Samsung получила литографический сканер для работы с технологией High-NA EUV

Для выпуска чипов по технологиям с нормами менее 2 нм потребуются литографические сканеры нового поколения, обладающие высоким значением числовой апертуры (High-NA) и использующие сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение (EUV). Первый образец такого оборудования Samsung Electronics уже получила для установки на флагманском предприятии в Хвасоне.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Samsung Electronics

Если учесть, что у Intel в Орегоне уже установлено как минимум два таких литографических сканера ASML, и конкурирующая TSMC тоже проявляет осторожный интерес к подобному оборудованию, действия Samsung можно считать своевременными. По данным южнокорейских СМИ, компания получила первый экземпляр сканера ASML TwinScan EXE:5000 для работы с ним на предприятии в Хвасоне в начале этого месяца. Оборудование такого класса понадобится Samsung для экспериментов по выпуску чипов по технологиям тоньше 2 нм.

В четвёртом квартале прошлого года Samsung, по данным TrendForce, занимала 8,1 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов. Буквально за один квартал потери составили один процентный пункт, тогда как TSMC укрепили свои позиции на 2,4 п.п. до 67,1 %. Выручка Samsung при этом сократилась последовательно на 1,4 % до $3,26 млрд. Своевременное освоение передовых техпроцессов позволит Samsung эффективнее удерживать свои рыночные позиции. К 2028 году TSMC рассчитывает внедрить оборудование класса High-NA EUV в массовом производстве чипов, Intel рассчитывает сделать это значительно раньше.