Intel инвестирует 5 млрд евро в расширение своей производственной площадки в Лейкслипе (Ирландия) и намерена закрепить за ней статус ключевого объекта на будущее. На этом предприятии уже работает значительное количество EUV-литографов для выпуска продукции по технологии Intel 3.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Intel

Как пишет портал ComputerBase, завод Fab 34 в Лейкслипе работает уже много лет и способен массово производить микросхемы по самому тонкому техпроцессу в Европе. В 2023 году он стал первым крупным заводом Intel, использующим EUV-литографию, и по-прежнему остаётся единственным в Европе предприятием компании, использующим эту технологию. Intel полностью выкупила Fab 34 и объявила о планируемых инвестициях в апреле.

В этом году компания планирует инвестировать в завод 5 млрд евро. В 2027 году Intel закупит для предприятия дополнительные станки и оборудование, а также модернизирует некоторые производственные мощности для увеличения объёмов выпуска. Кроме того, будет улучшена внутризаводская логистика. Все модули завода объединят в единую сеть, а система транспортировки контейнеров с кремниевыми пластинами по потолочным направляющим будет охватывать все производственные участки. Все эти меры призваны значительно увеличить объёмы выпуска продукции по техпроцессу Intel 3.

В ходе предварительного обсуждения в понедельник Intel пояснила, что на данный момент сохраняет акцент на техпроцессе Intel 3. При этом завод также идеально подходит (особенно после приобретения дополнительного оборудования) для выпуска продукции по техпроцессам Intel 18A и Intel 18A-P.

В будущем техпроцесс Intel 3 будет использоваться для производства микросхем ввода-вывода и базовых кристаллов, главным образом для центров обработки данных. В настоящее время Intel 3 применяется для производства вычислительных кристаллов серверных процессоров Xeon 6, также известных как Intel Granite Rapids. Вычислительные кристаллы других серверных процессоров — Intel Clearwater Forest — используют техпроцесс Intel 18A, тогда как остальные кристаллы этих чипов производятся по техпроцессу Intel 3. Сегодня Intel также подтвердила, что серверные процессоры Xeon следующего поколения тоже будут использовать техпроцесс Intel 3. Аналогичная архитектура будет применяться и в процессорах серии Intel Diamond Rapids, где для вычислительных кристаллов компания также задействует техпроцесс Intel 18A-P.

По словам Intel, спрос в сегменте «базовых кристаллов» сейчас особенно высок. Основную часть этого спроса обеспечивает сама Intel, но интерес наблюдается и со стороны внешних клиентов. При этом компания не раскрывает их имён.

Intel также сообщила, что в настоящее время не планирует строительство новых заводов в Европе. Компания намерена сначала набрать критическую массу внешних клиентов, а затем оценить ситуацию на мировом рынке, чтобы определить, где можно и целесообразно реализовывать дальнейшие проекты.

Японский производитель микросхем Rapidus попытается переманить клиентов у тайваньской компании TSMC не только за счёт предложения услуг другого типа, но и за счёт более низких цен на свои производственные услуги, заявил на этой неделе генеральный директор Ацуёси Коике (Atsuyoshi Koike).

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Rapidus

Как отмечает Tom’s Hardware, план Rapidus конкурировать с TSMC по цене на первый взгляд кажется рискованным, поскольку компания стремится к освоению передовых технологических процессов. Новая стратегия может ограничить её финансовые возможности в области разработки и исследований новых технологий.

Согласно текущим оценкам, Rapidus планирует брать плату в размере от 3 до 3,5 млн иен ($18 550–21 635) за пластину, обработанную по 2-нм техпроцессу. Это значительно ниже предполагаемой цены TSMC — около $30 000 за пластину, изготовленную по техпроцессу N2 (2 нм), — и сопоставимо с тем, что, по слухам, предложит Samsung для своей технологии производства SF2, — около $20 000 за пластину. Фактические цены будут зависеть от обменных курсов, однако намерение Rapidus предлагать значительно более низкие цены, чем TSMC, очевидно.

Rapidus планирует начать крупномасштабное производство чипов с использованием своей 2-нм технологии во второй половине 2027 года. Запуск нового завода займёт некоторое время, поэтому выход на значительные объёмы производства ожидается только в 2028 году. К этому моменту N2 от TSMC перестанет быть самым передовым технологическим процессом тайваньской компании.

К моменту начала Rapidus крупномасштабного производства на своём заводе IIM-1 в 2027 году TSMC нарастит выпуск чипов с использованием улучшенного по производительности технологического процесса N2P. Кроме того, компания успеет накопить необходимый опыт для повышения выхода годных кристаллов при использовании технологии транзисторов с круговым затвором GAA (gate-all-around), которая будет внедрена на пяти предприятиях, где сейчас применяется техпроцесс N2. Также к тому моменту, когда Rapidus достигнет значительных объёмов производства на заводе IIM-1 в 2028 году, TSMC собирается нарастить выпуск продукции с использованием своего передового техпроцесса A16 с подачей питания на обратной стороне кремниевой пластины (Super Power Rail), а также технологии N2X — третьего поколения 2-нм техпроцесса.

Одним из главных преимуществ техпроцессов TSMC перед конкурентами является экосистема Open Innovation Platform (OIP). Она включает комплексные инструменты автоматизации проектирования электроники и проверенные библиотеки полупроводниковых блоков, которые могут использоваться даже для новейших техпроцессов. Кроме того, в рамках этой экосистемы компания сотрудничает со множеством контрактных разработчиков чипов и предоставляет передовые услуги по упаковке не только собственными силами, но и через своих партнёров. На данный момент ни Rapidus, ни Intel Foundry, ни Samsung Foundry не могут предложить ничего даже близкого к возможностям OIP TSMC.

Учитывая преимущества, которые TSMC, вероятно, будет иметь перед конкурентами благодаря накопленному опыту производства 2-нм чипов к 2028 году, более низкие цены могут стать одним из немногих способов конкурировать с крупнейшим в мире контрактным производителем полупроводников. Однако стратегия Rapidus, предполагающая более низкие цены при наличии всего одного завода, выглядит не лучшим способом заработать деньги, а, скорее, верным способом их потерять, пишет Tom’s Hardware.

У Rapidus тем не менее может быть ещё один козырь в рукаве — услуги по обработке пластин на всех этапах производственного процесса. Такой подход значительно ускорит производственный цикл, что станет неоспоримым преимуществом компании перед другими производителями микросхем, хотя и за счёт снижения эффективности использования оборудования. Помогут ли компании более низкие цены и более короткие производственные циклы переманить клиентов у TSMC, покажет время.

Сообщается, что Rapidus ведёт переговоры с более чем 60 потенциальными клиентами, в основном зарубежными компаниями. Это говорит о стремлении японского производителя микросхем стать серьёзным конкурентом мировому лидеру TSMC, а также таким контрактным производителям микросхем, как Intel Foundry и Samsung Foundry.

По информации аналитической компании BlueFin Research Partners, Intel устранила все проблемы, связанные с выпуском годных чипов на базе своего фирменного технологического узла 18A. Компания сделала крупномасштабное производство своего новейшего узла устойчивым как с точки зрения выхода годных изделий, так и с экономической точки зрения.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Intel

В конце прошлого года Intel подтвердила, что выход годных изделий при использовании техпроцесса 18A ежемесячно улучшался примерно на 7 % на протяжении нескольких месяцев. Эта тенденция сохранялась с момента запуска первого продукта на базе техпроцесса 18A. Речь идёт о процессорах Panther Lake. Как сообщается, проблемы с выходом годных изделий были решены. Для зрелого техпроцесса это обычно означает уровень дефектов D0 = 0,1 или D0 = 0,2. Вероятно, Intel теперь достигла нижней границы этого диапазона благодаря усовершенствованию техпроцесса и нескольким месяцам оптимизации крупномасштабного производства.

В отчёте BlueFin Research Partners также отмечается, что Intel производит продукцию по техпроцессу 18A на двух заводах: Fab 52 в Финиксе (штат Аризона) и ещё одной фабрике в Хилсборо (штат Орегон). В настоящее время эти предприятия производят около 30 000 пластин в месяц с использованием технологии 18A. На данный момент этих мощностей достаточно для внутреннего производства Intel, например выпуска процессоров Panther Lake, однако для выпуска других внутренних продуктов потребуются дополнительные мощности.

Что касается других фирменных техпроцессов, Intel начала пробное производство по технологии 18A-P на площадке D1X в Орегоне. Крупномасштабное и долгосрочное использование техпроцесса 18A-P планируется на заводе Fab 62. Первые результаты опытного производства техпроцесса 14A показывают многообещающие перспективы. Intel планирует использовать завод D1X для первоначального крупномасштабного производства, а площадки в Огайо — для второго этапа крупномасштабного производства по техпроцессу 14A.

Для внешних клиентов предложения Intel будут в основном касаться техпроцессов 18A-P, 18A-PT и предстоящего техпроцесса 14A, пробное производство которого начнётся в 2028 году, а крупномасштабное — запланировано на 2029 год.

IBM представила первую в отрасли технологию производства кремниевых чипов субнанометрового класса с нормами 0,7 нм, или 7 ангстрем. Технология стала развитием идеи нанопроводных каналов, полностью окружённых затворами (GAA, Gate-All-Around). Практическая реализация техпроцесса должна состояться не позднее 2031 года, обещая принести с собой значительное сокращение энергопотребления чипов при росте производительности.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: IBM

В настоящий момент IBM вместе с японской компанией Rapidus находится на этапе внедрения массового производства 2-нм чипов с нанопроводными транзисторными GAA-каналами. Технология родилась около 15 лет назад в содружестве с компанией Samsung, пути с которой у IBM позже разошлись. Несмотря на переход от FinFET к GAA, массивы транзисторов на кристалле продолжают оставаться, по сути, планарными. «Настоящее 3D» всё ещё впереди, когда транзисторы будут размещаться друг над другом в два, а то и более слоёв. Работы в этом направлении ведутся со всё возрастающей интенсивностью, и компания IBM также участвует в этой игре.

Как стало известно, следующим шагом IBM после «наностраничной» транзисторной архитектуры станет «наностековая» архитектура (NanoStack). Вместо дальнейшего «плоского» ужатия транзисторов на поверхности пластины IBM предлагает вертикально и со смещением укладывать транзисторы друг относительно друга наподобие технологии CFET, предложенной бельгийским исследовательским центром IMEC. За неимением иллюстрации от IBM для наглядности поместим иллюстрацию IMEC, как это может выглядеть.

Источник изображения: IMEC

По мнению IBM, у наностраничных транзисторов лучше контроль канала и меньше утечки, но для дальнейшего роста плотности масштабирование следует перенести в «третье измерение». Это обеспечит развязку с помощью сверхтонких диэлектриков, возможность раздельного проектирования верхнего и нижнего каналов и электрические характеристики, сопоставимые с характеристиками наностраничных транзисторов или превосходящие их. Тем самым на кристалле размером примерно с ноготь, как на заглавной иллюстрации, IBM обещает разместить почти 100 млрд транзисторов, что примерно вдвое плотнее её 2-нм технологии Gate-All-Around, представленной в 2021 году.

Каналы транзисторов IBM шириной 15 атомов кремния

По расчётам IBM, новый техпроцесс может дать до 50 % прироста производительности либо до 70 % повышения энергоэффективности по сравнению с 2-нм техпроцессом. Отдельно подчёркивается возможность на 40 % улучшить масштабирование SRAM, что важно для ИИ-ускорителей: чем больше быстрой памяти можно держать рядом с вычислительными блоками, тем меньше энергии тратится на перемещение данных между процессором и внешней памятью. Именно энергопотребление и охлаждение становятся главным ограничителем роста дата-центров для искусственного интеллекта, с чем компания обещает, так или иначе, справиться.

Специалисты аналитической компании SemiAnalysis опубликовали результаты первого исследования, проведённого в новой лаборатории по реверс-инжинирингу микросхем. Объектом изучения стал процессор HiSilicon Kirin 9030, используемый в смартфонах серии Huawei Mate 80 и выпускаемый китайским контрактным производителем SMIC по техпроцессу N+3, который считается третьим поколением 7-нм технологии компании.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Huawei Mate 80 Pro построен на Kirin 9030

Наиболее примечательным результатом анализа стало измерение минимального шага металлических соединений (metal pitch) в нижних слоях разводки. По данным SemiAnalysis, у SMIC N+3 этот показатель составляет 32,5 нм. Для сравнения, в серийных процессорах Intel Panther Lake, выпускаемых по техпроцессу Intel 18A, используется шаг 36 нм.

Источник изображений: SemiAnalysis

На первый взгляд может показаться, что китайская технология даже превосходит решение Intel. Однако авторы исследования подчёркивают, что подобное сравнение отражает лишь один из множества параметров современного техпроцесса. Более того, Intel 18A изначально поддерживает минимальный шаг металлизации 32 нм, но в Panther Lake компания Intel сознательно использовала более крупный шаг из-за применения технологии подачи питания с обратной стороны пластины PowerVia. Перенос силовых линий на тыльную сторону кристалла освобождает место в верхних слоях металлизации для сигнальных соединений и позволяет сохранять высокую плотность компоновки даже при менее агрессивных нормах разводки.

Снимки кристаллов Kirin 9020 (слева) и Kirin 9030 (справа)

Другим важным наблюдением SemiAnalysis является то, что техпроцесс SMIC N+3 уступает Intel 18A по плотности размещения транзисторов примерно на 38 %. При этом китайской компании удалось добиться плотности размещения транзисторов на уровне 113,4 млн на квадратный миллиметр, что немного выше показателя зрелого техпроцесса TSMC N6 с его 107,7 млн транзисторов на квадратный миллиметр. Добиться этого удалось без применения литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV): SMIC продолжает использовать оборудование для глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) и сложные схемы многократного экспонирования, требующие дополнительных циклов формирования рисунка на пластине.

Для достижения такой плотности инженерам SMIC пришлось использовать практически все доступные методы оптимизации. В частности, применяются транзисторы с двойными плавниками (Fin), контакты размещаются непосредственно над затвором, а между стандартными ячейками используются минимальные разделительные области. Подобные решения позволяют экономить площадь, но одновременно повышают сложность и стоимость производства.

Впрочем, высокая плотность размещения транзисторов не означает сопоставимой производительности. Согласно данным SemiAnalysis, старшее вычислительное ядро Kirin 9030 Pro работает на частоте 2,75 ГГц и по производительности на такт находится примерно на уровне Arm Cortex-X2 образца 2021 года. В результате новый процессор Huawei сопоставим с флагманскими Android-смартфонами трёхлетней давности и уступает современным решениям Apple, Qualcomm, MediaTek и Samsung.

При этом анализ показал, что новый чип заметно эффективнее использует доступную площадь кристалла по сравнению с предшественником Kirin 9020. Благодаря переходу на техпроцесс N+3 Huawei смогла разместить дополнительное производительное ядро, увеличить объём кеш-памяти, а также расширить графический и нейронный блоки, сохранив практически неизменные размеры самого кристалла.

Kirin 9030 выпускается в разных упаковках для разных смартфонов

Авторы исследования отмечают, что экспортные ограничения США не остановили развитие китайской полупроводниковой отрасли, а лишь изменили подход к дальнейшему масштабированию технологий. Вместо использования EUV-литографии китайским компаниям приходится компенсировать её отсутствие более сложными производственными процессами, архитектурными оптимизациями и передовыми методами компоновки микросхем, включая 3D-штабелирование. При этом, как подчёркивают аналитики, Китай пока не сокращает отставание от Intel, TSMC и Samsung на переднем крае полупроводниковой отрасли, однако продолжает последовательно двигаться вперёд, несмотря на санкционные ограничения.

Дополнительно исследование показало, что процессоры Kirin 9030 Pro комплектуются памятью LPDDR5X производства Samsung. В отдельных версиях смартфонов с 16 Гбайт оперативной памяти также были обнаружены микросхемы китайского производителя CXMT.

На конференции VLSI Technology and Circuits компании ASML и TSMC, а также бельгийский исследовательский центр IMEC совместно представили техпроцесс массового производства 2D-транзисторов на 300-мм кремниевых пластинах. Его внедрение произойдёт не завтра и не послезавтра, но точно будет востребовано после исчерпания ресурсов обычных кремниевых транзисторов нанометрового масштаба. По крайней мере, TSMC уже знает, куда ей двигаться дальше.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: IMEC

Транзисторы масштаба 2D с атомарно тонкими проводящими каналами — это очевидное будущее электроники. Снижение масштабов технологических процессов делает транзисторные каналы всё короче и короче, что начинает мешать управляемости этими электронными приборами. Атомарно тонкие каналы можно надёжно перекрывать или открывать ничтожными токами на уровне статики, что также сделает такие полупроводники менее прожорливыми и более холодными.

Проблемой оставалось производство 2D-транзисторов обоих типов (полярностей) в рамках экосистемы 300-мм пластин, с чем успешно справились IMEC, ASML и TSMC. По крайней мере, они заявили об этом в совместном пресс-релизе.

Как сообщается в документе, на 300-мм кремниевой пластине партнёры продемонстрировали «масштабируемую интеграцию» nFET- и pFET-транзисторов с каналами из TMD-материалов — дихалькогенидов переходных металлов. Для nFET использовался MoS₂ (дисульфид молибдена), а для pFET — WS₂ (дисульфид вольфрама) или WSe₂ (диселенид вольфрама). Все представленные транзисторные структуры изготовлены с шагом CPP (contacted poly pitch) 50 нм, что примерно соответствует 3-нм технологическому процессу.

По данным IMEC, новые транзисторы показали хорошие вольт-амперные характеристики, низкий ток утечки в выключенном состоянии и работоспособность обоих типов проводимости — n- и p-типа — на одной 300-мм пластине.

Более того, инновационные 2D-транзисторы можно производить на обратной стороне пластины, куда стало модно переносить питание и часть интерфейса, разгружая лицевую сторону для чего-то полезного. Для этого предложено решение в виде канавок с вольфрамовой металлизацией на обратной стороне пластины, на которые впоследствии осаждаются 2D-материалы. Такой подход позволяет уменьшить контактную область транзисторов, не ухудшая их характеристик. Изготовление 2D-транзисторов, что также важно для экономии средств, происходит с использованием только одной маски на слой (при однократном экспонировании).

Впрочем, нужно ещё раз уточнить, что пока это не готовый коммерческий техпроцесс TSMC, а демонстрация возможности его переноса «из лаборатории на фабрику». Потенциально такие 2D-транзисторы могут использоваться в сверхмасштабируемой логике и для заполнения обратных сторон пластин, включая интерфейсы для стековой компоновки или подвода питания с тыла.

На днях исследователи из Huawei совместно с командой Нанкинского университета в журнале Nature Electronics опубликовали работу, в которой сообщили о создании RISC-процессора с использованием 2D-материалов. В перспективе это поможет добиться рекордной плотности размещения транзисторов без использования передовых подсанкционных литографов ASML. Используя только местное оборудование, Китай сможет выпускать чипы не хуже решений TSMC, Intel и других лидеров отрасли.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Nanjing University

В статье речь идёт о первом параллельном микропроцессоре на таком двумерном полупроводнике, как дисульфид молибдена — MoS₂. За счёт гексагональной молекулярной структуры слой MoS₂ имеет толщину менее 1 нм, что можно сравнить с размером одного атома. Это позволяет сделать транзисторы на основе MoS₂ намного меньше классических кремниевых и плотнее упаковать их на подложке, добившись прорыва в продлении действия закона Мура иными средствами — без повышения разрешающей способности литографов, которые почти упёрлись в физические пределы технологии.

Свой чип команда исследователей назвала «Мэнци-1000» (Mengqi-1000, в английском варианте — Magic-1000). При этом в китайском языке понятие «Мэнци» имеет несколько иной смысл и означает «начало мечты» или «открытие мечты». Это микропроцессор с 1433 транзисторами на подложке с четырьмя металлическими слоями. Заявленная плотность интеграции — около 9336 транзисторов на 1 мм². Он может хранить данные во встроенном регистровом файле и выполнять арифметические операции с многобитными данными параллельно, но пока на очень скромной частоте — 1 кГц.

Отметим, около года назад учёные из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань также сообщали в Nature о создании 32-битного RISC-V-процессора на элементах из дисульфида молибдена. Новая разработка более зрелая и функциональная, что демонстрирует прогресс китайских исследователей в развитии нестандартных технологий производства чипов. Безусловно, они пока не конкуренты новейшим техпроцессам TSMC и других лидеров, но в пересчёте на одинаковые нормы техпроцесса плотность транзисторов на MoS₂ примерно соответствует 2–3-нм техпроцессам TSMC или даже превосходит их.

По факту опытный чип Huawei «Мэнци-1000» произведён по нормам 0,5 мкм. Это означает, что в случае перевода производства чипов на 2D-материалах на субмикронные техпроцессы Китай может получить более мощные процессоры, не прибегая к новейшей литографии.

Добавим, Huawei уже сообщила о готовности подхватить знамя закона Мура, выпадающее из рук лидеров западного лагеря производителей, и продолжить его работу за счёт оптимизации сигнальной структуры чипов. Материалы типа дисульфида молибдена также рассматриваются в рамках этой цели. Если нельзя иди напрямую, нормальные герои всегда идут в обход.

На днях Huawei представила свой закон масштабирования полупроводников, названный «законом масштабирования тау», и архитектуру LogicFolding. Вскоре после этого компания выступила с докладом на Финансовом форуме и саммите в Шэньчжэне, пообещав выпустить гораздо более мощный процессор Kirin следующего поколения, который будет использоваться в будущих смартфонах линейки Mate 90.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: GSMArena

Утверждается, что этот чип станет первым мобильным процессором компании, построенным на архитектуре LogicFolding, и сможет конкурировать с чипами, производящимися по 3-нм техпроцессу. Представитель компании в рамках доклада не уточнил, будет ли следующий чип Kirin использовать 3-нм техпроцесс, а лишь заявил, что он окажется на одном уровне с современными 3-нм чипами.

Инновационная архитектура LogicFolding позволила компании увеличить плотность транзисторов на 53,5 %, что повышает производительность на 41 % и увеличивает пиковую частоту на 12,7 %. Новая архитектура также обещает повышенную энергоэффективность.

Название чипа Kirin следующего поколения пока не разглашается. Вероятно, подробности о нём можно будет узнать ближе к запуску серии смартфонов Huawei Mate 90, который запланирован на эту осень.

Компания Intel наращивает выпуск собственных чипов по технологическому процессу 18A (класс 1,8 нм) и параллельно работает над его улучшенной версией 18A-P — в стадию производства она вступит в ближайшие кварталы.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

Технология Intel 18A-P предусматривает два новых типа транзисторов, более жёсткий контроль вариативности процесса и улучшенный теплоотвод, что обещает повышенную производительность при сниженном энергопотреблении. Возможно, поэтому ходят слухи, что ею заинтересовались в Apple. 18A-P по сравнению с базовым 18A позволит разработчикам чипов либо повысить производительность своих компонентов на 9 % при том же энергопотреблении, либо снизить энергопотребление на 18 %, сохранив те же производительность и сложность.

Чтобы добиться этого, Intel перешла на транзисторы нового типа RibbonFET с окружающим затвором и продемонстрировала их версии, оптимизированные как для повышенной производительности, так и для сниженного энергопотребления. Это означает, что можно повышать частоты на критически важных участках и сокращать энергопотребление в менее востребованных областях, что способствует росту общей эффективности системы.

Технология 18A-P сохранила тот же шаг затворов транзисторов (50 нм) и те же высоты ячеек (180 нм и 160 нм), что используются в 18A, а также совместимость конструкции с технологией предыдущего поколения. То есть микросхему, которую разрабатывали для 18A, можно портировать на 18A-P и сразу улучшить характеристики чипа; однако для достижения максимальных показателей всё же потребуется повторная оптимизация архитектуры.

Источник изображения: Brecht Corbeel / unsplash.com

Ещё одно преимущество 18A-P состоит в том, что Intel удалось на 30 % сократить перекос качества кристаллов в пределах одной пластины: разброс между «быстрыми» и «медленными» уменьшился — оба приблизились к типичному значению; снизилась вариативность от центра к краю пластины. В техпроцессе добавили дополнительные варианты порогового напряжения: если в оригинальном 18A допускались только четыре пары, то теперь их может быть более пяти. Это помогает точнее сортировать кристаллы, обеспечивает более стабильное поведение микросхем, а доля соответствующих целевым спецификациям кристаллов увеличивается. Повышается объём качественного кремния с одной пластины, то есть растёт выход годной продукции.

Уменьшение разброса параметров, однако, никак не повлияло на частоту брака, связанную с физическими свойствами пластины и естественными отклонениями при экспозиции — тонкие техпроцессы по своей природе более чувствительны к этим факторам. Сохранив геометрию транзисторов, в Intel изменили показатели сопротивления и ёмкости на металлических линиях, что позволило повлиять на скорость сигнала, энергопотребление и величину задержки, однако конкретных значений компания не привела.

Наконец, в 18A-P удалось добиться улучшений в тепловых характеристиках, надёжности и поведении напряжения — это важно как для потребительской, так и для профессиональной продукции. Intel заявила об улучшении теплопроводности на 50 %. Уменьшив тепловое сопротивление, разработчик компенсировал более высокую плотность мощности, характерную для транзисторов с окружающим затвором. Удалось сократить деградацию транзисторов, нарастающую при длительном воздействии высокого напряжения и температуры, что важно для серверной продукции. Наконец, улучшилась согласованность минимального рабочего напряжения (Vmin) логики и SRAM — повысилось качество работы при низком напряжении.

Сегодня стало известно, что Samsung Electronics повысила выход годных изделий по своему 2-нанометровому техпроцессу контрактного производства полупроводников до более чем 60 %. Ещё во второй половине прошлого года выход годных изделий не превышал 20 %. Такое существенное повышение позволит компании резко снизить производственные затраты и открывает больше возможностей для новых заказов.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Samsung

Подразделение Samsung Electronics Foundry изготавливает чипы по 2-нм техпроцессу по заказам от подразделения Samsung Electronics System LSI Division и китайских компаний Canaan и MicroBT, которые производят оборудования для майнинга криптовалют. Сообщается, что в течение последних двух кварталов выход годных изделий для Canaan и MicroBT увеличился более чем в три раза и превысил 60 %. Средний выход годных чипов Exynos 2600 для System LSI пока остаётся ниже 50 %, но ситуация также улучшается с каждым днём.

Для сравнения — ведущий мировой производитель микросхем компания TSMC в настоящее время добилась для своего 2-нм техпроцесса выхода годных изделий на уровне 60–70 %. Дальнейшее повышение выхода годных изделий для современных техпроцессов затруднено из-за их высокой сложности.

Увеличение выхода годной продукции также открывает возможности для привлечения большего числа клиентов. «В последнее время наблюдается тенденция к применению передовых чипов размером менее 5 нм в информационных технологиях, — отметил представитель отрасли. — Если станет известно, что выход годной продукции в 2-нм техпроцессе Samsung Electronics улучшился, весьма вероятно, что другие клиенты заинтересуются».

В прошлом году Samsung Electronics заключила контракт на производство 2-нанометрового чипа автономного вождения AI6 для крупнейшего мирового автопроизводителя Tesla. Этот контракт оценивается в $16,5 млрд.

Группа учёных из Корнеллского университета (Cornell) совместно с компаниями ASM и TSMC представила революционный метод визуализации скрытых атомарных дефектов в передовых полупроводниковых структурах. Технология позволяет оценить повреждения на масштабе нескольких атомов, что важно при отладке техпроцессов производства чипов, чтобы выстроить зрелое производство с минимальным уровнем брака.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Визуализация слоёв кремния, диоксида кремния и оксида гафния внутри канала транзистора. Источник изображения: Cornell

Для визуализации дефектов были выбраны обработанные пластины с транзисторами Gate-All-Around (GAA) — это самые современные транзисторы с круговым или всеохватывающим затвором. Образцы предоставил бельгийский центр Imec. Каждый транзисторный канал такого транзистора — это как трубочка из 18 атомов в поперечнике. Качество стенок этой «трубочки» — неоднородности, сколы и другие дефекты — определяет характеристики транзистора. В обработанной пластине их уже не изменить, но можно проследить за качеством изготовления в процессе каждого из тысяч этапов техпроцесса, чтобы в среднем количество дефектов оказалось как можно меньше.

Но как же увидеть эти дефекты, размеры которых сравнимы с размерами вирусов? Для этого исследователи адаптировали метод многоплоскостной электронной птихографии (multislice electron ptychography) с субангстремным нанометровым разрешением в глубину материала. Прибор улавливает рассеяние электронов в структуре и позволяет собирать данные для визуализации структур атомарного масштаба. По сути, это так называемая вычислительная визуализация, которая строится на скрупулёзном анализе огромного массива данных.

Если чуть подробнее, то метод основан на сборе четырёхмерных дифракционных данных с помощью детектора EMPAD в составе сканирующего просвечивающего электронного микроскопа с последующей фазовой реконструкцией и моделированием распространения электронов в множественных «нарезках». В отличие от проекционных методов, птихография позволяет реконструировать полный объём структур из одного набора данных, отслеживая позиции отдельных атомов, измеряя локальные искажения решётки и количественно оценивая параметры раздела сред.

Метод даёт прямые количественные оценки для спектра дефектов, ранее доступные только как наборы косвенных данных, и открывает путь к быстрому выявлению и устранению технологических проблем на ранних стадиях разработки техпроцессов. Участие в проекте специалистов тайваньского чипмейкера — компании TSMC — говорит само за себя, насколько это востребовано для отладки современного производства чипов.

В поисках замены привычной памяти, производимой в рамках техпроцесса КМОП и приблизившейся к границам своих возможностей, разработчики снова и снова обращают взор на память с сегнетоэлектрическими транзисторами FeFET. Они обладают намного большей скоростью переключения, чем обычные полевые транзисторы FinFET, не требуют питания для сохранения состояния и потребляют сравнительно меньше энергии. Но существовали барьеры, которые им мешали. Существовали…

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: Science Advances 2026

Команда учёных из Пекинского университета (Peking University) предложила интересное решение для масштабирования техпроцесса производства транзисторов FeFET, которое было больным местом компонентов на основе сегнетоэлектриков (в англоязычной литературе — ферроэлектриков). Также новая разработка значительно снижает управляющее напряжение таких транзисторов, которое долгое время не могло опуститься ниже 1,5 В. Очевидно, что это не позволяло им быть совместимыми с современной малопотребляющей логикой, которая давно оперирует напряжениями ниже 1 В.

Китайские исследователи решили задачу оригинально — они повысили концентрацию переключающего поля затвора, за счёт чего удалось преодолеть коэрцитивное поле ферроэлектрика и переключить его поляризацию подачей меньшего напряжения. Концентрацию поля обеспечила металлическая однослойная углеродная нанотрубка (m-SWCNT) длиной 1 нм. Это и есть затвор. За счёт малого диаметра нанотрубки концентрация поля достигла рекордного уровня, и поляризацию материала транзистора удалось изменить подачей управляющего напряжения всего 0,6 В. При этом скорость переключения не пострадала, а энергонезависимые свойства FeFET сохранились.

В целом предложенная структура сегнетоэлектрического транзистора с затвором 1-нм длины выглядит следующим образом: канал из MoS₂, тонкий диэлектрик h-BN (5 нм), плавающий затвор из многослойного графена, ферроэлектрический слой CuInP₂S₆ (CIPS) толщиной от 6,5 до 70 нм и затвор в виде металлической однослойной углеродной нанотрубки (m-SWCNT) длиной 1 нм. Благодаря экстремально малому радиусу кривизны нанотрубки происходит сильная концентрация электрического поля (усиление до 2,6 раза), что локально повышает напряжённость поля в сегнетоэлектрике до 2,7 × 10⁶ В/см при внешнем напряжении всего –0,6 В.

Скорость программирования предложенной транзисторной архитектуры составляет 1,6 нс (при импульсе 3 В). Удержание данных превышает 10⁴ секунд, а износоустойчивость превышает 10⁴ циклов без заметной деградации. Эти параметры значительно превосходят традиционные FeFET по напряжению, скорости и потреблению.

Обозначенный прорыв позволяет впервые добиться полной совместимости по напряжению сегнетоэлектрической памяти с передовой логикой, устраняя необходимость в высоковольтных цепях и открывая перспективы для сверхэнергоэффективных ИИ-чипов, нейроморфных систем и памяти 3D-NAND.

Концепция нанозатворного усиления поля универсальна и может применяться к другим сегнетоэлектрикам (HZO, перовскитам), а также интегрироваться в CMOS-процессы. Работа демонстрирует, что углеродные нанотрубки остаются актуальными для самых продвинутых технологических норм ближайшего будущего и закладывает основу для энергонезависимых технологий с техпроцессом менее 1 нм с минимальными потерями и максимальной производительностью. Кстати, в Samsung придерживаются того же мнения, но это уже другая история.

По данным Kyoto News , на которые ссылается DigiTimes , японская компания Rapidus рассчитывает начать полномасштабное производство чипов по 2-нм техпроцессу в 2028 финансовом году. Старт массового выпуска намечен на вторую половину 2027 финансового года.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Nikkei Asian Review, Rapidus

Бизнес-план, представленный в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, предполагает выход на серийное производство к концу 2027 финансового года (до 31 марта). В течение первого года компания намерена увеличить объёмы примерно в четыре раза.

Производство и обработка кремниевых пластин будут сосредоточены на заводе Rapidus в Титосэ (Хоккайдо). Площадка рассчитана как на начальные этапы, так и на последующую обработку, включая нарезку и упаковку кристаллов. К началу массового выпуска во второй половине 2027 календарного года компания планирует выйти на объём 6000 пластин в месяц, а в течение следующего года — нарастить его до 25 000 пластин.

Для запуска передового производства потребуется установить более 200 единиц оборудования. Как отмечает Kyoto News, ключевой задачей остаётся повышение выхода годных изделий за счёт более точного контроля техпроцессов. Этот показатель напрямую влияет и на себестоимость, и на характеристики микросхем. Как контрактный производитель Rapidus должна обеспечить стабильный поток заказов, чтобы загрузить мощности. Рост выхода годной продукции и привлечение клиентов названы основными условиями реализации плана.

Как сообщает Nikkei Asia, старший управляющий директор и глава инженерного центра Rapidus Ясумицу Ории выступил 6 февраля 2026 года на экономическом семинаре в Китакюсю. Он подчеркнул значение технологии чиплетов, позволяющей объединять разные типы микросхем на одной подложке. По его словам, компания намерена развивать автоматизацию производства и создавать высокопроизводительные решения следующего поколения.

Этой весной Rapidus планирует запустить пилотную линию финальной сборки, где кристаллы будут монтироваться на подложки. Ории отметил, что подразделения, отвечающие за разные этапы производства, работают как единая цепочка, формируя непрерывный процесс.

В отдельном интервью Nikkei Asia Тим Коста, генеральный менеджер по промышленному и вычислительному проектированию в Nvidia, рассказал о применении GPU в разработке и выпуске чипов. По его словам, речь уже идёт не только о литографии. Он отметил, что компания несколько лет развивает библиотеки для ресурсоёмких расчётов и сейчас способна ускорять вычисления для задач литографии до 70 раз. В случае с TSMC моделирование с использованием GPU удалось ускорить до 100 раз.

По словам Косты, сфера применения GPU в полупроводниковой отрасли быстро расширяется. Если ещё пару лет назад ускорение касалось в основном литографии, то теперь графические процессоры задействуют при поиске дефектов, контроле качества и моделировании материалов. Nvidia уже сотрудничает с Rapidus и Advantest, а также ведёт переговоры с рядом других японских компаний.

В ходе рассказов о новых техпроцессах мы постоянно говорим о транзисторах как о ключевых элементах, которые определяют производительность и энергопотребление чипов. В то же время каждый элемент микросхемы по-своему важен и может считаться ключевым. Сегодня Intel похвалилась разработкой нового поколения конденсаторов — ключевых элементов для стабильной работы и питания чипов. Как и транзисторы, они тоже требуют масштабирования для новых техпроцессов.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Конденсаторы Omni MIM в техпроцессе Intel 18A. Источник изображения: Intel Foundry

По словам разработчиков Intel Foundry — подразделения для контрактного производства чипов, интегрированные конденсаторы нового поколения могут считаться значительным прорывом в технологиях распределения питания в чипах эпохи искусственного интеллекта. Речь идёт о разработке нового поколения MIM-конденсаторов (металл-изолятор-металл), которые позволяют радикально улучшить стабильность питания в современных и будущих процессорах. Согласно публикации в блоге Intel Community, эти конденсаторы демонстрируют почти трёхкратное увеличение плотности ёмкости по сравнению с существующими решениями, не усложняя при этом производственный процесс.

По мере миниатюризации транзисторов и роста энергопотребления ИИ- и HPC-чипов проблема стабильной подачи питания становится всё острее. Резкие скачки нагрузки вызывают просадку напряжения, а в процессоре одновременно могут переключаться миллиарды транзисторов, и каждый из них «говорит»: «Дай!» Также в цепях возникает шум, и всё вместе ведёт к снижению эффективности. Традиционно эту задачу решают конденсаторы развязки, выступая как локальные «резервуары заряда»: они мгновенно отдают ток при пиковом спросе и поглощают избыток при снижении нагрузки.

Новые материалы MIM, представленные Intel, обеспечивают плотность ёмкости на уровне 60–98 фФ/мкм² (в зависимости от выбора компонентов), что в три или даже большее число раз превосходит текущие показатели, сохраняя при этом крайне низкий уровень утечек — на три порядка ниже требований в отрасли.

В работе, ранее представленной на конференции IEDM 2025, Intel выделила три перспективных материала для MIM-структур: ферроэлектрический оксид гафния-циркония (HZO), диоксид титана (TiO₂) и титанат стронция (STO). Эти материалы интегрируются в стандартные «траншейные» структуры на обратной стороне кристалла, что делает технологию совместимой с существующими процессами. Внешне это выглядит как цилиндр со стержнем внутри, между которыми размещён диэлектрик. Такая структура конденсатора фактически однослойная, что упрощает производство. В настоящий момент Intel использует технологию производства конденсаторов Omni MIM, которую иллюстрирует картинка выше.

Благодаря новым материалам Intel Foundry рассчитывает существенно повысить производительность на ватт чипов для дата-центров, мобильных устройств и ускорителей ИИ, где требования к мощности и плотности транзисторов растут экспоненциально. Каждый из трёх материалов представляет собой первое масштабное использование сегнетоэлектриков в качестве диэлектрических материалов. Такие материалы меняют значение ёмкости под воздействием внешнего поля, сохраняя стабильность заданных параметров.

