Сегодня 18 января 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Учёные придумали флешку завтрашнего дня — на нанопроволоке из теллура с плотностью записи 1,9 Тбайт на квадратный сантиметр

Международная группа учёных впервые экспериментально доказала проявление сегнетоэлектрического эффекта в однокомпонентном материале — теллуре. Сегнетоэлектрики обычно представляют собой соединения, что делает их применение сложнее и дороже. Учёные пошли дальше проверки явления и создали прототип полевого транзистора с каналом из нанопроволоки, открыв путь к памяти будущего и нейроморфным вычислениям.

 Источник изображений: Nature Communications

Источник изображений: Nature Communications

«Сегнетоэлектрические материалы — это вещества, которые могут накапливать электрический заряд и сохранять его даже при отключении питания, и их заряд можно переключать с помощью приложения внешнего электрического поля — это свойство, необходимое для устройств энергонезависимой памяти», — поясняют авторы работы, опубликованной в Nature Communications.

Возможность проявления сегнетоэлектрического эффекта в однокомпонентных материалах была известна только теоретически. Учёные из Университет Тохоку (Tohoku University) вместе с коллегами из других стран показали, что эффект возможен на нанопроволоке из теллура (Te). По сути — это 2D-материал, сегнетоэлектрический эффект в котором проявляется за счёт «уникального смещения атомов в одномерной цепочечной структуре теллура». Явление было определено с помощью силовой микроскопии пьезоотклика и сканирующей просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения.

Основываясь на сделанном открытии, учёные разработали новое устройство — сегнетоэлектрический полевой транзистор с автоматическим стробированием (SF-FET), который объединил сегнетоэлектрические и полупроводниковые свойства в одном устройстве. Экспериментальный транзистор SF-FET продемонстрировал исключительное сохранение данных, быструю скорость переключения (менее 20 нс) и впечатляющую плотность записи, превышающую 1,9 Тбайт на см2.

«Наш прорыв открывает новые возможности для устройств памяти следующего поколения, где высокая мобильность нанопроволок из теллура и его уникальные электронные свойства могут помочь упростить архитектуру устройств, — поясняют авторы. — Наше устройство SF-FET также может сыграть решающую роль в будущих системах искусственного интеллекта, обеспечивая нейроморфные вычисления, имитирующие работу человеческого мозга. Кроме того, полученные результаты могут помочь снизить энергопотребление в электронных устройствах, удовлетворяя потребность в устойчивых технологиях».

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Marvel Rivals — нужна ли теперь Overwatch? Рецензия 5 ч.
Тактическая стратегия по «Звёздным войнам» от бывших разработчиков XCOM скоро выйдет из тени — инсайдер рассказал, когда ждать анонс 6 ч.
Ремастер Tomb Raider: The Angel of Darkness для сборника Tomb Raider IV-VI Remastered раскроет потенциал худшей игры серии — подробности улучшений 7 ч.
Первый «геймплей» Virtua Fighter 6 оказался точной копией боевой сцены из фильма «Драконы навсегда» с Джеки Чаном 8 ч.
Руководитель разработки Dragon Age: The Veilguard покинет BioWare после 18 лет в Electronic Arts 9 ч.
Верховный суд США поддержал закон о блокировке TikTok — соцсети осталось два дня 10 ч.
ЕС потребовал от соцсети X раскрыть алгоритм рекомендаций и политику модерирования 10 ч.
Российские пользователи пожаловались на сбой Steam, но Роскомнадзор тут ни при чём 10 ч.
Планшеты Android 16 смогут запускать до трёх приложений на одном экране 12 ч.
Google заявила, что не будет соблюдать грядущий закон ЕС о фактчекинге 12 ч.