Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями.

Источник изображения: Kioxia

Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с.

Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной.

Источник изображения: Tom's Hardware

Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ.

Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память.

Эпопея с выходом акций японской компании Kioxia на Токийскую фондовую биржу успешно завершилась сегодня, поскольку первый день торгов они начали ниже уровня размещения, но завершили ростом на 7,6 % и превысили его. Капитализация Kioxia тем самым на данном этапе оценивается в $5,34 млрд.

Источник изображения: Kioxia

Это всё равно примерно в два с половиной раза ниже той суммы в японских иенах, которую в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain Capital заплатил за активы Toshiba Memory Corporation. На их базе впоследствии и была сформирована Kioxia, причём бывшая материнская корпорация Toshiba постепенно нарастила свою долю в её капитале до примерно 40 %, но Bain Capital остаётся крупнейшим акционером Kioxia даже после IPO, хотя её доля и уменьшилась с 56,2 до 50,7 %. Решение Bain продать в ходе первичного размещения лишь небольшую часть своих акций Kioxia объясняется низкой стоимостью этих активов. Изначально Bain рассчитывал на вдвое более высокую цену размещения акций Kioxia.

Торги в Токио начались с отметки 1440 иен за акцию Kioxia, тогда как середина диапазона размещения располагалась на уровне 1455 иен за акцию. Торги завершились на уровне 1549 иен за акцию, обеспечив рост их курса на 7,6 % в рамках первой торговой сессии. Kioxia удалось в результате размещения привлечь около $782 млн. Активности продавцов на торгах при этом не наблюдалось, поскольку держатели акций Kioxia наверняка рассчитывают продать их позже по более высокой цене. Всего с начала текущего года в Японии было привлечено около $6 млрд в ходе IPO различных компаний. По вырученной сумме это лучший результат с 2021 года, но по количеству сделок он является худшим за десять лет.

Kioxia — третий по величине производитель чипов памяти в мире, который уступает только южнокорейским Samsung и SK Group.

В соответствии с намеченным графиком японская компания Kioxia определила параметры первичного размещения акций на Токийской фондовой бирже по цене 1455 иен за штуку, что позволяет оценить её капитализацию в эквивалент суммы $5,2 млрд. С учётом дополнительно распределённых акций, компании удастся в ходе указанных мероприятий привлечь $800 млн.

Источник изображения: Kioxia

Цена размещения попала в середину того диапазона, на который Kioxia рассчитывала изначально. Крупнейшие держатели акций Kioxia в лице Bain Capital и Toshiba смогут их реализовать в ходе IPO, а сама Kioxia также выпустит новые акции на сумму $206 млн. Напомним, что в октябре Bain Capital, которая владеет основной частью акций Kioxia с 2018 года, решила отложить IPO компании, поскольку рассчитывала оценить её текущую капитализацию в два раза выше. Впрочем, отсрочка выхода на биржу до декабря особой выгоды с этой точки зрения всё равно не принесла. Самая первая попытка вывести Kioxia на IPO предпринималась ещё четыре года назад.

Бизнес по выпуску флеш-памяти, ранее принадлежавший Toshiba, был выкуплен в 2018 году консорциумом инвесторов во главе с Bain Capital за $13,3 млрд в нынешнем масштабе цен. По факту, нынешнее размещение акций Kioxia не покроет затрат инвесторов, и они просто зафиксируют убытки. Технически акции Kioxia должны выйти на Токийскую фондовую биржу 18 декабря этого года.

Третий по величине производитель флеш-памяти в мире, компания Kioxia, решила до конца этого года выйти на Токийскую фондовую биржу со своими акциями, оценив капитализацию бизнеса в $4,85 млрд. Что характерно, непосредственно выручить на IPO она сможет всего лишь около $646 млн.

Источник изображения: Kioxia

Соответствующая заявка была подана сегодня, акции Kioxia будут включены в котировальный список Токийской фондовой биржи 18 декабря, заложенная в заявке цена размещения находится на уровне 1390 иен за одну акцию. Компания может выручить больше исходных $646 млн, если найдутся покупатели на дополнительное количество акций. Выход компании на IPO поможет нынешним акционерам в лице Bain и Toshiba избавиться от имеющихся у них акций Kioxia. Напомним, что некогда причастной к производству твердотельной памяти Toshiba в капитале Kioxia до сих пор принадлежит более 40 % акций.

В 2018 году активы Toshiba Memory Corporation были выкуплены консорциумом инвесторов во главе с Bain за $12,9 млрд, поэтому описываемые выше условия IPO сложно назвать выгодными для действующих акционеров Kioxia, поскольку активы данной компании оцениваются в скромные $4,85 млрд. Условия IPO одновременно позволят Kioxia выпустить новые акции на общую сумму $179 млн. Это уже не первая попытка компании выйти на биржу, но первая в 2020 году была заблокирована из-за не очень выгодной рыночной конъюнктуры. По-видимому, акционеры Kioxia просто осознали, что на лучшее им сейчас рассчитывать сложно.

В этом месяце должно было состояться первичное размещение на бирже акций компании Kioxia, унаследовавшей бизнес Toshiba по производству флеш-памяти. От данного мероприятия действующие акционеры Kioxia решили отказаться, поскольку инвесторы оценили её активы максимум в $5,4 млрд, тогда как Bain Capital рассчитывала на $10 млрд как минимум.

Источник изображения: Kioxia

Об этом в минувшие выходные сообщило агентство Reuters, поясняющее причины отказа Kioxia от выхода на публичный фондовый рынок в октябре текущего года. Следует также помнить, что в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain Capital за активы Toshiba Memory Corporation заплатил $13,4 млрд, поэтому даже оптимистичный для действующих акционеров сценарий IPO подразумевал бы фиксирование убытков по этой сделке.

Оценка активов Kioxia в $5,4 млрд отображает, насколько инвесторы обеспокоены нынешним положением дел на рынке памяти типа NAND. Представитель некоего хедж-фонда, на которого ссылается Reuters, пояснил, что хотя в текущих условиях IPO компании Kioxia представляется нецелесообразным, ситуация может измениться к лучшему к концу фискального года, который завершится в марте 2025-го.

Бум систем искусственного интеллекта на рынке NAND отразился в меньшей степени, поскольку наметившийся было рост цен на память сменился стабилизацией. Лишь в следующем году необходимость увеличения ёмкости накопителей в клиентских устройствах в связи с распространением систем ИИ вызовет рост цен на память данного типа, как считают аналитики Omdia. Компания Kioxia остаётся третьим по величине выручки производителем твердотельной памяти в мире с долей 13,8 %.

Долгое время считалось, что октябрь текущего года станет удачным периодом для выхода японского производителя памяти Kioxia на фондовый рынок с целью привлечения капитала на свои нужды. В условиях, когда котировки акций конкурентов падают, Kioxia передумала выходить на биржу в октябре, как сообщает Reuters.

Источник изображения: Kioxia

Инвестиционная компания Bain, которая является основным акционером Kioxia, рассчитывала привлечь от размещения акций японского производителя средства из расчёта общей капитализации не менее $10,5 млрд, но сейчас добиться этого было бы проблематично. Например, от недавних максимумов акции Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology просели примерно на треть, поэтому вряд ли инвесторы оценили бы активы Kioxia высоко. Представители компании лишь заявили в комментариях Reuters, что она готовится выйти на IPO в подходящее время.

Японский фондовый рынок испытал резкое падение в начале августа из-за неожиданного повышения ставки рефинансирования и опасений по поводу начала рецессии в США, но успел отыграть позиции в тех пор. Рост средних цен на твердотельную память улучшает финансовую отчётность Kioxia, но этого недостаточно для вселения уверенности в инвесторов. Компания занимает 14 % мирового рынка NAND-памяти. В основе бизнеса Kioxia лежат активы бывшей Toshiba Memory Corporation, которые консорциум инвесторов во главе с Bain в 2018 году выкупил за $18 млрд. Другими словами, оценка капитализации Kioxia в $10,5 млрд не смогла бы покрыть затрат инвесторов, а более низкая сумма не прельщает их и подавно. Компании не удалось выйти на IPO и в 2020 году, а сделка по слиянию с Western Digital была заблокирована корейской SK hynix, которая имеет некоторые интересы в капитале Kioxia с 2018 года.

Связанные с производством флеш-памяти активы бывшей Toshiba Memory Corporation с 2018 года принадлежат консорциуму инвесторов во главе с Bain Capital, и соответствующую деятельность производитель NAND продолжает под вывеской Kioxia. Теперь эта японская компания подала заявку на IPO, которое должно состояться в октябре текущего года и оценить её бизнес в $10,3 млрд.

Источник изображения: Kioxia

Как уточняет Bloomberg, планируется непосредственно выручить на этом мероприятии не более $500 млн, но и этой суммы будет достаточно, чтобы признать данное IPO крупнейшим в Японии не только за этот год, но и со времён выхода на биржу корпорации SoftBank в 2018 году. Капитализация Kioxia по итогам IPO может быть оценена в $10,3 млрд, и период для привлечения средств инвесторов компания считает удачным, поскольку спрос на твердотельную память начал расти, во многом благодаря потребности в скоростных и ёмких накопителях для систем искусственного интеллекта.

Консорциум инвесторов, в который входит не только Bain Capital, но и конкурирующая SK hynix, сейчас контролирует 56 % акций Kioxia, но после размещения он намерен сократить свою долю. Оставшиеся 41 % по-прежнему контролирует некогда материнская корпорация Toshiba, которая сама недавно пережила процедуру приватизации и делистинга с Токийской фондовой биржи. Этот акционер также планирует сократить свою долю в капитале Kioxia после выхода последней на IPO, как сообщает Nikkei. К слову, в 2018 году лежащие в основе Kioxia активы Toshiba Memory Corporation инвесторы выкупили за $18 млрд, поэтому при капитализации первой на уровне $10,3 млрд они вряд ли смогут вернуть свои инвестиции лишь за счёт продажи акций.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов памяти 3D QLC NAND, построенных на 2-терабитных кристаллах BiCS 8-го поколения. Производитель уверяет, что эти кристаллы предлагают самую высокую ёмкость в отрасли, способствуя росту в различных прикладных сегментах, включая ИИ.

Источник изображения: kioxia.com

Технология BiCS, так в Kioxia называют чипы 3D NAND, помогла Kioxia добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристаллов памяти, подчеркнул производитель. Также в новинках использовано решение CBA (CMOS direct Bonded to Array), которое помогло поднять скорость интерфейса до 3,6 Гбит/с.

Представленные микросхемы на 2-Тбит кристаллах с четырёхбитовыми ячейками (QLC) предлагает плотность хранения информации в 2,3 раза выше, а эффективность записи — на 70 % выше по сравнению с актуальными компонентами пятого поколения от Kioxia. Образец микросхемы имеет габариты 11,5 × 13,5 × 1,5 мм — в её корпусе уместились 16 кристаллов, обеспечив суммарную ёмкость в 4 Тбайт.

В дополнение к памяти QLC на кристаллах объёмом 2 Тбит Kioxia представила обновлённый вариант QLC-кристаллов на 1 Тбит: по сравнению с первым, который «оптимизирован по ёмкости», второй «оптимизирован по скорости» — он предлагает увеличенную на 30 % скорость последовательной записи и сниженную на 15 % задержку при чтении. Обновлённые кристаллы QLC на 1 Тбит будут использоваться в высокопроизводительной продукции, включая потребительские SSD и накопители для мобильных устройств.

Формально свою историю японская компания Kioxia ведёт с декабря 2017 года, но нынешнее название она получила в октябре 2019 года, а из структуры корпорации Toshiba бизнес по выпуску флеш-памяти выделился в апреле 2017 года. Уже не раз сообщалось, что в текущем году Kioxia намеревается выйти на фондовый рынок, и теперь источники отмечают, что заявка на IPO будет подана в ближайшие дни.

Источник изображения: Kioxia

По крайней мере, такой информацией делится агентство Reuters. Полноценная заявка на публичное размещение акций Kioxia подаст к августу этого года, а к концу октября она рассчитывает выйти на биржу со своими ценными бумагами. В случае возникновения временных препятствий на этом пути сроки размещения могут быть перенесены на декабрь текущего года. Напоминаем, что акции некогда материнской для Kioxia корпорации Toshiba покинули Токийскую фондовую биржу в конце декабря прошлого года, но компания рассчитывает вернуться в котировальный список этой площадки через несколько лет.

Потратившийся на выкуп акций в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain намеревается вернуть часть инвестиций за счёт размещения акций Kioxia на бирже, а сама японская компания рассчитывает привлечь средства за счёт выпуска дополнительных акций в ходе этих мероприятий. Консультантами по подготовке к IPO выбраны Mitsubishi UFJ Morgan Stanley Securities (MUMSS) и Nomura Securities, как отмечают источники. Официальные представители всех указанных компаний от комментариев отказались, а Kioxia дала понять, что ничего нового по поводу подготовки к IPO сообщить не может. Время для выхода на фондовый рынок подбирается таким образом, чтобы не попасть в период, характеризующийся упадком спроса на твердотельную память типа NAND, которую выпускает Kioxia.

В 2020 году компании уже пришлось воздержаться от планов по выходу на биржу именно из-за неблагоприятной рыночной конъюнктуры. В тот момент Kioxia исходила из условий IPO, соответствующих уровню капитализации более $12,6 млрд. Прошлый квартал Kioxia завершила с операционными убытками, хотя и получила чистую прибыль впервые за шесть предыдущих кварталов. За первые три месяца текущего года цены на память типа NAND в среднем выросли на 20 %.

Подготовка к IPO позволила Kioxia на прошлой неделе рефинансировать часть старых кредитов, поскольку кредиторы вдохновились намерениями компании выйти на биржу до конца года. Переговоры Kioxia о слиянии с давним производственным партнёром Western Digital в прошлом году развалились под давлением SK hynix, которая является номинальным инвестором Kioxia и не заинтересована в появлении нового крупного конкурента на рынке. После этого японский производитель памяти решил выходить на биржу, чтобы привлечь капитал.

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм². Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Приватизация бизнеса Toshiba по выпуску микросхем памяти, который затем достался новой компании Kioxia, осуществлялась в 2018 году с участием консорциума инвесторов. Теперь уже в новом качестве Kioxia хочет выйти на публичный рынок к октябрю этого года, рассчитывая за счёт привлекаемых средств инвесторов рефинансировать накопившиеся долги на сумму $5,8 млрд.

Источник изображения: Kioxia

Строго говоря, как поясняет Bloomberg, сроки рефинансирования данной части долга Kioxia истекают в июне, поэтому октябрьское размещение акций не решит финансовые проблемы компании сразу, но банки-кредиторы в целом будут готовы охотнее договариваться о рефинансировании кредитов, если компания убедит их в неизбежности скорого выхода на биржу. Крупнейший акционер Bain Capital тоже участвует в переговорах с кредиторами на эту тему.

Некоторые руководители Kioxia при этом не теряют надежды возобновить переговоры о слиянии с американской Western Digital в части активов, связанных с выпуском твердотельной памяти. У компаний есть совместное предприятие, но их попытка объединиться прошлой осенью завершилась неудачей из-за противодействия конкурирующей SK hynix, которая формально является акционером Kioxia, и тогда не согласилась на предложенную за свою долю в бизнесе цену. По замыслу, Kioxia и Western Digital могут попробовать вернуться к переговорам о слиянии уже после выхода первой из компаний на биржу.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

Пока в прошлом году рынок твердотельной памяти страдал от излишков готовой продукции, производители не стремились вводить в строй новые линии, а имеющиеся загружали работой меньше, чем обычно. Поскольку фиксированные расходы никуда не делись, на себестоимости продукции частичная загрузка сказывается негативно. По прогнозам TrendForce, компании Western Digital и Kioxia к увеличению степени загрузки своих предприятий приступят со второго квартала.

Источник изображения: Kioxia

По мнению экспертов TrendForce, если в первом квартале текущего года степень загрузки конвейеров обеих компаний не превышала 75 %, то со второго квартала она будет увеличена до 88 %, и этому примеру ко второму полугодию могут последовать и прочие производители памяти типа NAND. Сейчас ситуация такова, что Western Digital и Kioxia располагают небольшими складскими запасами продукции на фоне конкурентов, а наращивать они сейчас будут выпуск преимущественно 112-слойной памяти и микросхем NAND, использующих планарную компоновку (2D). Эти меры позволят обеим компаниям до конца года вернуться к прибыльности, и в какой-то мере поспособствовать росту объёмов поставок памяти NAND на мировой рынок, который по итогам текущего года способен достичь 10,9 %.

Если Micron и Samsung к концу текущего года доведут долю микросхем 3D NAND с количеством слоёв более 200 штук до 40 % в структуре своих поставок, то Kioxia и Western Digital в этом году будут сосредоточены на выпуске 112-слойной памяти, и перейдут на активный выпуск 218-слойных микросхем 3D NAND только в следующем году. Японская компания Kioxia в перспективе готова наладить и выпуск памяти с 300 и более слоями.

При всём этом темпы экспансии объёмов производства NAND в этом году будут сдержанными, поскольку бум искусственного интеллекта не особо влияет на этот сегмент рынка, от силы подогревая интерес некоторой части клиентов к покупке твердотельных накопителей корпоративного класса. Контрактные цены на рынке NAND по этой причине во втором квартале вырастут на 10–15 %, а в третьем уже могут опуститься на величину от 0 до 5 %, по мнению представителей TrendForce.