Опрос
|
реклама
Быстрый переход
В следующем году Kioxia начнёт производство 332-слойной памяти NAND — первым делом её пустят на нужды ИИ
11.12.2025 [10:12],
Алексей Разин
Префектура Иватэ упоминается в новостях второй раз за день, но на этот раз не в контексте возможных последствий недавнего землетрясения, а в связи с намерениями Kioxia наладить на местном предприятии с 2026 года выпуск передовой 332-слойной памяти типа 3D NAND, которая будет востребована в серверном сегменте. 
Источник изображения: Kioxia Соответствующую память Kioxia относит к десятому поколению продукции. По сравнению с восьмым, она позволяет увеличить количество слоёв с 218 до 332 штук, поднять плотность хранения данных на 59 % и увеличить скорость передачи информации на 33 %. Кроме того, в новом поколении памяти снижается уровень энергопотребления. Вопреки ранним прогнозам, выпуск такой памяти Kioxia наладит на предприятии не в Ёккаити, а в Китаками. Для соответствующих нужд на этой площадке ещё в сентябре был введён в строй новый производственный корпус Fab 2. Компания придерживается двойственной производственной политики, стараясь выпускать как скоростную память с минимальными инвестициями на её совершенствование, так и твердотельную память большой ёмкости, которая обзаводится возросшим количеством слоёв. Предприятие в Ёккаити при этом сосредоточится на скоростной памяти, а в Китаками будет выпускаться память большой ёмкости, чьё производство обычно требует существенных капитальных вложений. В Ёккаити компания к апрелю следующего года наладит выпуск твердотельной памяти 3D NAND девятого поколения, которое сохранит то же количество слоёв, что и память восьмого поколения (218 штук), но будет отличаться от него возросшим быстродействием и сниженным энергопотреблением. Такую память целесообразнее использовать в смартфонах. Память десятого поколения с 332 слоями будет применяться в серверных твердотельных накопителях большой ёмкости. Спрос на них сейчас очень высок на фоне бума ИИ, поэтому в скорейшей реализации проекта Kioxia сильно заинтересована. Память девятого поколения подразумевает сращивание двух раздельных кремниевых пластин, на одной из которых располагаются ячейки памяти, а на другой — управляющая логика. До седьмого поколения включительно подобная память выпускалась в монолитной компоновке из одной пластины. Вокруг предприятия Kioxia в Китаками постепенно формируется крупный технологический хаб, привлекающий поставщиков как оборудования для выпуска чипов, так и материалов. Землетрясение в Японии тряхнуло фабрики Kioxia по выпуску флеш-памяти — это может усилить дефицит, но в компании заверили, что всё обошлось
11.12.2025 [09:00],
Алексей Разин
Опасность японского архипелага с точки зрения сейсмической активности в очередной раз проявилась в минувший понедельник, когда в районе Тохоку были зарегистрированы подземные толчки магнитудой более 6 баллов. В районе крупных предприятий Kioxia по выпуску памяти NAND магнитуда составила 4 балла, производство пришлось приостановить, и подобные инциденты только усугубляют и без того непростую ситуацию с доступностью на рынке твердотельной памяти. 
Источник изображения: Kioxia Префектура Иватэ, как отмечает TrendForce со ссылкой на японские СМИ, является местом расположения предприятий не только Kioxia, но и Tokyo Electron — крупного поставщика литографического оборудования. Впрочем, последняя из компаний отчиталась, что землетрясение не причинило урона её местным предприятиям. Они специализируются на выпуске оборудования для нанесения плёночных покрытий на кремниевых пластины и их последующего удаления. Напомним, что ситуация с доступностью памяти типа NAND на мировом рынке усугубляется бумом искусственного интеллекта, поскольку она требуется для твердотельных накопителей, используемых в профильных ЦОД. Цены растут на фоне дефицита, и форс-мажорные обстоятельства типа землетрясений могут лишь усугублять ситуацию. По соседству в префектуре Иватэ у Toshiba также расположено предприятие по выпуску чипов и датчиков изображений. Также в этом районе находится штаб-квартира Japan Semiconductor Corporation с «придворным» предприятием, которое выпускает логические полупроводниковые компоненты, аналоговые чипы и силовую электронику. От стихийного бедствия могла пострадать и Rapidus, которая на острове Хоккайдо осваивает производство 2-нм чипов. В районе профильного предприятия компании магнитуда толчков достигла пяти баллов, но Rapidus утверждает, что оборудование и здание не пострадали, равно как и местный персонал. Kioxia выпустила твердотельные накопители Exceria Pro G2 — PCIe 5.0, до 4 Тбайт и до 14 900 Мбайт/с
11.12.2025 [00:55],
Николай Хижняк
Компания Kioxia представила серию твердотельных накопителей Exceria Pro G2 PCIe 5.0. В неё вошли модели SSD ёмкостью 1, 2 и 4 Тбайт. В пресс-релизе компании отмечается, что новинки используют высокопроизводительные чипы флеш-памяти BiCS Flash TLC 3D. 
