Теги → техпроцессы
Быстрый переход

Новая версия PlayStation 5 получила более компактный 6-нм процессор Oberon Plus — раньше использовался 7-нм Oberon

Новая версия игровой консоли PlayStation 5 с модельным номером CFI-1202 получила новый кастомный гибридный процессор с кодовым именем Oberon Plus, сообщает портал Angstronomics. Чип использует более тонкий техпроцесс производства, за счёт чего он стал компактнее своего предшественника Oberon.

 Источник изображения: VideoCardz

Источник изображения: VideoCardz

По данным источника, новые игровые консоли Sony теперь используют более компактный процессор, выпускающийся на мощностях компании TSMC с использованием более передового 6-нм техпроцесса. Напомним, что оригинальная приставка выпускалась с процессором Oberon, который использует 7-нм техпроцесс TSMC N7.

Архитектурно новый чип никак не изменился. В нём по-прежнему используются вычислительные ядра AMD Zen 2 и графическая архитектура RDNA 2. Производительность осталась прежней. Площадь кристалла нового процессора составляет около 260 мм2. Для сравнения, у оригинальной версии площадь чипа составляет 300 мм2.

 Процессор Oberon Plus (слева) и Oberon (справа). Источник изображения: Angstronomics

Процессор Oberon Plus (слева) и Oberon (справа). Источник изображения: Angstronomics

О том, что Sony выпустила новую версию приставки PlayStation 5, стало известно в начале этого месяца. Производитель полностью переработал её внутренние компоненты. Новая версия получила уменьшенную в размерах материнскую плату, а также более компактную и лёгкую систему охлаждения. Использование последней стало возможно как раз за счёт перехода процессора приставки на новый более тонкий техпроцесс. Как отмечалось в раннем разборе новой версии, обновлённая консоль требует меньше мощности и, следовательно, менее требовательна к охлаждению.

Выпуск более компактных чипов для PlayStation 5 означает, что на одной кремниевой пластине можно создать больше микросхем. Таким образом, теоретически обновлённая консоль может обходиться в производстве до 12 % дешевле.

По данным портала Angstronomics, компания Microsoft также собирается в обозримом будущем перейти на применение более компактных процессоров в своих игровых приставках Xbox Series S и X.

TSMC начнёт массовый выпуск чипов по усовершенствованному 3-нм техпроцессу в 2023 году

Компания TSMC подтвердила, что переход на массовое производство чипов согласно передовым технологическим процессам будет проводиться согласно графику. Разработка усовершенствованного 3-нм техпроцесса N3E идёт гладко. Первые коммерческие продукты на его основе ожидаются в следующем году. Продукты на базе основного 3-нм техпроцесса N3 начнут массово выпускаться в этом году.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Тестовый выпуск чипов согласно нормам 3 нм был запущен в прошлом году. Сейчас же TSMC массово производит чипы согласно техпроцессу 5 нм, на базе которого этой осенью ожидается выход на рынок большого числа различных потребительских продуктов. По словам тайваньской компании, выпуск чипов по нормам 5 нм принёс ей 21 % от общей выручки во втором квартале этого года.

Одной из главных особенностей узла N3 является технология FinFlex, которая должна увеличить для заказчиков привлекательность чипов, выпускаемых компанией. Суть технологии состоит в том, что производитель позволит использовать разные виды FinFET-транзисторов в рамках одного полупроводникового кристалла. В конце августа глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) сообщил, что TSMC столкнулась со множеством сложностей при разработке 3-нм техпроцесса. Однако совсем скоро начнётся массовый выпуск чипов на его основе, и многие клиенты компании этого очень ждут.

В то же время в TSMC подтвердили, что в 2025 году планируют начать выпуск кремниевых пластин с использованием 2-нм техпроцесса производства. Для этого компания построит новый завод на территории Научного парка Синьчжу. Подготовка инфраструктуры для новой фабрики уже началась.

В рамках 2-нм техпроцесса TSMC будет выпускать микросхемы с архитектурой транзистора с круговым затвором Gate-All-Around (GAA). Прогнозируется, что TSMC выйдет на массовое производство чипов на основе 2-нм техпроцесса раньше, чем это сделают южнокорейский гигант Samsung Electronics и американская компания Intel. По мнению аналитиков, тайваньская компания в 2024 году станет первым производителем чипов, который задействует новое оборудование для литографии в глубоком ультрафиолете (EUV) с высокой числовой апертурой.

Согласно прогнозам, чипы на базе 2-нм техпроцесса будут на 10–15 % быстрее микросхем на базе узла N3E при том же уровне энергопотребления или на 25–30 % энергоэффективнее при той же тактовой частоте работы.

Из-за высокого спроса на передовые микросхемы производственные мощности TSMC по-прежнему загружены на 100 %. Компания ожидает, что это продлится как минимум до конца текущего года. В то же время многие соглашаются, что полупроводниковой отрасли сейчас приходится проводить корректировку запасов микросхем в связи со снижающимся потребительским спросом на различную бытовую технику.

TSMC удалось добиться впечатляющего уровня выхода годных кристаллов по 3-нм техпроцессу N3E

Из прежних сообщений тайваньских СМИ известно, что компания TSMC в следующем месяце приступит к производству чипов согласно 3-нм техпроцессу, который сама компания обозначает как N3. Издание Tom’s Hardware поделилось свежими подробностями о развитии технологии N3E, которая будет представлять собой оптимизированную версию техпроцесса N3.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Технический энтузиаст под псевдонимом HS Kuo, на которого ссылается издание, опубликовал на своей странице в Twitter выдержку из непубличного документа самой TSMC. Согласно этим данным, компания к настоящему моменту добилась высокого процента выхода годных изделий на базе технологии N3E. Даже с учётом того, что на ней ещё не запущено опытное производство.

 Источник изображения: TSMC / HS Kuo

Источник изображения: TSMC / HS Kuo

Если верить графику выше, объём выхода годных микросхем статической оперативной памяти SRAM на базе N3E сейчас составляет около 80 %, годных логических микросхем — 80 %, а годных кольцевых генераторов с подтверждённым ресурсом — 92 %. Как отмечает Tom’s Hardware, эти показатели выше, чем у стартующего в следующем месяце серийного производства по технологии N3.

По данным TSMC, техпроцесс N3E подразумевает несколько меньшую плотность расположения транзисторов и некоторые другие изменения, которые позволяют достичь большей производительности и снижения энергопотребления чипов.

TSMC начнёт выпускать 3-нм чипы в сентябре

Компания TSMC начнёт массовое производство чипов по техпроцессу 3 нм (N3) в следующем месяце, сообщает издание Commercial Times. Поставки клиентам TSMC первых продуктов, выполненных на базе техпроцесса N3, ожидаются в начале следующего года.

 Источник изображений: TSMC

Источник изображений: TSMC

Обычно TSMC начинает массовое производство по новым техпроцессам весной, чтобы успеть выпустить достаточное количество чипов к запуску новых моделей iPhone от Apple, релиз которых обычно происходит в сентябре. Однако разработка узла N3 заняла больше времени, чем обычно. Именно поэтому Apple будет использовать в будущих смартфонах другой техпроцесс. Несмотря на это, именно Apple станет первым клиентом TSMC, который получит чипы, выполненные по 3-нм техпроцессу.

Технология N3 по сравнению с 5-нм N5 позволит увеличить частоты на 10–15 % при сохранении того же уровня энергопотребления или понизить энергопотребление кристаллов на 25–30 % при сохранении частоты. Также новые производственные нормы дадут возможность увеличить плотность размещения транзисторов на кристалле примерно в 1,6 раза.

Одной из главных особенностей узла N3 является технология FinFlex, которая должна увеличить для заказчиков привлекательность чипов, выпускаемых компанией. Суть технологии состоит в том, что производитель позволит использовать разные виды FinFET-транзисторов в рамках одного полупроводникового кристалла. Технология может принести пользу сложным продуктам, таким как центральные и графические процессоры. Поэтому компании Apple, AMD, Intel и NVIDIA смогут выпускать более производительные решения под определённые вычислительные задачи.

В перспективе TSMC запустит техпроцессы N3E, N3P и N3S. Первый будет представлять собой оптимизацию N3, а последние два — оптимизации N3E под различные классы применений. N3P ориентируется на высокопроизводительные чипы, а N3S — на энергоэффективные чипы с повышенной плотностью транзисторов. Оба техпроцесса запланированы к запуску на 2024 год, а N3E появится в 2023-м.

TSMC заявила, что расширение 3-нм идёт по плану

Компания TSMC прокомментировала вчерашний отчёт аналитиков из TrendForce, в котором говорилось, что тайваньский производитель вынужден пересмотреть свои планы по расширению мощностей для выпуска продукции по 3-нм технологическим нормам. Связано это якобы с планами Intel по переносу выпуска чипов Meteor Lake.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Во вчерашнем отчёте TrendForce утверждалось, что Intel якобы решила перенести c конца 2022-го на конец 2023-го года запуск массового производства процессоров Meteor Lake. Они будут состоять из нескольких кристаллов, и кристаллы встроенных GPU будут выполнены именно по 3-нм техпроцессу TSMC.

«TSMC не комментирует вопросы, связанные с бизнесом наших индивидуальных клиентов. Наш проект по расширению производственных мощностей продвигается согласно графику», — сообщил представитель компании TSMC изданию Economic Daily.

Между тем компания Intel ещё раньше в рамках своего финансового отчёта заявила, что процессоры Intel Core 14-го поколения с кодовым именем Meteor Lake станут доступны в следующем году. «В 2023 году мы начнём поставки наших первых дезагрегированных процессоров — Meteor Lake, — использующих техпроцесс Intel 4. Они отлично себя показывают в наших лабораториях и в лабораториях наших клиентов», — заявил глава компании Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) в рамках финансового отчёта за второй квартал текущего года.

