Руководство многострадальной японской корпорации Toshiba, как пишет Bloomberg, воспользовалось квартальным отчётным мероприятием, чтобы поведать о предстоящем начале выкупа акций компании с фондового рынка. Процедура будет начата группой институциональных инвесторов во главе с японским фондом JIP завтра, а завершиться должна 20 сентября. Сумма сделки не менялась с марта, она составит $15 млрд.

Источник изображения: Toshiba

Фактически, инвесторы предложат действующим акционерам Toshiba по 4620 иен за каждую ценную бумагу, а это выше цены закрытия последней торговой сессии, которая составила 4584 иены за акцию. Все активы Toshiba оцениваются в $15 млрд, что несколько ниже суммы, на которую акционеры и руководство корпорации рассчитывали ещё в конце прошлого года, но с марта текущего года эта сумма не пересматривалась.

Минувший квартал Toshiba завершила с чистыми убытками в размере $180 млн, и председатель совета директоров Акихира Ватанабэ (Akihira Watanabe) образно сравнил грядущую приватизацию с выходом на свет из туннеля, по которому корпорация двигалась на протяжении восьми предыдущих лет. В общей сложности разного рода скандалы и угроза банкротства преследуют Toshiba уже более десяти лет, поэтому действующее руководство смотрит на предстоящую приватизацию с предсказуемой надеждой.

Являющаяся изобретателем памяти типа NAND японская компания была вынуждена в 2018 году продать профильный бизнес консорциуму инвесторов, но Toshiba до сих пор владеет 40 % акций образовавшихся на его основе компании Kioxia. По слухам, Western Digital Corporation и Kioxia ведут переговоры о слиянии бизнеса по выпуску твердотельной памяти, но если подобная сделка и состоится, со слов председателя совета директоров Toshiba, то это уже будет головной болью консорциума JIP, который возглавляет приватизацию.

После нескольких месяцев переговоров уже в августе Western Digital и Kioxia заключат соглашение о слиянии. Сделка будет оформлена как отделение бизнеса Western Digital по производству флеш-памяти и его слияние с Kioxia в отдельную компанию — при этом американской стороне будут принадлежать более 50 % объединённой компании. Об этом пишет Bloomberg со ссылкой на собственные источники.

Источник изображения: kioxia.com

Руководить новой компанией будут топ-менеджеры Kioxia при участии Western Digital. Оба производителя чипов будут представлены в совете директоров объединённого предприятия, которое будет зарегистрировано в Японии. Акции компании первоначально будут торговаться на Nasdaq, но их окончательным «местом приписки» станет Токио.

Финальное соглашение ещё не достигнуто, и сроки слияния могут измениться — есть даже вероятность, что переговоры завершатся безрезультатно, утверждают источники. Представители Western Digital от комментариев по поводу предполагаемого слияния отказались, в Kioxia и Toshiba на запросы журналистов не ответили. Две компании, у которых есть совместное производство флеш-памяти, годами плотно сотрудничают, и слияние усилило бы их конкуренцию с Samsung Electronics. В последний раз они обсуждали слияние в 2021 году.

Об амбициях японского правительства увеличить объёмы национального производства полупроводниковых компонентов в три раза в стоимостном выражении к концу десятилетия уже не раз упоминалось ранее, но только на этой неделе программа была утверждена. Одни только проекты TSMC и Kioxia на территории Японии, по оценкам чиновников, помогут создать 463 000 рабочих мест и увеличить ВВП страны на $30 млрд.

Источник изображения: GlobalFoundries

Выдержки из утверждённой властями Японии программы приводит агентство Bloomberg, считая её ключевым пунктом намерения к концу десятилетия увеличить выручку от реализации производимых на территории страны полупроводниковых компонентов в три раза по сравнению с уровнем 2020 года, до $108 млрд. Обеспечение выпуска на территории Японии передовых полупроводниковых компонентов, включая ускорители для систем искусственного интеллекта, считается одним из залогов обеспечения экономической безопасности страны.

Японские чиновники хоть и говорят о готовности оказывать поддержку компаниям, которые организуют на территории страны производство передовых полупроводниковых компонентов, конкретизируют лишь часть предусматриваемых на это затрат. Например, на поддержку проекта консорциума Rapidus по организации в Японии контрактного производства 2-нм чипов к 2025 году власти готовы выделить $2,4 млрд субсидий, а TSMC с её совместным предприятием с Sony и Denso может получить до $3,4 млрд. Если во втором случае субсидии будут покрывать до половины всего бюджета, то аппетиты Rapidus соответствующая сумма никак утолить не может, поскольку руководство консорциума оценивает предстоящие затраты в десятки миллиардов долларов США.

Более $660 млн субсидий будет выделено на строительство нового предприятия Kioxia по выпуску памяти в центральной части Японии. По прогнозам местных чиновников, только проекты TSMC и Kioxia позволят создать 463 000 рабочих мест, увеличить ВВП страны на $30 млрд и обеспечить до $5,5 млрд налоговых поступлений.

Kioxia анонсировала чипы флеш-памяти UFS 4.0 нового поколения. Микросхемы будут выпускаться в объёмах на 256 и 512 Гбайт, а также на 1 Тбайт. Поставки образцов микросхем объёмом 256 и 512 Гбайт компания начала уже в этом месяце. Поставки образцов микросхем объёмом 1 Тбайт запланированы на октябрь.

Источник изображения: Kioxia

Компания отмечает, что память UFS 4.0 нового поколения использует компактный формфактор упаковки и предназначена для применения в различных мобильных устройствах, включая флагманские смартфоны. Новые чипы флеш-памяти призваны повысить эффективность использования технологий 5G, увеличить скорость загрузки и сократить время задержки в передаче данных.

В составе корпуса микросхем UFS 4.0, разработанного согласно стандартам JEDEC, компания Kioxia объединила инновационные микросхемы памяти BiCS FLASH 3D, а также контроллер. Новые микросхемы флеш-памяти поддерживают интерфейсы MIPI M-PHY 5.0 и UniPro 2.0, обеспечивающие теоретическую пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию или до 46,4 Гбит/с на одну микросхему. Компания также указывает на обратную совместимость памяти UFS 4.0 с UFS 3.1.

Ключевыми особенностями чипов флеш-памяти UFS 4.0 нового поколения от Kioxia являются увеличенная на 18 % скорость последовательной до 30 % случайной записи, а также до 13 % увеличенная скорость чтения по сравнению с микросхемами флеш-памяти UFS предыдущего поколения. Они поддерживают новую функцию Supports High Speed Link Startup Sequence, которая до 1248 Мбит/с увеличивает скорость соединения между микросхемой флеш-памяти и устройством, в которое она установлена. Чипы UFS 4.0 от Kioxia также обладают поддержкой многокруговой очереди (Multi-Circular Queue) и усовершенствованным интерфейсом RMPB для повышения пропускной способность и защиты данных.

Компания Kioxia представила серию твердотельных накопителей BG6, в первую очередь предназначенную для производителей ноутбуков и ПК. Новинки выполнены в формфакторах M.2 2280 и M.2 2230, поддерживают интерфейс PCIe 4.0 и построены на базе чипов флеш-памяти BiCS 3D NAND шестого поколения.

Источник изображения: Kioxia

В накопителях Kioxia BG6 нет кеш-памяти DRAM, но поддерживается технология буферной памяти Host Memory Buffer (HMB). Серия представлена моделями SSD объёмом 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт.

Для новинок заявляется скорость последовательного чтения до 6000 Мбайт/с и последовательной записи до 5300 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи до 850 тыс. 900 тыс. IOPS соответственно.

Кроме того, накопители серии BG6 предлагают поддержку расширенных функций безопасности, включая TCG Opal и TCG Pyrite, а также сквозной защиты.

Образцы накопителей Kioxia BG6 начнут поставляться партнёрам компании во второй половине текущего года.

Впервые слухи о намерениях Kioxia и Western Digital объединить активы, связанные с выпуском твердотельной памяти, возникли ещё в 2021 году, но тогда переговоры упёрлись в разногласия по поводу оценки бизнеса каждой из сторон. Возобновившись в этом году, как поясняет Reuters, данные переговоры приближают возможную сделку по созданию серьёзного конкурента для Samsung Electronics.

Источник изображения: Kioxia

Если упоминаемая южнокорейская компания является лидером на мировом рынке флеш-памяти, то Kioxia занимает второе место, а Western Digital довольствуется четвёртым. Объединив активы, две последние компании смогли бы претендовать на треть мирового рынка, что уже сопоставимо с масштабами бизнеса Samsung. Сейчас рынок твердотельной памяти находится в упадке, и консолидация могла бы стать спасением для той же Kioxia, которая с 2018 года строит свой бизнес на фундаменте, заложенном корпорацией Toshiba.

По информации источников, сейчас стороны прорабатывают вариант сделки, который создал бы объединённую компанию с 43 % капитала, принадлежащих Kioxia, и 37 % акций, доставшихся Western Digital Corporation. Оставшиеся акции были бы распределены между прочими акционерами обеих компаний. Сделка неизбежно бы привлекла внимание антимонопольных органов многих стран, включая США и Китай, а потому на пути её реализации могут возникнуть бюрократические препятствия.

Не совсем ясно, как в структуре этой сделки могли бы учитываться интересы Toshiba, поскольку она до сих пор владеет 40,6 % акций Kioxia, и при этом сама собирается пройти приватизацию, продав свои активы за $15 млрд консорциуму японских инвесторов. Что в этом случае стало бы с долей Toshiba в капитале Kioxia, не уточняется. Представители перечисленных компаний комментировать слухи о подготовке сделки между Kioxia и Western Digital не стали.

Сообщается, что на предстоящем симпозиуме VLSI 2023 в июне компании Kioxia и WD представят доклад о самой передовой на сегодня памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Также будут представлены технологии, которые увеличат скорость флеш-памяти, для чего был предпринят ряд мер, включая увеличение числа плоскостей в каждом слое — отдельно работающих массивов ячеек.

Общее представление о структуре многослойной 3D NAND. Источник изображения: Western Digital

Нетрудно понять, что партнёры пойдут по пути наращивания параллелизма в работе 3D NAND. Больше отдельных массивов ячеек на кристалле (плоскостей или планов) — больше данных можно будет обработать одновременно. Сегодня таких на кристалле традиционно две или четыре, но Kioxia и WD увеличили число плоскостей до восьми.

Но и это не всё! В новой памяти с 210 активными слоями (хотя этот же приём может быть реализован в недавно анонсированной 218-слойной 1-Тбит 3D TLC NAND) задействовано чтение двух соседних ячеек памяти одним синхроимпульсом (стробом). Партнёры называют этот подход «один импульс-два строба» и он также ведёт к росту пропускной способности новой памяти. В чистом виде это снижает общее время считывания памяти на 18 %.

Ещё одним новшеством стало внедрение гибридного декодера адреса строки (X-DEC). Новая память с восемью отдельными областями ячеек в каждом слое сильно уплотнила разводку, что могло повлечь за собой ухудшение задержек чтения. Также была ускорена передача данных между памятью и хостом благодаря сокращению области запроса данных в направлении X до 41 %. Декодер смягчает все эти последствия усложнения архитектуры и дизайна кристалла и снижает задержки до 40 мс, что даже лучше, чем у серийных 128-слойных чипов 3D NAND обеих компаний (у них этот показатель по 56 мс).

Как результат, параллелизм и улучшенная архитектура поднимают пропускную способность памяти с 210 слоями до 205 Мбайт/с. Правда, для этого, очевидно, придётся создавать довольно сложные контроллеры. Появляется риск того, что контроллер не справится с распределением нагрузки по восьми плоскостям в каждом слое, и по 210 слоям вверх, и это будет сопровождаться снижением производительности вместо её роста. Добавим, скорость работы по каждому контакту шины данных составит 3,2 Гбит/с — как и у штатной 218-слойной новой 3D NAND. Так что все эти находки уже могут быть реализованы в массово выпускаемых микросхемах.

Кроме разработки восьмиплановых структур партнёры представят решение для создания 3D NAND с более чем 300 слоями. Для этого необходимо увеличить длину вертикальных сквозных каналов и повысить их качество — оно должно быть хорошо с запасом для более «высоких» микросхем. Для достижения этих целей компании планируют использовать так называемый метод металлостимулированной латеральной рекристаллизации (MILC).

Для удаления примесей и устранения дефектов в канале используется силицид никеля. Компании создали на основе технологии опытный 112-слойный чип с 14-мкм отверстиями. Измерения показали, что шум чтения снижается минимум на 40 %, а проводимость канала увеличивается в десять раз, и все это без ущерба для надёжности ячеек. Память с более чем 300 слоями, кстати, также в виде проекта или даже прототипа представила компания SK Hunix и мы о ней тоже можем услышать на предстоящем симпозиуме.

Наконец, ожидается доклад компании Tokyo Electron. Этот производитель инструментов для травления собирается рассказать о методе быстрого травления более чем 10-микронных (10 мкм) вертикальных каналов для 400-слойных 3D NAND без чрезмерного потребления энергии или использования токсичных веществ. Утверждается, что технология диэлектрического травления High-Aspect-Ratio (HAR) использует криогенный этап изготовления пластин и новый химический состав газа для создания каналов высотой 10 микрон с «превосходным» профилем травления всего за 33 минуты и с уменьшенным на 84 % углеродным следом. Ждём подробностей.

Источник сообщает, что исследователи японской компании Kioxia успешно испытали память NAND с записью в каждую ячейку 7 бит данных. О записи в ячейку 6 бит данных компания рассказывала летом 2021 года. Пока это эксперименты, но всё идёт к тому, что запись 6, 7 и даже 8 бит в ячейку со временем будет реализована в коммерческом кремнии.

Источник изображения: Kioxia

Пока для достижения столь высокой плотности данных в ячейке требуются криогенные температуры. Контроллеру памяти необходимо записать и распознать 128 уровней заряда (порогового напряжения) в одной ячейке, чтобы работать с записанными в неё 7 битами информации. Это вдвое больше, чем при расшифровке 6-битовой ячейки, которую в своё время также пришлось охлаждать до температуры –196° C.

В ходе экспериментов выяснилось, что используемый для каналов транзисторов поликристаллический кремний сильно шумит и не позволяет однозначно определять множество состояний заряда в ячейках памяти. Выход был найден в переходе на использование монокристаллического кремния в каналах, и это дало эффект — 7-битовая ячейка заработала.

Однако возникла неожиданная трудность: не оказалось нужных букв для обозначения 7-битовой ячейки. Аббревиатура HLC (Hepta-Level Cell) была занята 6-битовой ячейкой (Hexa-Level Cell), а SLC (Septi-Level Cell) — однобитовой.

Компании Kioxia и Western Digital анонсировали микросхемы флеш-памяти 3D NAND с 218 слоями ёмкостью 1 Тбит. Чипы будут выпускаться как на трёхбитовых ячейках (TLC), так и на четырёхбитовых (QLC). По словам разработчиков, чипы имеют самую высокую в отрасли битовую плотность. Образцы новинок уже поступили ограниченному кругу клиентов компаний для изучения. Новая память попадёт в смартфоны, интернет-устройства и SSD.

Источник изображения: Kioxia

Новая память относится к восьмому поколению BiCS FLASH Kioxia и Western Digital. Девятое поколение откроют микросхемы с более чем 300 слоями. Партнёры используют «склейку» кристаллов для увеличения количества слоёв. Более того, в случае новинок, как можно сделать вывод из контекста пресс-релиза, массив ячеек и контроллер изготавливаются отдельно и тоже собираются в вертикальный стек в процессе «склейки».

Ранее Kioxia и Western Digital изготавливала контроллеры в составе массивов ячеек. Первой изготавливать управляющую микросхему отдельно начала китайская компания YMTC в виде технологии Xtacking. В случае 218-слойной памяти BiCS FLASH Kioxia и Western Digital речь идёт о «новаторской технологии» CBA (CMOS directly Bonded to Array), в которой контроллеры и массивы ячеек выпускаются на отдельных пластинах с оптимизацией каждого процесса, и совмещаются только после полной обработки (либо кристаллы контроллеров и массивов совмещаются уже после нарезки). В официальном документе этот момент не прояснён.

Массив ячеек по-прежнему используется «четырёхплановый» — из четырёх отдельных плоскостей массивов, что позволяет ускорить работу памяти за счёт параллелизма. Также при производстве 218-слойных сборок массивы были «ужаты» по вертикали и горизонтали. Именно это (точнее — боковая усадка ячеек) позволило увеличить плотность битов на 50 %. Дополнительно увеличена производительность работы памяти — на 60 % по сравнению с предыдущим поколением чипов. Это означает, что скорость работы по каждому контакту шины данных выросла до 3,2 Гбит/с.

Скорость записи также стала выше — на 20 % или около того. Также снизились задержки чтения, что тоже окажет положительное воздействие на производительность новых чипов 3D NAND Kioxia и Western Digital. В целом эта память станет новой ступенькой к более производительным устройствам и приложениям, ожидать которые можно к концу текущего года.

Компания Kioxia на конференции China Flash Market 2023 сообщила о планах выпуска твердотельных накопителей корпоративного уровня с интерфейсом PCIe 5.0 на базе скоростной флеш-памяти XL-NAND второго поколения. Эти накопители смогут обеспечить скорость последовательной записи до 13,5 Гбайт/с.

Источник изображений: Kioxia

Представленные к настоящему моменту SSD стандарта PCIe 5.0, по словам их разработчиков, способны обеспечить скорость последовательного чтения до 12–12,5 Гбайт/с, а большинство моделей и вовсе ограничены 10 Гбайт/с. Будущие накопители Kioxia будут почти в 2,2 раза (на 118 %) быстрее своих предшественников с интерфейсом PCIe 4.0. Они также обеспечат скорость последовательной записи до 9,7 Гбайт/с.

Следует отметить, что производительность SSD в случайных операциях записи и чтения блоков объёмом 4 Кбайт имеет более важное значение для корпоративных клиентов. Новые накопители Kioxia предложат производительность до 3 млн IOPS в таких операциях чтения и до 1,06 млн IOPS в операциях записи. Показатель задержки в операциях чтения/записи у новых накопителей составит 27 нс — чуть ниже, чем у SSD предыдущего поколения, у которых данный показатель составляет 29 нс.

Как высокие линейные скорости, так и выдающиеся показатели в случайных операциях обусловлены применением памяти XL-NAND второго поколения. Данная память создавалась как конкурент очень быстрой флеш-памяти Intel Optane, но имеет несколько другой принцип работы. В основе лежит флеш-память BiCS 3D NAND, но работающая с меньшим количеством уровней на ячейку — в режиме MLC (два бита на ячейку). В XL-NAND второго поколения увеличено максимальное количество одновременно обслуживаемых блоков, благодаря чему получилось повысить пропускную способность.

Kioxia считает, что PCIe 5.0 и CXL 1.0 будут оставаться основными интерфейсами ввода-вывода для корпоративных твердотельных накопителей как минимум до 2025 года. В 2026 году ожидается появление первых моделей SSD корпоративного уровня стандарта PCIe 6.0, которые обеспечат вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с интерфейсом PCIe 5.0.

Реструктуризация Western Digital Corporation, подразумевающая обособление бизнеса по выпуску флеш-памяти, давно обсуждается на уровне слухов. По информации источников Bloomberg, сделка с Kioxia может состояться в ближайшие месяцы и породить объединённую компанию, чьи акции будут размещены как в США, и так и в Японии. Руководить бизнесом будут представители Western Digital.

Источник изображения: Kioxia

Переговоры между участниками потенциальной сделки, по словам первоисточника, продвигаются, хотя об окончательной её структуре пока говорить рано. На данном этапе предполагается, что бизнес WDC по производству твердотельной памяти структурно отделится от американской корпорации и будет объединён с активами Kioxia. Акции объединённой компании выйдут на фондовый рынок как США, так и Японии, но с некоторой задержкой во времени.

Альянс WDC и Kioxia уже обсуждался в 2021 году, но тогда конкретных договорённостей достичь не удалось. Сейчас бизнес по выпуску твердотельной памяти переживает не самые лучшие времена: цены и спрос упали, но это может способствовать слиянию компаний на более выгодных условиях. Объединение активов этих компаний создаст второго по величине производителя твердотельной памяти в мире после Samsung. Сейчас у Kioxia и Western Digital уже есть совместное предприятие в Японии, занимающееся выпуском флеш-памяти, поэтому компаниям так или иначе приходится взаимодействовать на протяжении многих лет.

Как сообщает Bloomberg со ссылкой на осведомлённые источники, ещё в конце прошлого года Western Digital возобновила переговоры о слиянии с производителем твердотельной памяти Kioxia. По имеющемуся плану, компании могут объединиться и сохранить своё присутствие на фондовом рынке в новом статусе. Оба производителя памяти давно занимаются совместным выпуском микросхем 3D NAND, а потому время от времени задумываются о полном объединении активов.

Источник изображения: Kioxia

В прошлый раз слухи приписывали им активное ведение переговоров в 2021 году, и тогда сумма сделки оценивалась в $20 млрд. Тогда же Kioxia задумалась и о публичном размещении акций, хотя в октябре прошлого года руководство компании опровергло подобные слухи. Курс акций Western Digital Corporation на этих новостях в среду вырос на 5,2 %, увеличив капитализацию бизнеса компании до $10,5 млрд. После закрытия торгов котировки выросли ещё на 8 %.

Возобновление переговоров между двумя компаниями может указывать на кризисные явления в отрасли, которые заставили партнёров забыть про прежние противоречия, мешавшие оформить сделку раньше. С начала прошлого года акции Western Digital упали в цене на 51 % из-за кризиса на рынке памяти. Получившая относительную независимость от Toshiba в 2018 году компания Kioxia остаётся единственным производителем передовых микросхем памяти в Японии. Одним из мотивов к объединению компаний может стать желание более эффективно противостоять южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который остаётся лидером рынка.

Сегодня компания Toshiba объявила о результатах работы за последний квартал и первое полугодие финансового года (с апреля по сентябрь). Выяснилось, что в сравнении с аналогичным периодом прошлого года операционная прибыль упала на 94 %, компании пришлось изменить прогнозы на год на фоне переговоров о продаже компании японским инвесторам.

Источник изображения: wen_xiao/unsplash.com

Операционная прибыль за полугодие составила 2,7 млрд иен ($19 млн), а продажи выросли на 3,2 % по сравнению с тем же периодом годом ранее до 1,6 трлн иен (около $11,48 млрд). Чистая прибыль при этом составила 100 млрд иен или порядка $717,4 млн и выросла на 68 % благодаря успехам частично принадлежащей Toshiba компании Kioxia, занимающейся выпуском чипов флеш-памяти.

Результаты оказались хуже, чем прогнозировалось, поскольку в разных сегментах бизнеса, связанных с тепловыми электростанциями или, например, торговыми терминалами, зарегистрированы убытки. Дополнительно компания сообщила о потере стоимости Toshiba Tec, поставляющей POS-терминалы — после падения цены акций подразделения. Тем временем в бизнесе, связанном с жёсткими дисками, наблюдается спад, связанный с быстрым снижением инвестиций со стороны облачных операторов, а также другими проблемами, в том числе связанными с ростом популярности SSD.

Прогнозы на весь фискальный год, заканчивающийся в марте 2023 года календарного, пришлось пересмотреть. Если раньше операционная прибыль ожидалась в объёме 170 млрд иен (порядка $1,2 млрд), то теперь считается, что она составит всего 125 млрд иен ($896,8 млн), а прогноз чистой прибыли уменьшился с 200 млрд иен ($1,4 млрд) до 190 млрд иен ($1,36 млрд).

Результаты публикуются на фоне разговоров о приватизации компании — японский консорциум, возглавляемый Japan Industrial Partners (JIP) сделал предложение о её покупке за порядка 2,2 трлн иен ($15,8 млрд), это приблизительно соответствует текущей рыночной капитализации Toshiba.

По итогам торгов в пятницу акции компании упали на 8 % в сравнении с июньским максимумом, банки, стоящие за инвесторами, относятся к возможности финансирования сделки весьма осторожно и ещё не дали своего окончательного одобрения. Пока компания рассматривает разные опции. В апреле прошлого года предложение о покупке поступило от частной инвестиционной компании CVC, но его отклонили, сославшись на отсутствие важных деталей в предложенной сделке. Детали имеющихся предложений и ход процесса продажи пока не разглашаются.

Построившая свой бизнес на наследии Toshiba компания Kioxia неожиданно для сложившихся рыночных условий в минувшую среду объявила об открытии нового предприятия по выпуску флеш-памяти стоимостью $6,79 млрд. Строительные работы на площадке Fab7 в Японии завершились ещё в апреле, а к работе предприятие приступит этой осенью после завершения монтажа оборудования.

Источник изображения: Kioxia

В префектуре Миэ появление дополнительного предприятия позволит увеличить локальные объёмы производства микросхем твердотельной памяти на 30 %, как отмечает Nikkei Asian Review. Почти десятую часть затрат на строительство Fab7 субсидировало японское правительство, предприятие сможет выпускать 162-слойную память типа 3D NAND, а затем и продукты будущих поколений. Половину затрат по проекту взяла на себя американская корпорация Western Digital, поскольку данная площадка выпускает память в интересах её совместного предприятия с Kioxia.

Предусмотрено строительство и второй фазы Fab7, хотя сроки его завершения пока не конкретизируются. Kioxia при этом продолжает строить новое предприятие и в префектуре Иватэ на севере Японии. Впрочем, спад спроса на память внёс свои коррективы в операционную деятельность Kioxia. С этого месяца количество обрабатываемых кремниевых пластин с микросхемами памяти на обоих предприятиях будет сокращено на 30 %. Сильнее оно урезалось только в 2012 году, когда Kioxia только обрела структурную независимость от Toshiba. Руководство компании не может с уверенностью утверждать, что это будут последние меры по сокращению производства памяти в обозримом будущем. С 2020 года Kioxia не может выбрать подходящий момент для публичного размещения акций, но текущая обстановка не позволяет считать такой шаг оправданным сейчас.

Цены на микросхемы памяти начали снижаться ещё с четвёртого квартала 2021 года из-за падения спроса на некоторые виды электроники, а рост инфляции, события на Украине и санитарные ограничения в Китае только усугубляют ситуацию. Крупнейшим производителям придётся ограничить выпуск DRAM- и NAND-памяти, чтобы не понести убытков, причём с флеш-памятью ситуация состоит хуже всего, сообщает исследование TrendForce.

Источник изображения: Micron

Сообщается, что средняя контрактная цена на пластины с микросхемами памяти упала практически до себестоимости, что в ближайшей перспективе грозит убытками многим производителям. Поэтому ещё на прошлой неделе Micron официально объявила о сокращении выпуска DRAM и NAND, а после её примеру последовала и Kioxia, заявив о снижении загрузки линий выпуска NAND на 30 % в октябре.

Контрактная цена DRAM пока остаётся выше себестоимости, поэтому ещё предстоит выяснить, ожидается ли в этом сегменте массовое снижение уровня производства. Известно, что Micron помимо снижения загрузки мощностей, намерена сократить в 2023 году и капитальные расходы на развитие производства — годовой рост выпуска DRAM в следующем году составит только 5 %. Не исключено, что снижение уровня производства произойдёт и в данной сфере, хотя в каком именно объёме — пока неизвестно.

В отношении NAND компания Micron ранее планировала постепенно увеличить в своём производстве долю 232-слойных чипов с 4 квартала 2022 года, но в соответствии с новыми планами, в мейнстриме, похоже, будут доминировать в 2023 году 176-слойные продукты, а пластины с чипами, выпускаемые по старым технологиям, тоже будут производить в меньших объёмах. Похоже, намерены ограничить развитие и Kioxia вместе с WDC. Последняя готова замедлить капитальные расходы в 2023 году, поэтому план компании по переходу со 112-слойных чипов в 2023 году на более современные техпроцессы, похоже, не будет выполнен.

Нельзя исключать, что ограничат производство памяти и другие компании, поскольку только снижение производства в масштабах всей отрасли поможет скорректировать баланс спроса и предложения в 2023 году.

Так или иначе, в TrendForce ожидают, что «давление» уже имеющихся запасов продолжит увеличиваться как минимум в 1 квартале 2023 года. Особенно важно совместно снизить производство не только DRAM, но и NAND, поскольку число конкурентов в этой сфере ещё больше. Если к ограничениям загруженности линий присоединятся больше производителей, вероятно, «давление на склады» будет ослаблено во 2 квартале 2023 года, а падение цен уменьшится только во второй половине года.