Улучшенные диэлектрические свойства новых материалов позволяют конденсаторам оставаться стабильными при нагреве до 90 °C в течение 400 000 секунд, всё это время стабилизируя питание транзисторов и самого чипа. Прогнозирование обещает транзисторам с новыми конденсаторами 10 лет непрерывной работы без электрического пробоя даже с постоянным превышением рабочего напряжения, что придётся по душе оверклокерам.

Каждый из трёх материалов найдёт свою нишу: HZO представляет практичный вариант на ближайшую перспективу — с хорошей надёжностью и простой интеграцией. TiO₂ выступает как следующий шаг вперёд, предлагая более высокую ёмкость и выдающиеся возможности работы при высоком напряжении. STO же обеспечивает максимальную плотность ёмкости и предназначен для приложений, где приоритет отдаётся достижению наивысшей возможной ёмкости.

На новом этапе специалисты Intel разработают техпроцессы, которые помогут встроить изготовление конденсаторов MIM с новыми материалами в действующие техпроцессы. Чуть более подробно об этом можно прочесть в блоге Intel Foundry.

Основной новинкой от Intel на выставке CES 2026 стали процессоры Core Ultra 3-й серии «Panther Lake», но генеральный директор компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) воспользовался мероприятием как возможностью поговорить о техпроцессе 14A (1,4 нм) и заверить потенциальных клиентов и инвесторов, что работа в этом направлении продвигается успешно.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Brecht Corbeel / unsplash.com

«Активно работаем над технологией 14A. Следите за новостями, 14A отлично проявит себя с точки зрения выхода годной продукции и комплекта решений для качественного обслуживания клиентов», — заявил он. Технология Intel 14A, как ожидается, будет готова к работе в массовом производстве в 2027 году, а первые версии инструментов PDK (Process Design Kit) для клиентов выйдут в начале этого. Заявление господина Тана также может означать, что у Intel уже есть минимум один клиент на производство полупроводниковой продукции с использованием технологии 14A.

Актуальный техпроцесс Intel 18A, который применяется при изготовлении чипов Panther Lake, — важный этап в развитии решений компании: он знаменует переход на технологию RibbonFET транзисторов с окружающим затвором (GAA) и PowerVia — схему подачи питания с обратной стороны кристалла. Техпроцесс 14A не менее важен — в его основу ложатся разработки, которые компания сделала при разработке 18A. С появлением 14A компания перейдёт на транзисторы RibbonFET второго поколения и на схему обратной подачи питания PowerDirect второго поколения непосредственно на сток и исток транзисторов, что поможет эффективнее этим питанием управлять. Ещё одним нововведением станут узлы Turbo Cells — они помогут оптимизировать критически важные пути синхронизации, то есть повысить скорость работы чипа без значительных компромиссов по его площади или потреблению энергии.

Ещё один важный для Intel момент в отношении техпроцесса 14A состоит в том, что он будет активно предлагаться другим игрокам — компания станет полномасштабным полупроводниковым подрядчиком. С 18A ей не удалось привлечь ни одного крупного клиента с заказами достаточного объёма за исключением в большей мере собственных нужд и в меньшей — нужд Microsoft и Министерства обороны США. С переходом на 14A Intel рассчитывает как минимум ещё на одного клиента с большими объёмами заказов, которые помогут производителю окупить инвестиции в разработку передового техпроцесса. Сложность в том, что утверждённый план капитальных затрат не предусматривает вложений в мощности 14A для сторонних клиентов. То есть если заказ поступит от игрока масштабов Apple, AMD, Nvidia или Qualcomm, ей придётся смириться с инвестициями в дополнительные мощности, и выход производственного подразделения на безубыточность снова будет отложен.

Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

«Когда мы привлечём клиента на Intel 14A, нам придётся наращивать расходы задолго до получения дохода. Откровенно говоря, по мере формирования определённого спроса со стороны клиентов, этот этап [выход на безубыточность], вероятно, отложится. Но, думаю, большинство инвесторов отнесётся к этому спокойно, потому что это подтвердит, что мы действительно сможем создать собственное контрактное производство чипов», — заявил в ноябре минувшего года корпоративный вице-президент Intel по корпоративному планированию и связям с инвесторами Джон Питцер (John Pitzer).

Контрактные производители полупроводников традиционно обсуждают с клиентами перспективные техпроцессы ещё до введения необходимых мощностей — и наращивают мощности лишь после того, как первые клиенты возьмут на себя соответствующие обязательства. В Intel такая модель пока отсутствует, потому что основной клиент — её собственное подразделение Products Group, и мощности вводятся в первую очередь для удовлетворения собственного спроса. Особенно остро вопрос встаёт, когда речь идёт о передовом производстве: тепроцесс Intel 14A, например, требует низко- и высоко апертурного EUV-оборудования и других дорогостоящих машин. Капитальные затраты оказываются огромными, и производитель просто не может позволить себе простой мощностей — они наращиваются только при гарантированной загрузке более 80 %.

С другой стороны, предложение клиентам техпроцесса без доступных мощностей может угрожать планам Intel стать контрактным производителем. Её конкуренты в лице TSMC и Samsung Foundry расширяют предприятия, когда уже есть несколько основных клиентов, и ожидается дальнейший рост спроса. Передовое оборудование, в том числе EUV-сканеры, отличают весьма продолжительные сроки поставки, и если Intel не сможет вовремя предоставить мощности новым клиентам, её план может просто рухнуть.