на DigiTimes сообщает ComputeBase.de. В прошлом месяце YMTC получила на отраслевом мероприятии FMS 2025 премию за свою технологию изготовления памяти 3D NAND, именуемую Xtacking 4.0. Последняя позволила компании создавать не только высокопроизводительную, но и экономичную, и при этом ёмкую твердотельную память. Накопители на основе этой памяти применяются как в серверном, так и в потребительском сегментах. Технологию Xtacking 4.0 уже используют накопители X4-9070 на основе 1-терабитных чипов памяти типа TLC, а также X4-6080 на базе 2-терабитной памяти типа QLC. Они обеспечивают высокое быстродействие и впечатляющую ёмкость хранения данных. Надо сказать, что YMTC в числе первых производителей твердотельной памяти начала сращивать кремниевые пластины друг с другом, ещё в 2018 году, но делала это во многом из-за отсутствия доступа к передовым технологиям, позволяющим увеличить количество слоёв в пределах одной пластины. В дальнейшем такой подход взяли на вооружение Kioxia и SanDisk, поскольку он показал себя с лучшей стороны. Заметим, что ранее в этом году SK hynix объявила о запуске массового производства 321-слойной флеш-памяти. Samsung сейчас выпускает 3D NAND с 286 слоями и разрабатывает чипы с более чем 400 слоями. В свою очередь Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, а Micron сейчас выпускает 276-слойные чипы. Сейчас YMTC контролирует около 8 % мирового рынка NAND, но к концу следующего года рассчитывает увеличить эту долю до 15 %. В принципе, это легко будет сделать исключительно за счёт рынка Китая, поскольку он достаточно велик для пропорционального влияния на мировую статистику. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. Репортаж со стенда Silicon Power на выставке Computex 2025: серия SSD Endura, быстрая оперативная память и другие новинки
27.05.2025 [09:09],
Владимир Мироненко
Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2025 свои новейшие разработки, в том числе новое семейство твердотельных накопителей Endura на флеш-памяти 3D TLC NAND, включающее модели Endura E55, E60, ED90 и ES75. Кроме того, производитель показал скоростные модули оперативной памяти, новейшие карты памяти и даже промышленные решения.  Базовая модель серии — 2,5-дюймовый накопитель Endura E55 с интерфейсом SATA III — предназначена для массового пользователя. Устройство поддерживает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с, записи — до 450 Мбайт/с. Доступны версии Endura E55 ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт. В свою очередь, накопитель Endura E60 с интерфейсом PCIe 3.0 x4, поддержкой скорости последовательного чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с, создан для использования в производительных системах для работы и игр. Накопитель совместим со спецификациями NVMe 1.3 и поддерживает технологию коррекции ошибок LDPC ECC. Накопитель Endura E60 доступен в вариантах ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.  Высокопроизводительный накопитель SP Endura ED90 с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0, позиционируется компанией как решение для компьютерных систем с интенсивной передачей данных, которые могут использоваться создателями контента и пользователями других творческих профессий. SSD поддерживает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с, выпускается в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт. Флагманская модель линейки SP Endura ES75 с интерфейсом PCIe 4.0, а также поддержкой скорости последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с, предназначена для использования профессионалами, создания контента и для мощных игровых компьютеров. SP Endura ES75 поставляется в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт. Добавим, что накопители семейства Endura уже продаются в России, например, в DNS и «Ситилинк».  Базовая линейка DDR5 CKD компании включает модули CUDIMM и CSODIMM с частотой DDR5-6400, ёмкостью 16 Гбайт, задержкой CL52 и поддержкой напряжения 1,1 В.  Также на экспозиции демонстрировался высокопроизводительный NVMe-накопитель Silicon Power XPower XS90 M.2 Gen 5 для энтузиастов, обеспечивающий скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, ёмкостью до 4 Тбайт и основанный на 6-нм контроллере (вероятно, Maxiotek DRAMless).  На стенде Silicon Power также была представлена модель US75 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, которая выпускается ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт, обеспечивает скорость последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 6000 Мбайт/с.  В свою очередь твердотельный накопитель US85 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой спецификации NVMe 2.0, предназначенный для использования геймерами, создателями контента и профессионалами, обеспечивает скорость последовательного чтения до 10 300 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 8600 Мбайт/с. US85 доступен в вариантах ёмкостью 1 и 2 Тбайт.  Посетители стенда также могли увидеть серию премиальной памяти XPower Storm DDR5 RGB с поддержкой XMP и EXPO для игровых ПК, которая поставляется в виде модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт). Заявленный диапазон скорости передачи данных — от 6000 до 8000 МТ/с, задержка — от CL28 до CL38 при напряжении до 1,45 В.  Кроме того, на стенде демонстрировалась серия флеш-памяти среднего уровня XPower Zenith DDR5 с поддержкой скорости от 5200 до 6000 МТ/с при напряжении 1,25–1,35 В. Память выпускается в виде модулей емкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт).  XPower Cyclone — память DDR5 OC для энтузиастов. Вариант без CKD (UDIMM) имеет частоту до DDR5-8000, а варианты CKD (CUDIMM) — вплоть до DDR5-9200 с задержкой CL44-56-56-134 и напряжением 1,35 В. Обе версии поддерживают динамическую RGB-подсветку. Усовершенствованный алюминиевый радиатор толщиной 2 мм позволяет снизить нагрев до 10 °С. XPower Cyclone найдёт применение при запуске требовательных игр, работе в режиме многозадачности и при создании различного видеоконтента.  Также экспозиция компании включала память XPOWER Pulse DDR5 для игровых ПК со скоростью до 6400 MT/с с таймингами CL40, CL38, CL36, CL32 или CL30, выпускаемая в версиях 16 и 32 Гбайт.  В числе новинок Silicon Power в категории памяти на стенде демонстрировались карты Inspire microSDXC на базе флеш-памяти 3D TLC NAND, соответствующие классу скорости UHS-I U3 и V30 для записи видео с высоким разрешением 4K. Карты Inspire с поддержкой скорости последовательного чтения до 170 Мбайт/с и скорости записи до 160 Мбайт/с позиционируются производителем как решение, которое идеально подходит для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных — от захвата видео сверхвысокой чёткости с разрешением 4K на дронах и экшн-камерах до поддержки мобильных игр и создания профессионального контента на портативных игровых консолях. Карты памяти Silicon Power Inspire microSDXC доступны в вариантах объёмом 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт Наконец, Silicon Power продемонстрировал на Computex 2025 свои продвинутые решения SP Industrial, предназначенные для хранения и обработки данных для периферийных вычислений и автоматизации промышленности, обеспечивающие эффективность, надежность и быстродействие в реальном времени для индустрии 4.0. Samsung со следующего месяца прекратит поставки флеш-памяти типа MLC
27.05.2025 [07:36],
Алексей Разин
По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов. 
Источник изображения: Samsung Electronics В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована. Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности. Silicon Power выпустила линейку твердотельных накопителей Endura
24.04.2025 [09:00],
Андрей Созинов
Компания Silicon Power представила семейство твердотельных накопителей под названием Endura. Линейка включает четыре устройства с различными характеристиками, предназначенные для разных сценариев использования — от бытового до профессионального.  Все накопители новой серии базируются на флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечивающей высокую скорость работы и надежность благодаря многослойному расположению ячеек памяти. Производитель позиционирует новинки в качестве универсальных накопителей с оптимальным сочетанием производительности и надёжности при повседневном использовании. Все новинки покрывает пятилетняя гарантия производителя, что указывает на их высокую надёжность. В состав линейки вошли следующие модели: SP Endura E55 —2,5-дюймовый накопитель с интерфейсом SATA III. Это доступное устройство для массового пользователя обеспечивает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с и записи до 450 Мбайт/с, что в 15 раз быстрее стандартных жестких дисков. Доступны варианты емкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.  SP Endura E60 — накопитель с интерфейсом PCIe 3.0 x4, обеспечивающий скорость чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с. Устройство совместимо с NVMe 1.3 и поддерживает технологии LDPC и ECC для защиты данных. Производитель позиционирует этот SSD в качестве решения для производительных систем для работы и игр. Этот SSD также доступен в версиях объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт. SP Endura ED90 — высокопроизводительный SSD с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0. Он подойдёт для компьютеров для людей творческих профессий, создателей контента, а также систем, которые подразумевают интенсивную передачу данных. SSD обеспечивает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с. Доступны варианты емкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.  SP Endura ES75 — самая производительная модель новой линейки с интерфейсом PCIe 4.0, демонстрирующая скорость чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с. Устройство позиционируется как решение для профессионального использования, создания контента и мощных игровых компьютеров. Эти SSD доступны в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт. Накопители серии ED90 уже поступили в продажу в магазины торговой сети DNS. Информация о поступлении других моделей будет публиковаться в официальном Telegram-канале «Сила кремния». |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
