Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Дефицит HDD и жадность производителей разогрели цены на NAND — рынок флеш-памяти взлетел на 16,5 %, и это лишь начало
03.12.2025 [12:58],
Алексей Разин
Росту выручки производителей флеш-памяти способствуют сразу несколько факторов. Во-первых, после пережитого недавно кризиса перепроизводства они сократили объёмы выпуска памяти, из-за чего цены пошли вверх. Во-вторых, HDD остаются в дефиците, поэтому облачные гиганты начали скупать ёмкие SSD. В-третьих, параллельно выпускающие DRAM компании стали отдавать предпочтение ей, а потому мощностей для выпуска NAND становится меньше. 
Источник изображения: Kioxia В совокупности, как отмечает TrendForce, всё это привело к тому, что пять крупнейших производителей NAND по итогам третьего квартала увеличили свою совокупную выручку на 16,5 % в последовательном сравнении до $17,1 млрд. В текущем квартале, по мнению авторов исследования, цены на флеш-память вырастут ещё на 20–25 %, а наибольшим спросом будут пользоваться микросхемы TLC и QLC, используемые в серверном сегменте для производства SSD. Сообща пять компаний контролируют 92 % рынка NAND в денежном выражении, при этом во втором квартале их доля была на один процентный пункт выше. Samsung занимает лидирующие позиции с долей 32,3 %, его выручка последовательно выросла на 15,4 % до $6 млрд. Южнокорейская SK Group в этой статистике фигурирует с учётом бывшего бизнеса Intel по производству памяти NAND (Solidigm), она занимает лишь 19 % мирового рынка с выручкой в размере $3,5 млрд, которая последовательно выросла на 5,7 %. 
Источник изображения: TrendForce Зато Kioxia нарастила выручку сразу на 33,1 % до $2,84 млрд, что позволило ей продвинуться на третье место и занять 15,3 % мирового рынка. Конкурирующая Micron Technology опустилась на четвёртое место с 13 % рынка и выручкой в размере $2,42 млрд, которая последовательно увеличилась на 15,4 %. Наконец, замыкает пятёрку SanDisk с 12,4 % рынка, которая увеличила свою выручку последовательно на 21,4 % до $2,3 млрд. Пять крупнейших производителей NAND в третьем квартале сообща выручили $17,1 млрд. В случае с Kioxia заметному росту выручки способствовал не только общий для остальных участников рынка фактор ИИ, но и сезонный рост спроса на смартфоны, а также успешная миграция на технологию производства BiCS8. В текущем квартале, по мнению экспертов TrendForce, росту цен на NAND будет способствовать не только истощение складских запасов, но и ограничение объёмов поставок из-за повышения уровня брака на ранних этапах освоения новых технологий производства памяти. Дефицит жёстких дисков никуда не денется, поэтому SSD продолжат пользоваться спросом у облачных гигантов, подогревая рынок NAND. Власти США обсуждают планы организации производства на территории страны при участии Kioxia и SanDisk
28.11.2025 [08:48],
Алексей Разин
О росте цен на память в последнее время принято много говорить, но он наиболее отчётливо проявляется именно в сегменте DRAM, тогда как NAND плетётся в хвосте и только начинает отходить от затяжного кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. В любом случае, источники приписывают властям США обсуждение плана по локализации производства NAND при участии Kioxia и SanDisk. 
Источник изображения: Kioxia С учётом наличия у американской Micron Technology предприятий по производству твердотельной памяти NAND, инициатива может показаться избыточной, но на фоне сохраняющегося бума ИИ наличие альтернативных производителей в пределах страны будет не лишним. Тем более, что цены на NAND тоже начали расти, привлекая к профильной деятельности имеющие соответствующий опыт компании. В следующем году, например, сотрудничающие более 20 лет компании Kioxia и SanDisk намерены увеличить свои капитальные затраты на 41 % до $4,5 млрд, сосредоточившись на расширении производства чипов поколения BiCS8 и разработке BiCS9. С другой стороны, в период с июля по сентябрь включительно Kioxia столкнулась со снижением чистой прибыли на 62 %, поскольку структура поставок её продукции сильно зависела от сегмента смартфонов (на 35 %), а сезонный спрос в этой рыночной нише не был впечатляющим. Японские источники, на которые ссылается TrendForce, сообщили о подготовке властями США плана по строительству на территории страны предприятия по выпуску NAND, с привлечением Kioxia и SanDisk в качестве лидирующих инвесторов. Пока обсуждение плана идёт с трудом, поскольку производители не могут договориться о размере инвестиций, а ещё их смущает потенциальное регуляторное противодействие Китая. На рынке есть и те игроки, которые одновременно выпускают DRAM и NAND. Лидеры сегмента в лице Samsung, SK hynix и Micron, по данным южнокорейских СМИ, придерживаются сдержанного подхода к расширению производства NAND в следующем году. Фактически, в текущем полугодии они даже сократили выпуск флеш-памяти, что способствовало дополнительному росту цен. Samsung на этапе обсуждения контрактов на поставку NAND в следующем году собирается увеличить цены на 20–30 %. При этом SK hynix на 10 % сократила объёмы выпуска твердотельной памяти, а Micron на своём предприятии в Сингапуре придерживается схожей тактики. Почти 5 Гбайт на квадратный миллиметр: Kioxia и SanDisk готовят флеш-память рекордной плотности
27.11.2025 [11:00],
Павел Котов
Выступающие партнёрами японская Kioxia и американская SanDisk готовятся рассказать на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) о памяти с рекордной плотностью. Как ожидается, что грядущая 3D QLC NAND предложит плотность в 37,6 Гбит/мм², что соответствует 4,7 Гбайт/мм². 
Источник изображения: sandisk.com Инженеры Kioxia и SanDisk выступят с докладом, озаглавленным как «Двухтерабитная флеш-память 3D с четырьмя битами на ячейку, шестиплоскостной архитектурой, плотностью 37,6 Гбит/мм² и скоростью записи более 85 Мбайт/с». Речь, вероятно, пойдёт о чипах BiCS10 QLC в 332-слойном исполнении — это подтверждается сравнением с TLC-вариантом BiCS10, который при 3 битах на ячейку даёт расчётную плотность 29,1 Гбит/мм² или на 33 % меньше. Новая BiCS10 QLC, как и BiCS8 QLC, предлагает до 2 Тбит (256 Гбайт) на кристалл, но при более высокой плотности ёмкость чипа сможет достичь 8 Тбайт. Такого же результата добилась SK hynix со своей 321-слойной V9 QLC, но достоверных сведений о плотности корейский производитель пока не привёл. Зная плотность 37,6 Гбит/мм² и ёмкость 2 Тбит, можно рассчитать площадь кристалла — она составит около 55 мм². Ожидается также прирост скорости, поскольку BiCS10 в версии TLC получит интерфейс с скоростью 4,8 Гбит/с, тогда как у BiCS8 он составлял всего 3,6 Гбит/с. Шестиуровневая архитектура обеспечит BiCS10 QLC скорость записи более 85 Мбайт/с — меньше, чем у TLC, но больше, чем у V9 QLC от SK hynix с её 75 Мбайт/с. В текущем поколении BiCS8 чипы Kioxia и SanDisk при относительно небольшом числе слоёв — 218 — могут соперничать с конкурентами по плотности данных и предлагают максимальную скорость. Выйдя на 332 слоя, Kioxia и SanDisk выступят противовесом Samsung V10, которая обещает выйти на все 400 слоёв и даже достичь 5,6 Гбит/с для V10 TLC. Акции Kioxia рухнули на 23 % — инвесторов разочаровалм итоги квартала
14.11.2025 [13:04],
Алексей Разин
Участники фондового рынка уже начали привыкать на фоне бума искусственного интеллекта, что финансовые показатели производителей чипов растут рекордными темпами, но в этой сфере не всё так однозначно, как показал недавний квартальный отчёт японского производителя памяти Kioxia. Акции компании упали в цене на 23 % — максимально с момента выхода на биржу в декабре прошлого года. 