Источник изображений: Kioxia Для модели Exceria Pro G2 PCIe 5.0 ёмкостью 1 Тбайт заявляется скорость последовательного чтения до 14 400 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с; для модели ёмкостью 2 Тбайт — до 14 900 и 13 400 Мбайт/с; а для модели на 4 Тбайт — до 14 900 и 13 700 Мбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения у новинок достигает 2 млн IOPS, а записи — 1,95 млн IOPS.  Ресурс работы у модели на 1 Тбайт заявлен на уровне 600 TBW (терабайт перезаписанной информации), у модели на 2 Тбайт — 1200 TBW, а у версии на 4 Тбайт — 2400 TBW. На все модели предоставляется пятилетняя гарантия производителя.  Накопители не оснащены радиаторами охлаждения. Стоимость новинок не сообщается. В продаже указанные SSD появятся до конца текущего года. Дефицит HDD и жадность производителей разогрели цены на NAND — рынок флеш-памяти взлетел на 16,5 %, и это лишь начало
03.12.2025 [12:58],
Алексей Разин
Росту выручки производителей флеш-памяти способствуют сразу несколько факторов. Во-первых, после пережитого недавно кризиса перепроизводства они сократили объёмы выпуска памяти, из-за чего цены пошли вверх. Во-вторых, HDD остаются в дефиците, поэтому облачные гиганты начали скупать ёмкие SSD. В-третьих, параллельно выпускающие DRAM компании стали отдавать предпочтение ей, а потому мощностей для выпуска NAND становится меньше. 
Источник изображения: Kioxia В совокупности, как отмечает TrendForce, всё это привело к тому, что пять крупнейших производителей NAND по итогам третьего квартала увеличили свою совокупную выручку на 16,5 % в последовательном сравнении до $17,1 млрд. В текущем квартале, по мнению авторов исследования, цены на флеш-память вырастут ещё на 20–25 %, а наибольшим спросом будут пользоваться микросхемы TLC и QLC, используемые в серверном сегменте для производства SSD. Сообща пять компаний контролируют 92 % рынка NAND в денежном выражении, при этом во втором квартале их доля была на один процентный пункт выше. Samsung занимает лидирующие позиции с долей 32,3 %, его выручка последовательно выросла на 15,4 % до $6 млрд. Южнокорейская SK Group в этой статистике фигурирует с учётом бывшего бизнеса Intel по производству памяти NAND (Solidigm), она занимает лишь 19 % мирового рынка с выручкой в размере $3,5 млрд, которая последовательно выросла на 5,7 %. 
Источник изображения: TrendForce Зато Kioxia нарастила выручку сразу на 33,1 % до $2,84 млрд, что позволило ей продвинуться на третье место и занять 15,3 % мирового рынка. Конкурирующая Micron Technology опустилась на четвёртое место с 13 % рынка и выручкой в размере $2,42 млрд, которая последовательно увеличилась на 15,4 %. Наконец, замыкает пятёрку SanDisk с 12,4 % рынка, которая увеличила свою выручку последовательно на 21,4 % до $2,3 млрд. Пять крупнейших производителей NAND в третьем квартале сообща выручили $17,1 млрд. В случае с Kioxia заметному росту выручки способствовал не только общий для остальных участников рынка фактор ИИ, но и сезонный рост спроса на смартфоны, а также успешная миграция на технологию производства BiCS8. В текущем квартале, по мнению экспертов TrendForce, росту цен на NAND будет способствовать не только истощение складских запасов, но и ограничение объёмов поставок из-за повышения уровня брака на ранних этапах освоения новых технологий производства памяти. Дефицит жёстких дисков никуда не денется, поэтому SSD продолжат пользоваться спросом у облачных гигантов, подогревая рынок NAND. Власти США обсуждают планы организации производства на территории страны при участии Kioxia и SanDisk
28.11.2025 [08:48],
Алексей Разин
О росте цен на память в последнее время принято много говорить, но он наиболее отчётливо проявляется именно в сегменте DRAM, тогда как NAND плетётся в хвосте и только начинает отходить от затяжного кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. В любом случае, источники приписывают властям США обсуждение плана по локализации производства NAND при участии Kioxia и SanDisk. 
Источник изображения: Kioxia С учётом наличия у американской Micron Technology предприятий по производству твердотельной памяти NAND, инициатива может показаться избыточной, но на фоне сохраняющегося бума ИИ наличие альтернативных производителей в пределах страны будет не лишним. Тем более, что цены на NAND тоже начали расти, привлекая к профильной деятельности имеющие соответствующий опыт компании. В следующем году, например, сотрудничающие более 20 лет компании Kioxia и SanDisk намерены увеличить свои капитальные затраты на 41 % до $4,5 млрд, сосредоточившись на расширении производства чипов поколения BiCS8 и разработке BiCS9. С другой стороны, в период с июля по сентябрь включительно Kioxia столкнулась со снижением чистой прибыли на 62 %, поскольку структура поставок её продукции сильно зависела от сегмента смартфонов (на 35 %), а сезонный спрос в этой рыночной нише не был впечатляющим. Японские источники, на которые ссылается TrendForce, сообщили о подготовке властями США плана по строительству на территории страны предприятия по выпуску NAND, с привлечением Kioxia и SanDisk в качестве лидирующих инвесторов. Пока обсуждение плана идёт с трудом, поскольку производители не могут договориться о размере инвестиций, а ещё их смущает потенциальное регуляторное противодействие Китая. На рынке есть и те игроки, которые одновременно выпускают DRAM и NAND. Лидеры сегмента в лице Samsung, SK hynix и Micron, по данным южнокорейских СМИ, придерживаются сдержанного подхода к расширению производства NAND в следующем году. Фактически, в текущем полугодии они даже сократили выпуск флеш-памяти, что способствовало дополнительному росту цен. Samsung на этапе обсуждения контрактов на поставку NAND в следующем году собирается увеличить цены на 20–30 %. При этом SK hynix на 10 % сократила объёмы выпуска твердотельной памяти, а Micron на своём предприятии в Сингапуре придерживается схожей тактики. Почти 5 Гбайт на квадратный миллиметр: Kioxia и SanDisk готовят флеш-память рекордной плотности
27.11.2025 [11:00],
Павел Котов
Выступающие партнёрами японская Kioxia и американская SanDisk готовятся рассказать на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) о памяти с рекордной плотностью. Как ожидается, что грядущая 3D QLC NAND предложит плотность в 37,6 Гбит/мм², что соответствует 4,7 Гбайт/мм². 
Источник изображения: sandisk.com Инженеры Kioxia и SanDisk выступят с докладом, озаглавленным как «Двухтерабитная флеш-память 3D с четырьмя битами на ячейку, шестиплоскостной архитектурой, плотностью 37,6 Гбит/мм² и скоростью записи более 85 Мбайт/с». Речь, вероятно, пойдёт о чипах BiCS10 QLC в 332-слойном исполнении — это подтверждается сравнением с TLC-вариантом BiCS10, который при 3 битах на ячейку даёт расчётную плотность 29,1 Гбит/мм² или на 33 % меньше. Новая BiCS10 QLC, как и BiCS8 QLC, предлагает до 2 Тбит (256 Гбайт) на кристалл, но при более высокой плотности ёмкость чипа сможет достичь 8 Тбайт. Такого же результата добилась SK hynix со своей 321-слойной V9 QLC, но достоверных сведений о плотности корейский производитель пока не привёл. Зная плотность 37,6 Гбит/мм² и ёмкость 2 Тбит, можно рассчитать площадь кристалла — она составит около 55 мм². Ожидается также прирост скорости, поскольку BiCS10 в версии TLC получит интерфейс с скоростью 4,8 Гбит/с, тогда как у BiCS8 он составлял всего 3,6 Гбит/с. Шестиуровневая архитектура обеспечит BiCS10 QLC скорость записи более 85 Мбайт/с — меньше, чем у TLC, но больше, чем у V9 QLC от SK hynix с её 75 Мбайт/с. В текущем поколении BiCS8 чипы Kioxia и SanDisk при относительно небольшом числе слоёв — 218 — могут соперничать с конкурентами по плотности данных и предлагают максимальную скорость. Выйдя на 332 слоя, Kioxia и SanDisk выступят противовесом Samsung V10, которая обещает выйти на все 400 слоёв и даже достичь 5,6 Гбит/с для V10 TLC. Акции Kioxia рухнули на 23 % — инвесторов разочаровалм итоги квартала
14.11.2025 [13:04],
Алексей Разин
Участники фондового рынка уже начали привыкать на фоне бума искусственного интеллекта, что финансовые показатели производителей чипов растут рекордными темпами, но в этой сфере не всё так однозначно, как показал недавний квартальный отчёт японского производителя памяти Kioxia. Акции компании упали в цене на 23 % — максимально с момента выхода на биржу в декабре прошлого года. 
Источник изображения: Kioxia Как поясняет Bloomberg, толчком к снижению котировок акций Kioxia послужило расхождение в прогнозе аналитиков на весь фискальный год по величине операционной прибыли компании с её собственными ожиданиями. В Японии фискальный год начинается в апреле и завершается в марте следующего года. Kioxia считает, что по итогам первых девяти месяцев текущего фискального года получит операционную прибыль в размере от $1,5 до $1,7 млрд. Аналитиков смущает тот факт, что подобная динамика операционной прибыли не позволит Kioxia выйти по итогам всего фискального года на сумму в районе $2,7 млрд, на которую они рассчитывают. От падения акции компании не уберёг даже рост операционной прибыли по итогам прошлого фискального квартала на 11 %, который наблюдался впервые за три последовательных квартала. Фактически, акции Kioxia достигли дневного предела в снижении своей курсовой стоимости и обвалились максимально с момента выхода этого эмитента на Токийскую фондовую биржу в прошлом декабре. В любом случае, с начала этого года они успели вырасти в цене более чем на 500 %. Акции Samsung и SK hynix тоже упали в цене на этом фоне. Впрочем, некоторые аналитики объясняют наблюдаемое замедление темпов роста прибыли Kioxia необходимостью модернизации технологических процессов выпуска памяти типа NAND. В следующем календарном году Kioxia рассчитывает столкнуться со значительным превышением спроса на NAND по сравнению со своими производственными возможностями, и такой дисбаланс может сохраниться до конца календарного периода. Такая память нужна в больших количествах производителям твердотельных накопителей для серверного сегмента в условиях сохраняющегося бума искусственного интеллекта. Kioxia выпустила SSD Exceria Basic PCIe 4.0 — до 2 Тбайт и до 7300 Мбайт/с
12.11.2025 [22:40],
Николай Хижняк
Компания Kioxia расширила свой ассортимент NVMe-накопителей Exceria стандарта PCIe 4.0 моделями Basic. Новинки предлагают ёмкость до 2 Тбайт и обеспечивают скорость чтение до 7300 Мбайт/с. 
Источник изображений: Kioxia В составе накопителей Kioxia Exceria Basic PCIe 4.0 используются чипы флеш-памяти BiCS Flash QLC. Для модели ёмкостью 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательно чтения до 7200 Мбайт/с и последовательной записи до 6600 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения и записи заявлена на уровне 1 млн IOPS и 1,15 млн IOPS.  Для модели на 2 Тбайт указаны скорости последовательно чтения и записи до 7300 Мбайт/с и до 6800 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения и записи составляет 1 млн IOPS и 1,25 млн IOPS.  Заявленный ресурс у модели на 1 Тбайт составляет 300 TBW (терабайт перезаписанной информации), у версии на 2 Тбайт — 600 TBW. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя. Стоимость представленных SSD производитель не сообщил, но вряд ли она будет высокой — Kioxia пообещала «конкурентоспособную цену, которая выделяется на переполненном рынке». Kioxia: спрос на NAND будет расти на 20 % в год благодаря ИИ
30.09.2025 [09:42],
Алексей Разин
Не секрет, что ранее благоволивший главным образом производителям ускорителей вычислений и памяти типа HBM бум систем искусственного интеллекта начал увеличивать спрос и на ёмкие накопители, будь то HDD или SSD. Компания Kioxia убеждена, что в ближайшие несколько лет спрос на память типа NAND будет расти на 20 % ежегодно. 
Источник изображения: Kioxia Подобные темпы будут обеспечиваться сохраняющейся потребностью владельцев центров обработки данных в расширении вычислительных мощностей для инфраструктуры искусственного интеллекта. Исходя из такого прогноза, Kioxia на ежемесячной основе планирует свои расходы на строительство новых производственных линий и предприятий. В этом признался Bloomberg исполнительный вице-президент Kioxia Томохару Ватанабэ (Tomoharu Watanabe). «Спрос высок, особенно со стороны гиперскейлеров, которым нужны чипы для нужд систем генеративного искусственного интеллекта», — заявил представитель компании. Он также добавил, что в модернизации нуждаются центры обработки данных, которые были введены в эксплуатацию пять или шесть лет назад. Некоторым из операторов ЦОД не хватает жёстких дисков, как заявил Ватанабэ. Kioxia на этой неделе запустила вторую очередь своего завода по производству флеш-памяти в префектуре Иватэ, а поставки его продукции в виде передовых чипов памяти она собирается начать в следующем полугодии. В ближайшие пять лет Kioxia намеревается удвоить объёмы выпуска памяти на своих предприятиях в префектурах Иватэ и Миэ. Спрос на NAND со стороны операторов облачной инфраструктуры должен уже в четвёртом квартале текущего года поднять цены на память данного класса на 5–10 % в последовательном сравнении, как считают эксперты TrendForce. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. Kioxia представила самый ёмкий SSD в мире — он может вместить 12 500 фильмов в 4K
22.07.2025 [10:46],
Николай Хижняк
Компания Kioxia представила твердотельный накопитель LC9 корпоративного уровня ёмкостью 245,76 Тбайт, что делает его самым ёмким SSD в мире. Производитель позиционирует новинку для приложений, которым необходима максимальная плотность хранения данных, таких как обучение искусственного интеллекта и гипермасштабные рабочие нагрузки. 
Источник изображений: Kioxia В составе Kioxia LC9 используются чипы флеш-памяти NAND рекордной ёмкости 8 Тбайт. Объёма SSD достаточно, чтобы хранить на нём 12 500 фильмов формата 4K объёмом 20 Гбайт каждый. Для Kioxia LC9 заявлено использование контроллера памяти стандарта NVMe 2.0 и поддержка интерфейса PCIe 5.0 x4, а также фирменных 2-Тбит микросхем памяти BiCS8 3D QLC NAND. Накопитель изготовлен в формфакторах 2,5 дюйма, а также E3.L. Фактически в каждом чипе памяти в составе LC9 содержится по 32 слоя памяти NAND, упакованных в единую микросхему. По заявлению Kioxia, эта упаковка устанавливает новый рекорд плотности, а для их производства компания использует фирменные методы обработки кремниевых пластин и сборки.  Kioxia LC9 обеспечивает скорость последовательного чтения до 12 Гбайт/с и последовательной записи до 3 Гбайт/с. Это не самый высокий уровень производительности для накопителя корпоративного уровня стандарта PCIe 5.0, однако здесь очевиден компромисс в сторону ёмкости носителя. В случайных операциях SSD обеспечивает производительность 1,3 млн IOPS при чтении и 50 тыс. IOPS при записи, что опять же не очень впечатляет. Что касается выносливости SSD, то Kioxia LC9 рассчитан на 0,3 записи в день (DWPD), что также отражает баланс между ёмкостью и долговечностью накопителя с учётом особенностей использования в центрах обработки данных. Накопитель поддерживает множество функций для повышения надёжности и защиты данных, включая восстановление на уровне кристалла, управление ошибками на основе контроля чётности и защиту от внезапного отключения питания. Он также поддерживает функцию гибкого размещения данных, которая снижает внутреннее увеличение объёма записи и продлевает срок службы, особенно в приложениях, работающих с базами данных. Функции безопасности Kioxia LC9 включают шифрование и подпись прошивки в соответствии со стандартами CNSA 2.0. Накопитель поддерживает несколько режимов шифрования, включая AES-256 и алгоритмы, подготовленные для постквантовой криптографии. Kioxia начала тестировать быструю и эффективную память UFS 4.1 для смартфонов будущего
09.07.2025 [12:47],
Павел Котов
Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA. 
Источник изображения: Kioxia Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности. Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %. Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт. Передовая 332-слойная флеш-память Kioxia предложит кристаллы той же ёмкости, что и 218-слойная
15.06.2025 [15:24],
Владимир Фетисов
Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC). 
Источник изображений: Kioxia В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.  В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.  В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок. Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