Получается, что речи о выпуске Meteor Lake в 2022 году уже действительно не идёт, так что данные TrendForce о переносе их выхода на 2023-й действительно имеют основания. Но на планы TSMC это никак не повлияет.

Освоение техпроцесса Intel 4 (7 нм) идёт согласно графику — массовое производство на нём запустят в этом полугодии

Компания Intel ведёт разработку технологического процесса Intel 4 (7 нм) согласно графику и собирается перейти к началу массового производства продуктов на его основе во второй половине текущего года. Об этом сообщает тайваньское издание DigiTimes, ссылающееся на анонимные источники в самой компании.

 Источник изображений: Intel

Источник изображений: Intel

Около месяца назад на мероприятии 2022 IEEE VLSI Symposium компания Intel заявила, что очень оптимистично настроена в отношении перехода на новый техпроцесс. По её словам, узел Intel 4 сможет повысить производительность продуктов на его базе примерно на 20 % при том же уровне потребляемой мощности или обеспечить снижение энергопотребления до 40 % при той же частоте в сравнении с актуальным техпроцессом Intel 7 (10 нм). Кроме того, компания сообщила, что для производства продуктов на техпроцессе Intel 4 она будет впервые использовать EUV-литографию, которая позволит вдвое увеличить плотность транзисторов по сравнению с узлом Intel 7.

За последние годы Intel успела несколько «подмочить» свою репутацию с долгим переходом с 14-нм на 10-нм техпроцесс, поэтому новости о том, что задержек при переходе на 7-нм технологию не ожидается и разработка идёт согласно графику, могут представлять собой весьма позитивный сигнал для рынка.

Напомним, что техпроцесс Intel 4 ляжет, например, в основу потребительских процессоров Intel Core 14-го поколения (Meteor Lake) — в следующем году они придут на смену серии процессоров Raptor Lake, чей релиз ожидается осенью этого года. Meteor Lake станут первыми потребительскими процессорами компании, в которых она будет использовать новый чиплетный дизайн из нескольких кристаллов, выполненных по нескольким техпроцессам. Иными словами, нас ожидает настоящая эволюция процессоров Intel.

Raptor Lake в свою очередь таковой не выглядят. Они будут производиться на том же техпроцессе Intel 7 (10 нм), что и актуальные процессоры Alder Lake. Архитектуру новых чипов оптимизируют под работу на более высоких частотах, увеличат им число ядер и объём кеш-памяти L2 и «прикрутят» поддержку более скоростной памяти DDR5 без разгона. На этом основные отличия Raptor Lake от Alder Lake собственно и заканчиваются. Они также будут работать с процессорным разъёмом LGA 1700 и получат поддержку памяти DDR4.

В отчёте DigiTimes также говорится, что запуск массового производства продуктов на базе техпроцесса Intel 3 (улучшенный 7-нм техпроцесс) ожидается во второй половине 2023 года. В прошлом месяце компания заявила, что Intel 3 обеспечит прибавку производительности на 18 % относительно узла Intel 4.

TSMC анонсировала пять 3-нм техпроцессов и транзисторный микс FinFlex

TSMC рассказала подробности о семействе техпроцессов N3 (3-нм класса), которые будут занимать место флагманских технологий полупроводниковой кузницы в период с начала 2023 по конец 2025 года. В семейство N3 в общей сложности войдёт пять техпроцессов разной специализации.

 TSMC

TSMC

Массовое производство чипов по базовому техпроцессу N3 начнётся во второй половине этого года. Поставки готовых 3-нм чипов тайваньский производитель будет готов обеспечить в начале 2023 года. Технология N3 по сравнению с N5 позволит увеличить частоты на 10–15 % при сохранении постоянного энергопотребления или понизить энергопотребление кристаллов на 25–30 % при постоянной частоте. Также новые нормы дадут возможность увеличить плотность размещения транзисторов на кристалле примерно в 1,7 раза.

Как правило, пилотные техпроцессы вроде N3 привлекают внимание производителей флагманских чипов, готовых доплачивать за технологическое лидерство на рынке. Среди компаний, которые в первых рядах разместят заказы на производство продукции по этому процессу, наверняка окажется Apple. В то же время для массовых изделий TSMC позднее предложит семейство родственных техпроцессов с оптимизацией различных параметров. В это семейство войдут технологии N3E, N3P, N3S и N3X.

 Источник изображения: Anandtech.com

Источник изображения: Anandtech.com

Технологический процесс N3E будет представлять собой усовершенствованную версию N3 с увеличенным выходом годных кристаллов. Достигаться это будет путём небольшого уменьшения разрешения литографии, за счёт чего плотность транзисторов на кристалле по сравнению с N3 откатится примерно на 10 %. Но зато снизится себестоимость чипов, и доступ к технологии 3-нм уровня получит широкий круг заказчиков. Более того, в целевых показателях техпроцесса N3E значится улучшение частотных и энергетических характеристик по сравнению с N3 на 3–4 %. Опытное производство чипов по технологии N3E запустится в третьем квартале текущего, а массовое производство — в середине следующего года. Таким образом поставки готовых N3E-изделий смогут начаться в конце 2023 года.

Техпроцессы N3P и N3S будут представлять собой варианты оптимизации N3E под различные классы применений. N3P ориентируется на высокопроизводительные чипы, а N3S — на энергоэффективные чипы с повышенной плотностью транзисторов. Оба техпроцесса запланированы на 2024 год.

Ещё один техпроцесс, N3X, появится в числе предложений TSMC ближе к 2025 году, когда компания начнёт осваивать следующую ступень полупроводниковых норм. Предназначение этой технологии — производство высокопроизводительных процессоров, для которых важно использование высоких рабочих токов и длительная работа на повышенных тактовых частотах.

Говоря о процессах семейства N3, TSMC анонсировала технологию FinFlex, которая должна увеличить для заказчиков привлекательность чипов, выпускаемых компанией. Суть технологии состоит в том, что производитель позволит использовать библиотеки разных FinFET-транзисторов в рамках одного полупроводникового кристалла.

 TSMC

TSMC

Набор доступных вариантов включает транзисторные блоки с различной конфигурацией рёбер каналов: тремя и двумя (3-2 Fin), только двумя (2-2 Fin) и двумя и одним (2-1 Fin). Первый тип блоков транзисторов хорош для высокочастотных и высокопроизводительных применений, второй — для баланса между производительностью и энергоэффективностью, а третий — для энергоэффективных чипов с высокой плотностью. Разные конфигурации блоков транзисторов можно будет сочетать в рамках одного чипа, что позволит делать гибридные решения, в которых соседствуют производительные и энергоэффективные составные части. Технология FinFlex будет доступна для всего семейства техпроцессов N3.

 TSMC

TSMC

Более тонкий, чем N3, техпроцесс TSMC намеревается ввести в строй в 2025-2026 году. В перспективной технологии N2 компания перейдёт на применение GAAFET-транзисторов и EUV-литографию с высоким числовым показателем апертуры.

TSMC анонсировала техпроцесс N2 — 2-нм чипы появятся в 2026 году

Крупнейший контрактный производитель полупроводников, компания TSMC, официально представила технологический процесс N2 (2-нм уровня), в котором она собирается внедрить транзисторы с круговым затвором GAAFET. Техпроцесс, как ожидается, должен быть введён в строй в 2025 году — на год позже, чем подобные транзисторы начнёт использовать Intel.

 TSMC

TSMC

Технологический процесс N2 привнесёт две важные инновации. Во-первых, транзисторы с круговым затвором на основе нанолистов (так TSMC называет свои Gate-all-around Field Effect Transistor — GAAFET), и во-вторых, перенос линий питания на обратную сторону полупроводникового кристалла. GAAFET-транзисторы имеют каналы, окружённые затвором со всех четырёх сторон, что снижает токи утечки и добавляет в технологию гибкость за счёт изменения размера канала. Размещение линий питания на обратной стороне кристалла, в свою очередь, позволяет организовать подвод питания на GAAFET-транзисторы более эффективно — с меньшей длиной проводников, что позволяет снизить потери и электромагнитные наводки.

 Samsung

Samsung

Как следует из пресс-релиза, техпроцесс N2 сможет обеспечить повышение производительности транзисторов на 10-15 % при сохранении того же уровня энергопотребления по сравнению с предшествующей технологией N3E. Или же предложит снижение энергопотребления на 25-30 % при той же частоте работы полупроводникового устройства. Однако вместе с этим применение транзисторов GAAFET не даст принципиального выигрыша с точки зрения снижения габаритов кристаллов. Плотность транзисторов в рамках N2 увеличится лишь на 10 %.

Технологический процесс N2 будет применяться в различных приложениях, включая производство и мобильных SoC, и высокопроизводительных CPU и GPU. Среди прочего TSMC упоминает и чиплетную компоновку — произведённые по N2 чипы смогут комбинироваться в едином устройстве с другими кристаллами для оптимизации производительности и стоимости.

Как сообщается, TSMC начнет крупносерийное производство чипов по техпроцессу N2 во второй половине 2025 года. Это значит, что появления коммерческих чипов 2-нм уровня, произведённых на TSMC, можно будет ожидать только в конце 2025 года или даже 2026 году. Следует напомнить, что Intel планирует внедрить техпроцесс аналогичного класса — Intel 20A — уже в 2024 году.

Детали техпроцесса Intel 4: частота вырастет на 20 % и плотность транзисторов будет выше, чем у TSMС

Компания Intel представила технические подробности, касающиеся будущего техпроцесса Intel 4, которой найдёт применение в процессорах Meteor Lake, запланированных на 2023 год. По утверждению компании, новая производственная технология позволит увеличить тактовые частоты более чем на 20 % при сохранении того же энергопотребления, как у чипов, выпущенных по процессу Intel 7.

Запуск техпроцесса Intel 4 — ключевой для компании этап в пятилетнем плане по возвращению технологического лидерства. Поэтому при разработке очередного техпроцесса Intel не ставила перед собой таких агрессивных целей, как при освоении 10-нм технологии, с которой в своё время возникли существенные проблемы. С вводом в строй Intel 4 компания рассчитывает увеличить плотность размещения транзисторов на кристалле вдвое (по сравнению с Intel 7), тогда как для технологии 10 нм целевым коэффициентом масштабирования было 2,7x.

До переименования техпроцесс Intel 4 ассоциировался с производственными нормами 7 нм, однако важный шаг вперёд в этом техпроцессе кроется не столько в уменьшении размеров транзисторов, сколько в использовании EUV-литографии — впервые для Intel. Внедрение литографии в глубоком ультрафиолете позволяет сократить число производственных шагов — там, где для экспонирования требовалось несколько этапов иммерсионной фотолитографии, теперь можно будет обходиться лишь одним. Это не только ускорит производственный цикл, но и снизит количество ошибок, а следовательно, увеличит выход годных кристаллов.

EUV-литография в рамках Intel 4 будет применяться лишь для отдельных критически важных слоёв кристалла. Но даже на первом этапе её внедрение позволит на 20 % сократить количество используемых фотошаблонов и на 5 % — снизить количество технологических шагов. Для сравнения: без внедрения EUV-сканеров техпроцесс Intel 4 был бы примерно на 30 % сложнее и продолжительнее, нежели Intel 7.

Увеличить интенсивность применения EUV-литографии для большего числа слоёв Intel планирует на следующем шаге, при переходе на технологию Intel 3. При этом она останется совместимой с Intel 4 на уровне библиотек, что позволит легко переносить производство чипов между этими техпроцессами.

Ещё одно важное улучшение, которое сделано в рамках Intel 4, касается изменения материала межсоединений на критических участках. Новый материал Intel называет «усовершенствованной медью» — межсоединения выполнены из чистой меди, но с танталовым барьером и кобальтовым покрытием. Такое сочетание материалов снижает сопротивление и электромиграцию в проводниках и гарантирует их службу более 10 лет без деградации под нагрузкой.

Благодаря внедрению Intel 4, производитель рассчитывает довести плотность размещения транзисторов до 160 млн на мм2, что примерно на четверть выше плотности, обеспечиваемой техпроцессом TSMC N5, который будет использоваться, в частности, при выпуске AMD Zen 4. При этом Intel обещает, что новая технология позволит нарастить частоты кристаллов на 21,5 % по сравнению с продуктами, выпущенными по процессу Intel 7, при сохранении того же уровня энергопотребления. Или же снизить энергопотребление и тепловыделение на 40 % при сохранении неизменной частоты.

Как следует из имеющейся информации, техпроцесс Intel 4 будет применяться в базовых «вычислительных» кристаллах Meteor Lake — процессорах, которые собираются из нескольких кристаллов с использованием технологии 3D-монтажа Foveros. Intel утверждает, что освоение Intel 4 идёт по плану, и первые образцы Meteor Lake уже не просто существуют, но и могут загружать ОС.

Выход Meteor Lake запланирован на 2023 год, массовое производство чипов по техпроцессу Intel 4 сначала будет развёрнуто на площадке в Хиллсборо, а затем и в Ирландии.

TSMC внедрит транзисторы с круговым затвором при переходе на 2-нм техпроцесс в 2025 году

Компания TSMC подтвердила планы перехода на новые техпроцессы, транзисторы и технологии. В распространённом компанией документе чипы на 2-нм техпроцессе она начнёт выпускать в 2025 году и одновременно откажется от вертикально расположенных транзисторных каналов FinFET в пользу горизонтально расположенных каналов в виде наностраниц. О законе Мура на время придётся забыть, но энергоэффективность чипов существенно вырастет.

 Эволюция транзисторов. Источник изображения: Samsung

Эволюция транзисторов. Источник изображения: Samsung

Тайваньская TSMC отстаёт от компании Samsung по темпам перехода на новые (наностраничные) транзисторы GAAFET (Gate All Around) с круговым затвором. Само по себе это рискованное мероприятие — переход на новую структуру транзистора. Компания Samsung планирует начать производство чипов с наностраничными транзисторными каналами в конце текущего года в рамках 3-нм техпроцесса. Интересно отметить, что с новым руководством Intel в лице Патрика Гелсингера микропроцессорный гигант также пообещал форсировать переход на новые транзисторы GAAFET (в компании эта технология называется RibbonFET) и надеется сделать это примерно в 2024 году или на год раньше TSMC.

Транзисторные каналы в виде наностраниц (nanosheet) это почти такие же «рёбра» FinFET, только расположенные параллельно подложке кристалла, тогда как FinFET создаются перпендикулярно подложке. Из расположения наностраниц также следует, что затворы, материал которых страницы пронизывают насквозь от истока к стоку транзистора, окружают каналы-наностраницы со всех четырёх сторон. Большая площадь соприкосновения и большее число каналов-наностраниц позволяет увеличить токи через канал транзистора GAAFET и улучшить его управляемость.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Также важным свойством наностраниц является более тонкая настройка транзисторов под задачи чипа, отсюда следует резко растущая энергоэффективность решений. Можно менять число страниц (каналов) и их ширину: для производительных чипов делать транзисторы с более широкими наностраницами, а для энергоэффективных — поуже.

Интересно отметить, что TSMC также определилась, хотя это не окончательный выбор, со следующей конструкцией транзистора после 2-нм транзисторов с наностраницами. После наностраниц компания рассчитывает наладить производство чипов с транзисторами CFET (см. рисунок ниже). В своё время мы тоже рассказывали о таких. Одним из разработчиков транзисторов CFET или комплементарных FET является бельгийский центр Imec. Транзисторы CFET состоят из пары комплементарных полевых транзисторов n- и p-типа, но расположены они друг над другом, что позволяет, грубо говоря, в два раза увеличить плотность размещения транзисторов на кристалле.

 Источник изображения: Imec

Источник изображения: Imec

«Это [CFET] всё еще находится на стадии исследования, — сказал глава TSMC в интервью EE Times. — Это всего лишь один из вариантов транзистора. Я не думаю, что могу назвать сроки, когда эта транзисторная технология пойдет в производство».

Возвращаясь к 2-нм техпроцессу, отметим, что до его внедрения TSMC рассчитывает на долгую жизнь 3-нм техпроцесса с привычными транзисторами FinFET. Между этими техпроцессами будет не меньше трёх лет, но даже после начала производства 2-нм чипов компания рассчитывает долго продолжать выпуск 3-нм решений — они будут надёжными и проверенными временем.

Micron начнёт переход на EUV-литографию для производства памяти DRAM к концу 2022 года

У американского производителя памяти Micron имеются заводы не только в США, но и в Японии, Сингапуре, Китае и на Тайване. Многие из них стали частью Micron в рамках поглощений. В ходе Computex 2022 американский производитель заявил, что собирается модернизировать своё производство в тайваньском Тайчжуне и начать до конца этого года переход на более совершенный процесс производства чипов памяти DRAM с использованием литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV).

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Micron давно не обозначает технологии производства полупроводников в нанометрах — вместо этого используются разные обозначения 10-нм класса микросхем, такие как 1x, 1z и прочие. Сейчас чипы памяти DRAM компании Micron создаются на DUV (Deep Ultra Violet) конвейере по технологии 1α (альфа). Переход от узла 1z к 1α позволит Micron улучшить характеристики чипов памяти на 40 %. Это позволяет создавать полупроводники размером чуть больше 10 нм.

Со следующего года компания планирует перейти на использование узла 1β (бета). При этом он не потребует перехода на EUV-литографию. Об этом стало известно из опубликованной производителем долгосрочной дорожной карты. В ней также отмечается переход на узел 1y (гамма), с которого как раз и начнётся переход на EUV. Это можно считать началом подготовки к переходу на новый уровень производства DRAM.

Весьма вероятно, что в перспективе Micron приступит к переоборудованию и других своих фабрик для использования нового процесса литографии.

Apple придётся третий год подряд оснащать iPhone 5-нм процессорами

Известный аналитик Мин-Чи Куо (Ming-Chi Kuo) сообщил в Twitter, что однокристальная платформа Apple A16 для грядущих iPhone 14 будет выпускаться по 5-нм техпроцессу, как и её предшественница, и её предшественница. Такой вывод сделан по «дорожной карте» контрактного производителя полупроводников TSMC — техпроцессы 3 и 4 нм станут доступны для массового производства только в 2023 году. Это окажет прямое влияние и на планы клиентов компании.

 Источник изображения: apple.com

Источник изображения: apple.com

Здесь стоит вспомнить ещё один прогноз господина Куо, который в марте заявил, что процессор A16 достанется только старшим iPhone 14 Pro и iPhone 14 Pro Max, в то время как обычные iPhone 14 и 14 Max сохранят за собой прошлогодний Apple A15 Bionic и ограничатся увеличением оперативной памяти с 4 до 6 Гбайт.

Сохранение прежнего техпроцесса обычно означает, что разработчик чипа лишь в ограниченной мере сможет увеличить производительность и снизить потребление энергии. Например, тот же Apple A15 Bionic оказался по обоим параметрам на 10 % прогрессивнее своего 5-нм предшественника A14 Bionic.

Этим плохие новости от аналитика не исчерпываются: по его сведениям, ожидаемый осенью MacBook Air нового поколения снова будет работать на процессоре M1, как и актуальная модель, а более быстрый и прогрессивный M2 тоже появится лишь в следующем году. Apple, конечно, может внести небольшие изменения в чип текущего поколения и назвать его M2 исключительно в маркетинговых целях. Но скорее новый MacBook Air просто получит более мощную версию M1 Pro.

Процессоры для iPhone никогда до настоящего момента не производились с применением одного техпроцесса три года подряд — Apple делала всё, чтобы удерживать свои разработки в авангарде, благодаря чему и оставалась впереди конкурентов. Тем не менее, этот год может стать неприятным исключением, потому что на сей раз TSMC как главный подрядчик Apple не нашла возможностей расширить технические границы. А вероятность того, что какая-либо другая компания сможет в этом году предложить производство по технологии менее 5 нм, ничтожно мала.

TSMC запустит разработку 1,4-нм техпроцесса производства чипов

По данным издания Business Korea, ссылающегося на тайваньские СМИ, компания TSMC решила не останавливаться на разработке и использовании технологии производства микросхем по нормам 2 нм и планирует приступить к разработке 1,4-нм техпроцесса производства чипов. За это будет отвечать команда инженеров TSMC, которая до этого разработала техпроцесс 3 нм.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Формально о разработке нового узла TSMC объявит в следующем месяце, сообщает корейское издание. Напомним, что тайваньский производитель собирается начать массовое производство чипов по нормам 3 нм во второй половине этого года. А первые продукты на базе 2-нм техпроцесса в виде ограниченных партий компания планирует начать выпускать в 2025 году, с выходом на массовое производство в 2026-м.

Издание отмечает, что к 2025 году компания Samsung также планирует выйти на использование 2-нм техпроцесса. Однако если TSMC объявит о разработке технологии производства чипов по нормам 1,4 нм, то южнокорейскому конкуренту не останется ничего иного, как последовать за лидером рынка и начать работу в том же направлении.

Компании TSMC и Samsung давно соревнуются в вопросе разработки всё более совершенных полупроводниковых технологических процессов. По крайней мере, по уровню присутствия на рынке лидирует TSMC. По данным TrendForce, доля чипов тайваньской компании на рынке (по показателю объёмов поставок) достигла 52,1 % в четвёртом квартале 2021 года. На Samsung приходились только 18,3 %.

Южнокорейский гигант прикладывает все усилия, чтобы догнать тайваньского конкурента. Samsung собирается выйти на массовое производство 3-нм чипов с новой структурой транзисторов с окружающим затвором (GAA) в этом году. Эта технология позволяет делать транзисторы меньше и быстрее. И южнокорейская компания собирается обогнать TSMC в вопросе вывода её на рынок.

Компания Intel также недавно присоединилась к гонке техпроцессов, Напоминает Business Korea. Производитель объявил о планах по разработке техпроцесса меньше 2 нм ещё раньше, чем TSMC и Samsung. О своей цели — вернуть звание одного из ведущих производителей полупроводников — компания сообщила в 2021 году. А на производство продуктов по технологии Intel 18A эта компания рассчитывает выйти уже во второй половине 2024 года.

Однако эксперты индустрии пока скептически относятся к подобным заявлениям. Производителям полупроводников уже сегодня приходится прикладывать неимоверные усилия для того, чтобы опускать техпроцессы ещё ниже. По мере сокращения размеров транзисторов их форма в составе полупроводниковой цепи должна быть очень точной. Технологические барьеры, находящиеся на пути решения этой задачи, становится всё сложнее и сложнее преодолеть. Кроме того, компаниям становится всё труднее получать удовлетворительный объём качественных чипов на основе новых техпроцессов при массовом производстве.

AMD может задержать выпуск процессоров на Zen 5 из-за нехватки 3-нм мощностей у TSMC

Выход процессоров AMD на архитектуре Zen 5 может задержаться до 2025 года, пишет DigiTimes. Если производитель решит использовать в новых чипах техпроцесс 3-нм TSMC, то велика вероятность, что свободных мощностей для её нужд в 2023 году у контрактного производителя не найдётся. Весь будущий год львиная доля мощностей для выпуска продукции на основе этого техпроцесса будет занята Intel и Apple.

 Источник изображения: Wccftech

Источник изображения: Wccftech

По данным источника, приоритетное бронирование 3-нм технологического процесса TSMC на 2023 год находится у компаний Intel и Apple, внёсших значительную предоплату на использование этого узла. Они отмечены, как «VIP-клиенты» для этого техпроцесса, пишет DigiTimes.

Помимо Intel и Apple на 3-нм техпроцесс также претендуют AMD, NVIDIA и MediaTek. Однако переговоры на этот счёт ожидаются не ранее второй половины 2023 года. Таким образом, если свежий отчёт DigiTimes верен, то AMD может перенести выпуск чипов Zen 5 на 2024 или даже на 2025 год.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

На данный момент точно неизвестно, собирается ли AMD использовать 3-нм техпроцесс TSMC для своих процессоров на основе архитектуры Zen 5. Ожидаемые в этом году процессоры Ryzen 7000 используют 5-нм техпроцесс (TSMC 4N).

По мнению портала Wccftech, у AMD есть три варианта выхода из сложившейся ситуации. Она может отложить запуск процессоров на базе Zen 5, что определённо ударит по доле компании на рынке процессоров. Она может отказаться от планов по использованию 3-нм техпроцесса и воспользоваться более доступной технологией N5P, представляющей собой оптимизированную и доработанную версию 5-нм узла TSMC. Либо она может попытаться договориться с TSMC о более раннем доступе к 3-нм техпроцессу, что будет стоить огромных денег, и в итоге может привести к крайне ограниченным поставкам CPU поколения Zen 5. Последний вариант видится наименее вероятным.

Intel расширила полупроводниковый завод в Орегоне — теперь туда влезет всё, что надо

Intel официально открыла Mod3 — дополнительные производственные мощности, которыми она расширила передовую исследовательскую фабрику D1X в штате Орегон. На их строительство ушло три года и было потрачено $3 млрд. На церемонии открытия было объявлено, что введённая в строй расширенная фабрика D1X-Mod3 приблизит Intel к занятию лидирующих позиций в области полупроводниковых технологий.

Чистые помещения, входящие в состав «пристройки» Mod3, имеют площадь 25 тыс. м2. Они увеличивают полную площадь чистых комнат построенной в 2010 году фабрики D1X примерно на 20 %. Сделанная модернизация позволит установить на фабрике новое производственное оборудование для освоения техпроцессов следующих поколений, которые впоследствии будут воспроизводиться на заводах по всему миру. Таким образом, Mod3 в первую очередь нужна для своевременного развёртывания техпроцессов Intel 20A и 18A, а также для работы над технологиями RibbonFET и PowerVia.

D1X вместе с новыми мощностями Mod3 станет флагманским предприятием Intel, которое будет нести ответственность за реализацию ключевой цели — освоение пяти норм техпроцессов за четыре года и завоевание к 2025 году технологического лидерства в полупроводниковой отрасли. Увеличение площади чистых комнат позволит установить на предприятии оборудование для производства чипов с применением EUV-литографии с высокой числовой апертурой, например, перспективной машины ASML TWINSCAN EXE:5200 — она имеет существенно увеличенные габариты и массу.

«С расширением нашего завода D1X производство в Орегоне имеет всё необходимое для освоения передовых технологий следующего поколения», — сказала Энн Келлехер (Ann Kelleher), исполнительный вице-президент и генеральный менеджер Intel по развитию технологий.

Также Intel присвоила своему технологическому парку в Хиллсборо имя Гордона Мура, легендарного инженера, который был одним из основателей Intel. А главное здание в кампусе, которое раньше именовалось RA4, теперь будет называться Центром Гордона Мура.

«Орегон долгое время был главным центром исследований и разработок в области полупроводников, и я не могу придумать лучшего способа почтить наследие Гордона Мура, чем дать его имя кампусу, который, как и он, сыграл огромную роль в развитии нашей отрасли», — сказал на церемонии руководитель Intel, Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger). Сам Мур никогда не работал в Орегоне. Сейчас ему 93, и он живёт на Гавайях.

Тем не менее, по словам руководителей Intel, именно площадка в Орегоне отвечала за следование закону Мура и занималась разработкой передовых производственных процессов. Именно здесь разрабатывались транзисторы c диэлектриком с высокой диэлектрической постоянной и с металлическим затвором, трёхмерные транзисторы с напряжённым кремнием и прочее.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Биткоин подорожал до $20 тысяч и замедлил рост 20 мин.
И рыбку съесть: Sony не хочет терять репутацию создателя «невероятных» одиночных блокбастеров и миллионы активных игроков на PS4 31 мин.
Фантастические твари и где они обитают: инсайдер рассказал, с кем столкнутся игроки в God of War Ragnarok 2 ч.
Байонетта в Bayonetta 3 заговорит голосом женской версии Шепарда из Mass Effect 3 ч.
Симулятор ожидания в очереди: Overwatch 2 оказалась доступна в России, но поиграть в неё не так просто 3 ч.
Дефект Windows 11 22H2 может замедлить загрузку уделённых и копирование локальных файлов на 40 % 4 ч.
Илон Маск снова захотел купить Twitter 14 ч.
В деле Twitter против Маска появился ещё один потенциальный свидетель: он заявил, что 20 % аккаунтов на платформе — боты 14 ч.
Electronic Arts засветила баннер и название новой Need for Speed — анонс уже на этой неделе 15 ч.
Безбумажный HR: малым и средним предприятиям открыли демо-доступ к HRlink 15 ч.
С начала года Ford продала всего 41 326 электромобилей и заняла 7 % рынка 2 ч.
«Микрон» наладит производство чипов для банковских карт, полисов и паспортов на мощностях многострадальной «Ангстрем-Т» 2 ч.
Поставщики Apple открывают всё больше производственных площадок в США, отдавая предпочтение Калифорнии 4 ч.
Tesla к следующему году перестанет оснащать электромобили ультразвуковыми датчиками 4 ч.
Новая статья: Обзор смартфона Infinix HOT 12 Pro: в тесноте, да не в обиде 11 ч.
Intel Labs представила нейроморфный ускоритель Kapoho Point — 8 млн электронных нейронов на 10-см плате 13 ч.
Белый дом предложил Билль о правах ИИ — он должен защитить американских граждан от самого ИИ 15 ч.
Первые покупатели vivo V25 Pro получат в подарок беспроводные наушники 15 ч.
Micron построит огромный завод по производству чипов в США за $100 млрд 15 ч.
Поставки iPhone индийского происхождения выросли до $1 млрд за последние 5 месяцев и будут расти дальше 16 ч.