Источник изображения: Kioxia Как поясняет Bloomberg, толчком к снижению котировок акций Kioxia послужило расхождение в прогнозе аналитиков на весь фискальный год по величине операционной прибыли компании с её собственными ожиданиями. В Японии фискальный год начинается в апреле и завершается в марте следующего года. Kioxia считает, что по итогам первых девяти месяцев текущего фискального года получит операционную прибыль в размере от $1,5 до $1,7 млрд. Аналитиков смущает тот факт, что подобная динамика операционной прибыли не позволит Kioxia выйти по итогам всего фискального года на сумму в районе $2,7 млрд, на которую они рассчитывают. От падения акции компании не уберёг даже рост операционной прибыли по итогам прошлого фискального квартала на 11 %, который наблюдался впервые за три последовательных квартала. Фактически, акции Kioxia достигли дневного предела в снижении своей курсовой стоимости и обвалились максимально с момента выхода этого эмитента на Токийскую фондовую биржу в прошлом декабре. В любом случае, с начала этого года они успели вырасти в цене более чем на 500 %. Акции Samsung и SK hynix тоже упали в цене на этом фоне. Впрочем, некоторые аналитики объясняют наблюдаемое замедление темпов роста прибыли Kioxia необходимостью модернизации технологических процессов выпуска памяти типа NAND. В следующем календарном году Kioxia рассчитывает столкнуться со значительным превышением спроса на NAND по сравнению со своими производственными возможностями, и такой дисбаланс может сохраниться до конца календарного периода. Такая память нужна в больших количествах производителям твердотельных накопителей для серверного сегмента в условиях сохраняющегося бума искусственного интеллекта. Kioxia выпустила SSD Exceria Basic PCIe 4.0 — до 2 Тбайт и до 7300 Мбайт/с
12.11.2025 [22:40],
Николай Хижняк
Компания Kioxia расширила свой ассортимент NVMe-накопителей Exceria стандарта PCIe 4.0 моделями Basic. Новинки предлагают ёмкость до 2 Тбайт и обеспечивают скорость чтение до 7300 Мбайт/с. 
Источник изображений: Kioxia В составе накопителей Kioxia Exceria Basic PCIe 4.0 используются чипы флеш-памяти BiCS Flash QLC. Для модели ёмкостью 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательно чтения до 7200 Мбайт/с и последовательной записи до 6600 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения и записи заявлена на уровне 1 млн IOPS и 1,15 млн IOPS.  Для модели на 2 Тбайт указаны скорости последовательно чтения и записи до 7300 Мбайт/с и до 6800 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения и записи составляет 1 млн IOPS и 1,25 млн IOPS.  Заявленный ресурс у модели на 1 Тбайт составляет 300 TBW (терабайт перезаписанной информации), у версии на 2 Тбайт — 600 TBW. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя. Стоимость представленных SSD производитель не сообщил, но вряд ли она будет высокой — Kioxia пообещала «конкурентоспособную цену, которая выделяется на переполненном рынке». Kioxia: спрос на NAND будет расти на 20 % в год благодаря ИИ
30.09.2025 [09:42],
Алексей Разин
Не секрет, что ранее благоволивший главным образом производителям ускорителей вычислений и памяти типа HBM бум систем искусственного интеллекта начал увеличивать спрос и на ёмкие накопители, будь то HDD или SSD. Компания Kioxia убеждена, что в ближайшие несколько лет спрос на память типа NAND будет расти на 20 % ежегодно. 
Источник изображения: Kioxia Подобные темпы будут обеспечиваться сохраняющейся потребностью владельцев центров обработки данных в расширении вычислительных мощностей для инфраструктуры искусственного интеллекта. Исходя из такого прогноза, Kioxia на ежемесячной основе планирует свои расходы на строительство новых производственных линий и предприятий. В этом признался Bloomberg исполнительный вице-президент Kioxia Томохару Ватанабэ (Tomoharu Watanabe). «Спрос высок, особенно со стороны гиперскейлеров, которым нужны чипы для нужд систем генеративного искусственного интеллекта», — заявил представитель компании. Он также добавил, что в модернизации нуждаются центры обработки данных, которые были введены в эксплуатацию пять или шесть лет назад. Некоторым из операторов ЦОД не хватает жёстких дисков, как заявил Ватанабэ. Kioxia на этой неделе запустила вторую очередь своего завода по производству флеш-памяти в префектуре Иватэ, а поставки его продукции в виде передовых чипов памяти она собирается начать в следующем полугодии. В ближайшие пять лет Kioxia намеревается удвоить объёмы выпуска памяти на своих предприятиях в префектурах Иватэ и Миэ. Спрос на NAND со стороны операторов облачной инфраструктуры должен уже в четвёртом квартале текущего года поднять цены на память данного класса на 5–10 % в последовательном сравнении, как считают эксперты TrendForce. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. Kioxia представила самый ёмкий SSD в мире — он может вместить 12 500 фильмов в 4K
22.07.2025 [10:46],
Николай Хижняк
Компания Kioxia представила твердотельный накопитель LC9 корпоративного уровня ёмкостью 245,76 Тбайт, что делает его самым ёмким SSD в мире. Производитель позиционирует новинку для приложений, которым необходима максимальная плотность хранения данных, таких как обучение искусственного интеллекта и гипермасштабные рабочие нагрузки. 
Источник изображений: Kioxia В составе Kioxia LC9 используются чипы флеш-памяти NAND рекордной ёмкости 8 Тбайт. Объёма SSD достаточно, чтобы хранить на нём 12 500 фильмов формата 4K объёмом 20 Гбайт каждый. Для Kioxia LC9 заявлено использование контроллера памяти стандарта NVMe 2.0 и поддержка интерфейса PCIe 5.0 x4, а также фирменных 2-Тбит микросхем памяти BiCS8 3D QLC NAND. Накопитель изготовлен в формфакторах 2,5 дюйма, а также E3.L. Фактически в каждом чипе памяти в составе LC9 содержится по 32 слоя памяти NAND, упакованных в единую микросхему. По заявлению Kioxia, эта упаковка устанавливает новый рекорд плотности, а для их производства компания использует фирменные методы обработки кремниевых пластин и сборки.  Kioxia LC9 обеспечивает скорость последовательного чтения до 12 Гбайт/с и последовательной записи до 3 Гбайт/с. Это не самый высокий уровень производительности для накопителя корпоративного уровня стандарта PCIe 5.0, однако здесь очевиден компромисс в сторону ёмкости носителя. В случайных операциях SSD обеспечивает производительность 1,3 млн IOPS при чтении и 50 тыс. IOPS при записи, что опять же не очень впечатляет. Что касается выносливости SSD, то Kioxia LC9 рассчитан на 0,3 записи в день (DWPD), что также отражает баланс между ёмкостью и долговечностью накопителя с учётом особенностей использования в центрах обработки данных. Накопитель поддерживает множество функций для повышения надёжности и защиты данных, включая восстановление на уровне кристалла, управление ошибками на основе контроля чётности и защиту от внезапного отключения питания. Он также поддерживает функцию гибкого размещения данных, которая снижает внутреннее увеличение объёма записи и продлевает срок службы, особенно в приложениях, работающих с базами данных. Функции безопасности Kioxia LC9 включают шифрование и подпись прошивки в соответствии со стандартами CNSA 2.0. Накопитель поддерживает несколько режимов шифрования, включая AES-256 и алгоритмы, подготовленные для постквантовой криптографии. Kioxia начала тестировать быструю и эффективную память UFS 4.1 для смартфонов будущего
09.07.2025 [12:47],
Павел Котов
Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA. 
Источник изображения: Kioxia Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности. Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %. Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт. Передовая 332-слойная флеш-память Kioxia предложит кристаллы той же ёмкости, что и 218-слойная
15.06.2025 [15:24],
Владимир Фетисов
Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC). 
Источник изображений: Kioxia В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.  В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.  В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок. Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года. Kioxia рассказала, когда создаст SSD с производительностью выше 10 миллионов IOPS
05.06.2025 [17:51],
Сергей Сурабекянц
Японский производитель компьютерной памяти Kioxia представил свою программу среднесрочного и долгосрочного развития, в которой делает ставку на производство передовых SSD. Самый амбициозный проект компании — это прорывной твердотельный накопитель с производительностью 10 млн операций ввода-вывода в секунду (IOPS), который должен появиться уже во второй половине 2026 года. 
Источник изображений: Kioxia «Мы берём наши сверхбыстрые чипы памяти XL-Flash на основе одноуровневых ячеек и соединяем их с совершенно новым контроллером, — пояснил представитель компании. — Эта комбинация должна дать нам беспрецедентную производительность для операций с данными небольшого масштаба. Мы нацелены на более чем 10 миллионов операций ввода-вывода в секунду и планируем подготовить образцы ко второй половине 2026 года».  В настоящее время Kioxia выпускает твердотельные накопители, созданные на основе фирменной 218-слойной флеш-памяти BiCS FLASH 8-го поколения. Эта память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array — CMOS, напрямую связанная с массивом) для достижения максимальной скорости и энергоэффективности. Kioxia последовательно наращивает производство этих чипов, которые используются как в высокопроизводительных SSD, так и в смартфонах с поддержкой ИИ.  Серия актуальных накопителей Kioxia CM9 нацелена на системы ИИ, которым требуется максимальная производительность и надёжность. Серия LC9 фокусируется на ёмкости накопителей для крупномасштабных баз данных, которая может достигать 122 Тбайт на устройство. Компания также тесно сотрудничает с основными производителями графических процессоров для оптимизации своих накопителей для графических и видеоприложений.  Kioxia использует два конкурентных подхода при разработке следующего поколения флэш-памяти. Первый (BiCS FLASH 10-го поколения) фокусируется на традиционном методе увеличения количества слоёв для повышения ёмкости. Второй (BiCS FLASH 9-го поколения) стремится максимально использовать преимущества технологии CBA, что обеспечивает высокую производительность и при этом позволяет сохранять затраты на разработку на приемлемом уровне. Kioxia представила первую в мире 332-слойную память 3D NAND, но никому её не показала
20.02.2025 [18:31],
Сергей Сурабекянц
Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями. 
Источник изображения: Kioxia Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с. Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной. 
Источник изображения: Tom's Hardware Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ. Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память. Третий крупнейший производитель флеш-памяти в мире наконец вышел на биржу — акции сразу выросли на 7,6 %
18.12.2024 [10:39],
Алексей Разин
Эпопея с выходом акций японской компании Kioxia на Токийскую фондовую биржу успешно завершилась сегодня, поскольку первый день торгов они начали ниже уровня размещения, но завершили ростом на 7,6 % и превысили его. Капитализация Kioxia тем самым на данном этапе оценивается в $5,34 млрд. 
Источник изображения: Kioxia Это всё равно примерно в два с половиной раза ниже той суммы в японских иенах, которую в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain Capital заплатил за активы Toshiba Memory Corporation. На их базе впоследствии и была сформирована Kioxia, причём бывшая материнская корпорация Toshiba постепенно нарастила свою долю в её капитале до примерно 40 %, но Bain Capital остаётся крупнейшим акционером Kioxia даже после IPO, хотя её доля и уменьшилась с 56,2 до 50,7 %. Решение Bain продать в ходе первичного размещения лишь небольшую часть своих акций Kioxia объясняется низкой стоимостью этих активов. Изначально Bain рассчитывал на вдвое более высокую цену размещения акций Kioxia. Торги в Токио начались с отметки 1440 иен за акцию Kioxia, тогда как середина диапазона размещения располагалась на уровне 1455 иен за акцию. Торги завершились на уровне 1549 иен за акцию, обеспечив рост их курса на 7,6 % в рамках первой торговой сессии. Kioxia удалось в результате размещения привлечь около $782 млн. Активности продавцов на торгах при этом не наблюдалось, поскольку держатели акций Kioxia наверняка рассчитывают продать их позже по более высокой цене. Всего с начала текущего года в Японии было привлечено около $6 млрд в ходе IPO различных компаний. По вырученной сумме это лучший результат с 2021 года, но по количеству сделок он является худшим за десять лет. Kioxia — третий по величине производитель чипов памяти в мире, который уступает только южнокорейским Samsung и SK Group. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
