MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
На форуме Open Innovation Platform Ecosystem Forum компания TSMC представила свои ближайшие планы по освоению техпроцессов, подчеркнув, как растущие нагрузки ИИ стимулируют разработку новых технологий с учётом баланса между производительностью и эффективностью. Также компания объявила о запуске серийного выпуска 2-нм чипов.
Источник изображений: TSMC
Компания объявила, что техпроцесс N2 (2 нм) уже запущен в серийное производство и ожидает, что начнёт наращивать производство по улучшенному техпроцессу N2P в начале 2026 года. TSMC планирует выпустить первые компоненты на базе техпроцесса A16, которые сочетают транзисторы на основе нанолистов с шиной питания Super Power Rail (SPR) на задней стороне кристалла, к концу 2026 года. В дальнейшем техпроцессы будут переходить от N3 к N2 на основе нанолистов, затем к A16 с SPR и, в конечном итоге, к более продвинутому A14.
TSMC также предоставила данные, показывающие рост производительности примерно в 1,8 раза при переходе с техпроцесса N7 на A14 при постоянной мощности, а также общее повышение эффективности примерно в 4,2 раза за тот же период. Компания прогнозирует, что тактовая частота чипов на техпроцессе A16 будет на 8–10 % выше, чем у продуктов на базе N2P, при том же напряжении, а энергопотребление снизится на 15–20 % при аналогичной пропускной способности.
Для тех, кто хочет продолжать использовать FinFET, компания предлагает усовершенствованные варианты техпроцессов с FinFET, такие как N3C и N4C, причём N4C уже используется заказчиками. TSMC также отметила NanoFlex — метод настройки на уровне ячеек, представленный в техпроцессе N2, который позволяет разработчикам найти баланс между скоростью и эффективностью. Этот подход позволяет добиться 15 % прироста частоты или снижения энергопотребления до 30 %.
Сотрудничество TSMC с заказчиками даёт компании значительное преимущество. Команда разработчиков техпроцессов готова вносить нужные изменения по требованию клиентов. TSMC производит чипы Blackwell с использованием технологии 4N (4 нм), разработанной специально для Nvidia. Продукт оснащён восемью стеками памяти HBM3E, помещёнными в корпус CoWoS-S. Таким образом, индивидуальная настройка техпроцессов, тесная интеграция с заказчиками и поставщиками EDA, а также лидерство в области передовых технологий производства и корпусирования чипов позволили TSMC сохранить лидирующие позиции в отрасли производства полупроводников.
Источники:
