MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
На рынке HBM3 и HBM3E компания Samsung Electronics заметно уступила более мелкой компании SK hynix, поэтому по мере освоения выпуска HBM4 и HBM4E она приложила максимум усилий для устранения этого отставания. В частности, на этой неделе Samsung заявила, что первой начала поставлять клиентам образцы 12-слойной памяти типа HBM4E.
Источник изображения: Samsung Electronics
Samsung Electronics в своём пресс-релизе заодно напомнила, что уже отчиталась в этом году о начале серийного производства HBM4, хотя и не стала конкретизировать, кто является её клиентами на этом направлении. Уже сейчас образцы HBM4E, по словам представителей Samsung, обеспечивают стабильную передачу информации со скоростью 14 Гбит/с с перспективой увеличения до 16 Гбит/с. Это более чем в 20 % выше, чем у HBM4, а совокупная скорость передачи информации в стеке HBM4E достигает 3,6 Тбайт/с.
Кроме того, 12-слойный стек HBM4E обеспечивает ёмкость 48 Гбайт, на 30 % превосходя память предыдущего поколения. Компания также готова в будущем предложить клиентам 8-слойные стеки объёмом 32 Гбайт и 16-слойные объёмом 64 Гбайт. Кристаллы DRAM для HBM4E компания намерена производить по 6-му поколению 10-нм технологии (1c), а базовые кристаллы будут выпускаться контрактным подразделением Samsung по 4-нм техпроцессу. Оптимизация в дизайне и на уровне упаковки позволила Samsung улучшить энергетическую эффективность HBM4E на 16 % по сравнению с памятью предыдущего поколения, а тепловые характеристики улучшились более чем на 14 %. Серийные поставки HBM4E компания будет разворачивать по согласованию со своими клиентами. Качеством её микросхем HBM4, которые начали поставляться в феврале, они весьма довольны, как отмечается в пресс-релизе Samsung.
Новость о начале поставок образцов HBM4E вызвала рост курса акций Samsung на 6,51 %. Конкурирующая SK hynix в прошлом месяце заявила о намерениях начать поставки образцов HBM4E во второй половине текущего года, а к массовому производству памяти этого поколения она собирается приступить в 2027 году.
Источник:
