MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Выступающие партнёрами японская Kioxia и американская SanDisk готовятся рассказать на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) о памяти с рекордной плотностью. Как ожидается, что грядущая 3D QLC NAND предложит плотность в 37,6 Гбит/мм², что соответствует 4,7 Гбайт/мм².
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
Источник изображения: sandisk.com
Инженеры Kioxia и SanDisk выступят с докладом, озаглавленным как «Двухтерабитная флеш-память 3D с четырьмя битами на ячейку, шестиплоскостной архитектурой, плотностью 37,6 Гбит/мм² и скоростью записи более 85 Мбайт/с». Речь, вероятно, пойдёт о чипах BiCS10 QLC в 332-слойном исполнении — это подтверждается сравнением с TLC-вариантом BiCS10, который при 3 битах на ячейку даёт расчётную плотность 29,1 Гбит/мм² или на 33 % меньше. Новая BiCS10 QLC, как и BiCS8 QLC, предлагает до 2 Тбит (256 Гбайт) на кристалл, но при более высокой плотности ёмкость чипа сможет достичь 8 Тбайт. Такого же результата добилась SK hynix со своей 321-слойной V9 QLC, но достоверных сведений о плотности корейский производитель пока не привёл. Зная плотность 37,6 Гбит/мм² и ёмкость 2 Тбит, можно рассчитать площадь кристалла — она составит около 55 мм².
Ожидается также прирост скорости, поскольку BiCS10 в версии TLC получит интерфейс с скоростью 4,8 Гбит/с, тогда как у BiCS8 он составлял всего 3,6 Гбит/с. Шестиуровневая архитектура обеспечит BiCS10 QLC скорость записи более 85 Мбайт/с — меньше, чем у TLC, но больше, чем у V9 QLC от SK hynix с её 75 Мбайт/с.
В текущем поколении BiCS8 чипы Kioxia и SanDisk при относительно небольшом числе слоёв — 218 — могут соперничать с конкурентами по плотности данных и предлагают максимальную скорость. Выйдя на 332 слоя, Kioxia и SanDisk выступят противовесом Samsung V10, которая обещает выйти на все 400 слоёв и даже достичь 5,6 Гбит/с для V10 TLC.
Источник:
